模拟电子技术第4章习题答案
模拟电子技能技术总结习题及答案
精心整理模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
456781．1A2．A3A4A5A1．12341．1值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U＝(6—0.7)V＝5.3V。
(b)令二极管断开，可得UP ＝6V、UN＝10V，UP<UN，所以二极管反向偏压而截止，U＝10V。
(c)令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U＝0.7V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出ui 、u、iD的波形。
解：输入电压ui 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u＝0，而流过二极管的电流iD ＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10V／1kΩ＝10mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD ＝0，u＝ui为半波正弦波。
因此可画出电压u电流iD的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ ＝5V，IZ＝5mA，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5V。
当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6V。
第2章半导体三极管及其基本应用2．1填空题12种载流子参与导电。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术习题答案
模拟电⼦技术习题答案模拟电⼦技术习题答案电⼯电⼦教学部第⼀章绪论⼀、填空题：1. ⾃然界的各种物理量必须⾸先经过传感器将⾮电量转换为电量，即电信号。
2. 信号在频域中表⽰的图形或曲线称为信号的频谱。
3. 通过傅⽴叶变换可以实现信号从时域到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的振幅随⾓频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的相位随⾓频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由直流分量、基波分量以及⽆穷多项⾼次谐波分量组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。
9. 放⼤电路分为电压放⼤电路、电流放⼤电路、互阻放⼤电路以及互导放⼤电路四类。
10. 输⼊电阻、输出电阻、增益、频率响应和⾮线性失真等主要性能指标是衡量放⼤电路的标准。
11. 放⼤电路的增益实际上反映了电路在输⼊信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量的能⼒。
12. 放⼤电路的电压增益和电流增益在⼯程上常⽤“分贝”表⽰，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益、dB lg 20i A =电流增益。
13. 放⼤电路的频率响应指的是，在输⼊正弦信号情况下，输出随输⼊信号频率连续变化的稳态响应。
14. 幅频响应是指电压增益的模与⾓频率之间的关系。
15. 相频响应是指放⼤电路输出与输⼊正弦电压信号的相位差与⾓频率之间的关系。
⼆、某放⼤电路输⼊信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少属于哪⼀类放⼤电路解：Ω105A10V50pA 10mV 5001011i o r ?====-.i v A 属于互阻放⼤电路三、某电唱机拾⾳头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少如果在拾⾳头与扬声器之间接⼊⼀个放⼤电路，它的输⼊电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
《电路与模拟电子技术》课后习题答案
U=IR+US=2×1+4=6V
PI=I2R=22×1=4W，
US与I为关联参考方向，电压源功率：PU=IUS=2×4=8W，
U与I为非关联参考方向，电流源功率：PI=-ISU=-2×6=-12W，
验算：PU+PI+PR=8-12+4=0
1.5求题1.5图中的R和Uab、Uac。
解：对d点应用KCL得：I=4A，故有
RI=4R=4，R=1Ω
Uab=Uad+Udb=3×10＋（-4）=26V
Uac=Uad-Ucd=3×10-(-7)×2=44V
1.6求题1.6图中的U1、U2和U3。
解：此题由KVL求解。
对回路Ⅰ，有：
U1-10-6=0，U1=16V
对回路Ⅱ，有：
U1+U2+3=0，U2=-U1-3=-16-3=-19V
UT=4IT+2I1-2I1=4IT
因此，当RL=R0=4Ω时，它吸收的功率最大，最大功率为
第三章正弦交流电路
3.1两同频率的正弦电压， ，求出它们的有效值和相位差。
解：将两正弦电压写成标准形式
，
其有效值为
，
3.2已知相量 ，试写出它们的极坐标表示式。
解：
3.3已知两电流 ,若 ，求i并画出相图。
解： ，两电流的幅值相量为
解：以结点a，b，c为独立结点，将电压源变换为电流源，结点方程为
解方程得
Ua=21V,Ub=-5V,Uc=-5V
2.12用弥尔曼定理求题2.12图所示电路中开关S断开和闭合时的各支路电流。
解：以0点为参考点，S断开时，
， ，
，IN=0，
S合上时
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第 1 章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第 2 章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第 3 章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第 4 章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第 5 章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第 6 章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第 7 章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第 8 章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第 9 章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第 10 章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第 1 章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。
( √ )(2)因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
( √ )(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型 MOS 管C.耗尽型 MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
华北电力大学模拟电子技术基础习题
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2018.8.15目录第1章习题及答案1第2章习题及答案15第3章习题及答案37第4章习题及答案46第5章习题及答案55第6章习题及答案71第7章习题及答案87第8章习题及答案106第9章习题及答案118第10章习题及答案134模拟电子技术试卷1147模拟电子技术试卷2153模拟电子技术试卷3159第1章习题及答案1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价（2）P N结加正向电压时，空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C（2）A（3）A（4）C1.2.1写出图P1.2.1所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V（2）二极管截止U O2=2V（3）二极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V（2）二极管导通U O2=-1.3V（3）二极管截止U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所示，已知u i＝10s i nωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V时，D导通，u o=u i；当u i≤0V时，D截止，u o=0V。
u i和u o的波形如解图1.3.2所示。
模拟电子技术基础-自测题答案
第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，假设掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；假设掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单项选择题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)第2章半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，I CBO增大，导通电压U BE 减小。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R 1.4 U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
(完整版)电路与模拟电子技术(第二版)殷瑞祥_习题答案_第1-4章标准版-高等教育出版社
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的电压、助率均未&过电源宅底•功率的敏定值;但不腹技到220 V,5 kW的电源I•.因为其鹿率强出电旃或定功率I倍.游导敢电源.烧坏ai-6 某电wae-H 1 kn.i 元件.他手边只有o 5 w的250 A.500 n.75O n,l hfl的电用多只，住样连接才旭林合81值枷功攀的要求？M：将两卜Suoa.o 3 W的电阳串联秘来叩可」区为这辑£电01僚为(500 ♦ 500» Qri kn.*足为他要求；若魄设总电压为C.«H个电阳k的电队为%时电徵的用书为品W5 5W.电点的山为扁=泻= 2X0 5 w = l W.也同时埔足餐浆.采取M地方底能角定船仙噂求但无法同时质足或木妾成》1-7也路m医所承.已知：L = 2 A,U.・10 V.分新来理想电流源和珂肥电任潭发出的功率.说朗功率平骨关系•*>P L -10X2 -20 出功率.母电*iP v= 10x2 w =20 W .ifefl®取HI功卒.是负破」P.-M产加电跟发州的玩率斗于勇裁取用的功率.电跋中功率平U N1-8电略MUi所小，有■电斥U、为？30 V.内阵为七的直道电漫•竖网快唱吼月R•的供电埃对负氧供电，求：(1)当底入酎，电潴火指柔筑栽电流k=2 A,«只电匮表指示电*电}£^«228 V；fttt 电压U\ 224 V.求R..E.和七•的皿(2)为电A*电机上= 】0A。
模拟电子技术基础第四版课后答案【精华版】
当 =12V时，由于 ，必然使T工作在可变电阻区。
分别判断图所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a) (b) (c) (d)
图
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。
补充1.电路如补图P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 ,R的取值合适， 的波形如图(c)所示。试分别画出 和 的波形。
(1)求电路的Q点、 、 和 ；
(2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？
(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
解：(1)静态分析：
图
动态分析：
(2)β=200时， （不变）；
（不变）； （减小）；
（不变）。
(3)Ce开路时， （减小）；
（增大）；
（不变）。
电路如图所示，晶体管的β=80， =1kΩ。
解图
分别判断图(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出 的表达式。
解：图 (a): ， ， 。
， ，
图(b)： ， ，
。
， ， 。
电路如图 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时 。利用图解法分别求出 和 时的静态工作点和最大不失真输出电压 （有效值）。
(a) (b)
图
解：空载时： ；
补充4.电路如补图P4所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
解：取 ，若管子饱和，
则 ,即
所以, 时,管子饱和。
补图P4
第2章 基本放大电路
习题
分别改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
(a)(b)(c) (d)
电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版
《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路；1.4.2 1-n ，)1(--n b ；1.4.3 不变；1.4.4 21W ，负载；1.4.5 Ω1.65A ， ；1.4.6 1A 3A ， ； 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ；1.4.9 Ω4.0，A 5.12；1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；1.4.11 3A ；1.4.12 3A ；1.4.13 Ω2；1.4.14 15V ，Ω5.4；1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ；1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路，开路；2.4.2 零输入响应；2.4.3 短路，开路；2.4.4 电容电压，电感电流；2.4.5 越慢；2.4.6 换路瞬间；2.4.7 三角波；2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3232+； 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ；2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10， ， ； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ；3.4.3 容性， A 44；3.4.4 10V ，2V3.4.5 相同；3.4.6 V 30，20V ；3.4.7 A 44，W 7744；3.4.8 A 5；3.4.9 减小、不变、提高；3.4.10 F 7.87μ；3.4.11 20kVA ，12kvar -；3.4.12 不变、增加、减少；3.4.13 电阻性，电容性； 3.4.14 LC π21，阻抗，电流；3.4.15 1rad/s ，4；3.4.16 Ω10；3.4.17 P L U U =，P L 3I I =，︒-30； 3.4.18 P L 3U U =，P L I I =，超前。
电路与模拟电子技术基础(第2版) 习题解答 第4章习题解答
第4章 模拟集成运算放大电路习 题 44.1 当负载开路（L R =∞）时测得放大电路的输出电压o u'=2V ；当输出端接入L R =5.1K Ω的负载时，输出电压下降为o u =1. 2V ，求放大电路的输出电阻o R 。
'o oL L o U R R R U •+=∴Ω=-=K R R L U U ooo 4.3)1('4.2 当在放大电路的输入端接入信号源电压s u =15mV ，信号源电阻s R =1K Ω时，测得电路的输入端的电压为i u =10mV ，求放大电路的输入电阻i R 。
s si ii U R R R U •+=∴Ω=-=K R U U U R s is ii 2)(4.3 当在电压放大电路的输入端接入电压源s u =15mV ，信号源内阻s R =1K Ω时，测得电路的输入端的电压为i u =10mV ；放大电路输出端接L R =3K Ω的负载，测得输出电压为o u =1.5V ，试计算该放大电路的电压增益u A 和电流增益i A ,并分别用dB(分贝)表示。
150==iou U U A dB A dB A u u 5.43lg 20)(==100)(=-==si s Lo i o i R U U R U I I A dB A dB A i i 40lg 20)(==4.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图4.1所示，试求电路的中频增益um A 、下限截止频率L f 、上限截止频率H f 和通频带BW f 。
f/Hz图4.1 习题4.4电路图dB dB A um 40)(= ∴100=um AHz f H 510= Hz f L 20=∴Hz f f f f H L H BW 510=≈-=4.5 设两输入信号为1i u =40mV ，2i u =20mV ，则差模电压id u 和共模电压ic u 为多少。
若电压的差模放大倍数为ud A =100，共模放大倍数为uc A =―0.5，则总输出电压o u 为多少，共模抑制比CMR K 是多少。
模拟电子技术第一,四章答案
2.73k
A u
(Rc ∥ RL ) rbe (1 )Rf
7.7
Ri Rb1 ∥ Rb2 ∥[rbe (1 )Rf ] 3.7k
Ro Rc 5k
（2）Ri 增大， Ri≈4.1kΩ；
A u
减小，
Au
RL' Rf Re
≈－ 1.92。
§4.5
一、 电路如 图 P4.5.1 所示，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。 （1）求出 Q 点；
（7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√
二 电路如 图 P4.3.2 所示，已知晶体管 ＝50，在下列情况下，用直流电
压 表 测 晶 体 管 的 集 电 极 电 位 ，应 分 别 为 多 少 ？ 设 VCC＝ 12V，晶 体 管 饱 和 管 压
降 UCES＝ 0.5V。
（ 1） 正 常 情 况
解答：p102
二、填空
1、三极管实现放大的三个内部条件是（
）、（
）、
（
）。
2、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。
3、三极管工作在饱和区时，发射结（ ）,集电结（ ）；工作在截止区时，发射结（ ）,
集电结（ ）；
3 工作在放大区的某三极管，如果当 IB 从 12μA 增大到 22μA 时，IC 从 1mA 变为 2mA，
化？
图 P4.4.1
解 ：（ 1） 静 态 分 析 ：
U BQ
Rb1 Rb1 Rb2
VCC
2V
I EQ
U BQ U BEQ Rf Re
1mA
I BQ
I EQ 1
10μ
A
U CEQ VCC I EQ (Rc Rf Re ) 5.7V
模拟电子技术第4章习题答案
4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变）（1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。
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4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变） （1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R L图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。
10．共漏极放大电路无电压放大作用，v o 与v i 同 相位。
11．共栅极放大电路v o 与v i 反 相位。
12. 在相同负载电阻情况下，场效应管放大电路的电压放大倍数比三极管放大电路 低 ，输入电阻 高 。
13. 场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图选择题13所示，说明下列场效应管可以采用哪些类型的偏置电路。
（1）结型场效应管可以采用图示电路中的 b 、d ； （2）增强型MOS 场效应管可以采用图示中的 c 、d ；（3）耗尽型MOS 场效应管可以采用图示电路中的 a 、b 、c 、d 。
(a )( b )( c )图选择题1314．在共源组态和共漏组态两种放大电路中， A 的电压放大倍数vA 比较大，B 的输出电阻比较小。
B 的输出电压与输入电压是同相的。
（A ．共源组态，B ．共漏组态）15．在多级放大电路中，为了使各级静态工作点互不影响,应选用 阻容 耦合。
16．多级放大电路的电压放大倍数是各级电压放大倍数的 乘积 。
17．在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是251=v A 、1002=v A 、403=v A ，则三级放大电路=v A 105 折合为 100 dB 。
18．在三级放大电路中，已知各级电压增益分别是20dB 、25dB 、35dB ，则三级放大电路总增益为 80 dB ，折合为 104 倍。
19．在多级放大电路中，后一级的输入电阻可视为前一级的 负载电阻 ，而前一级的输出电阻可视为后一级的 信号源内阻 。
20．两个单管放大电路如图选择题20（a ）、（b ）所示。
令（a ）图虚线内为放大电路Ⅰ（b ）图虚线内为放大电路Ⅱ，由它们组成的阻容耦合多级放大电路如图（c ）、（d ）、（e ）所示，在典型参数范围内，就下列问题在图（c ）、图（d ）、图（e ）中选择一个（或几个）填空：（1）输入电阻比较大的多级放大电路是 c 、e ； （2）输出电阻比较小的多级放大电路是 d 、e ；（3）源电压放大倍数s v A 值最大的多级放大电路是 e 。
(c)(d)(e)+V v oo图选择题2021. 多级放大电路如图选择题21所示。
试选择正确的答案填空：T 1构成 A 放大电路组态；T 2构成 C 放大电路组态；T 3构成 B 放大电路组态。
（A ．共射， B ．共集， C ．共基）图选择题2122．在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适的一种或几种填空。
（A ．阻容耦合，B ．直接耦合，C ．变压器耦合） （1）要求各级静态工作点互不影响，可选用 A C ； （2）要求能放大变化缓慢的信号，可选用 B ； （3）要求能放大直流信号，可选用 B ；（4）要求电路输出端的温漂小，可选用 A C ；（5）要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用 C 。
23. 试判断图选择题23中复合管的接法哪些是合理的，哪些是错误的，在正确的复合管中进一步判断它们的等效类型。
从括号内选择正确答案用A 、B 、C …填空，管①是 B ；管②是 E ；管③是 A ；管④是 C ；管⑤是 E 。
(A ．NPN 管， B ．PNP 管， C ．N 沟道场效应管， D ．P 沟道场效应管， E ．错误的）图选择题2324.图选择题24中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用a、b、c、d填空（如果存在多种选择，应都选择）。
要求等效PNP型，应选择B、C ；要求等效输入电阻大，应选择A、B 。
图选择题24二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（√）。
有源器件是指：为满足晶体管正常工作条件，需加上直流电源（×）。
2．为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。
（×）3．直流放大器必须采用直接耦合方式（√），所以它无法放大交流信号。
（×）4. 放大电路的静态是指：（1）输入端开路时的电路状态。
（×）（2）输入信号幅值等于零时的电路状态。
（√）（3）输入信号幅值不变化时的电路状态。
（×）（4）输入信号为直流时的电路状态。
（×）5．H参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。
（×）6．H参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。
（×）7．晶体管的输入电阻r be是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。
（×）8．在共射放大电路中，当负载电阻R L减小，电压放大倍数下降，（√）输出电阻也减小。
（×）9．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。
（×）10．图判断题10所示放大电路具备以下特点：（1）电压放大倍数接近于1，负载R L是否接通关系不大；（√）（2）输出电阻比2k 小得多，（√）与晶体管的β大小无关；（×）（3）输入电阻几乎是r的β倍。
（×）beR L 2k Ω图判断题1011．结型场效应管通常采用两种偏置方式，即自偏压和分压式偏置电路。
（ √ ） 12. 在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减小。
（ × ）13．MOS 场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS 管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大 （ × ）14．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（ √ ），输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。
（ × ）15．场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大（ √），输出电阻也很大。
（ × ）16．共漏放大电路电压放大倍数总是小于1（ √ ），所以不能实现功率放大。
（ × ）17．场效应管的跨导g m =I DQ /V GSQ （ × ）还是m g ＝D I ∆/GS V ∆。
（ √ ） 18．增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路。
（ × ） 19．耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自偏压电路。
（ × ） 20．如果输入级是共射放大组态，则输入电阻只与输入级有关。
（ √ ） 21．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻还与后级有关。
（ √ ） 22．如果输出级是共射放大组态，则输出电阻只与输出级有关。
（ √ ） 23．如果输出级是共集放大组态，则输出电阻还与前级有关。
（ √ ） 24．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。
（ √ ） 25．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
（ × ） 26．欲提高多级放大电路的输入电阻，试判断以下一些措施的正确性： （1）输入级采用共集组态放大电路。
（ √ ） （2）输入级中的放大管采用复合管结构。
（ √ ） （3）输入级中的放大管采用场效应管。
（ √ ） 27．复合管的β值近似等于组成复合管的各晶体管的β值乘积。
（ √ ） 28．一个NPN 管和一个PNP 管可以复合成NPN 管也可以复合成PNP 管。
（ √ ）习题4.1定性判断图题4.1中哪些电路不具备正常的放大能力，并说明不能放大的原因。
图题4.1解：（a ）不能放大，输入回路无偏置电压（b ）能放大（c ）不能放大，V CC 极性不正确。
4.2放大电路及晶体管输出特性如图题4.2所示。
按下述不同条件估算静态电流I BQ （取V 7.0BE ≈V ）并用图解法确定静态工作点Q （标出Q 点位置和确定I CQ 、V CEQ 的值）。
（1）V CC ＝12V ，b 150R k =Ω，c 2R k =Ω，求Q 1； （2）V CC ＝12V ，b 110R k =Ω，c 2R k =Ω，求Q 2； （3）V CC ＝12V ，b 150R k =Ω，c 3R k =Ω，求Q 3； （4）V CC ＝8V ，b 150R k =Ω，c 2R k =Ω，求Q 4。
L图题4.2解： bBECC BQ R V V I -=，作出各种情况下直流负载线c CQ CC CE R I V V -=，得Q 点见下图 CE（1）Q 1：I BQ ≈75μA ， I CQ ≈4mA ， V CEQ ≈4V （2）Q 2：I BQ ≈100μA ， I CQ ≈5.2mA ， V CEQ ≈1.7V .（3）Q 3：I BQ ≈75μA ， I CQ ≈3.5mA ， V CEQ ≈1.5V （4）Q 4：I BQ ≈49μA ， I CQ ≈2.5mA ， V CEQ ≈3V4.3某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图题4.3所示，设晶体管的V BEQ＝0.6V ，电容对交流信号可视为短路。