电子技术基础课后答案-庄丽娟1

3）用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，
当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管
的
正极。
4）当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 击穿 。
5）晶体管的电流放大作用是指晶体管的 集电极 电流约 是 基极 电流的β倍，即利用 基极 电流，就可实现对 集电极电流的控制。
6）晶体管的输出特性曲线可分为三个区域。当晶体管工作 在 放大 区时，关系式ic≈βiB才成立；当晶体管工作在
截止 区时，IC≈0；当晶体管工作在 饱和 区时，uCE≈0。
1-6 电路如图所示，确定二极管是正偏还是反偏，并估算 UA~UD的值。（二极管为理想二极管）
图a:VD1 正向 偏置，UA= 6.67V ,UB= 6.67V ;
图b:VD2 反向 偏置，UC= 0V ,UD= 10V 。
10V
10V
R UB
VD1 UA
2R
R UD
VD2 UC
2R
a)
b)
1-7 若稳压二极管VS1和VS2的稳压电压分别为6V和10V， 求图中所示电路的输出电压UO。
R 1k
VS1
20V
U0
VS2
R 1k
VS1 20V
U0
VS2
a)
b)
解：a）
b）∵ VS1处于正向工作状态 （导通且不考虑压降）
∵ VS1与VS2均处于反向工作状态 ∴ U0=VS1+VS2=6+10=16V
将万用表的选择开关置于电阻档，选择适宜的阻值量程（如：R×1K） 二极管：将万用表的红、黑表头分别接二极管的两端。 若两次测量结果都大（断路）或者都很小（短路），则表 示二极管已经损坏。
若两次测量结果一大一小，则测量结果很小时，黑表笔所 接端为二极管的正极 晶体管：见书P11~12页
1-4 晶体管在放大、饱和和截止三种工作状态下的电压偏 置特征和电流关系是什么？ 放大：发射结正偏，集电结反偏； iC≈βiB
2）场效应晶体管的导电过程仅仅取决于 多数 载流子的 运动，故又称场效应晶体管为 单极性 晶体管。
3）欲使结型场效应晶体管正常工作，应在栅极与源极之间 加 反向 电压。绝缘栅型场效应晶体管根据其有无原始沟道， 可分为 增强型 和 耗尽型 。
知识回顾 Knowledge Review
祝您成功！
各晶体管的工作区域。
+10.3V
12V
8V
11.3V 2.7V
3DG100A
来自百度文库
+10.75V 3CX 201
3DK 2B
2V
a) NPN型
发射结正偏； 集电结反偏 放大区
0V
b) PNP型
发射结正偏； 集电结反偏
放大区
+10V
c) NPN型
发射结正偏； 集电结正偏 饱和区
1-10 填空题： 1）场效应晶体管是利用 电场效应 来控制输出 电流 ， 是 电压 控制型器件。
VS2处于反向工作状态 ∴ U0=VS2=10V
1-8 在两个放大电路中，测的晶体管各级电流分别如图所 示。求另一个电极的电流，并在图中标出其实际方向及各 电极e、b、c。试分别判断它们是NPN型管还是PNP型管。
0.1mA
4mA
0.1mA
6.1mA
a)
b ①4.1m②Ae ③ c
①②③ b)
解：a） ∵ 基极电流非常小 ∴①端为b极 ∵ b极电流流入晶体管 ∴为NPN型 ∵ ③端电流流入晶体管 ∴③端为c极
饱和：发射结、集电结均正偏； iC由外电路决定，与iB无关
截止：发射结反偏或零偏，集电结反偏； iB=0，iC≈0
1-5 填空题 1）在半导体中，参与导电的不仅有 自由电子 ，而且还 有 空穴 ，这是半导体区别导体导电的重要特征。N型半导 体主要靠 自由电子 导电，P型半导体主要靠 空穴 导电。
2）在常温下，硅二极管的死区电压约为 0.5 V，导通后在 较大电流下的正向压降约为 0.7 V；锗二极管的死区电压 约为0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.3 V。
第一章 半导体器件
习题解答
1-1 PN结单向导电性的具体含义是什么？正偏导通，反偏截止
1-2 稳压二极管与普通二极管有什么区别？
普通二极管具有单向导电性，正偏导通，反偏 截止，且反向电压过大后会击穿；
稳压二极管正偏时与普通二极管相同，反偏时 有一稳定的工作电压。 1-3 怎样用万用表判断二极管、晶体管的极性与好坏？
∴②端为e极 电流方向为流出晶体管，大小约为4.1mA。
0.1mA
6.1mA
b ① ②c ③e 6mA
b)
解：b） ∵ 基极电流非常小 ∴①端为b极 ∵ b极电流流出晶体管 ∴为PNP型 ∵ ③端电流流入晶体管 ∴③端为e极
∴②端为c极 电流方向为流出晶体管，大小约为6mA。
1-9 试根据晶体管各电极的实测对地电压数据，判断图中