分立器件热阻测试方法
「建议收藏」功率电子器件界面热阻和接触热阻是如何测量的-
功率电子器件界面热阻和接触热阻是如何测量的?随着微电子技术的发展，电子芯片不断的趋向于小型化、集成化，热量通常被认为是电子系统前进发展的限制性因素，在电子设备热设计领域，热量的积累，温度上升过高对器件的寿命和可靠性都会产生非常不利的影响。
有研究表明，当工作环境为70℃~80℃时，工作温度每提高1℃，芯片的可靠性将下降5%。
因此，对于界面热传导的研究就变得尤为重要。
在各种功率电子器件中，电子器件产生的热量由内而外的传递需要经过数层接触面，不同材料相互接触时会产生界面，界面对热流有阻碍作用, 而界面热阻的概念亦即运用于此。
界面热阻的精准测量也是在集成电路设计时选择热界面材料重要因素——当热量流经接触界面时，将产生一个间断的温度差∆T，根据傅里叶定律，界面热阻Rimp可表述为：Rimp=(T1T2)/Q。
其中，Rimp为界面热阻，T2为上接触部件的界面温度，T1为下接触部件的界面温度，Q为通过接触界面的热流通量。
这里展示一个典型封装结构：在热量由芯片传递至散热器的过程中，需要经过多个固固界面。
当两个部件之间进行接触传热时，由于固体表面从微观上粗糙不平，部件之间实际上是通过离散的接触点进行接触传热的，有研究表明，这之间的实际接触面积不到部件对应表面积的3%，因而产生了非常高的界面热阻。
当界面填充有TIM时，增加了实际的接触面积，界面热阻的数值也随之减少。
界面热阻包括接触热阻和导热热阻两部分，各类热阻的关联如下图所示：那么界面热阻和接触热阻是怎么样测量的呢?在实际应用中，为了充分表征热界面材料的导热能力，材料本身的导热率和热阻的准确测量是必须的。
其实，界面热阻的测量非常简单，目前业内常用于热阻测试的标准为ASTM D5470，根据上面提到的傅里叶公式Rimp=(T1T2)/Q，常用的测试设备可以直接或间接测得上下界面的温度和流经的热通量，进而得到材料的表观界面热阻。
而由界面热阻引申而来，可以进一步得到接触热阻和导热系数：Rimp=1/λS*L+Rcon。
热阻测试流程
热阻测试介绍
图片
说明热阻测试仪全景
图片
说明将材料焊在测试板上，并接在测试座上
图片
说明将测试座按照极性方向提示放进烤箱中
打开“热阻测试软件”，选中“顺向偏压VS温度”，按照图中编号设定：
1、选择材料极性
2、设定测试电流
3、设定测试温度点
4、开始测试
5、测试完成后存档保存
图片
说明测试完成后曲线图
图片
说明将材料固定在PCB板上，将PCB板固定在密封箱内，将材料的引脚接长，每个引脚端接出分别接2根测试线（以4点量测焊接测试线）。
图片
说明将测试版和固定板焊牢
图片
说明将材料依极性焊在测试板上，接点别上太多焊锡
图片
说明非别将TL、TC、Ta 探头按照图示连接。
设定SE3000視窗中TL 为材料接腳溫度，TC 為材料封裝溫度，TB 為散熱片溫度，Ta 為材
料附近空氣溫度，TA 為密封箱內溫度。
在熱阻量測中TA 為不可或缺的，一定要設定。
其探針應置於密封箱中不受材料加熱溫度影響的位置
图片
说明点击“热阻测试软件”中的“热阻量测”，按图中编号设定：1、开启求顺向偏压VS 温度时所储存的设定档2、选择热阻量测3、选择适当的IM 电流所求得的数据
4、选择内插法
5、设定IT 、Td 并设定Tj 上限以保护材料
6、设定待测试的时间
7、开始测试
图片
说明依照SE3000哥Channel 探针在密封箱中的位置设定各Channel 代表意义图片
说明测试完成后显示热阻等测试值。
分立器件热阻测试方法
分立器件热阻测试方法一、瞬态热阻瞬态热阻是指器件在脉冲工作状态下的热阻。
脉冲作用下的瞬态热阻定义为最大结温升与耗散功率脉冲幅值之比。
对功率晶体管通常以壳温作为温度参考点, 其表达式为：θjC =Tj / PH = ( Tj - TC) / PH(1)其中 Tj 为芯片结温； TC为壳温； PH 为施加的脉冲功率。
瞬态热阻测量归结为对脉冲功耗 PH、壳温TC及结温 Tj 的测量。
显然，双极晶体管的结温 Tj 无法进行直接测量。
为此，电学法利用发射结的正向压降VBE 与结温 Tj 在相当宽的范围内 (0 ～200 ℃) 呈线性关系，通过对 VBE 的测量间接地测量结温 Tj 。
关系式为 :VBE (Tj) = M ×ΔTj =VBE (Ta)-VBE(Tj)(2)式中 M 为温敏系数，是与温度 T 基本无关的负常数； VBE ( Ta ) ，VBE(Tj) 分别为加脉冲功率前、后的温敏参数值。
由(1) 和(2) 式:得到瞬态热阻与温敏参数VBE关系表达式θ jC =VBE (Tj)/PH(3)公式 (3)为电学法测量瞬态热阻的基本原理：在一定条件下，器件从结到外壳的热阻θjC 和 VBE 成正比关系。
图1 所示为单脉冲测量双极晶体管瞬态热阻时序。
图中 tH 为加热功率持续时间； tms 为温敏参数的测试时间； td 为加热脉冲切断后测量 VBE ( Tj ) 的延迟时间。
图1单脉冲测量瞬态热阻时序二、晶体管热阻的测试电路原理根据瞬态热阻测试原理，图 2 所示为国标和军标中关于分立器件热阻的测试电路原理图。
每次测试的大致情况是： (1) 首先，开关 S1 和S2 置于 2，用于加热前被测器件 DUT温敏参数（源漏 SD之间）的电压 VSD测量 ; (2) 然后，开关 S1 和 S2 置于 1，对被测器件施加功率（功率设置为 VDS×ID）；(3) 最后，断开功率（开关 S1 和 S2 断开1 置于 2）后，在很短的延迟后，快速对温敏参数 VSD进行测量。
热阻测试标准
热阻测试标准一、测试设备1.热阻测试仪：应具备测量热阻、热导率和温度等功能，精度高，稳定性好。
2.辅助设备：包括恒温槽、温度控制器、热电偶、绝缘材料等。
二、试样准备1.试样形状和尺寸：试样应具有平坦表面，并具有足够的尺寸以防止热边界条件的影响。
2.试样表面处理：试样表面应光滑、清洁，无涂层和氧化层。
3.试样温度稳定性：试样应在测试前保持一段时间，以使温度稳定。
三、测试程序1.设定测试条件：设定测试温度、测试湿度等环境条件。
2.安装试样：将试样放置在测试台上，连接热电偶和温度控制器。
3.开始测试：启动热阻测试仪，记录温度和热阻值。
4.结束测试：在达到设定测试时间或温度后，停止测试。
四、数据处理和结果计算1.数据处理：对测试过程中记录的温度和热阻值进行处理，剔除异常数据。
2.结果计算：根据测试数据计算热阻值，并进行误差分析和精度评估。
五、结果表达和报告1.结果表达：以表格或图表形式展示测试结果，包括各个测试条件下的热阻值。
2.报告内容：报告应包括试样信息、测试条件、测试数据、误差分析和结论等。
六、精度和误差分析1.精度评估：比较不同测试条件下热阻值的差异，以评估测试仪器的精度。
2.误差分析：分析测试过程中可能产生的误差来源，如温度波动、热电偶偏差等。
七、测试安全措施1.安全操作规程：确保测试操作符合安全操作规程，防止意外事故发生。
2.安全防护措施：在测试过程中采取必要的防护措施，如穿戴防护服、戴手套等。
3.消防措施：在测试室内配备消防器材，并确保其有效性。
八、测试环境条件1.温度：测试室内温度应保持稳定，并在一定范围内可调。
2.湿度：测试室内湿度应保持在一定范围内，以确保测试结果的准确性。
热阻测试标准
热阻测试标准
摘要：
一、热阻测试标准概述
1.热阻测试的定义
2.热阻测试的目的和意义
二、热阻测试的主要方法
1.稳态热阻测试
2.动态热阻测试
三、热阻测试标准的发展
1.国际标准的发展
2.我国热阻测试标准的发展
四、热阻测试标准的重要性和应用
1.对产品质量的保障
2.对行业发展的推动作用
正文：
热阻测试标准是衡量材料或产品在温度变化时所表现出的热阻性能的规范。
热阻测试对于评估材料的导热性能、研究热传递现象以及提高产品性能具有重要意义。
本文将简要介绍热阻测试标准的发展和相关内容。
热阻测试的主要方法有稳态热阻测试和动态热阻测试。
稳态热阻测试是在一定的温度梯度下，通过测量材料的热阻来计算其导热性能。
动态热阻测试则是在变化的环境温度下，考察材料的热阻变化情况。
随着科技的进步和工业发展，热阻测试标准得到了广泛关注。
国际上，许多国家和组织都制定了相应的热阻测试标准，如美国ASTM、欧洲EN等。
我国也制定了一系列热阻测试标准，如GB/T 10294-2008《热传导材料热阻的测定》等，这些标准为我国材料和产品质量提供了有力保障。
热阻测试标准的制定和应用对于提高产品质量和推动行业发展具有重要意义。
首先，热阻测试标准有助于确保材料和产品的性能满足设计要求，提高产品的可靠性和稳定性。
其次，热阻测试标准为材料研究、产品设计和生产提供了依据，有利于促进相关领域的技术创新和进步。
总之，热阻测试标准在材料性能评估、产品质量保障以及行业发展推动等方面发挥着重要作用。
半导体分立器件试验方法 冷热循环 研磨
半导体分立器件试验方法冷热循环研磨标题：半导体分立器件试验方法：冷热循环与研磨摘要：本文将全面评估半导体分立器件试验方法中的冷热循环及研磨，从简化到深入，由浅入深地探讨这两个关键步骤。
我们将介绍半导体分立器件试验方法的基本概念和目的，然后详细讨论冷热循环试验和研磨试验的原理、流程以及实验结果的解读。
在文章的结尾，我们将总结并回顾这两个试验方法的重要性和应用前景，并分享个人观点和理解。
序言：在半导体器件的开发和制造过程中，试验方法的选择和执行对产品的性能和稳定性起着关键作用。
而在半导体分立器件的试验方法中，冷热循环试验和研磨试验是两个不可或缺的环节。
本文将深入探讨这两个试验方法，并为读者提供全面的理解和应用指导。
第一部分：半导体分立器件试验方法的基本概念和目的1.1 引言1.2 半导体分立器件的定义和分类1.3 试验方法的重要性和意义1.4 本文概要第二部分：冷热循环试验的原理、流程和解读2.1 冷热循环试验的基本概念和目的2.2 冷热循环试验的原理和设备2.3 冷热循环试验的流程2.4 冷热循环试验结果的解读和分析2.5 冷热循环试验的应用案例第三部分：研磨试验的原理、流程和解读3.1 研磨试验的基本概念和目的3.2 研磨试验的原理和设备3.3 研磨试验的流程3.4 研磨试验结果的解读和分析3.5 研磨试验的应用案例第四部分：总结与回顾4.1 冷热循环试验与研磨试验的重要性总结4.2 试验方法的用途和发展前景4.3 个人观点和理解分享结语：通过本文对半导体分立器件试验方法中的冷热循环与研磨的全面评估，我们深入理解了它们在半导体器件开发和制造中所起到的关键作用。
冷热循环试验可以对器件在不同温度下的性能稳定性进行评估，而研磨试验则可以优化器件的表面粗糙度和形貌。
它们不仅能够为工程师提供宝贵的数据和分析结果，还为半导体分立器件的可靠性和性能的持续改进提供了重要指导。
注：此文章为模型生成，仅供参考。
冷热循环试验是半导体分立器件试验方法中的一种重要方式，它能够评估器件在不同温度下的性能稳定性。
简述热阻的检测方法
简述热阻的检测方法嘿，咱今儿就来聊聊热阻的检测方法。
热阻这玩意儿，就好像是个关卡，咱得想法子搞清楚它的底数呀！你想啊，热阻就像是一条道路上的阻碍，它会影响热量的传递呢。
那咱怎么知道这个阻碍有多大呢？这就得靠检测啦！有一种常见的方法叫稳态法。
啥是稳态法呢？就好比跑步比赛，等选手们都稳定在一个速度上跑了，咱就能看出个大概了。
在热阻检测里，就是让热量的传递达到一个稳定的状态，然后通过测量一些关键的数据，来算出热阻。
这就好像我们知道了跑步的距离和时间，就能算出速度一样。
还有一种方法呢，叫瞬态法。
哎呀呀，这就像是抓拍瞬间的精彩镜头！它能快速捕捉到热量传递过程中的变化，然后从中分析出热阻来。
就好像咱看到一个精彩瞬间，就能大概猜到整个过程是咋样的。
你说这热阻检测是不是挺有意思的？就像侦探破案一样，通过各种线索和方法来找出真相。
咱得细心又耐心，才能把热阻的秘密给挖出来呀！比如说，在稳态法里，测量的仪器得够精准吧，不然得出的数据可就不靠谱啦。
那要是仪器不准，不就跟迷路了一样，找不到正确方向啦？而且操作的时候也得小心谨慎，稍微有点差错，可能结果就大不一样咯！瞬态法呢，也有它的讲究。
要能快速准确地抓住那一瞬间的变化，这可不是随便谁都能做到的哟。
这得需要技术和经验的双重加持呀！咱想想看，如果没有这些检测方法，那很多和热相关的东西不就乱套啦？像电子设备，要是热阻没搞清楚，说不定用着用着就出问题啦。
还有那些需要严格控制温度的地方，没了准确的热阻检测，那不就跟没头苍蝇似的啦？所以说呀，热阻的检测方法可太重要啦！它们就像是我们的秘密武器，帮助我们在热的世界里游刃有余。
咱可得好好掌握这些方法，让它们为我们服务呀！总之，热阻检测可不是小事，它关系到好多方面呢，咱得重视起来，把它搞清楚，弄明白，这样才能让各种和热有关的东西更好地发挥作用，为我们的生活带来便利呀！。
功率器件热阻测试方法
功率器件热阻测试方法
功率器件热阻测试方法主要包括以下步骤：
1. TSP确定：根据器件类型选择适当的参数作为TSP，例如对于BJT可以
选择基射极电压VBE，对于MOSFET可以选择源漏电压VSD，对于IGBT
可以选择集射极电压VCE或栅射极电压VGE，对于二极管可以选择正向压
降VF作为TSP。
2. K系数求取：测量TSP与温度的关系从而得到K系数。
例如，以二极管
为例，TSP为VF，将器件放置在恒温环境下，对待测器件加测试电流IM，改变测量温度，在温度稳定后，测量对应的VF，建立VF与温度的对应关系。
3. 测量结温：电学法测试结温有静态测试和动态测试两种方式。
静态测试
是指通过测量器件在不同温度下的V-I特性曲线来计算结温。
动态测试是指通过测量器件在不同频率下的开关特性曲线来计算结温。
4. 热阻计算：根据测得的TSP、K系数和结温，利用相关公式计算热阻。
例如，对于二极管，可以利用以下公式计算热阻：Rth = (Tj - T0) / (I A K)，其中Tj为结温，T0为环境温度，I为测试电流，A为散热面积，K为K系数。
需要注意的是，不同类型和规格的功率器件热阻测试方法可能有所不同，具体操作应根据器件的数据手册和测试规范进行。
同时，测试过程中应保证测试环境温度、湿度等参数的稳定和准确测量，以获得准确的测试结果。
分立器件测试方法与流程
分立器件测试方法与流程
分立器件测试方法与流程如下：
1. 测试条件：确保电源电压、环境温度等条件的变化在常规范围内，电源电压和电流的调节电阻器在整个测试过程中应能保持规定的工作条件。
2. 设备配置：试验设备应设计成仅使用自然对流冷却，并在明显的功率耗散情况下，应配置为使每个器件产生近似平均的功率耗散，无论单独测试还是成组测试。
3. 试验电路：不需要补偿单个器件特性的正常变化，但应配置为防止一组中的某个器件失效或异常（如开路、短路等）对其他器件的测试效果产生不良影响。
4. 测试程序：
微电子器件应在规定的时间内和试验温度下，按照规定的测试条件进行测试，并在规定的中间和终点进行必要的测量。
对于带有外引线、螺母或外壳的器件，应按照其正常安装方式进行安装，并确保连接点的温度不低于规定温度。
5. 测试前准备：记录下选择的测试条件、时间、样本大小和温度，并在整个测试过程中遵守这些规定。
6. 测试时间：具体测试时间应根据产品特性和测试需求确定。
7. 结果分析：根据测试结果，分析分立器件的性能，判断其是否符合预期要求。
8. 报告撰写：撰写详细的测试报告，记录测试过程、方法、结果和结论，为后续产品研发和生产提供依据。
9. 注意事项：在整个测试过程中，应遵循安全操作规程，确保人员和设备安全。
请注意，具体测试方法和流程可能因产品特性和测试需求而有所不同。
如有任何疑问或需要更多详细信息，建议咨询专业工程师或查阅相关技术手册。
分立半导体元件的应力测试标准(包含测试方法
分立半导体元件的应力测试标准(包含测试方法
分立半导体元件的应力测试标准AEC-Q101定义了汽车级半导体分立器件
的测试要求，包括晶体管、二极管等。
该标准包括以下测试项目：
1. 加速环境应力测试，包括预处理、高加速度应力测试、高温高湿反向偏压、压力锅、温度循环、温度循环热试验、温度循环分层试验、间歇工作寿命、功率温度循环等。
2. 加速寿命周期模拟测试，包括高温反向偏压、交流阻断电压、稳态工作、高温栅偏压等。
3. 封装组装完整性测试，包括破坏性物理分析、尺寸、焊线拉力、焊线剪切、晶片剪切、端子强度、耐溶剂性、耐焊性、热阻抗、可焊性、晶须生长评价等。
4. 晶片制造可靠性测试，包括介电性、电性验证测试、外观、应力测试前后功能参数、参数验证等。
此外，根据AEC-Q101认证规范，离散半导体的最低温度的范围应为-40℃ ~ +125℃，所有LED的最小范围应为40℃到85℃。
以上信息仅供参考，如需了解更准确的信息，建议咨询专业人士或查阅相关书籍文献。
半导体分立器件测试原理和方法
2019/3/3 26
通态（不重复）浪涌电流（ITSM）
2019/3/3
27
原理电路
当S闭时，高压变压器B1付边输出高压通过整流桥，R1向电容 C充电，当C充至要求值时，断开S，然后触发KP1，KP2， DUT，则C通过KP1向低压大电流变压器B2原边放电，B2付边 通过KP2，分流器FL，DUT放电，产生一挖正弦半波底宽约10 ms浪涌电流，B3输出交流全波电压，经Z1整流为半波电压加 在DUT负端，时间恰好为浪涌电流结束后的半周，调节TB1就 可按标准规定调节加于被试元件上的反向电压峰值。 2019/3/3 28
R jc
TC1 TC 2 P2 P 1
我们可以这样推导： 当通以P1时，Rjc1 = Tj1 – Tc1 / P1 Tj1 = Rjc1 P1 + Tc1 当通以P2时，Rjc2 = Tj2 – Tc2 / P2 Tj2 = Rjc2 P2 + Tc2 如Tj1 = Tj2，Rjc1 = Rjc2 则Rjc P1 + Tc1 = Rjc P2 + Tc2
示波器观察。
2019/3/3 21
（门极控制）开通时间（tgt）
调节可调交流电源G，电源电压经D1，R1向C充电，充至测试条件规定值，
专利 一种可实现dfn封装器件结壳热阻测试方法
专利一种可实现dfn封装器件结壳热阻测试方法
本发明涉及电子封装技术领域，具体涉及一种可实现dfn封装器件结
壳热阻测试方法。
目前，封装结构越来越小，温度和功耗不断提高，因此热阻成为影响
器件性能和寿命的主要因素之一。
封装结构的热阻测试是评估封装可靠性
和热性能的重要手段，也是制定散热措施的基础。
然而，目前现有的封装热阻测试方法存在多种不足，如测试时间长、
测试费用高、测试精度低等。
因此，需要一种新型的封装热阻测试方法。
本发明提供一种可实现dfn封装器件结壳热阻测试方法，包括以下步骤：
1. 准备dfn封装器件，用导热胶将器件固定到测试基板上；
2.将测试基板放入恒温箱中，并设置恒温程序，使得测试基板和器件
达到稳定的恒温状态；
3.在器件结壳表面涂覆一层导热膏，然后在导热膏表面贴上热敏电阻，热敏电阻应当尽量贴近器件结壳表面；
4.接通热敏电阻与测量仪器连接，并记录器件数据，包括电阻值、电
压值、电流值以及温度值等；
5.统计测试数据，并计算出器件结壳表面的热阻值；
6. 分析测试结果，评估dfn封装器件的热性能和可靠性。
相对于现有技术，本发明的方法具有以下优点：
1.测试简单，操作方便，测试时间短，且无需专门的测试设备；
2. 精度高，可快速、准确地测试dfn封装器件结壳表面的热阻值；
3. 可用于不同类型的dfn封装器件，适应性强；
4.可辅助散热设计和加强封装材料的热管理性能。
因此，本发明提供了一种简便、高效、准确的dfn封装器件结壳热阻测试方法，有望在电子封装领域得到广泛应用。
fe热阻测试方法
fe热阻测试方法一、测试前的准备工作。
咱得先把测试要用的家伙事儿都准备好。
首先得有合适的测试样品，这个样品得是fe材料的，而且要保证它的质量和状态符合测试要求，不能有啥裂缝、杂质啥的，不然测出来的数据可就不准啦。
另外，测试环境也很重要哦。
要找个温度和湿度都相对稳定的地方进行测试，不然环境因素老是变来变去的，也会影响测试结果的。
最好是在恒温恒湿的实验室里进行，这样就能把环境的影响降到最低啦。
二、具体的测试方法。
这里有几种常见的测试fe热阻的方法呢。
1. 稳态热流法。
这种方法就是让热量稳定地通过fe样品。
咱先把样品放在两个不同温度的热源之间，让热量从高温端稳定地流向低温端。
等热流稳定了之后，用热流计测量通过样品的热流密度，再用温度传感器测量样品两端的温度差。
最后根据热阻的计算公式，热阻就等于温度差除以热流密度，就能算出fe的热阻啦。
比如说，咱测出来样品两端的温度差是10摄氏度，热流密度是5瓦每平方米，那热阻就是10除以5，等于2平方米·摄氏度/瓦。
2. 瞬态热流法。
这个方法就有点不一样啦。
它是通过给样品一个瞬间的热冲击，然后观察样品的温度随时间的变化情况来计算热阻的。
咱可以用一个脉冲热源给样品加热，然后用高速温度传感器记录样品表面温度的变化曲线。
再根据一些复杂的数学模型和算法，从这个温度变化曲线里就能算出热阻来啦。
不过这个方法对测试设备和数据处理的要求都比较高哦。
三、测试过程中的注意事项。
在测试的时候，咱可得小心点，不然很容易出问题的。
一方面，要保证测试设备和样品之间的接触良好。
如果接触不好，就会有热阻的额外增加，测出来的数据就不准啦。
比如说，温度传感器和样品表面得紧紧贴在一起，中间不能有空气隙啥的。
另一方面，测试过程中要避免外界的干扰。
像震动、电磁干扰这些都可能影响测试结果。
所以测试的时候最好把其他无关的设备都关掉，也别在旁边走来走去的，让测试环境保持安静稳定。
四、测试结果的分析和处理。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
分立器件热阻测试方法
一、瞬态热阻
瞬态热阻是指器件在脉冲工作状态下的热阻。
脉冲作用下的瞬态热阻定义为最大结温升与耗散功率脉冲幅值之比。
对功率晶体管通常以壳温作为温度参考点,其表达式为：
θjC = ΔTj / PH = ( Tj - TC) / PH (1) 其中Tj为芯片结温；TC为壳温； PH 为施加的脉冲功率。
瞬态热阻测量归结为对脉冲功耗PH、壳温TC及结温Tj的测量。
显然，双极晶体管的结温Tj无法进行直接测量。
为此，电学法利用发射结的正向压降VBE 与结温Tj 在相当宽的范围内(0～200 ℃)呈线性关系，通过对VBE 的测量间接地测量结温Tj。
关系式为:
ΔVBE (Tj) = M×ΔTj =VBE (Ta)-VBE(Tj) (2) 式中 M 为温敏系数，是与温度T 基本无关的负常数；VBE ( Ta )，VBE (Tj) 分别为加脉冲功率前、后的温敏参数值。
由(1) 和(2) 式得到瞬态热阻与温敏参数ΔVBE关系表达式:
θjC =ΔVBE (Tj)/PH (3) 公式(3) 为电学法测量瞬态热阻的基本原理：在一定条件下，器件从结到外壳的热阻θjC 和ΔVBE 成正比关系。
图1 所示为单脉冲测量双极晶体管瞬态热阻时序。
图中tH 为加热功率持续时间； tms 为温敏参数的测试时间；td 为加热脉冲切断后测量VBE ( Tj )的延迟时间。
图1 单脉冲测量瞬态热阻时序
二、晶体管热阻的测试电路原理
根据瞬态热阻测试原理，图2所示为国标和军标中关于分立器件热阻的测试电路原理图。
每次测试的大致情况是：(1) 首先，开关S1和S2置于2，用于加热前被测器件DUT温敏参数（源漏SD之间）的电压VSD测量; (2) 然后，开关S1和S2置于1，对被测器件施加功率（功率设置为VDS×ID）；(3)最后，断开功率（开关S1 和S2断开1置于2）后，在很短的延迟后，快速对温敏参数VSD进行测量。
图2
（S1和S2分别置于1的位置是加热状态，置于2则用于器件初始值和加热后的测量状态）
测量时序图如图3所示，测试时的测试电流Im、加热电流Ih、加热时间Th（加热功率）及延时时间Td均可设置。
在两个测试电流Im状态下分别测量V BE1（V DS1）与V BE2（V DS2）两个参数。
图3 测量时序图
三、参数要求
项目范围调节度精度
加热电流0-20A
加热电压0-200V
功率延时10S
20-100uS
功率断开
后延时
测量电流1-100mA
测量电压0-2V 16位ADC。