光刻机简单介绍PPT(共 36张)

固定反射镜反射回来仅含有f1的光的光束经偏振片2后会合成为f1-
(f2±Δf)的测量光束。测量光束和上述参考光束经各自的光电转换元件、
放大器、整形器后进入减法器相减,输出成为仅含有±Δf的电脉冲信号。
经可逆计数器计数后，由电子计算机进行当量换算(乘 1/2激光波长)后
即可得出可动反射镜的位移量。
工作台定位：移动境、固定境
Hg LAMP E
M2 MC ML
光刻机构造－干涉滤光镜
玻璃衬底上涂一层半透明金属层，接着涂一层氟化镁隔层（可以减 少镜头界 面 对射入光线的反射，减少光晕，提 高 成 像 质 量 ），再 涂一层半透明金属层，两金属层构成了法布里-珀罗标准具的两块平行 板。当两极的间隔与波长同数量级时，透射光中不同波长的干涉高峰 分得很开，利用别的吸收型滤光片可把不允许透过的光滤掉，从而得 到窄通带的带通滤光片，其通频带宽度远比普通吸收型滤光片要窄。
200為正方形□20.0mm的曝光範囲。 ③ 表示投影鏡頭的投影倍率。
5是表示将Reticle上的図形以1/5倍投影到Wafer上。 ④ 表示曝光光波長。
i是表示使用由超高圧水銀灯発出的光中的i線。 ⑤ 表示NSR本体的型式名。
此数字越大意味着是越新模型的NSR。 ⑥ 表示投影鏡頭的型式。
同様的□20mm1/5倍、使用i線的鏡頭中、以A或B等進行区別。
通过移动境 、固定境反 射后的光线 ，形成干涉光 ，被检知器 检知。
光刻机构造－LENS CONTROLLER
• 镜头控制器：简称LC,对镜头倍率及焦点进 行 控制的关键部件。
• 构成：控制基版 BELLOWS PUMP LENS TEM.SENSOR 压力计等
LC倍率控制的实现
reticle
A室与大气相连；
光学基础知识
• i线：波长=365nm • g线：波长=436nm • 波长越长频率越低
i＞g
光刻机整体构造
Uv lamp
ＨＥＰA filter
reticle
lens wafer
Wafer stage
送风机
Heater
压缩机 风
进风口
光学系构造
RA
C F R1 R2 M1
S I MF、SF B
Autofocus系统实现z
工作台与lens焦点的
up
追踪。
down
wafer
光刻机－相关特性参数
1、数值孔径（numerical aperture)N.A. 2、分辨率（resolving power) 3、焦点深度（depth of focus）
数值孔径
数值孔径（N.A.）
N.A.=N×sinθ
N：折射率 Θ：折射角
物镜
θ 焦点
分辨率： R
分辨率：R衡量物镜的一个重要指标， 与数值孔径有关，数值孔径 越大，分辨率越高。
光刻机构造－Stage unit（3）
工作台定位－HP干涉计
工作台定位－HP干涉计
•
在氦氖激光器上，加上一个约0.03特斯拉的轴向磁场。由于塞曼
分裂效应和频率牵引效应,激光器产生1和2两个不同频率的左旋和右旋
圆偏振光。经1/4波片后成为两个互相垂直的线偏振光,再经分光镜分
为两路。一路经偏振片1后成为含有频率为f1-f2的参考光束。另一路
经偏振分光镜后又分为两路：一路成为仅含有f1的光束,另一路成为仅
含有f2的光束。当可动反射镜移动时,含有f2的光束经可动反射镜反射
后成为含有f2 ±Δf的光束，Δf是可动反射镜移动时因多普勒效应产生
的附加频率,正负号表示移动方向(多普勒效应是奥地利人C.J.多普勒提
出的，即波的频率在波源或接受器运动时会产生变化)。这路光束和由
T STAGE Z STAGE X STAGE Y STAGE
防震台
WAFER
光刻机构造－STAGE UNIT （2）
Fiducial mark FC2 mark Motor 移动镜
Wafer holder Wafer Illumination uniformity sensor Monitor 插槽 定位块
B室气压可以调节，通过改变 B室气压，从而改变其折射率 使倍率进行实时追踪
A室中集中了大部分光学镜头
A
压力调节机构
B
lens
wafer
LC与AUTOFOCUS的关系
Lens的实际焦点随着 B室气压的变化实时 在变化。
Halving glass
detect Slit
reticle Lens
lamp
vibrator
光刻机构造－复眼lens
1、有多个具有共焦面 小凸透镜组成
2、为了确保照度、 均一性
reticle
光刻机构造－SHUTTER UNIT 计数器 马达 位置：光路焦点处
结构：马达（直流）
计数器
扇叶
扇叶
功能：开 曝光 闭 掩膜版对准、ISS
光刻机构造－Stage unit（1）
主视结构图
WAFER HOLDER LEVELING STAGE
光刻设备概述（二）
• 微细加工技术的核心，是微细光刻技术。 • 主要有光学曝光、电子束曝光、X射线曝光、
离子束曝光。 • 目前生产上大量采用的是光学曝光技术。 • Nikon光刻机：重复步进式光刻机（NSR）
N S R – 2 2 0 5 i 12 C
①
② ③④ ⑤ ⑥
① NSR為「Nikon Step and Repeat exposure systems」的略称。 ② 表示最大曝光範囲。
光刻机
光刻机：采用重复
步进的方式将掩 膜版（Reticle） 的图形以5：1的 比例转移到硅片 （Wafer）上。
光刻机基础
光刻机曝光光源为超高压水银灯
高压水银灯光线组成 X线0.71nm KrF248nm i365nm
h405nm g4Байду номын сангаас6nm
x 10nm
紫外线
可视光区
红外线区
400nm
750nm
光刻机简单介绍
郑鸿光 2012.09.01
目录
1.发展史 2.光刻机概述 3.光刻机构造 4.相关技术
光刻机发展过程
1.接触式光刻机 2.接近式光刻机 3.投影式光刻机 4.扫描式光刻机 5.步进式光刻机 6.步进扫描式光刻机
光刻机概述（一）
• 腔体（CHAMBER） • 主体（MAIN BODY） • 传片单元（WAFER LOADER） • 上版单元（RETICLE LOADER） • 照明系统（ILLUMINATION） • 工作台（WAFER STAGE） • 控制柜（CONTROL RACK）