模拟电子技术试卷1及参考答案
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是。
2.三极管工作在放大区时,发射结为偏置,集电结为偏置;工作在饱和区时发射结为偏置,集电结为偏置。
3.当输入信号频率为和时,放大倍数的幅值约下降为中频时的倍,或者是下降了,此时及中频时相比,放大倍数的附加相移约为。
4.为提高放大电路输入电阻应引入反应;为降低放大电路输出电阻,应引入反应。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可到达,但这种功放有失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反应;为了正常稳压,调整管必须工作在区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,那么这只三极管是( )。
A.型硅管 B.型锗管 C.型硅管 D.型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型管D.N沟道耗尽型管3.在图示2差分放大电路中,假设 = 20 ,那么电路的( )。
A.差模输入电压为10 ,共模输入电压为10 。
B.差模输入电压为10 ,共模输入电压为20 。
C.差模输入电压为20 ,共模输入电压为10 。
D.差模输入电压为20 ,共模输入电压为20 。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中为其输入电阻,为常数,为使下限频率降低,应( )。
A.减小C,减小 B.减小C,增大C.增大C,减小 D.增大C,增大6.如下图复合管,V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,那么复合后的 b 约为( )。
A.1500 B.80 C.50 D.307.桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。
A.根本共射放大电路 B.根本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路8.某电路输入电压和输出电压的波形如下图,该电路可能是( )。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。
模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)
期末模拟试卷一答案课程名称:模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____。
A 、增大 ,B 、减小,C 、不变 答案:A2. 在N 型半导体中,空穴浓度____电子浓度。
A 、大于,B 、小于 ,C 、等于 答案:B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。
A 、所放大的信号不同,B 、交流通路不同,C 、直流通路不同 答案:C4. 在长尾式的差分放大电路中,Re 对__有负反馈作用。
A 、差模信号,B 、共模信号,C 、任意信号 答案:B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ,可能是因为_____。
A 、CC V 过大 , B 、c R 开路, C 、b R 开路, D 、β 过大答案:C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ,测得I =1μA 。
当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时,I 将____。
A 、 为2μA 左右,B 、为0.5μA 左右,C 、变化不大,D 、远大于2μA 答案:C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V,UE=0.3V,UC=3V,则此晶体管工作在____状态。
A.截止B.饱和C.放大 D. 开关答案:C8. 差动放大电路的主要特点是____。
A. 放大差模信号,抑制共模信号;B. 既放大差模信号,又放大共模信号;C. 放大共模信号,抑制差模信号;D. 既抑制差模信号,又抑制共模信号。
答案:A9.互补输出级采用射极输出方式是为了使____。
A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案:D10.集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。
A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案:C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路,其组成主要是____。
A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案:B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路(A、低通,B、高通,C、带通,D、带阻,E、全通)。
模拟电子技术试题(一) - 答案
模拟电子技术试题一、判断题:(20×2ˊ)1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若降低环境温度导电能力会减弱。
(对)2、在P型半导体中,少数载流子是空穴,多数载流子是电子。
(F)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。
(错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。
(错)5、二极管和三极管都是非线性器件。
( T )6、N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
(对)7、二极管加反向电压时,形成很小的反向电流,在电压不超过某一范围时,二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。
(对)8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)9、使用稳压管时应阳极接正,阴极接负(错)10、二极管的核心是一个PN结,所以二极管具有单向导电性。
(T)11、某发光二极管,两引脚一个长,一个短,则长引脚对应发光管的阴极。
( F )12、稳压管在正常稳压工作区域里,它的电流变化很大,而电压变化很小(对)13、普通二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿(∨)14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分( F )15、整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。
(∨)16、放大电路的三种组态,都有功率放大作用。
( T )17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结,所以三极管在作放大管使用时,发射极和集电极可相互调换使用。
( F )18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可以将其改成P型半导体。
( T )19、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
(F)20、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
(对)二、选择题:(15×3ˊ)1、P型半导体的多数载流子是( B )。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是( C )。
A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生3、关于P型.N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是( A )。
(完整版)模拟电子技术测试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。
2、漂移电流是温度电流,它由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为0,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为无穷,等效成断开;4、三极管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变小,发射结压降不变。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用电压并联负反馈,为了稳定交流输出电流采用串联负反馈.9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/(1/A+F),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=fH –fL,1+AF称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功率放大器.13、OCL电路是双电源互补功率放大电路;OTL电路是单电源互补功率放大电路.14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1,输入电阻大,输出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制零点漂移,也称温度漂移,所以它广泛应用于集成电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为载波信号。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy,电路符号是。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在( B )状态,但其两端电压必须( C ),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于( F )状态。
大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案
模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分,共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。
( )2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
( )3、BJT的.值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是值越大越好。
( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。
因此, RC的值越大,输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。
( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大,工作点稳定性越好。
但Re过大,会使BJT的VCE减小,影响放大器的正常工作。
( )7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,因此,具有较高的电流放大倍数。
( )8、在OTL 功放电路中,输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路。
( )9、在运放电路中,闭环增益AF是指电流放大倍数。
( )10、只要满足AF=1,a+f=2n这两个条件,就可以产生正弦波振荡。
模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分,共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流( )漂移电流。
a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时,二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V,VC=3.6V,VE=3.4V,则该BJT工作在( )状态。
a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时,三个极的电位特征是( )。
a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻,集成运放的输出级多采用( )电路。
a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好,因为它越大,表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后,VO基本不变,应引入( )负反馈。
模拟电子技术模拟试题及答案
模拟电子技术模拟试题及答案一、单选题(共103题,每题1分,共103分)1.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.6mA和3.66mA,该晶体管的β等于()A、50B、60C、61D、100正确答案:B2.基本放大电路中,经过晶体管的信号有( )。
A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。
正确答案:C3.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
( )A、正确 ;B、错误正确答案:B4.低频小信号放大电路中,输入、输出具有反相关系的放大电路是()A、共漏放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、共射放大电路正确答案:D5.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、变压器耦合B、光电耦合C、直接耦合D、阻容耦合正确答案:C6.集成运放一般分为两个工作区,它们分别是()。
A、虚断和虚短。
B、正反馈与负反馈;C、线性与非线性;正确答案:C7.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为()失真。
A、饱和B、交越C、频率D、截止正确答案:D8.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
( )A、正确 ;B、错误正确答案:B9.P型半导体中的少数载流子是 ( )A、自由电子B、负离子C、空穴D、正离子正确答案:A10.共发射极放大电路的反馈元件是()。
A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。
正确答案:B11.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的( )在漏源极之间电场作用下形成的。
A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案:B12.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案:B13.单极型半导体器件是( )。
A、二极管;B、场效应管;C、晶体三极管;D、稳压管。
正确答案:B14.无论是双极型三极管还是单极型三极管,其导电机理是相同的。
A、错误B、正确 ;正确答案:A15.P型半导体中多数载流子是______。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中,以下哪种元件不是基本的模拟电路元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D2. 运算放大器的主要作用是什么?A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案:A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号?A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:A4. 在模拟电路设计中,为了减小温度对电路性能的影响,通常采用哪种方法?A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案:A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性?A. 锗(Ge)B. 硅(Si)C. 氮化镓(GaN)D. 氧化锌(ZnO)答案:B二、填空题1. 在模拟电子技术中,______和______是构成振荡器的基本元件。
答案:电阻、电容2. 为了实现信号的放大,通常需要在电路中引入______。
答案:负反馈3. 在模拟信号处理中,______是用来描述信号频率内容的工具。
答案:傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。
答案:低频5. 在模拟电路中,为了提高电路的稳定性和可靠性,常常使用______电源。
答案:稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。
晶体管是一种半导体器件,主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。
在模拟电路中,晶体管可以作为放大器使用,通过小信号控制大信号的放大过程,实现信号的增益。
同时,晶体管还可以用作开关,控制电路的导通与截止。
2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。
运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。
其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。
在模拟电路设计中,运算放大器因其优良的放大性能和灵活性,被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中,是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。
模拟电子技术试题1答案及评分标准
模拟电子技术试卷1答案及评分标准一、判断题(每题1分,共10分)1.半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
(对)2.三极管共集电极电路的发射极电阻R e可以稳定静态工作点。
(对)3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。
(对)4.差分放大电路采用双端输出时,在理想对称情况下其共模抑制比为无穷大。
(对)5.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
(错 )6.可以用电子电压表测量三极管放大电路的静态工作电压。
(错)7.共集电极电路的输入阻抗高,输出阻抗低,电压放大倍数大。
(错)8.过零比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
(错)9.互补输出级应采用共集或共漏接法。
( 对)10.乙类功率放大电路的效率最高,理论上可达78.5%,但存在交越失真。
(对)二、填空题(每空1分,共28分)1.当 PN 结正向偏置时,扩散电流大于_漂移电流,耗尽层变窄。
当 PN 结反向偏置时,扩散电流_小于_漂移电流。
(填大于、小于、等于、不变、变宽、变窄)2.三极管的外加偏置满足发射结正偏和集电结反偏时,工作在放大区。
3.当温度升高时,晶体三极管的U BE将_减小,I CEO增大,β_ 增大。
(增大或减小)4.场效应管是通过改变电压来改变电流的,所以它是一个电压控制器件;根据结构的不同,场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。
5.集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路,其目的是克服零点漂移。
6.在差分放大电路中,两输入端获得的一对大小相等,极性相反的信号称差模信号;而大小相等,极性相同的信号称为共模信号。
7.已知某深度负反馈电路开环增益A Ud=100,反馈系数F=0.1,则闭环增益A Uf=9.09 。
8.正弦波振荡电路一般由放大电路、反馈环路、选频网络和稳幅环节等四个环节组成,而且缺一不可。
9.正弦波振荡电路产生自激振荡的两个条件是:振幅条件和相位条件。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷——2024年整理
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一.(共60题,共150分)1.理想的功率放大电路应工作于()状态。
(2分)A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案:C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。
(2分)A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案:A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。
(2分)A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案:B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时,应采用的最佳滤波电路是()。
(2分)A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案:C5.为了提高电压放大倍数,希望放大电路的()大一些。
(2分)A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案:D6.当PN给外加反向电压时,其内部的扩散电流将()漂移电流。
此时,耗尽层的宽度将()。
(2分)A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案:C7.差动放大电路的特点是抑制()信号,放大()信号。
(2分)A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案:B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位()。
(2分)A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案:A9.直流电源滤波的主要目的是:()。
(2分)A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案:D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了,则输出()。
(2分)A.只有半周波形B.全波整流波形,但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案:D11.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
(2分)★检查答案标准答案:1.电流;2.正向;3.反向;4.电压;12.在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。
模拟电子技术考试题及答案
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是()。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是()。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ,输出电阻是50Ω,那么它的电压增益是()。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V,当通过它的电流为20mA时,消耗的功率是()。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线,说明这个电路是()。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10,电压增益是-100,那么它的输出电阻是()。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是()。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中,什么是“饱和区”?A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波,输出信号是方波,这个放大器可能应用在()。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案:1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电子电路中,________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。
答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。
答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。
答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模拟电子技术期末试题及答案
模拟电子技术期末试题及答案一、选择题1. 下列哪个元器件是用来放大电流信号的?A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案:C. 晶体管2. 下列哪个元器件是用来存储电荷的?A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案:A. 电容器3. 以下哪个不属于模拟电子技术的基本元器件?A. 电容器B. 晶体管C. 可编程逻辑门D. 电感器答案:C. 可编程逻辑门4. 模拟信号与数字信号最主要的区别在于:A. 模拟信号是连续的,数字信号是离散的B. 模拟信号是离散的,数字信号是连续的C. 模拟信号只有两种状态,数字信号有多种状态D. 模拟信号只能用模拟器件处理,数字信号只能用数字器件处理答案:A. 模拟信号是连续的,数字信号是离散的5. 下列哪个元器件是用来稳压降压的?A. 二极管B. 可变电阻C. 三极管D. 电容器答案:A. 二极管二、填空题1. 以下哪个公式可以计算功率?答案:功率 = 电压 ×电流2. 电流的单位是什么?答案:安培(A)3. 以下哪个单位可以表示电压?答案:伏特(V)4. 以下哪个单位可以表示电阻?答案:欧姆(Ω)5. 模拟信号的频率单位是什么?答案:赫兹(Hz)三、简答题1. 请解释什么是反馈电路,并说明其作用。
答案:反馈电路是将输出信号的一部分再次输入到输入端,用来改变输入端的输入量,以达到控制输出信号的目的。
反馈电路的作用是能够稳定放大器的放大倍数、提高频率响应和抑制信号失真。
2. 简述运放的作用和基本构造。
答案:运放(操作放大器)是一种重要的模拟电子元件,可以放大电压信号,具有高放大倍数、输入阻抗高、输出阻抗低等特点。
它的基本构造包括差分放大电路、级联放大电路和输出级电路。
3. 请解释什么是滤波器,并列举两种常见的滤波器类型。
答案:滤波器是用于剔除或选择特定频率范围内信号的电路。
常见的滤波器类型有低通滤波器(只允许低于截止频率的信号通过)和高通滤波器(只允许高于截止频率的信号通过)。
1模拟电子技术基础(附答案)
第一章半导体二极管和三极管第一部分客观题1、正偏二极管端电压增加5%,通过二极管的电流()。
A 增大约5%B 增大小于5%C 增大大于5%D 基本不变。
图1-12、图1-1可用于测量二极管的直流电阻RD 。
当图中电源电压E加倍时,RD会()。
A 加倍B 变大C 不变D 变小3、工作在放大区的某三极管,如果当从12增大到22时,从1变为2,那么它的约为()。
A 70B 83C 91D 1004、在本征半导体中加入()元素可以形成N型半导体。
A 五价B 四价C 三价D 二价5、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A 前者正偏、后者正偏B 前者正偏、后者反偏C 前者反偏、后者正偏D 前者反偏、后者反偏6、稳压管的稳压区是其工作在()A 正向导通B 方向截止C 反向击穿7、关于晶体管特性曲线的用途,下述说法中的()不正确。
A. 判断BJT的质量B. 估算BJT的一些参数C. 计算放大电路的一些指标D.分析放大器的频率特性8、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()9、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
()10、若耗尽层N沟道MOS管的大于零,则其输入电阻会明显变小。
()11、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()12、若测得一支BJT 的电流IB=50uA,IC=2.5 mA ,则该管的≈IC/IB=50。
()13、工作点是指BJT 的电流和电压在其特性曲线上对应的点。
()14、放大区IC IB。
因>>1, 故BJT适于电流放大,不适于作电压放大。
()15、放大管集电结反向电压增大,会使集电极电流iC 增大,这是因为此时集电结对从基区扩散过来的载流子吸引力增大的结果。
()16、PNP和NPN是一种对称结构。
因此将发射极与集电极对调使用,BJT仍然能正常放大信号。
()17、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。
(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。
(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。
(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
《模拟电子技术》模拟题1-5(含答案)
《模拟电子技术》模拟题1一、判断(10分)1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。
()2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。
()3、PN结具有单向导电特性。
()4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。
()5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。
()6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。
()7、直流负反馈不能稳定静态工作点。
()8、晶体二极管击穿后立即烧毁。
()9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。
()10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。
()二、选择(10分)1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。
A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下,可以稳定电压。
A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。
A、正偏导通,反偏截止B、正偏截止,反偏导通C、正偏导通,反偏导通D、正偏截止,反偏截止4、既能放大电压,也能放大电流的电路 ( )。
A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大,表明电路()。
5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定;B、交流放大倍数越大;C、抑制温漂能力越强;D、输入信号中的差模成分越大。
6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流应引入( )反馈,为减小输出电阻,应引入( )反馈。
A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是( )。
A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中,已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形,设二极管为理想二极管。
(每题10分,共20分)R(a )(b )图1四、简答题(每题5分,共10分)1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件,以及起振条件。
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模拟电子技术模拟试卷一及参考答案………………………………………………………………………………………………………………一、填空题(本大题共10小题,每题1分,共10分)1、 PN 结的反向击穿有雪崩和 齐纳 两种击穿。
2、 杂质半导体中的多数载流子是掺杂产生的,少数载流子是由 本征激发 产生的。
3、 衡量双极型三极管放大能力的参数是 β 。
4、 已知某晶体三极管的T f 和β,则=βf5、 根据外加电压的不同,场效应管的输出特性曲线可划分为 可变电阻 区、饱和区、截止区和击穿区。
6、 MOS 场效应管按导电沟道划分为N 和 P 两大类。
7、 对放大器偏置电路的要求有两个,一是合适,二是 稳定 。
8、 放大电路的失真按失真机理分为线性失真和 非线性失真 两大类。
9、 若引入反馈使放大器的增益 减小 ,这样的反馈称为负反馈。
10、放大电路中,为稳定静态工作点,应引入 直流负 反馈。
二、单选题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)11、温度升高时,晶体二极管的s I 将( A )。
A 、增大B 、减小C 、不变D 、近似不变12、PN 结反向工作时,流过的电流主要是( B )。
A 、扩散电流B 、漂移电流C 、传导电流D 、扩散与漂移电流并存13、已知某晶体管的99.0=α,则该管的β值是 ( D )A 、100B 、101C 、98D 、9914、如改变三极管基极电压的极性,使发射结由正偏导通变为反偏,则集电极电流( B )。
A 、反向B 、中断C 、增大D 、不变15、当场效应管被预夹断后,D I 将随DS V 的增大而( D )。
A 、增大B 、减小C 、不变D 、略微增大16、场效应管用作小信号放大时,其静态工作点应设置在输出特性曲线的( B )。
A 、非饱和区B 、饱和区C 、截止区D 、击穿区17、共射基本放大电路中,若测得晶体管的CCCQV V ≈,则可以判别晶体管工作在( C )。
A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态D 、击穿状态18、差分放大电路中用电流源代替e R 是为了( C )。
A 、提高差模放大倍数B 、提高共模放大倍数C 、提高共模抑制比D 、提高差模输入电阻19、所谓放大器工作在闭环状态是指( B )。
A 、考虑信号源内阻B 、有反馈通路C 、接入负载D 、信号源短路20、负反馈放大电路的环路增益是指( B )。
A 、AB 、F AC 、F A 1 +D 、F21、如果PN 结的反向电流急剧增加,称为( C )。
A 、 反向导通B 、反向截止C 、反向击穿D 、反向饱和22、工作在放大状态的某PNP 晶体管,各电极电位之间应满足的关系为( A )。
A 、EBC V V V << B 、E B C V V V >> C 、B E C V V V <<D 、BE C V V V >>23、场效应管工作在非饱和区时,其电压、电流之间呈现( D )。
A 、指数B 、平方C 、对数D 、线性24、某放大电路负载开路时,输出电压为4V 。
负载短路时,输出电流为10mA ,则该电路的输出电阻为( C )。
A 、Ω200B 、Ω300C 、Ω400D 、Ω50025、某放大电路的增益dB 100A =,若希望引入负反馈使其增益下降为100A f =倍,问反馈系数F 应选( D )。
A 、0.1B 、0.01C 、0.001D 、0.00999三、简答题(本大题共3小题,每小题5分,共15分)26、放大电路的直流通路如图三(1)所示,设管子的100=β,mA 2I CQ =,V 7.0V )on (BE =。
若要求O V 范围为V 8~4,试确定2R 的值和1R 的取值范围。
解: mA02.0100/mA 2I BQ ==mA02.2mA 02.0mA 2I EQ =+=Ω≈-=k 6.5I /)V V (R EQ )on (BE EE 2当V 4V O =时:Ω=-='k 4I /)V 4V (R CQ CC 1 当V 8V O =时:Ω=-=''k 2I /)V 8V (R CQ CC 1 所以:ΩΩ=k 4~k 2R 1图三(1)27、图三(2)是某场效应管的特性曲线,试问该管是属于哪种类型、哪种沟道的场效应管?并求DSS I 、)off (GS V 的值。
答: 这属于N 沟道结型场效应管(因为0V GS ≤,注意:若是N 沟道耗尽型MOS 管则0V GS>、0V GS ≤);mA 8I DSS =V 4V )o f f (GS -=28、电流源电路如图三(3)所示,试求输出电流O I 和交流输出电阻O R 的值。
(设V 7.0V )on (BE =, V 100V 2CE =,两管子参数一致,50=β 解: mA 15.2R /)V V (I )on (BE CC REF =-= mA 2)/21/(I I REF O ≈β+= Ω==k 50I /V R O 2CE O四、分析计算题(本大题共5小题,每小题9分,共45分)29、某单管共射电路如图四(1)所示,所有电容对交流呈短路,已知三极管50=β,Ω='200r b b ,V 7.0V BE =,当W R 的滑动端置于中点时,试计算:⑴ 静态时CQ I ,CEQ V ;⑵ 输入电阻i R ; ⑶ 源电压增益VS A 。
解:⑴CC W 1b W BQ V )]R R /(R [V ⋅+=中点中点V 12)]k 5k 25/(k 5[⋅Ω+ΩΩ=V 2=mA 3.1R /)V V (I e BE BQ CQ =-≈ V 8)R R (I V V e C CQ CC CEQ =+-≈图三(3)解:⑵ Ω≈⋅+++='k 95.0]I /mV 26)501(r //[R //)R R (R EQ b b W W 1b i 中点中点解:⑶ 6.52r /)R //R (A be L C V -≈⋅β-= 27)R R /(R 6.52A S i i VS-=+⋅-=30、差分放大电路如图四(2)所示,已知三个管子一致,50=β,V 6.0V )on (BE =,Ω='200r b b , V 15V V EE CC ==,Ω=k 6R C ,Ω=k 12R L ,Ω=k 20R 1,Ω=k 10R 2,Ω=k 2.2R 3。
试求:⑴ 计算1T 的静态工作点1CQ I ;⑵ 计算电路的差模电压放大倍数VdA ; ⑶ 求差模输入电阻id R 和差模输出电阻od R 的值。
解:⑴ V 5)R R /(R V V 122EE 3B =+⋅= mA 9.1R /)V V (I I 33BE 3B 3EQ 3CQ ≈-=≈mA 8.02/I I 3CQ 1CQ =≈解:⑵ 75r /)2/R //R (A be L C Vd-≈⋅β-= 解:⑶ Ω≈⋅=k 96.3r 2R be id Ω=⋅=k 12R 2R C od31、放大电路如图四(3)所示,现要求接上负载L R 后,电压放大倍数基本不变,需要引入负反馈,设反馈电阻为F R 。
⑴ 问j 、k 、m 、n 四点哪两点之间接上反馈电阻F R ? ⑵ 判别引入反馈的类型;⑶ 写出深度负反馈条件下,电压增益Vf A 的表达式。
解:⑴ k 与n 两点之间接上反馈电阻F R ; 解:⑵ 为电压串联负反馈;解:⑶ 深度负反馈条件下的计算方法为:① 找出串联负反馈应选用的关系式iF V V ≈ ② 推出电压增益VfA 的表达式 i3F 3O F V )R R /(R V V ≈+⋅≈ 所以: 3F i O Vf R /R 1V /V A +==32、理想运放组成的电路如图四(4)所示,试求运放各输出电压1O V 、O V 与各输入电压之间的关系式。
解:1A 是一典型的反相比例运算放大器 3343131O V R /R V A V V -=⋅-=⋅=2A 构成反相比例求和(加法)运算放大器181282681O O R /R V R /R V R /R V V ⋅-⋅-⋅-=121O V V 2V ---=123V V 2V --=33、比较电路如图四(5)所示,已知稳压管V 6V Z =,V 6.0V )on (D =,V 2V R =,试求:⑴ 该电路的阈值电压th V ; ⑵ 画出比较(传输)特性i o V ~V ;⑶ 当)V (t Sin 5V i ω=时,画出)t (V o 的波形。
解:⑴ 这是一个开环的单限电压比较器可利用叠加原理求解+V① 假设0V R =15/V 5)k 5k 10/(k 5V V i i =Ω+ΩΩ⋅='+② 假设0V i =15/V 10)k 5k 10/(k 10V V R R =Ω+ΩΩ⋅=''+③ 叠加算出+V 15/V 1015/V 5V V V R i +=''+'=+++ 当0V =+时就可以找出该电路的阈值电压th V ,所以: th R i V V 4V 2V =-=-= 上式表明只要输入电压比V 4V th -=大,就输出极大值,反之则输出极小值。
解:⑵ 画出比较(传输)特性i o V ~V解:⑶ 当)V (t Sin 5V i ω=时,画出)t (V o 的波形。