光电探测器的种类

5、探测器选择时尤其需要注意选择配套的前置放大器， 才能更大限度的发挥探测器的探测效率；
6、选择制冷型探测器时，还要注意对应的温控器选择， 探测器、温控器及前置放大器均需根据需要单独选择；
7、红外探测器通常需要制冷和配合锁相放大器使用。
光电导探测器
常用光电导探测器材料有： （1）射线和可见光波段：CdS、CdSe、CdTe、Si、
CCD结构
CCD的基本单元是MOS 电容器 .半导体硅作为底 电极，作为衬底。 .蒸镀一层小面积 金属作为电极，作为 栅极。 .硅片上通过氧化 生成一层SiO2为绝 缘层。
（1）光谱响应度 光谱响应度是指某一波长下探测器输出的电压或电流
与入射光功率之比。 光谱响应度随波长的变化关系曲线即是探测器的光谱
响应曲线 （2）等效噪声功率（NEP） 等效噪声功率是信噪比为1时探测器能探测到的最小
辐射功率，即最小可探测功率。 （3）时间常数 时间常数表示探测器输出信号随入射光信号变化的速
率
如何选择合适的光探测器
1、实际光谱测量范围是选择光探测器的首要注意问题；
2、光电倍增管是高灵敏的探测器，使用时要求配套高稳 定性的高压电源；
3、光伏型探测器具有响应快、灵敏度高的特点，使用时 一般可不需要锁相放大器，探测微弱信号时可选用锁相 放大器以提高信噪比；
4、光导型探测器响应较慢，使用时要求信号光必须调制， 并且需要搭配锁相放大器进行信号检出，同时要注意调 制频率的选择；
光电探测器的种类
小组成员： 祝卓茂 何小亮 周长平 孙原超
光电探测器的分类
（1）按工作波段分 : 紫外光探测器、可见光探测器、 红外光探测器
（2）按应用分： 非成像型光探测器：光信息转换成电信息 成像型光探测器：变像管、像增强器、 摄像管 、真
空摄像管、 固体成像器件CCD
（3）光电探测器包括真空光电器件（光电倍增管） 和固体光电探测器（光电二极管、光导探测器、 CCD等）
热光电探测元件
探测器件 光电探测元件
气体光电探测元件
外光电效应
内光电效应
非放大型
真空光电管 充气光电管
放大型
光电倍增管 变像管 像增强器 摄像管
光电导探测 器
光磁电效应探测器
本征型
掺杂型
光敏电阻 红外探测器
非放大
光电池 光电二极管
Hale Waihona Puke 光生伏特探测 器放大型
光电三极管 光电场效应管 雪崩型光电二极管
光探测器的主要性能参数
光电二极管的光谱特性
1、光敏二极管在较小负 载电阻下，光电流与入射 光功率有较好的线性关系 。
2、光敏二极管的响应波 长与GaAs激光管和发光二 极管的波长一致，组合制 作光电耦合器件。
3、光电二极管结电容很 小，频率响应高，带宽可 达100kHz。
CCD--电荷耦合器件
CCD主要功能： 信息处理和信息存 储 有体积小、重量轻 、分辨率高、灵敏度 高、动态范围宽、光 敏元的几何精度高、 光谱响应范围宽、工 作电压低、功耗小、 寿命长、抗震性和抗 冲击性好、不受电磁 场干扰和可靠性高等 一系列优点。
Ge等； （2）在近红外波段：PbS、PbSe、InSb、HgCdTe等 （3）在长于8μm波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、
Si掺杂、Ge掺杂等；
可见光波段的光电导探测器极少用于光谱探测，通常 称为光敏电阻。可见光波段的光探测器通常为PMT 和光电二极管。
光电倍增管
光电倍增管（PMT）是一种具有极高灵敏度的光探 测器件，同时还有快速响应、低噪声、大面积阴极 （光敏面）等特点。
光电倍增管采用了二次发射倍增系统，光电倍增管 在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的 光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。
光电倍增管的结构及工作原理
倍增极
阳极
阴极在光照下发射出光电子，光电子受到电极间电场 作用获得较大能量打在倍增电极上，产生二次电子发 射，经过多极倍增的光电子到达阳极被收集而形成阳 极电流，随光信号的变化。在倍增极不变的条件下， 阳极电流随光信号变化。