内存品牌及识别内存
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例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片， 57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8 是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是 400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
如图4-11所示为HYUNDAI内存。
如图4-9所示为三星DDRAM内存。 图4-9
Micron美光
• SDRAM • Rambus • DDR SDRAM
Micron（美光）是美国最大的内存颗粒 制造商。
其 SDRAM 芯 片 编 号 格 式 为 MT48abcdMefAgTG-hij ， 其 中 MT 代 表 Micron 的 产 品 ， 48 代 表 产 品 家 族 （ 48=SDRAM 、 4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）， ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS），cdMef设 备 号 码 （ 深 度 × 宽 度 ） ， 无 字 母 =bit ， K=Kilobit （ KB ） ， M=Megabit （ MB ） ， G=Gigabit（GB）Mricron的容量=cd×ef；ef表 示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、 16 位 和 32 位 ) ； Ag 代 表 Write Recovery[Twr] （A2=Twr=2clk）；
DDR SDRAM
在Micron DDR SDRAM内存上，内 存芯片上的参数含义如下：-8支持PC200 （CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B （ CL=2.5 ） -7 支 持 PC200 （ CL2 ） ， PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例 如 MT48LC16M8A2TG-75L_ES 表 示 美 光的SDRAM，16M8=16×8MB=128MB， 133MHz。
如图4-10所示为Micron DDRAM内存。
图4-10
Hyundai
Hyundai是韩国较大的内存颗粒制造商，其生产的 内存颗粒除了供应自己的品牌内存外，还供给其他内存 厂家。
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主 板一般都可以顺利地使用它，其SDRAM芯片编号格式 为：HY 5abcdefghijklm-no。其中HY代表现代的产品， 5a表示芯片类型（57=SDRAM，5D=DDR SDRAM），b 代表工作电压（空白=5V，V=3。3V，U=2.5V），cde代 表容量和刷新速度（16=16Mbit、4K Ref，64=64Mbit、 8K Ref，65=64Mbit、4K Ref，128=128Mbit、8K Ref， 129=128Mbit 、 4K Ref ， 256=256Mbit 、 16K Ref ， 257=256Mbit、8K Ref），fg代表芯片输出的数据位宽 （40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；
3表示内存排数（3=4排、4=8排），0代表接 口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3（3.V）、 1=SSTL_2 （ 2.5V ） ） ， T 表 示 封 装 类 型 （ T=66 针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA（CSP））， Z 代 表 速 度 133MHz （ 5=5ns ， 200MHz （ 400Mbit/s ） 、 6=6ns ， 166MHz （ 333Mbit/s ） 、 Y=6.7ns ， 150MHz （ 300Mbit/s ） 、 Z=7.5ns ， 133MHz （ 266Mbit/s ） 、 8=8ns ， 125MHz （ 250Mbit/s ） 、 0=10ns ， 100MHz （200Mbit/s））。即三星4MB×16=64MB内存芯 片 ， 3.3V DDR SDRAM ， 刷 新 时 间 0=64m/4K （ 15.6μs ） ， 内 存 芯 片 排 数 为 4 排 （ 两 面 各 两 排 ） ， 接 口 电 压 LVTTL+SSTL_3 （ 3.3V ） ， 封 装类型为66针TSOP II，速度133MHz。
三星内存的容量可通过编号计算 出来，即用“S”后的数字乘S前的数 字，得到的结果即为容量，即该内 存为256MB SDRAM内存，刷新为 8K ， 内 存 Banks 为 3 ， 内 存 接 口 LVTTL，第2代内存，自动刷新，速 度是10ns（100MHz）。
三星DDRAM内存芯片
三 星 DDRAM 内 存 芯 片 编 号 （ 如 KM416H4030T）表示：KM表示三星内存，4代 表RAM种类（4=DRAM），16表示内存芯片组 成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32），H代 表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]），4代表内存密度4Mbit（4=4M、 8=8M、16=16M、32=32M、64=64M、12=128M、 25=256M 、 51=512M 、 1G=1G 、 2G=2G 、 4G=4G ） ， 0 代 表 刷 新 （ 0=64M/4K[15.6μs] 、 1=32M/2K[15.6μs] 、 2=128M/8K[15.6μs] 、 3=64M/8K[7.8μs]、4=128M/16K[7.8μs]）；
SDRAM
在Micron SDRAM内存上，内存芯片上的参 数 含 义 如 下 ： DRAM-4=40ns ， -5=50ns ， 6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM （时钟率为CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，10+3MHz ， -7x+=143MHz ， -65=150MHz， -6=167MHz ， 55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4， x8 ， x16 ） 时 钟 率 为 CL=2.5 ， -8+=125MHz ， 75+=133MHz，-7+=143MHz。
h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别 代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系），I代表接口 （0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口），j代表内核版本 （可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越 新），k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）， lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II， TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II），no代表速度 （ 7=7ns[143MHz] ， 8=8ns[125MHz] ， 10p=10ns[PC-100 CL2 或 3] ， 10s=10ns[PC-100 CL3] ， 10=10ns[100MHz] ， 12=12ns[83MHz]，15=5ns[66MHz]）。
TG 代 表 封 装 （ TG=TSOPII 封 装 ， DJ=SOJ ， DW= 宽 型 SOJ ， F=54 针 4 行 FBGA，FB=60针8×16 FBGA，FC=60针 11×13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ= 反 转 芯 片 密 封 ， F1=62 针 2 行 FBGA ， F2=84 针 2 行 FBGA ， LF=90 针 FBGA ， LG=TQFP ， R1=62 针 2 行 微 型 FBGA ， R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j 代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代 表速度，分成以下几类。
Rambus
在Micron Rambus内存上，内存芯片上的 参 数 含 义 如 下 ： -4D=400MHz 40ns ， 4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，3M=300MHz 53ns+的含义-8E支持PC66和 PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100 （CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持 PC66 、 PC100 （ CL2 和 CL3 ） 、 PC133 （ CL2 和 CL3 ） -7E 支 持 PC66 、 PC100 （CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）。
Samsung
Samsung 是 世 界 上 最 大 的 内 存 芯片制造商，目前市场上销售的优 质 内 存 大 都 采 用 Samsung 的 内 存 芯 片。
➢三星SDRAM内存芯片
➢三星DDRAM内存芯片
三星SDRAM内存芯片
三星SDRAM内存芯片内存颗粒的型号采用16位数 字编码命名。
三星SDRAM内存芯片编号具有一定的含义，例如， KM416S16230A-G10的含义为：KM表示三星内存，4代 表 RAM 种 类 （ 4=DRAM ） ， 16 代 表 内 存 芯 片 组 成 x16 （4=x4、8=x8、16=x16），S代表SDRAM，16代表内 存 芯 片 密 度 16Mbit （ 1=1M 、 2=2M 、 4=4M 、 8=8M 、 16=16M），2代表刷新（0=4K、1=2K、2=8K），3表 示 内 存 排 数 （ 2=2 排 、 3=4 排 ） ， 0 代 表 内 存 接 口 （0=LVTTL、1=SSTL），A代表内存版本（空白=第1 代、A=第2代、B=第3代），G代表电源供应（G=自动 刷 新 、 F= 低 电 压 自 动 刷 新 ） ， 10 代 表 最 高 频 率 （7=7ns[143MHz]、8=8ns[125MHz]、10=10ns[100MHz]、 H=100MHz，CAS值为2、L=100MHz，CAS值为3）。
图4-11
Geil
Geil（金邦，原樵风金条）金条分为 “金、红、绿、银、蓝”5种内存条，各 种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同 的主板。其中红色金条是PC133内存；金 色金条Ｐ针对PC133服务器系统，适合双 处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝 A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面 向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板； 蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是 面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号（例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32）的含义如下：
其中GL2000代表芯片类型；GP代表金邦 科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）， LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2 微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）， 16M8是设备号码（深度×宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量×基粒数目=16×8 =128Mbit， 其中16=内存基粒容量；8=基粒数目；
M=容量单位，无字母=bit，K=KB，M=MB， G=GB ） ， 4 表 示 版 本 ， TG 是 封 装 代 码 （DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA， FB=60 针 8×16FBGA， FC=60 针11×13FBGA， FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62 针 2 行 FBGA ， F2=84 针 ， 2 行 FBGA ， LF=90 针 FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA， R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代）， U=μ BGA ） ， -7 是 存 取 时 间 （ 7=7ns （143MHz）），AMIR是内部标识号。以上编 号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代） 封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、 143MHz速度。
内存品牌及识别内存
常见内存及芯片生产厂家
品牌 现代 金士顿 胜创 三星
标识 Hynix Kingston KingMax SAMSUNG
品牌 金邦 美光 南亚 茂矽
标识 GEIL Micron NANYA MOSEI
目前市场上内存品牌较多， 不过真正生产内存芯片的厂商只有 几家，其他很多内存制造商都是采 用别人的内存颗粒，如Kingmax生 产的内存就是采用好几家内存芯片 厂商生产的内存颗粒。全球的内存 芯 片 厂 商 有 Samsung 、 Hyundai 、 KingSton等几家。
如图4-11所示为HYUNDAI内存。
如图4-9所示为三星DDRAM内存。 图4-9
Micron美光
• SDRAM • Rambus • DDR SDRAM
Micron（美光）是美国最大的内存颗粒 制造商。
其 SDRAM 芯 片 编 号 格 式 为 MT48abcdMefAgTG-hij ， 其 中 MT 代 表 Micron 的 产 品 ， 48 代 表 产 品 家 族 （ 48=SDRAM 、 4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）， ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS），cdMef设 备 号 码 （ 深 度 × 宽 度 ） ， 无 字 母 =bit ， K=Kilobit （ KB ） ， M=Megabit （ MB ） ， G=Gigabit（GB）Mricron的容量=cd×ef；ef表 示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、 16 位 和 32 位 ) ； Ag 代 表 Write Recovery[Twr] （A2=Twr=2clk）；
DDR SDRAM
在Micron DDR SDRAM内存上，内 存芯片上的参数含义如下：-8支持PC200 （CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B （ CL=2.5 ） -7 支 持 PC200 （ CL2 ） ， PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例 如 MT48LC16M8A2TG-75L_ES 表 示 美 光的SDRAM，16M8=16×8MB=128MB， 133MHz。
如图4-10所示为Micron DDRAM内存。
图4-10
Hyundai
Hyundai是韩国较大的内存颗粒制造商，其生产的 内存颗粒除了供应自己的品牌内存外，还供给其他内存 厂家。
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主 板一般都可以顺利地使用它，其SDRAM芯片编号格式 为：HY 5abcdefghijklm-no。其中HY代表现代的产品， 5a表示芯片类型（57=SDRAM，5D=DDR SDRAM），b 代表工作电压（空白=5V，V=3。3V，U=2.5V），cde代 表容量和刷新速度（16=16Mbit、4K Ref，64=64Mbit、 8K Ref，65=64Mbit、4K Ref，128=128Mbit、8K Ref， 129=128Mbit 、 4K Ref ， 256=256Mbit 、 16K Ref ， 257=256Mbit、8K Ref），fg代表芯片输出的数据位宽 （40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；
3表示内存排数（3=4排、4=8排），0代表接 口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3（3.V）、 1=SSTL_2 （ 2.5V ） ） ， T 表 示 封 装 类 型 （ T=66 针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA（CSP））， Z 代 表 速 度 133MHz （ 5=5ns ， 200MHz （ 400Mbit/s ） 、 6=6ns ， 166MHz （ 333Mbit/s ） 、 Y=6.7ns ， 150MHz （ 300Mbit/s ） 、 Z=7.5ns ， 133MHz （ 266Mbit/s ） 、 8=8ns ， 125MHz （ 250Mbit/s ） 、 0=10ns ， 100MHz （200Mbit/s））。即三星4MB×16=64MB内存芯 片 ， 3.3V DDR SDRAM ， 刷 新 时 间 0=64m/4K （ 15.6μs ） ， 内 存 芯 片 排 数 为 4 排 （ 两 面 各 两 排 ） ， 接 口 电 压 LVTTL+SSTL_3 （ 3.3V ） ， 封 装类型为66针TSOP II，速度133MHz。
三星内存的容量可通过编号计算 出来，即用“S”后的数字乘S前的数 字，得到的结果即为容量，即该内 存为256MB SDRAM内存，刷新为 8K ， 内 存 Banks 为 3 ， 内 存 接 口 LVTTL，第2代内存，自动刷新，速 度是10ns（100MHz）。
三星DDRAM内存芯片
三 星 DDRAM 内 存 芯 片 编 号 （ 如 KM416H4030T）表示：KM表示三星内存，4代 表RAM种类（4=DRAM），16表示内存芯片组 成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32），H代 表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]），4代表内存密度4Mbit（4=4M、 8=8M、16=16M、32=32M、64=64M、12=128M、 25=256M 、 51=512M 、 1G=1G 、 2G=2G 、 4G=4G ） ， 0 代 表 刷 新 （ 0=64M/4K[15.6μs] 、 1=32M/2K[15.6μs] 、 2=128M/8K[15.6μs] 、 3=64M/8K[7.8μs]、4=128M/16K[7.8μs]）；
SDRAM
在Micron SDRAM内存上，内存芯片上的参 数 含 义 如 下 ： DRAM-4=40ns ， -5=50ns ， 6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM （时钟率为CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，10+3MHz ， -7x+=143MHz ， -65=150MHz， -6=167MHz ， 55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4， x8 ， x16 ） 时 钟 率 为 CL=2.5 ， -8+=125MHz ， 75+=133MHz，-7+=143MHz。
h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别 代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系），I代表接口 （0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口），j代表内核版本 （可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越 新），k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）， lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II， TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II），no代表速度 （ 7=7ns[143MHz] ， 8=8ns[125MHz] ， 10p=10ns[PC-100 CL2 或 3] ， 10s=10ns[PC-100 CL3] ， 10=10ns[100MHz] ， 12=12ns[83MHz]，15=5ns[66MHz]）。
TG 代 表 封 装 （ TG=TSOPII 封 装 ， DJ=SOJ ， DW= 宽 型 SOJ ， F=54 针 4 行 FBGA，FB=60针8×16 FBGA，FC=60针 11×13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ= 反 转 芯 片 密 封 ， F1=62 针 2 行 FBGA ， F2=84 针 2 行 FBGA ， LF=90 针 FBGA ， LG=TQFP ， R1=62 针 2 行 微 型 FBGA ， R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j 代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代 表速度，分成以下几类。
Rambus
在Micron Rambus内存上，内存芯片上的 参 数 含 义 如 下 ： -4D=400MHz 40ns ， 4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，3M=300MHz 53ns+的含义-8E支持PC66和 PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100 （CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持 PC66 、 PC100 （ CL2 和 CL3 ） 、 PC133 （ CL2 和 CL3 ） -7E 支 持 PC66 、 PC100 （CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）。
Samsung
Samsung 是 世 界 上 最 大 的 内 存 芯片制造商，目前市场上销售的优 质 内 存 大 都 采 用 Samsung 的 内 存 芯 片。
➢三星SDRAM内存芯片
➢三星DDRAM内存芯片
三星SDRAM内存芯片
三星SDRAM内存芯片内存颗粒的型号采用16位数 字编码命名。
三星SDRAM内存芯片编号具有一定的含义，例如， KM416S16230A-G10的含义为：KM表示三星内存，4代 表 RAM 种 类 （ 4=DRAM ） ， 16 代 表 内 存 芯 片 组 成 x16 （4=x4、8=x8、16=x16），S代表SDRAM，16代表内 存 芯 片 密 度 16Mbit （ 1=1M 、 2=2M 、 4=4M 、 8=8M 、 16=16M），2代表刷新（0=4K、1=2K、2=8K），3表 示 内 存 排 数 （ 2=2 排 、 3=4 排 ） ， 0 代 表 内 存 接 口 （0=LVTTL、1=SSTL），A代表内存版本（空白=第1 代、A=第2代、B=第3代），G代表电源供应（G=自动 刷 新 、 F= 低 电 压 自 动 刷 新 ） ， 10 代 表 最 高 频 率 （7=7ns[143MHz]、8=8ns[125MHz]、10=10ns[100MHz]、 H=100MHz，CAS值为2、L=100MHz，CAS值为3）。
图4-11
Geil
Geil（金邦，原樵风金条）金条分为 “金、红、绿、银、蓝”5种内存条，各 种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同 的主板。其中红色金条是PC133内存；金 色金条Ｐ针对PC133服务器系统，适合双 处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝 A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面 向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板； 蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是 面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号（例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32）的含义如下：
其中GL2000代表芯片类型；GP代表金邦 科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）， LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2 微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）， 16M8是设备号码（深度×宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量×基粒数目=16×8 =128Mbit， 其中16=内存基粒容量；8=基粒数目；
M=容量单位，无字母=bit，K=KB，M=MB， G=GB ） ， 4 表 示 版 本 ， TG 是 封 装 代 码 （DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA， FB=60 针 8×16FBGA， FC=60 针11×13FBGA， FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62 针 2 行 FBGA ， F2=84 针 ， 2 行 FBGA ， LF=90 针 FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA， R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代）， U=μ BGA ） ， -7 是 存 取 时 间 （ 7=7ns （143MHz）），AMIR是内部标识号。以上编 号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代） 封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、 143MHz速度。
内存品牌及识别内存
常见内存及芯片生产厂家
品牌 现代 金士顿 胜创 三星
标识 Hynix Kingston KingMax SAMSUNG
品牌 金邦 美光 南亚 茂矽
标识 GEIL Micron NANYA MOSEI
目前市场上内存品牌较多， 不过真正生产内存芯片的厂商只有 几家，其他很多内存制造商都是采 用别人的内存颗粒，如Kingmax生 产的内存就是采用好几家内存芯片 厂商生产的内存颗粒。全球的内存 芯 片 厂 商 有 Samsung 、 Hyundai 、 KingSton等几家。