交流电化学沉积铜纳米线阵列及其机理探讨

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ａｏｃｏｘｄｔｏｎＴｈｅｍｏｐｌｇｙａｔｕｃｕｒｆＣｕｎａｗｉｅｒｃｒｃｅｉｅｙＳＥＭ，ＴＥＭｎｄｉｉａｉ．ｒｈｏｏｎｄｓｒｔｅｏｎｏｒｓｗｅｅｈａａｔｒｚｄｂ
一
，
并沿Ｃ（１）面择优生长；Ａ０模板孔道生长铜纳米线不光滑，凹凸状，对此沉积机理进行探讨。ｕ１１晶Ａ成并
关键词：流电化学沉积；交阳极氧化铝模板；纳米线阵列铜中图分类号：６６６Ｔ３３０４．；Ｂ８文献标识码：Ａ文章编号：１Ｏ－３１２１）８０２ —４Ｏ１４８（０００ — ０００
（ｈｏｆＭａｅｉｌｉｎｃｎｄＥｎｉｅｉ１ＳｃｏｌｏｔｒａｓＳｃｅｅａｇｎｅｒｎｇ，ｕｎＩｔｔｔＷｈａｎｓｉｕｅｏｃｏｌｇＷｕｎ４０３，ｆＴｅｈｎｏｙ，ｈａ３０７Ｃｈｉａ；ａｈａｎｔｃｏｌｇｎ２ＳｈｎｇｉＮａｏｅｈｎｏｙ
ｕｉｒｄｓｒｂｔｎｉ／ｎｆｍｉｔｉｕｉｎＣｕＡＡＯａｏｃｍｐｓｔｈｎｆｍｓ．ｅＣｕｎｎｗｉｅａｔｕｔｒｆｐｒｏｏｎｎｏｏｉｔｉｉｅｌＴｈａｏｒｓｈｄａｓｒｃｕｅｏａ—
ａｌｌｂｉｈｔｓｒｐｓａｔｒａｉｇｗｉｈｐａａｌｌｄｒｔｉｓｌｅｒｇｔｉｅｌｅｎｔｎｔｒｌｅａｋｓｒｐｅ．Ｔｈｅｍｅｈａｉｓｏｆａ — ｌｃｒ — ｅｏｓｔｏｎｗａｃｎｃｃｅｅｔｏｄｐｉｉｓ
ｎａｗｉｅｒａｎｏｒｓａｒｙ
一
维铜纳米线具有良好的导电性能和摩擦学性
ａｄＸＲＤ，ｒｓｅｔｖｌ．Ｔｈｅｕｔｎｉａｅｈｔａｏｒｓｐｅｅｒｄｏｉｎａｉｎａｏｇ（１ｈｄｎｅｐｃｉｅｙｅｒｓｌｓｉｄｃｔｄｔａｎｎｗｉｅｒｆｒｅｒｅｔｔｌｎＣｕｏ１１）ａ
Ａｂｔａｔｓｒｃ：Ｃｕｎｎｗｉｅａｒｙｒｒｐｒｄｂｌｅｎｔｇｃｒｅｔ（ａｏｒｒａｓｗｅｅｐｅａｅｙａｔｒａｉｕｒｎｎＡＣ）ｅｅｔｏｈｍｉａｅｏｉｏｌｃｒｃｅｃｌｄｐｓｔｎｉｍｅｈｄｉｎｄｃａｕｉｕｏｉｅ（ｔｏｎａｏｉｌｍｎｍｘｄＡＡＯ）ｔｍｐａｅｔｉｈｙｏｄｒｄｐｒｓｐｏｅｓｄｂｅｏｄｒｅｌｔｓｗｉｈｈｇｌｒｅｅｏｅｒｃｓｅｙｓｃｎａｙ
ｄｓｕｓｅ．ｉｃｓｄ
Ｋｅｒｓｌｅｎａｉｃｒｅｅｅｔｏｈｅｃｌｐｏｉｉｎ；ａｏｃｌｍｉｍｏｘｄｔｍｐｌｔｙｗｏｄ：ａｔｒｔｎｇｕｒｎｔｌｃｒｃｍｉａｄｅｓｔｏｎｄｉａｕｎｕｉｅｅａｅ；ｃｐｅｏｐｒ
２０
材料工程／２１００年８期
交流电化学沉积铜纳米线阵列及其机理探讨
ＡＣｅｔｏｈｍｉａｐｓｔｏｆＣｕＮａｏｉｅＥｌｃｒｃｅｃｌＤｅｏｉｉｎｏｎｗｒＡｒａｓａｄＩｓＭｅｈａｉｍｒｙｎｔ承勇，，杨亮，曹宏周伟民。，
（１武汉工程大学材料科学与工程学院，武汉４０７；３０３２上海市纳米科技与产业发展促进中心，上海２０３）０２７
ＷＡＮＧｕ — ａＣＥＮＸｅｈｕ，ＨＧｕｉＬＩＣｈｅ — ｏ，，ｎｇｙｎｇＹＡＮＧａ，ＬｉｎｇＣＡＯｏｎ，ＨｇＺＨＯＵｅ— ｉ。Ｗｉｍｎ
ＰｒｍｏｉｎＣｅｔｒＳａｇａ０２７Ｃｈｎ）ｏｔｎｅ，ｈｎｈｉ２０３，ｉａｏ
摘要：用二次阳极氧化的方法制备孔高度有序的阳极氧化铝（Ｏ）利ＡＡ为模板，用交流电化学沉积方法，ＡＡ模板采在Ｏ孔道内制备Ｃｕ纳米线。采用扫描电子显微镜（ＥＳＭ）透射电子显微镜（Ｅ和ｘ射线衍射仪（Ｒ对Ｃ、ＴＭ）ｘＤ）ｕ纳米线的形貌、晶体结构进行研究。结果表明：板的孔径均匀，模孔道平直。Ｃｕ纳米线均匀分布在ＡＡ模板纳米孔隙中，径均Ｏ直