2011年版光电子器件习题集

《光电子器件》

习题集

南京理工大学

2011年2月

1．什么是光谱响应特性曲线？什么是光谱匹配系数？其有何意义？

2．什么是器件的最小可探测辐射功率和比探测率？它有何意义？

3．一正方形半导体样品，边长1mm ，厚度为0.1mm ，用能量为3eV ，光强为0.96mW/cm 2的光照射在该正方形表面，其量子效率为1，设光生空穴全部被陷而不能运动，电子寿命τn =10-3s ，电子迁移率μn =100cm 2/V.S ，光照全部被半导体均匀吸收，求: （1） 样品中电子空穴对的产生率（/cm 3.S ）及每秒产生电子空穴对数（/s ）；

（2） 定态时样品中的光电子数及浓度（个/整个样品，个/cm 3）；

（3） 样品光电导率及光电导（

Ω

∙Ω1

1cm ）；

（4） 若样品加30V 的电压在正方形侧面，求光生电流； （5） 光电导的增益。

5．光敏电阻的暗电阻为600 K ，在200lx 的光照下亮暗电阻之比为1：100，求该电阻的光电导灵敏度。

6．某光电导器件的特征曲线如图，用该器件控制一继电器，使用30V 的直流电源，器件在400lx 的照度下有10mA 的电流即可使继电器吸合，无光照时释放，试画出控制电路，计算暗电流和所需串联电阻。

7．试述光生伏特效应。要求画出能带图并推导有关公式。 8．用波长为0.83μm ，强度为3mW 的光照射在硅光电池，设其反射系数为15%，量子效率为1，并设全部光生载流子能到达电极。

（1） 求光生电流；

（2） 当反向饱和电流为10-8A 时，求T=300K 时的开路电压。 （3） 太阳能光电池效率低的原因是什么？论述提高太阳能

光电池的效率的方法，原理，目前发展现状，价格，产业化等问题。（一篇论文，题目自拟，1500字以上，用公式，图等详细论述，论文成绩为最终成绩的参考！本题布置以后10天内完成，只要电子稿。发到我的邮箱！）

9． 已知2CR 太阳能光电池的参数为U OC =0.54，I SC =50mA ，要用若干个这样的光电池合起来对0.5A ，6V

的蓄电池充电，应

组成怎样的电路，需要多少个这样的电池（充电电源电压应比充电电池电压高1V左右）。

10．为什么结型光电器件只有反偏或零偏置电压时才有明显的光电流？

11．某光电二极管的结电容为5pF，要求带宽为10MHz，求允许的最大负载电阻是多少？

12．说明PIN管的工作原理（包括能带图）。PIN管的频率特性为什么比普通光电二极管好？

13．说明雪崩型光电二极管结构、工作原理和特性。

14．画出光电三极管的能带图，并说明光电三极管的工作原理和特性。

15.简要填写下表：

16.用波长为589.3nm光照某光电材料，其发射电流的灵敏度为

100μA/lm，该材料的逸出功为1.4eV，求该材料的光谱量子

效率，波长阈值，光电子最大初速？（在589.3nm 处相对光谱视效率为0.82）。

17. 试述半导体光电发射的三步物理过程，并比较金属和半导体

光电发射的差别。

19． 说明光电倍增管的结构组成和工作原理。

20．某光电倍增管有10个倍增级，每个倍增级的二次电子发射系

数δ=4，阴极灵敏度为R K =200μA/lm ，阳极电流不得超过10mA ，试估计入射阴极的光通量的上限。如阳极噪声电流为4nA ，求该管的噪声等效功率。如该管阴极暗电流为A 11103-⨯，负载电阻很大，求该管的可探测最小光通量。取1+B=2.5，Δf=1HZ 。影响光电倍增管有效测量光功率的上限和下限的原因有哪些？

21．画出光电倍增管电阻电容简明连接图，并说明电阻链的电阻值

如何选取？最后几级的旁路电容的作用是什么？ 22．说明像管的结构和工作原理。

23．说明近贴型电子光学系统所加电压和极间距离与像质的影响。 24．说明等径双圆筒结构使电子成像的原理。

25．某三级级联像增强管，三个光电阴极均为S-25，它对标准光

源的积分灵敏度R=400μA/lm，三个荧光屏均为P-20，它的发光效率为50 lm/W，各级电压均为12KV，各级电子光学系统通过系数为1，各级放大率为1，不考虑极间耦合损失的情况下：

a)计算它对星光下绿色草木反射光的亮度增益G L。

b)亮度增益的来源是什么？

c)说明提高阴极长波响应对增加对比度和G L的意义。26．试说明背景亮度产生的原因及影响，以及减少的方法。27．何为光学传递函数、调制传递函数、对比传递函数、相位传递函数？

28．正弦物函数输入像管，说明其输出像的特征。

29．何为微通道板？微通道板的噪声有哪些？解释微通道板的电流饱和特性。

30．画出二代像增强器的两种结构，说明各自的特点。

31．与二代微光管比较，说明三代微光管的优缺点。

32．说明四代微光像增强器的结构特点，与三代管比较，它有哪些特点？

33．为什么摄像管要进行光电积累？光电积累的时间是多少？34．说明电视系统光电转换、电光转换的特性。

35．说明PbO靶视像管的结构和工作原理。

36．从MOS结构基本过程和能带出发，解释MOS结构如何成为CCD的。表面势与其他参量的关系怎样？

37．试用三相CCD的结构说明电荷耦合转移的工作原理。38．说明二相CCD的结构和通道横向限制的方法。

39．说明BCCD的结构工作原理和特性。

40．说明电位平衡法输入结构、工作原理和特性。

41．画出浮置扩散层输出的结构图，并说明其工作原理。42．以TCD102C为例，说明线阵CCD的工作原理。

43．说明帧/场转移面阵CCD的工作原理。