英飞凌各代IGBT模块技术详解

英飞凌各代IGBT模块技术详解
IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。

它是
八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。

由于它将 MOSFET 和 GTR 的优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点，克服 GTR 缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服 MOSFET 的缺点）等综合优点，因此 IGBT 发展很快，在开关频率大于 1KHz，功率大于 5KW 的应用场合具有优势。

随着以 MOSFET、IGBT 为代表的电压控制型器件的
出现，电力电子技术便从低频迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更
加丰富，同时为高效节能、省材、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。

英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。

一、IGBT1－平面栅穿通（PT）型 IGBT （1988 1995）
西门子第一代 IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型 IGBT 工艺，这是最初的 IGBT 概念原型产品。

生产时间是 1990 年－ 1995 年。

西门子第一代 IGBT 以后缀为“DN1”　
来区分。

如 BSM150GB120DN1。

图 1.1 PT-IGBT 结构图
PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作
IGBT 元胞。

PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、
厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。

因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V
系列 IGBT 有优势。

二、IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT
西门子公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出
了 NPT－IGBT 概念。

由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的基区厚度dB>100μｍ，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且
外延层的掺杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。

1995 年，西门子率先不用外延工艺，
采用区熔单晶硅批量生产 NPT－IGBT 产品。

西门子的 NPT-IGBT 在全电流工作区范围内
具有饱和压降正温度系数，具有类 MOSFET 的输出特性。

图 1.2 NPT-IGBT 结构图
系列。

如 BSM200GB120DN2。

西门子／EUPEC IGBT2 最典型的代表是后缀为“DN2”
“DN2”系列最佳适用频率为 15KHz－20KHz，饱和压降 VCE(sat)=2.5V。

“DN2”系列几乎
系列。

适用于所有的应用领域。

西门子在“DN2”
系列的基础上通过优化工艺，开发出“DLC”
系列是低饱和压降，（ VCE(sat)=2.1V ），最佳开关频率范围为
“ DLC ”　
1KHz － 8KHz 。

“DLC”系列是适用于变频器等频率较低的应用场合。

后来 Infineon／EUPEC 又推出短拖尾电流、高频“KS4”系列。

“KS4”系列是在“DN2”的基础上，开关频率
得到进一步提高，最佳使用开关频率为 15KHz－30KHz。

最适合于逆变焊机，UPS，通
信电源，开关电源，感应加热等开关频率比较高（fK≥20KHz）的应用场合。

在这些应用
芯片开发出H—桥（四单元）IGBT 模块，领域，将逐步取代“DN2”
系列。

EUPEC 用“KS4”
其特征是内部封装电感低，成本低，可直接焊在 PCB 版上（注：这种结构在变频器应用
采用
、“KS4”
、“DLC”
中早已成熟，并大量使用）。

总之，EUPEC IGBT 模块中“DN2”
NPT 工艺，平面栅结构，是第二代 NPT-IGBT。

三、IGBT3 IGBT3－沟槽栅(Trench Gate) 在平面栅工艺中，电流流向与表面平行时，电
流必须通过栅极下面的 p 阱区围起来的一个结型场效应管（JFET），它成为电流通道的
一个串连电阻，在沟槽栅结构中，这个栅下面的 JFET 通过干法刻蚀工艺消除了，因此形
成了垂直于硅片表面的反型沟道。

这样 IGBT 通态压降中剔除了 JFET 这部分串联电阻的
贡献，通态压降可大大降低。

Infineon／EUPEC 1200V IGBT3 饱和压降VCE(sat)＝1.7V。

电场终止层（Field Stop）技术是吸收了 PT、NPT 两类器件的优点。

在 FS 层中其掺杂浓
度比 PT 结构中的 n＋缓冲层掺杂浓度低，但比基区 n—层浓度高，因此基区可以明显减
薄（可以减薄 1/3 左右），还能保证饱和压降具有正温度系数。

由于仍然是在区熔单晶硅
中（没有外延）制作 FS 层，需进行离子双注入，又要确保饱和压降的正温度系数，工艺
难度较大。

图 1.3 沟槽栅＋FS IGBT 结构图
EUPEC 第三代 IGBT 有两种系列。

后缀为“KE3”的是低频系列，其最佳开关频率为 1K －
8KHz。

1200V IGBT 饱和压降VCE(sat)＝1.7V，最适合于变频器应用。

在变频器应用中，
的基础上，采用
系列的工作。

在“KE3”
北京晶川公司在中国已完成用“KE3”
系列代替“DLC”
层离子注入浓度、厚度以及集电区掺杂浓度等，又开发出高频系列，以
浅沟槽和优化“FS”
后缀“KT3”
系列在饱和压降不增加的情况下，开关频率可提高到为标志。

EUPEC“KT3”
15KHz，最适合于 8KHz－15KHz 的应用场合。

在开关频率fK ≥8KHz 应用中，“KT3”比“KE3”开关损耗降低 20％左右。

Infineon／EUPEC 600V 系列 IGBT3 后缀为“KE3”，是高
频 IGBT 模块，开关频率可达到 20KHz，饱和压降为 1.50V，最高工作结温可高达 175℃。

Infineon／EUPEC 第三代 IGBT，采用了沟槽栅及电场终止层（FS）两种新技术，带来了IGBT 芯片厚度大大减薄。

传统 1200V NPT- IGBT 芯片厚度约为200μm ，
IGBT3 后缀为“KE3”的，厚度为140μm 左右；后缀为“KT3”芯片厚度进一步减薄到
120μm 左右；600V IGBT3 其芯片厚度仅为70μm 左右，这样薄的晶片，加工工艺难度较大。

Infineon 在超薄晶片加工技术方面在全球处于领先地位。

总之，Infineon／EUPEC IGBT3 采用了当今 IGBT 的最新技术（沟槽栅＋电场终止层），是目前最优异的 IGBT 产品，有些电力半导体厂家称这些技术为第五代，甚至称之为第八代 IGBT 技术。

Infineon／EUPEC 称之为第三代，正如在其型号中的电流标称一样，总是按 TC＝ 80℃来标称，让
产品来说话，让用户来评判。

图 1.4 EUPEC 三代 IGBT 芯片技术对比
图 1.5 NPT/FS IGBT 芯片主要优点
四、EUPEC IGBT 模块中 IGBT 及续流二极管芯片特征参数
EUPEC IGBT 模块全部采用西门子／Infineon IGBT 芯片，从型号中的后缀来区分，用户应根据不同的开关频率范围来选用相应的 IGBT 模块。

EUPEC
1、EUPEC 600V 系列 IGBT 模块芯片特征参数
图1.6 EUPEC 600V 系列 IGBT 模块芯片特征参数
是高频器件，可工作在 20KHz；
和“KE3”
注：①600V“DLC”
②“KE3”最高结温可达 175℃。

EUPEC
2、EUPEC 1200V IGBT 模块芯片特征参数：
图 1.7 EUPEC 1200VIGBT 模块芯片特征参数
芯片，用于逆变电焊机，UPS，通信
芯片以替代“DN2”
注：①晶川公司将逐步推广“KS4”
电源，开关电源等开关频率大于 15KHz 的应用领域；
②晶川公司已完成在变频器等开关频率fK≤10KHz 的应用领域，用“KE3”代替“DLC”系列；
③对于fK≤15KHz 的应用场合，我们将逐步推广EUPEC “KT3”系列, 来取代”KE3“系列；
④后缀为“KF4”或“KL4C”是指 EUPEC IHM 的芯片分类标志。

3、EUPEC 1700V IGBT 模块芯片特征：
图 1.8 EUPEC 1700V IGBT 模块芯片特征
注：①随着器件耐压的增高，IGBT 的开关频率相应下降，推荐表中仅仅是最佳使用频率
范围，若选择额定电流大一些的器件，也可在较高频率中使用；
②1700V 系列，根据电流不同，可提供“DN2”；“DLC”／“KF6CB2”；“KE3”等三种芯片的IGBT 模块；
③“KF4”或“KF6CB2”是指 EUPEC 大功率（IHM）模块后缀。

EUPEC
4、EUPEC 3300V IGBT 模块芯片特征：
图 1.9 EUPEC 3300V IGBT 模块芯片特征
注：除 FF200R33KF2C 外，所有 EUPEC IHV，电压大于 2500V 耐压的 IGBT 模块，均受欧洲出口限制，需办理最终用途证明，不能用于军事目的。