反偏PN结电容

反偏PN结的C-V关系——泊松方程

PN 结电容

本节主要内容：势垒电容形成的机理；缓变结和实际扩散结的势垒电容的计算方法。

PN结势垒微分电容

简称为势垒电容。

T C

xΔ

有时也将单位面积的势垒电容称为势垒电容。即：

于是可得：

式中，A D

0A D

N N N N N =

+T d d C =

式（2-130）相同的结果，即

C=

T

可见：C

也是取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

T

当外加较大反向电压时，可将

C=

T

当外加较大反向电压时，

C=

T

由扩散工艺形成的实际扩散结，其杂质分布既非突变结，也非线性缓变结，而是余误差分布x N x N ((x

实际扩散结势垒电容C

的计算

T

方法一：直接查曲线（附录中的附图1）。

方法二：将实际扩散结近似看作单边突变结或线性缓变结，然后用相应的公式进行计算。

或查图2-46 求得x j ，也可直接查图2-48 得到(a 再由下式求出

图2-48

例2.3由附图1 (a) ：按突变结计算：按线性缓变结计算：010cm ,N N =(a C A

C A

例1、PN结用作变容器

例2、PN结最小电容