西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2011年(复试)

西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2011年(复试)
西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2011年(复试)

西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2011年(复试)

(总分:99.98,做题时间:90分钟)

一、 (总题数:1,分数:50.00)

电磁场与电磁波部分(分数:50.00)

(1).同轴线内、外导体的半径分别为a和b,并计算同轴线单位长度上的电容。(分数:10.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()

解析:证明:设内、外导体单位长度带电分别为+ρl和-ρl,则同轴线内、外导体之间的电场为

如果将同轴线内单位长度存储的能量记为W,而将从a到c单位长度的存储能记为W 1,即

令,得,即以。为半径的圆柱内静电能量是整个能量的一半。

又∵

所以

(2).已知无限大区域内,在x<0区域内填充有磁导率为μ的均匀电介质,x>0区域内为真空。分界面上有电流I沿z轴方向,计算空间中的磁感应强度和磁场强度。(分数:10.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()

解析:解:由磁场边界条件n·(B 2 -B 1 )=0知,在介质分界面上磁感应强度B相等,

由安培环路定律得:πrH 1 +πrH 2 =I,其中B 1 =μH 1,B 2 =μ0 H 2

所以

(3).已知平面电磁波电场强度为:E=[(2+3j)·e x+4·e y+3·e z ]e j(1.8y-2.4z),请写出电场的传播方向、极化方向,判断该电磁波是否为横电磁波?(分数:10.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()

解析:解:∵电场强度可写为E=[(2+j3)e x +4e y +3e z ]e -j3k·r

∴传播方向为

∴该电磁波为横电磁波。

令,则E=[(2+j3)e x +e m ]e -j3k·r

∵e x×e m =k,φx>φm,E x≠E m

∴该波为右旋椭圆极化波。

(4).假设有一电偶极子向空间辐射电磁波,已知在垂直它的方向上100km处的磁场强度为100μV/m,求该电偶极子的辐射功率。(分数:10.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()

解析:解:天线在远区场产生的电场强度大小为,在垂直电偶极子方向上F(θ,φ)=1,∵电偶极子方向系数D=1.5

(5).同轴漏电线,可通过在同轴线上开缝等操作,使线内电磁场能量耦合到外界,或通过相反的途径将外部电磁能量耦合到同轴线内,试说明如何计算同轴漏电缆的传输损耗和耦合损耗,举例说明它的一种工程应用及其原理。(分数:10.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()

解析:解:(1)传输损耗的计算:

同轴漏电缆的传输损耗一般包括三部分:1)导体损耗;2)介质损耗;3)辐射损耗。

α=αc +αd +αr

上式中,α一表示漏泄电缆的传输损耗;

αc—表示漏泄电缆的导体损耗;

αd—表示漏泄电缆的介质损耗;

αr—表示漏泄电缆的辐射损耗;

(2)耦合损耗的计算:

同轴漏电缆的耦合损耗可以使用以惠更斯原理为依据的近场外推远场方法,从CST的FDTD仿真中导出电缆周围电场值,结合Matlab编程软件求得远区观察点的场分布,进而求得耦合损耗。

(3)同轴漏电线的工程应用:开槽的泄漏同轴线可作为建筑内部天线使用,缝隙相对于开槽天线。

二、 (总题数:1,分数:50.00)

微波与天线部分(分数:49.98)

(1).已知一尺寸为7.2 mm×3.4m m的矩形波导,当波长为6.5mm的微波在其中传播时,请问该波可以存在哪些模式;当要求TE 10波单模传输时计算其工作频率范围。(分数:8.33)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()

解析:解:∵矩形波导截止波长为

∴λcTE10 =2a-14.4mm,λTE20 =a=7.2 mm,λcTE01 =2b=6.8mm,

∴λcTE11<λ<λcTE01,∴6.5mm的波可以存在TE 10,TE 20,TE 30三种模式。

∵矩形波导单模传输时a<λ<2a

(2).写出下图隔离器的[S]参数矩阵,并指出哪一项对应正向衰减指标,哪一项对应隔离指标?

(2)写出下图环形器对应的[S]参数矩阵。

(3)请问在什么样的情况下可以将上图的环形器当作二端口隔离器使用?(分数:8.33)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()

解析:,其中S 12对应正向衰减指标

,S 21对应反向隔离指标

(3)将3端口(或任意一端口)接匹配负载后,1、2端口(剩余两端口)可作为二端口的隔离器使用。

(3).常用的极化天线有 1, 2, 3;常用的圆极化天线有 4, 5。(分数:8.33)

解析:半波振子天线全波振子天线对数周期天线轴向模螺旋天线“十字”交叉

(4).沿z轴放置的电流元Ile z,其归一化方向函数为 1,有效长度为 2,E—面半功率波瓣宽度(HPBW)为 3,H—面为 4,方向系数为 5。(分数:8.33)

解析:F(θ,φ)=sinθ l e =lsinθ 90° 360° 1.5

(5).如下图所示,在yOz面上放置的两平行半波振子天线,间距为,现对两天线馈电I 2 =-jI 1,

(1)求空间方向函数;

(2)分别写出E—面和H—面的方向函数;

(3)概画出E—面和H—面的方向图。(分数:8.33)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()

解析:(1)∵阵元为半波振子

∴单元因子(式中β为矢量r与y轴夹角)

∵cosβ=sinθsin7φ

∴单元因子

阵因子为

空间方向函数为

(2)∵E一面为xOy面,∴令θ=90°,

H—面为xOz面,∴令θ=0°,

(3)

E-面方向图

H-面方向图

(6).简述前馈抛物线反射面天线的组成、配置及工作原理。(分数:8.33)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()

解析:解:组成:前馈抛物面天线由馈源和反射面(旋转抛物面)两部分组成。

配置:馈源位于抛物面的焦点上,且馈源最大发射方向对准抛物面中心。

工作原理:反射时馈源发出的电磁波经抛物面反射后均平行于抛物面轴线,馈源发出的球面波反射后形成

平面波;馈源发出的波经抛物面反射到抛物面口径上的路程为一定值,因而具有相同的波程差,所以在口径面上形成同向口径场。

2018年西安电子科技大学微电子概论复试题

1、什么是N型半导体?什么是P型半导体?如何获得? 2、简述晶体管的直流工作原理。 3、简述MOS场效应管的工作特性。 4、CMOS电路的基本版图共几层,都是哪几层?再描述一下COMS工艺流程。 5、专用集成电路的设计方法有哪些?它们有什么区别? 6、影响Spice软件精度的因素有哪些? 7、半导体内部有哪几种电流?写出电流计算公式。 8、晶体管的基极宽度会影响那些参数?为什么? 9、经过那些工艺流程可以实现选择“掺杂”?写出工艺流程。 10、双极ic和mos ic的隔离有何不同? 11、rom有那些编程结构?各有和特点? 12、画出稳压电路的结构图,解释工学原理。 13、pn结的寄生电容有几种,形成机理,对pn结的工作特性及使用的影响?15' 14、什么是基区宽变效应,基区宽变效应受哪些因素影响?15' 15、CMOS集成电路设计中,电流受哪些因素影响?15' 16、CMOS集成电路版图设计中,什么是有比例设计和无比例设计,对电学参数有哪些影响?15' 17、画出集成双极晶体管和集成MOSFET的纵向剖面图,并说明它们的工作原理的区别?20' 18、对门电路而言,高电平噪声容限和低电平噪声容限受哪些因素影响?20' 专业课面试 1、齐纳击穿与雪崩击穿的原理和区别

2、什么是有比例设计与无比例设计,其影响参数 3、高低电平噪声影响的参数 4、多级放大器的耦合方式及优缺点 5、什么是线性电源 6、直流电源的原理及构成 7、PN节的两种电容的机理。 8、PN节有哪几种击穿?各自的机理及击穿曲线的特点? 9、简述CMOS的工艺流程,几层版图? 10、影响Spice软件精度的因素有哪些? 11、半导体中载流子的两种运动。 12、模拟集成运算放大器的组成和性能。 13、四探针法测电阻的原理。 14、共价键和金刚石结构晶体 15、什么是共价键(有什么特点) 16、半导体的导电原理,导电机构 17、ROM和RAM的工作原理 18、晶体管与MOS管隔离的区别 19、N沟耗尽型MOSFET工作原理? 20、集成运算放大器的基本组成?有哪些参数? 21、 CAD的含义与作用

2013年西安电子科技大学计算机学院复试机试真题

2013年西安电子科技大学计算机学院机试真题(回忆整理版) Problem1: 题目描述: 定义一个新的斐波那契数列: F(0)=7; F(1)=11; F(n)=F(n-1)+F(n-2);(n>=2) 输入: 输入有多组;首先输入一个N(N<=100),代表要输入的测试用例的个数;接下来输入N个数字ni(ni<=100),数字间用空格隔开。 输出: 求F(n)能否被3整除,若能整除输出‘yes’,否则输出‘no’。 样例输入: 3 0 1 2 样例输出: no no yes Problem2: 题目描述: 输入一组数据,统计每个数出现的次数,并按照数字的大小进行排序输出。

输入: 输入20个数字,数字之间用空格隔开。 输出: 统计每个数字出现的次数,并按数字的大小输出数字及其出现的次数. 样例输入: 9 8 5 1 7 2 8 2 9 10 1 7 8 9 5 6 9 0 1 9 样例输出: 0:1 1:3 2:2 5:2 6:1 7:2 8:3 9:5 10:1 Problem3: 题目描述: 根据每个英文字母出现的频率对其进行哈弗曼编码,其中‘#’代表空格,其编码方式如下:(此处略去编码方式(因为比较多不易记忆)) 输入: 从文件(ecode.txt)中读入要输入的测试用例,测试用例总长度不超过1000. 输出:

输出解码后的测试用例,包含其中的空格。 样例输入: 略去。。 样例输出: 以上样例输出的是(xidian university)不过具体测试用例输出情况不一。 Problem4: 问题描述: 二进制与十进制的相互转换,输入一组数据,若为十进制,则将其转换为二进制;若为二进制则将其转换为十进制。其中所要转换的十进制与二进制的十进制大于零小于等于255。 输入: 测试用例包含多组,每组有两个数n和m,n为所输入的数值,m为输入数的进制,如m=2,代表所输入的n是二进制数。当m和n均为零是表示输出结束。 输出: 若输入的数是十进制,则将其转换为二进制;若所输入的数为二进制,则将其转换为十进制,并输出。每个结果对应一行,最后输出换行。 样例输入: 10 2 10 10 0 0 样例输出:

西安电子科技大学微电子概论复试题

07年微电子概论复试题 (一共6道大题,满分100分,4月9日19:30~21:00) 1,什么是N型半导体?什么是P型半导体?如何获得? 2,简述晶体管的直流工作原理。 3,简述MOS场效应管的工作特性。 4,CMOS电路的基本版图共几层,都是哪几层?再描述一下COMS 工艺流程。 5,专用集成电路的设计方法有哪些?它们有什么区别? 6,影响Spice软件精度的因素有哪些? 08年微电子复试题 1.半导体内部有哪几种电流?写出电流计算公式。 2.晶体管的基极宽度会影响那些参数?为什么? 3.经过那些工艺流程可以实现选择“掺杂”?写出工艺流程。 4.双极ic和mos ic的隔离有何不同? 5.rom有那些编程结构?各有和特点? 6.画出稳压电路的结构图,解释工学原理。 09年微电子复试题 1.pn结的寄生电容有几种,形成机理,对pn结的工作特性及使用的影响?15' 2.什么是基区宽变效应,基区宽变效应受哪些因素影响?15' 3.CMOS集成电路设计中,电流受哪些因素影响?15'

4.CMOS集成电路版图设计中,什么是有比例设计和无比例设计,对电学参数有哪些影响?15' 5.画出集成双极晶体管和集成MOSFET的纵向剖面图,并说明它们的工作原理的区别?20' 6.对门电路而言,高电平噪声容限和低电平噪声容限受哪些因素影响?20' 专业课面试 1. 齐纳击穿与雪崩击穿的原理和区别 2. 什么是有比例设计与无比例设计,其影响参数 3. 高低电平噪声影响的参数 4. 多级放大器的耦合方式及优缺点 5. 什么是线性电源 6. 直流电源的原理及构成 7. PN节的两种电容的机理。 8. PN节有哪几种击穿?各自的机理及击穿曲线的特点? 9. 简述CMOS的工艺流程,几层版图? 10. 影响Spice软件精度的因素有哪些? 11. 半导体中载流子的两种运动。 12. 模拟集成运算放大器的组成和性能。 13. 四探针法测电阻的原理。 14. 共价键和金刚石结构晶体 15. 什么是共价键(有什么特点) 16. 半导体的导电原理,导电机构

西安电子科技大学考研复试-微机原理练习题

《微型计算机原理及接口技术》试题 一. 单项选择题 1. 8086CPU芯片的外部引线中,数据线的条数为○ ①6条②8条③16条④20条 2. 8088CPU上READY信号为下面哪种信号有效?○ ①上升边②下降边③高电平④低电平 3. 8088CPU中的CS寄存器是一个多少位的寄存器?○ ①8位②16位③24位④32位 4. 当8086CPU 读写内存的一个规则(对准)字(16位)时,BHE和A0的状 态必须是○ ①00 ②01 ③10 ④11 5. 当8086CPU读I/O接口时,信号M/IO和DT/R的状态必须是○ ①00 ②01 ③10 ④11 6. 在8088CPU中, 用于寄存器间接寻址输入输出指令的寄存器是○ ①AX ②BX ③CX ④DX 7. ISA总线是一种多少位的内(系统)总线?○ ①8位②16位③32位④64位 8. 属于只读存贮器的芯片是○ ①SRAM ②DRAM ③EPROM ④SDRAM 9. 需要定时刷新的存贮器是○ ①SRAM ②DRAM ③EPROM ④EEPROM 10. 内存从A4000H到CBFFFH,共有○ ①124K ②160K ③180K ④224K 11. 擦除EPROM是用○ ①+5V电压②+15V电压③+21V电压④紫外光照射 12. 采用查询方式来实现输入输出是因为它○ ①速度最快 ②CPU可以不介入 ③实现起来比较容易 ④在对多个事件查询工作时,能对突发事件做出实时响应 13. 实现DMA传送,需要○ ①CPU通过执行指令来完成②CPU利用中断方式来完成 ③CPU利用查询方式来完成④不需要CPU参与即可完成 14 下面哪种说法不正确○ ①内存地址也可做为接口地址使用②内存地址不可做为接口地址使用 ③接口地址不可做为内存地址使用④接口地址也可做为外存地址使用

西安电子科技大学考研复习经验分享

西安电子科技大学考研复习经验分享 摘要:一直想写点什么。到今天终于忍不住了。贡献自己考研的一点心得体会,希望对学弟学妹们有点帮助。希望不会太晚。 一、关于居住环境: 个人认为,环境对一个人的影响是很大的。选择一个好的环境,无疑会对你的学习有所帮助,最起码不会起反作用力。 西电附近无疑是首选。其他地方我不太了解,就说说徐家庄吧。徐家庄的生活居住环境个人不敢恭维。但因为离西电最近,仍然是许多人的首选。徐家庄的房子,和许多其他地方一样,也有高低上下之分。便宜的有一个月一百多的,基本是单间,面积不太大,一个人住也足够了,但周围环境不敢恭维。尤其是隔音效果不太好,有可能每天晚上你会听到令人欲火焚烧的声音。 贵得有二三百一个月的,基本为套间,环境较上面的有很大进步,个人推荐这一类的。再贵的还有四五百的,应该算是最高档次的,如果家里特别有钱的话,可以去租。个人认为,对考研来说有点奢侈了。 总的来说,要选一个比较安全,相对安静,相对舒适一点的环境。个人建议,仅供参考。 二、关于自习时间: 个人认为,没有必要像高考时那样,每天早上五点六钟就起床,没有必要那么拼命。考研也要注意自己的身体的。我觉得早上七点多起来就可以了。一般八点多开始自习,中午快12点的时候回去。中午推荐午休一下,睡上一个小时左右的午觉,不管能不能睡着,对自己的身体和脑力是一个恢复。下午两点多到快六点的时候就可以了。然后吃晚饭。吃完晚饭可以出去散会步,找别人聊聊天,或者听听音乐什么的,选择一种休闲放松的方式,随你喜欢的。主要是调整心态,放松神经,休息大脑。晚上从七点钟到十点钟左右就可以了。然后回去收拾收拾一下就可以睡觉了。第二天依复如此。 个人推荐每隔十天半个月的给自己放个假。出去上上网,找同学玩玩,转转,看个电影,洗个澡什么的。我觉得这个休息是必要的。不要把自己的整得太累。 三、关于如何复习。 好的学习策略和复习资料的选取,无疑对大家的学习是有帮助的。 数学:个人推荐李永乐复习全书,尤其是其中的线性代数部分,真的很好。可以和陈文灯的配合起来使用,只是要多花些银子。不过为了能考上研,也不要舍不得这几十块。然后是十年真题解析,用哪个版本的随你的爱好,个人推荐李永乐的。然后是李永乐经典四百题,个人学得比较难。真的,我做的时候都是看着答案在做。别人都说做几遍几遍什么的,我做了一遍就没兴趣了。数学一定要多做题,熟能生巧,这是颠扑不破的真理。 英语:一定要解决掉单词。单词是英语学习的最大障碍,个人观点。推荐背上三四遍。然后就是做真题,仿真题最好选比真题略难一点的。个人推荐王若平的长难句解析,张剑的十年真题解析。等你看完了长难句解析,再去做真题,你会觉得很简单。个人就收获很大,

西安电子科技大学研究生复试面试问题汇总

西安电子科技大学研究生复试面试问题汇总 传统面试问题(Sample Traditional Interview Questions)1、What can you tell me about yourself (关于你自己,你能告诉我些什么?)This is not an invitation to give your life history. The interviewer is looking for clues about yourcharacter qualifications ambitions and motivations.这一问题如果面试没有安排自我介绍的时间的话。 这是一个必问的问题。 考官并不希望你大谈你的个人历史。是在寻找有关你性格、资历、志向和生活动力的线索。来判断你是否适合读 MBA。The following is a good example of a positive response. In high school I was involved incompetitive sports and I always tried to improve in each sport I participated in. As a collegestudent I worked in a clothing store part-time and found that I could sell things easily. The salewas important but for me it was even more important to make sure that the customer wassatisfied. It was not long before customers came back to the store and specifically asked for me tohelp them. Im very competitive and it means a lot to me to be the best. 下面是一个积极正面回答的好例子:在高中我参加各种竞争性体育活动,并一直努力提高各项运动的成绩。大学期间,我曾在一家服装店打工,我发现我能轻而易举地将东西推销出去。销售固然重要,但对我来说,更重要的是要确信顾客能够满意。不久便有顾客返回那家服装店点名让我为他们服务。我很有竞争意识,力求完美对我很重要。2、 What would you like to be doing five years after graduation(在毕业以后 5 年内你想做些什么?)Know what you can realistically accomplish. You can find out by talking to others MBA aboutwhat they accomplished in their first five years with a particular company after graduation. I hope to do my best I can be at my job and because many in this line of work are promotedto area manager I am planning on that also. 你要清楚你实际上能胜任什么。你可以事先和其他的 MBA 交流一番。问问他们在毕业后在公司的头 5 年都做了些什么。 可以这样回答:我希望能在我的职位上尽力做好工作,由于在同一领域工作的许多人都被提为区域负责人,所以我亦有此打算。 3. What is your greatest strength (你最突出的优点是什么?)这是很多面试考官喜欢问的一个问题。This is a real opportunity to toot your own horn. Do not brag or get too egotistical but let

2016年西安电子科技大学考研复试分数线

(一)报考条件: 根据文件规定,西安电子科技大学硕士研究生,本次选拔对象,应符合以下条件: 1.在校期间政治思想表现优秀,遵守校纪校规,文明礼貌,未受到任何处分。 2.学历要求:具有本科学位,在相应的科研领域做出突出成绩,身心健康。 3.以综合考试成绩为录取依据,首先按各专业实考人数划定分数资格线,再按成绩从高到低择优录取。 4.综合考试成绩将在录取前公示7天,录取过程中,如果有排名在录取名额内的考生自愿放弃,在名额外的学生按顺序递补。 5.我校采取笔试、口试或两者相兼的方式进行,以进一步考察学生的专业基础、综合分析能力、解决实际问题的能力。具体比例由学校根据学科、专业特点安排。(二)报考事项: 历年真题QQ在线咨询:363、916、816张老师。各相关专业成立考试小组,确定工作中的相关原则政策和办法研究重大事项;负责本学院考试工作的组织宣传事项和实施工作;完成报考成绩统计及综合排名汇总材料并上报填表。 1.各学院要先完成报考专业的成绩进行排名,根据名单确定考生的具体范围。 2.符合上述条件的参加综合考试,根据报考专业并提交书面申请材料审核。 3.工作领导小组审核汇总名单后,将公示7天,期满后不再提示。 4.各相关专业按照考试科目的顺序依次进行。

5.考试成绩以书面通知形式发到学生本人。 (三)考试流程: 1.参加初试并获得复试资格的考生,应在复试前填写相关表格,按规定时间提供自身研究潜能的材料,攻读大学阶段的研究计划、科研成果等。 2.报考考生的资格审查由领导小组进行审查,对考生料进行审阅符合报考条件的统计填表。 3.我校采取笔试、口试或两者相兼的方式进行差额复试,以进一步安排加强进行考察学生的专业基础、综合分析能力、解决实际问题的能力和各种应用能力等。具体比例由学校根据本学科、专业特点及生源状况安排。 (四)复习方略: 1.注重课本很多考生会安排各种各样的资料,其实关键要能保证你进行的系统性。每个要点段落安排以真题为主,精细化方法对教材重点章节相关要点,对课本有一个纲领性的认识。对课后题必须要掌握,大部分知识点题目都出自课后。专业基础知识、该专业关注的研究方向。较为系统的了解都要为基础一定要做到对教材大纲范围的大体框架有全面的把握,把整个原理的前后概念贯穿起来。2、在复习充分的情况下做完后对照答案进行对比,看看自己的差距在哪。接下来才是最重要的,要根据专业课的真题都会出什么题型,针对考试内容重点是什么是哪一章节。在熟悉这些之后呢,一定要必须的题目都整理出来加强背诵。根据科目的先后顺序,因为通常前几年出现的题目会出现,细化专业特点分析对照问题的深度和广度,结合自己的知识结构知识存量,正确的安排答题技巧针对有限的知识来最好地回答。专业课的难度绝不亚于英语,对掌握的侧重点范围解题

西安电子科技大学通信工程学院 研究生复试

西安电子科技大学通信工程学院2016年研究生复试 (回忆版) 时间150分钟,满分150 数电部分 1.数字组合逻辑电路与数字时序逻辑电路的区别。(10) 2.已知逻辑变量A,B,F,当A=1时F=B,当A=0时F=B’,试写出F与A,B的逻辑式。 3.ROM可以设计组合逻辑电路,写出你对利用ROM可以实现组合逻辑电路的理解。 4.1bit的全加器如下图所示,A,B为输入变量,C1为低位的进位,C2为向高位的进位,D 为输出。

(1)写出全加器的真值表(或卡诺图) (2)试用组合逻辑电路实现全加器 5.序列100100101,写出状态表利用ROM实现电路(与移位寄存器、ROM、时序逻辑电路有关)<具体题记得不太清除,有助于了解考点即可> 6.A,B,C,D的波形图如图所示<波形图不好记> (1)C可由____________(A组合电路,B时序电路)实现,原因:______________________________ D可由____________(A组合电路,B时序电路)实现,原因:______________________________ (2)写出C,D的逻辑表达式。 (3)利用一种逻辑电路实现C,D。 模电部分 1.关于PN结的结构形成/工作,写出对PN结的理解。

2.放大电路线性失真与非线性失真的区别,如果单一频率的正弦波通过放大电路是否会产 生线性和非线性失真。 3.负反馈对放大电路性能的影响。(10分) 4.如下图所示功率放大电路,VD1,VD2的作用?VD3,VD4的作用?Re1,Re2的作用?(10 分)

5.计算Uo/Ui。集成运放电路

西安电子科技大学硕士研究生复试英语英文面试自我介绍

Self-introduction 自我介绍 Name:William Shakespeare Graduated University:××××××××××× Major:English Literature Admission Time:20XX-09-01—20XX-06-30 Telephone:+86×××××××(MP) E-mail:520521××××@ (后附范文5篇及10类常见问题解答,总有一个适合你!) 20XX年XX月XX日

目录 范文一(英文) (3) 范文一(中文) (3) 范文二(英文) (3) 范文二(中文) (3) 范文三(英文) (3) 范文三(中文) (3) 范文四(英文) (3) 范文四(中文) (3) 范文五(英文) (3) 范文五(中文) (3) 十类常见问题解答 (3) (一)"What can you tell me about ......?".. (3) (二)"What would you like to be doing......?" .. (3) (三)"What is your greatest strength ?" (3) (四)"What is your greatest weakness?" (3) (五)"How do you feel about your progress to date?" (3) (六)行为面试问题 (3) (七)压力面试问题 (3) (八)案例面试问题 (3) (九)非常规问题 (3) (十)其他常见的英语面试问题 (3)

范文一(英文) --适合医学、理、工、农、艺、政治经济学相关专业 Good afternoon dear professors, my name is ××, it is really a great honor to have a chance for this interview. Now I?ll introduce myself briefly. I am ××years old, born in ××province.I received my bachelor degree in 20××, supervised by Professor ××, in ××University. I have been interested in scientific research. In the past few years, I published more than ××(5)papers about numerical methods for the fractional PDE. Furthermore, I am participating in the research of two projects funded by National Natural Science Foundation. At the same time, I undertake a lot of teaching loads, more than ××(200)periods each year. However, with the time going on, the more I studied and experienced, the clearer I realized that I really need study further. Thus, I began to prepare for ××(the doctor?s entrance examination). Owing to my hard work, I passed the first examination. If I am given the chance of further study, I will work hard to enrich my knowledge and make myself to be a well-qualified ××(doctor). I am very easy to get on with, so I have lots of friends. Sometimes I prefer staying alone, reading, surfing the internet to gain some latest news of my profession, also, I?m keen on ××(playing basketball).

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