一个简单的4N25光耦电路计算
光耦电阻计算
光耦电阻计算光耦电阻计算光耦是由光触发器件和电隔离组成的一种光电器件。
它将电路分离，同时保持信号传输，可用于隔离高压和低压之间的电路。
在光耦电路中，电阻扮演着重要的角色，下面将介绍光耦电阻的计算方法。
1. 光耦基本原理光耦的工作原理是将调制光信号（输入信号）转换成电流或电压信号（输出信号），使得电路之间的隔离得到实现。
在光耦中，光触发器件接收输入信号，经过光电转换后，将输出的电流或电压信号传递给电隔离器件，从而实现输入和输出的隔离。
2. 光耦中的电阻在光耦电路中，电阻是一个非常重要的组成部分，用于控制电流或电压的大小。
电阻通常由电阻器或固定电阻器组成。
通过控制电阻的值，可以实现对光耦的灵敏度和响应速度的调节。
3. 光耦电阻的计算方法在光耦电路中，电阻的计算方法主要有以下两种：（1）通过欧姆定律计算电阻值欧姆定律是用来描述电阻值和电流之间关系的基本公式，可用于计算光耦电路中的电阻值。
当电流和电阻值已知时，电阻值可以通过欧姆定律计算得出，公式为：R=V/I其中，R代表电阻值，V代表电压，I代表电流。
通过这个公式，可以计算出光耦电路中各种电阻的阻值。
（2）通过电路分析得出电阻值另外一种方法是通过电路分析得出电阻值。
在光耦电路中，电阻器通常连接在电源和光耦之间，可以通过分析电路来计算电阻值。
通过电路分析，可以获得更加精确的电阻值，并对电路稳定性和灵敏度进行调节。
总结：在光耦电路中，电阻是一个非常重要的组成部分，通过控制电阻的大小和数量可以实现对光耦性能和响应速度的调节。
计算光耦电路中的电阻值需要了解欧姆定律和电路分析。
在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的电阻器和调节方式。
光耦的计算
光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V 左右），Vout 大小只受Vcc大小影响。
此时Ic<If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。
工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*RL，Vout= Ic*RL=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*RL，Vout 大小直接与Vin 成比例，一般用于反馈环路里面(1.6V 是粗略估计，实际要按器件资料，后续1.6V同) 。
对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。
所以通过分析实际的电路，除去隔离因素，用分析三极管的方法来分析光耦是一个很有效的方法。
此方法对于后续分析光耦的CTR 参数，还有延迟参数都有助于理解。
2 光耦CTR概要：1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析；2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR 有一定余量；3)CTR受多个因素影响。
2.1 光耦能否可靠导通实际计算举例分析，例如图.1中的光耦电路，假设Ri = 1k,Ro = 1k,光耦CTR= 50%，光耦导通时假设二极管压降为1.6V，副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。
输入信号Vi 是5V的方波，输出Vcc 是3.3V。
Vout 能得到3.3V 的方波吗？我们来算算：If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA副边的电流限制：Ic’ ≤ CTR*If = 1.7mA假设副边要饱和导通，那么需要Ic’ = (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA，大于电流通道限制，所以导通时，Ic会被光耦限制到1.7mA，Vout = Ro*1.7mA = 1.7V所以副边得到的是1.7V 的方波。
为什么得不到3.3V 的方波，可以理解为图.1 光耦电路的电流驱动能力小，只能驱动1.7mA 的电流，所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到1.7mA。
光电耦合器MOC3063、4N25管脚及应用-固态继电器电路
光电耦合器MOC3063、4N25管脚及应用-固态继电器电路光电耦合器 MOC3063的管脚及固态继电器电路
MOC3063 管脚图：
4N25 管脚图：
元器件选择
恒流部分按图中的参数选取元件，均无特殊要求。
图1中的光电耦合器分别选用了4N25与MOC3063等便于购买的型号。
这两种光耦均采用双列直插六脚封装，外形如图2所示，图1中标注了内部结构对应的引脚排列。
功率三极管或晶闸管的选取决定了固态继电器的带负载能力，图1中T选用BT136、BCR3AM时，负载电流最大为3A；选用BCR10AM时，最大电流为10A。
若负载电流小于1A，T 可用MAC97A6等型号的小管，这将使制成的成品体积大大减小。
如果负载电流较大，必要时需要给VT4和T加装一定大小的散热器。
在负载电源为220V时，C的耐压值不小于400V。
笔者用的是彩电开关电源用的耐压1kV的安规电容。
固态继电器便可以在电路中取代电磁继电器使用了。
这种固态继电器的输入下限电压低于3V，上限电压高于30V的直流电压，输出导通电压是AV220V交流电压，因此通用性很强。
4n35m光耦工作原理
4n35m光耦工作原理英文回答：Introduction.The 4N35M optocoupler is a solid-state device that uses light to transfer electrical signals between two circuits. It consists of an infrared LED (light-emitting diode) and a phototransistor that are optically coupled. The LED emits light when an electrical signal is applied to it, and the phototransistor detects the light and converts it back into an electrical signal. This allows for electrical isolation between the two circuits, which can be useful for a variety of applications.Working Principle.The 4N35M optocoupler works on the principle of photoelectric isolation. When an electrical signal is applied to the LED, it emits infrared light. This light isthen detected by the phototransistor, which converts it back into an electrical signal. The amount of electrical signal that is transferred is proportional to the amount of light that is emitted by the LED.The 4N35M optocoupler is a unipolar device, which means that it can only transfer electrical signals in one direction. The LED is connected to the input circuit, and the phototransistor is connected to the output circuit. This ensures that electrical signals cannot flow back from the output circuit to the input circuit.Applications.The 4N35M optocoupler has a wide range of applications, including:Electrical isolation.Logic level conversion.Signal amplification.Power control.Data transmission.Advantages.The 4N35M optocoupler has a number of advantages over other types of electrical isolation devices, including:High isolation resistance.Low capacitance.Fast switching speed.Small size.Low cost.Disadvantages.The 4N35M optocoupler also has some disadvantages, including:Limited bandwidth.Non-linear response.Temperature sensitivity.中文回答：4N35M光耦工作原理。
光电耦合器4N25非线性与线性应用
流电阻， 用以改变对入射光的灵敏度 ， 以提高电路动态
维普资讯
沈 阳工 程 学院 学报 （ 自然 科 学版 ）
第２ 卷
工作的性能 ， 改善信号 传输的质量 ， 其值一般 为几百
适 当 ， 对输 出波 形 的影 响如 图 ３所示 它
ｋ ｎ左右 ． １ Ｃ 是耦合 电容 ， 到隔直通交 的作用 ， 起 其值 由信号的基频决定 ， 一般 为几十微法左右 ．
的静态工作点 ． 当电路 Ｊ 和 确定之后 ， 的阻值 『 Ｆ Ｒ１
取决 于偏 置 Ｖｆ 的值 ， Ｒ１ Ｖｆ ） Ｉ． 中 ， 即 ＝（ 一 ／Ｆ式 Ｖｆ
值要求至少是
的 ２ 以上 ． 是集 电极 电阻 ， 倍 Ｒ２ 输
２ 应 用 电路
由 光电耦合器 ４ ２ Ｎ ５组 成 的应用 电路 如 图 ２所
Ｕ 处于负载线的线性 区中点 ． （ 那么 ， 电路 在动态工
作的情况下 ， 当输入正弦波信号大小合适时， 电路 中的 各点 电压 、 电流均将 在 静态工 作点 的基础 上 ， ｕ ＝
图 ２ ４ ２ Ｎ ５的 应 用 电 路
Ｕ ｏ＋ｕ Ｓｎ ， Ｃ ＝Ｕ ∞ ４ ＵｃＳｎ ｗｔ ８ 或 ｚ ｉ ｉｗｔ Ｕ Ｅ＝ （ － ｅ ｉ（ 一１ ０ ） Ｉ － ，ｑ＋ ＩＳｎ ， ＝ ， ＋ ｌＳｎ ， 生 相 应 于 ｖ一 Ｆ － ｆ ｉｗｔ ｔ ｃ ｉｗｔ 发
4n25光耦合器的工作原理
4n25光耦合器的工作原理
4N25光耦合器是一种常见的光电耦合器，它由一个发光二极管（LED）和一个光敏三极管（光敏二极管或光敏晶体管）组成。
它的工作原理基于光的电-光转换和光-电转换。
当外部电路中的输入电流流过LED时，LED会发出光。
这个发出的光经过光耦合器的内部隔离层（通常是光隔离层或光隔离槽）传输，然后照射到光敏三极管的光敏区域。
光敏三极管的光敏区域吸收光能，并产生与光强度成正比的电流。
这样，输入电流信号通过光的传输被转换成了输出电流信号。
光耦合器的内部结构确保了输入电流和输出电流之间的电气隔离，从而实现了输入和输出电路的完全隔离。
光耦合器的工作原理可以进一步解释为以下几个步骤：
1. 输入电流流过LED，激活LED并使其发出光。
2. 发出的光经过隔离层传输，到达光敏三极管的光敏区域。
3. 光敏三极管中的光敏区域吸收光能，产生电流。
4. 产生的电流经过输出引脚输出，供外部电路使用。
光耦合器的工作原理使得它在许多应用中具有重要的作用。
例如，在电气设备中，它可以用于电气隔离、信号传输、电压测量和电流检测等方面。
通过光的传输和电-光-电转换，光耦合器能够实现输入和输出电路之间的隔离，提高系统的稳定性和安全性。
总结起来，4N25光耦合器的工作原理是通过LED发出光，经过隔离层传输到光敏三极管的光敏区域，光敏三极管吸收光能并产生电流输出。
这种工作原理实现了输入和输出电路之间的电气隔离，广泛应用于各种电气设备中。
光耦电路设计计算
光耦电路设计计算哎呀，说到光耦电路设计计算，这可真是个技术活儿，得慢慢来，不能急。
咱们先得搞清楚光耦是个啥玩意儿。
光耦，全名叫光电耦合器，它的作用就是把电信号从一个电路传到另一个电路，但两个电路之间是完全隔离的，这样可以防止电流互相干扰，挺安全的。
好了，咱们开始设计计算。
首先得选个合适的光耦型号，这得看你的需求。
比如，你想要传输的信号是模拟的还是数字的，需要多快的响应速度，还有你的电路能承受多大的电压和电流。
选好了型号，咱们就可以开始计算了。
比如说，你选了个型号是4N25的光耦。
这个型号的光耦，它的发光二极管（LED）需要一定的电流才能发光，这个电流我们得计算一下。
一般来说，LED的正向电压在1.2V到1.5V之间，我们取个中间值1.35V。
假设你希望LED的电流是10mA，那么根据欧姆定律，我们可以计算出需要的电阻值：\[ R = \frac{V}{I} = \frac{5V - 1.35V}{10mA} = 365\Omega \]这里我们假设你的电路电压是5V。
所以，你需要一个大约365欧姆的电阻来限制电流。
接下来，咱们得考虑光耦的接收端。
光耦的接收端是个光敏三极管，它接收到光信号后会导通，产生电流。
这个电流的大小取决于你希望三极管导通的程度，以及你的负载电阻。
假设你的负载电阻是1kΩ，你希望三极管导通后能产生1mA 的电流，那么你可以计算出需要的基极电流：\[ I_{base} = \frac{I_{collector}}{\beta} \]这里的β是三极管的电流放大倍数，不同型号的三极管这个值不一样，假设是100。
那么：\[ I_{base} = \frac{1mA}{100} = 10\mu A \]这意味着你需要让光敏三极管的基极有10微安的电流。
这个电流可以通过一个电阻来提供，计算方法和前面LED的一样。
最后，别忘了检查一下你的电路是否满足光耦的最大电流和电压要求，别超了，不然光耦可能会烧掉。
光耦功耗计算
光耦功耗的计算可以参考以下步骤：
1、首先确定光耦的工作电流（通常以毫安或安为单位）和工作电压（通常以伏特为单位）。
这些参数通常可以在光耦的规格书或数据手册中找到。
2、计算光耦的功耗，可以使用以下公式：
功耗（单位：瓦特）= 工作电流（单位：安）* 工作电压（单位：伏特）
光耦的功耗取决于其电流和电压的乘积。
3、如果有多个光耦并联工作，需要计算总功耗。
在这种情况下，将每个光耦的功耗相加即可得到总功耗。
需要注意的是，光耦的功耗通常是实际工作条件下的参考值，实际功耗可能会因环境条件、工作温度等因素而有所变化。
因此，在设计时应考虑适当的余量以确保系统的稳定性和可靠性。
开关电源光耦计算
开关电源光耦计算
开关电源是一种将电能转换为稳定输出电压的电子器件。
光耦用于开关电源的反馈回路中，起到隔离和调节信号的作用。
光耦通常由发光二极管（LED）和光敏三极管（光控晶体管）组成。
光耦的计算主要包括以下几个方面：发光二极管的驱动电流计算、光敏三极管的工作点计算和光耦的带宽计算。
1.发光二极管的驱动电流计算：
发光二极管的驱动电流应根据其正向电流和正向电压来确定。
一般情况下，发光二极管的额定电流为10-20mA。
为了保证发光二极管长期可靠工作，应保证其工作电流不超过额定电流的70%。
因此，可以根据额定电流和工作电流的比例来计算发光二极管的驱动电流。
2.光敏三极管的工作点计算：
光敏三极管的工作点主要包括导通电流和正向电压。
光敏三极管的导通电流一般为0.5-10mA，正向电压一般为0.7-1.4V。
根据光敏三极管的参数，可以选择适当的电流和电压进行计算。
3.光耦的带宽计算：
光耦的带宽主要取决于发光二极管和光敏三极管的参数。
发光二极管和光敏三极管的带宽可以通过数据手册或厂家提供的参数来获取。
一般来说，带宽较高的光耦可以传输更高频率的信号。
在实际计算中，可以根据开关电源的工作要求和光耦的参数来确定最佳的工作电流、电压和带宽。
同时，还需要考虑其他因素，如温度和电源波动等。
总而言之，开关电源光耦的计算是一个综合考虑多个因素的过程。
通过合理选择发光二极管和光敏三极管的参数，并根据工作要求计算驱动电流、工作点和带宽，可以确保开关电源光耦的稳定工作和可靠性。
DC-DC单端反激式变换电路设计实验2013-6-27.
电气学科大类10 级《信号与控制综合实验》课程实验报告(基本实验一:检测技术基本实验)姓名学号专业班号同组者1 学号专业班号同组者1 学号专业班号指导教师日期 2013年6月24日实验成绩评阅人实验评分表基本实验实验编号名称/内容（此列由学生自己填写）实验分值评分设计性实验实验名称/内容实验分值评分实验四十八、DC/DC单端反激式变换电路设计实验设计性实验实验名称/内容实验分值评分教师评价意见总分目录实验四十八、DC/DC单端反激式变换电路设计实验 (2)实验四十八、DC/DC单端反激式变换电路设计实验 (1)一、实验目的 (1)二、实验目标 (1)三、实验方案综述 (1)四、实验步骤 (4)五、实验结果及分析 (4)六、实验小结 (8)参考文献 (9)实验四十八、DC/DC 单端反激式变换电路设计实验一、实验目的1.了解自激式单端反激变换电路的原理，并掌握其设计方法；2.熟练掌握光耦隔离器件的原理及使用方法；3.利用光耦隔离器件为单端反激变换电路设计一个反馈回路。
二、实验目标1.额定输入电压为50V ，额定输出电压为10V 。
2.利用“实验电路板B07”验证单端反激电路的工作及隔离变压器的反馈效果；3.自主设计一个光耦反馈回路，并能实现输入电压在40-70V 变化时输出电压保持为额定电压的功能。
三、实验方案综述(一)自激式单端反激变换电路的基本工作原理图1自激式单端反激变换电路上图1为自激式单端反激变换电路，当V 1加到输入端时，通过启动电阻R B和晶体管VT1的基射极给VT1的基极一个正的偏置电压，使VT1导通，变压器T1的初级绕组流过励磁电流，而次级V2因二极管的阻挡而不给负载供电，存储能量。
此时，绕组N P ’电压给电容C B 充电并供给VT1 基极电流，最终使VT1饱和导通。
由于t on 期间能量全部聚集在变压器中，所以初级绕组电流持续增加，并激励磁通增加，最终使变压器磁路达到饱和，磁通变化率为0，因而感应到基极绕组N P ’的电压为零，此时电容C B 上电压左负右正并通过绕组N P ’-VT1的基极-基极电阻-电容C B 构成的回路放电，放电电流抽取了VT1的基极电流，使变压器初级电流减小，于是感应到绕组N P ’上的电压与电容C B 上的电压正方向一致，从而加速了抽取基极电流的过程，使VT1加速关断。
光耦4N25-4N37-H11A1-H11A5英文手册
Note* 5300 Vac(rms) for 1 minute equates to approximately 9000 Vac (pk) for 1 second ** Typical values at T A= 25°C** Typical values at T A= 25°CBlack Package (No -M Suffix)ORDERING INFORMATIONDISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein:1.Life support devices or systems are devices orsystems which, (a) are intended for surgicalimplant into the body,or (b) support or sustain life,and (c) whose failure to perform when properlyused in accordance with instructions for use provided in labeling, can be reasonably expected to result in a significant injury of the user.2. A critical component in any component of a life supportdevice or system whose failure to perform can bereasonably expected to cause the failure of the lifesupport device or system, or to affect its safety oreffectiveness.12 OF 127/25/01DS300197。
光耦4n25触发延时电路
光耦4n25触发延时电路
光耦4N25是一种常用的光电耦合器件，可以实现输入和输出电路之间的隔离。
触发延时电路一般用于延迟电路的触发操作，常见的应用场景包括脉冲产生、数字信号处理等。
要设计一个光耦4N25触发延时电路，可以按照以下步骤进行：
1. 确定输入信号：首先确定输入信号的类型和特性，例如脉冲信号的频率、宽度等。
这将有助于选择适当的元件和设计参数。
2. 选择元件：根据输入信号的特性选取适当的元件。
对于光耦4N25，它由一个发光二极管和一个光敏三极管组成，可用于将输入电信号转换为光信号并传输到输出端。
3. 设计延时电路：根据需求设计延时电路的延时时间。
延时电路可以采用多种形式，如RC电路、555定时器等。
选择合适的延时电路并根据需要进行参数调整。
4. 连接电路：将输入信号与光耦4N25的输入端相连，确保输入信号可以驱动光二极管。
同时将光敏三极管的输出连接到延时电路的触发端，使其能够接收光信号并触发延时操作。
5. 调试和测试：完成电路连接后，进行调试和测试。
可以通过输入不同的信号以及调整延时电路的参数来验证电路的功能和性能。
需要注意的是，在设计和搭建电路时应遵循相关的安全规范，并确保正确连接和使用电子元件。
如果对电路设计不确定或不熟悉电路原理，建议咨询专业的电子工程师进行帮助。
4n25光耦合器的工作原理
4n25光耦合器的工作原理光耦合器是一种常用的光电转换器件，用于将光信号转换成电信号或将电信号转换成光信号。
其中，4n25光耦合器是一种具有广泛应用的光电器件。
本文将详细介绍4n25光耦合器的工作原理。
1. 光耦合器的结构4n25光耦合器由两个主要部分组成：发光二极管（LED）和光敏三极管（光敏晶体管）。
LED负责将电信号转换成光信号，而光敏晶体管则将光信号转换成电信号。
2. 光耦合器的工作原理当输入端的电流通过LED时，LED会发出光。
LED的发光波长和光强度取决于输入电流的大小。
光通过耦合栅极的光栅区域后，被光敏晶体管接收。
光敏晶体管的光敏区域会吸收光能，产生电子-空穴对。
这些电子-空穴对会被电场推动，形成电流，从而生成一个与输入电流相对应的输出电流。
3. 光耦合器的应用光耦合器具有高绝缘性、高速度和低功耗的特点，因此在电气隔离和信号传输方面有广泛应用。
（1）电气隔离4n25光耦合器在工业控制系统中常被用作电气隔离器。
通过将输入信号与输出信号隔离开来，可以有效保护接收器和控制器，提高系统的可靠性。
（2）开关应用在开关电源和触发器电路中，4n25光耦合器被用作控制开关的触发器。
输入信号通过光敏晶体管产生输出信号，从而实现电路的开关控制。
（3）数据传输4n25光耦合器在数据传输中被广泛应用。
它能够将高频电信号转换成光信号，在光纤传输线路上传输，避免了电磁干扰和电路噪声的问题，提高了传输效率和质量。
4. 光耦合器的特性和优势（1）高绝缘性：光耦合器能够将输入信号与输出信号隔离开来，从而实现电气隔离。
（2）高速度：由于光的传播速度快于电信号，光耦合器可以实现高速的信号传输。
（3）低功耗：与传统的电耦合器相比，光耦合器具有更低的功耗。
（4）小尺寸：光耦合器的体积小巧，易于集成和安装。
总结：4n25光耦合器是一种常用的光电转换器件，其工作原理基于LED产生光信号，经过光敏晶体管转换成电信号。
在工业控制、开关应用和数据传输中，光耦合器发挥着重要的作用。
非线性光耦手册4n25 4n26 4n27 4n28
4N25, 4N26, 4N27, 4N28Vishay SemiconductorsOptocoupler, Phototransistor Output, with Base ConnectionDESCRIPTIONThe 4N25 family is an industry standard single channel phototransistor coupler. This family includes the 4N25, 4N26, 4N27, 4N28. Each optocoupler consists of gallium arsenide infrared LED and a silicon NPN phototransistor.FEATURES•Isolation test voltage 5000 V RMS•Interfaces with common logic families•Input-output coupling capacitance < 0.5 pF •Industry standard dual-in-line 6 pin package •Compliant to RoHS directive 2002/95/EC andin accordance to WEEE 2002/96/ECAPPLICATIONS•AC mains detection•Reed relay driving•Switch mode power supply feedback •Telephone ring detection•Logic ground isolation•Logic coupling with high frequency noise rejectionAGENCY APPROVALS•UL1577, file no. E52744•BSI: EN 60065:2002, EN 60950:2000•FIMKO: EN 60950, EN 60065, EN 6033521842ORDER INFORMATIONPART REMARKS4N25CTR > 20 %, DIP-64N26CTR > 20 %, DIP-64N27CTR > 10 %, DIP-64N28CTR > 10 %, DIP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (1)PARAMETER TEST CONDITION SYMBOL VALUE UNIT INPUTReverse voltage V R5V Forward current I F60mA Surge current t ≤ 10 μs I FSM3A Power dissipation P diss100mW OUTPUTCollector emitter breakdown voltage V CEO70V Emitter base breakdown voltage V EBO7VCollector currentI C50mA t ≤ 1 ms I C100mAPower dissipation P diss150mW For technical questions, contact: optocoupleranswers@ Document Number: 83725Document Number: 83725For technical questions, contact: optocoupleranswers@4N25, 4N26, 4N27, 4N28Optocoupler, Phototransistor Output, with Base ConnectionVishay SemiconductorsNotes(1)T amb = 25 °C, unless otherwise specified.Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is not implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute maximum ratings for extended periods of the time can adversely affect reliability.(2)Refer to reflow profile for soldering conditions for surface mounted devices (SMD). Refer to wave profile for soldering condditions for through hole devices (DIP).Notes (1)T amb = 25 °C, unless otherwise specified.Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.(2)JEDEC registered values are 2500 V, 1500 V, 1500 V, and 500 V for the 4N25, 4N26, 4N27, and 4N28 respectively.COUPLERIsolation test voltage V ISO5000V RMS Creepage distance ≥ 7mm Clearance distance≥ 7mm Isolation thickness between emitter and detector≥ 0.4mmComparative tracking index DIN IEC 112/VDE 0303, part 1175Isolation resistance V IO = 500 V, T amb = 25 °C R IO 1012ΩV IO = 500 V, T amb = 100 °CR IO 1011ΩStorage temperature T stg - 55 to + 125°C Operating temperature T amb - 55 to + 100°C Junction temperature T j 125°C Soldering temperature (2)max.10 s dip soldering: distance to seating plane≥ 1.5 mm T sld 260°C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (1)PARAMETER TEST CONDITIONPARTSYMBOLMIN.TYP.MAX.UNITINPUTForward voltage (2)I F = 50 mA V F 1.3 1.5V Reverse current (2)V R = 3 V I R 0.1100μA Capacitance V R = 0 VC O25pFOUTPUTCollector base breakdown voltage (2)I C = 100 μA BV CBO 70V Collector emitter breakdown voltage (2)I C = 1 mA BV CEO 30V Emitter collector breakdown voltage (2)I E = 100 μABV ECO7V I CEO (dark) (2)V CE = 10 V , (base open)4N25550nA 4N26550nA 4N27550nA 4N2810100nA I CBO (dark) (2)V CB = 10 V ,(emitter open)220nA Collector emitter capacitance V CE = 0C CE 6pFCOUPLERIsolation test voltage (2)Peak, 60 Hz V IO 5000V Saturation voltage, collector emitter I CE = 2 mA, I F = 50 mAV CE(sat)0.5V Resistance, input output (2)V IO = 500 V R IO 100G ΩCapacitance, input outputf = 1 MHzC IO0.6pFABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (1)PARAMETER TEST CONDITIONSYMBOLVALUEUNIT For technical questions, contact: optocoupleranswers@Document Number: 837254N25, 4N26, 4N27, 4N28Vishay Semiconductors Optocoupler, Phototransistor Output,with Base ConnectionNote(1)Indicates JEDEC registered values.TYPICAL CHARACTERISTICST amb = 25 °C, unless otherwise specifiedFig. 1 - Forward Voltage vs. Forward CurrentFig. 2 - Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs.LED Current Fig. 3 - Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs.LED CurrentFig. 4 - Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs.LED CurrentCURRENT TRANSFER RATIO (1)PARAMETERTEST CONDITIONPART SYMBOL MIN.TYP.MAX.UNIT DC current transfer ratioV CE = 10 V, I F = 10 mA4N25CTR DC 2050%4N26CTR DC 2050%4N27CTR DC 1030%4N28CTR DC1030%SWITCHING CHARACTERISTICSPARAMETER TEST CONDITIONSYMBOL MIN.TYP.MAX.UNIT Rise and fall timesV CE = 10 V, I F = 10 mA, R L = 100 Ωt r , t f2μs4N25, 4N26, 4N27, 4N28 Optocoupler, Phototransistor Output,with Base ConnectionVishay SemiconductorsFig. 5 - Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs.LED CurrentFig. 6 - Collector Emitter Current vs.Temperature and LED CurrentFig. 7 - Collector Emitter Leakage Current vs. Temperature Fig. 8 - Normalized CTRcb vs. LED Current and Temperature Fig. 9 - Normalized Photocurrent vs. I F and Temperature Fig. 10 - Normalized Non-Saturated h FE vs.Base Current and TemperatureDocument Number: 83725For technical questions, contact: optocoupleranswers@ 4N25, 4N26, 4N27, 4N28Vishay Semiconductors Optocoupler, Phototransistor Output,with Base ConnectionFig. 11 - Normalized h FE vs. Base Current and Temperature Fig. 12 - Propagation Delay vs. Collector Load ResistorFig. 13 - Switching Timing Fig. 14 - Switching Schematic For technical questions, contact: optocoupleranswers@ Document Number: 837254N25, 4N26, 4N27, 4N28Optocoupler, Phototransistor Output,Vishay Semiconductorswith Base ConnectionPACKAGE DIMENSIONS in millimetersPACKAGE MARKINGDocument Number: 83725For technical questions, contact: optocoupleranswers@ Legal Disclaimer Notice VishayDisclaimerALL PRODU CT, PRODU CT SPECIFICATIONS AND DATA ARE SU BJECT TO CHANGE WITHOU T NOTICE TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE.Vishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively,“Vishay”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other disclosure relating to any product.Vishay makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or the continuing production of any product. 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Parameters provided in datasheets and/or specifications may vary in different applications and performance may vary over time. All operating parameters, including typical parameters, must be validated for each customer application by the customer’s technical experts. Product specifications do not expand or otherwise modify Vishay’s terms and conditions of purchase, including but not limited to the warranty expressed therein.Except as expressly indicated in writing, Vishay products are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining applications or for any other application in which the failure of the Vishay product could result in personal injury or death. Customers using or selling Vishay products not expressly indicated for use in such applications do so at their own risk. Please contact authorized Vishay personnel to obtain written terms and conditions regarding products designed for such applications. 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We confirm that all the products identified as being compliant to Directive 2002/95/EC conform to Directive 2011/65/EU.Vishay Intertechnology, Inc. hereby certifies that all its products that are identified as Halogen-Free follow Halogen-Free requirements as per JEDEC JS709A standards. Please note that some Vishay documentation may still make reference to the IEC 61249-2-21 definition. We confirm that all the products identified as being compliant to IEC 61249-2-21 conform to JEDEC JS709A standards.Revision: 02-Oct-121Document Number: 91000。
4n25光耦合器的工作原理 -回复
4n25光耦合器的工作原理-回复4n25光耦合器是一种常见的光电耦合器，它可以实现电路之间的隔离和信号传输。
本文将通过一步一步的解释来介绍4n25光耦合器的工作原理和工作过程。
第一步：光电耦合器的基本原理光电耦合器是一种能够将输入端的光信号转换成输出端的电信号的器件。
它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电二极管）组成。
LED可以发出可见光或红外光信号，而光敏三极管则可以转换输入端的光信号为电流输出。
通过这种方式，光电耦合器可以实现电路之间的隔离，避免电流和电压的干扰，同时也可以将信号从一个电路传输到另一个电路。
第二步：4n25光耦合器的结构4n25光耦合器是一种单通道的光电器件，它包含一个LED发光器和一个光敏三极管接收器。
LED发光器通常由两个引脚组成，一个是阳极（anode）引脚，另一个是阴极（cathode）引脚。
光敏三极管接收器也由两个引脚组成，一个是集电极（collector）引脚，另一个是发射极（emitter）引脚。
第三步：4n25光耦合器的工作原理当输入信号施加在LED的阳极上时，LED会发出可见光或红外光信号。
这些光信号通过发光二极管的结构和材料发射出来。
光敏三极管的表面有一个光敏材料，它能吸收这些发射的光信号，并产生与光强度成比例的电流。
当光信号较强时，光敏三极管产生的电流也较大；当光信号较弱时，光敏三极管产生的电流也较小。
第四步：4n25光耦合器的电气特性在实际应用中，4n25光耦合器有两个重要的电气特性，即光电耦合比和截止频率。
光电耦合比指的是光敏三极管输出电流与LED输入电流的比值。
光电耦合比越高，表示LED输入电流能够更有效地转换成输出端的电流，这对于保证信号的可靠传输非常重要。
而截止频率则表示光敏三极管接收信号的最大频率范围。
当输入信号频率超过光耦合器的截止频率时，输出信号可能会有较大的失真或衰减。
第五步：4n25光耦合器的应用由于4n25光耦合器具有良好的隔离性能和信号传输能力，它被广泛应用于各种电子设备和电路中。
P521光耦详细解答
光耦pc817应用电路pc817是常用的线性光藕，在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器件，具有上下级电路完全隔离的作用，相互不产生影响。
<光耦pc817应用电路图>当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导通，产生光电流从输出端输出，从而实现了“电-光-电”的转换。
普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。
线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敏晶体管的导通程度也不同，输出的电压或电流也随之不同。
PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。
\\当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导通，产生光电流从输出端输出，从而实现了“电-光-电”的转换。
普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。
线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敏晶体管的导通程度也不同，输出的电压或电流也随之不同。
PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。
光耦的测量：用数字表测二极管的方法分别测试两边的两组引脚,其中仅且仅有一次导通的，红表笔接的为阳极，黑表笔接的为阴极(指针表相反)。
且这两脚为低压端，也就是反馈信号引入端。
在正向测试低压端时，再用另一块万用表测试另外高压端两只脚，接通时，红表笔所接为C极，黑表笔接为E极。
当断开低压端的表笔时，高压端的所接万用表读数应为无穷大。
同理：只要在反馈端加一定的电压，高压端就应能导通，反之，该器件应为损坏。
光耦能否代用，主要看其CTR参数值是否接近。
测量的实质就是：就是分别去测发光二极管和3极管的好坏。
另外一种测量说法：用两个万用表就可以测了。
光电耦合器由发光二极管和受光三极管封装组成。
一个简单的4N25光耦电路计算
光电耦合器是一种电信号的耦合器件，它一般是将发光二极管和光敏二极管的光路耦合在一起，输入和输出之间可以不共地，输入信号加于发光二极管上，输出信号由光敏二极管取出。
光耦合器传输的信号可以为数字信号，也可以为模拟信号，只是对器件要求不同，故选择时应针对输入信号选择相应的光电耦合器。
模拟信号所用光耦常称为线性光耦，光电耦合器在传输信号的原理上与隔离变压器相同，但它体积小，传输信号的频率高，使用方便，光电耦合器一般采用DIP封装。
光电耦合器常用在接口电路中，作为两种供电电路间的信号转换，常见光电耦合器如GO—100系列、GO—200系列和GO—300系列，其内部电路如图3-19-1、图3-19-2、图3-19-3，三极管输出系列4N25/26/27，内部电路如图3-19-4。
其典型应用如图3-19-5、图3-19-6所示。
+-空图3-19-4 4N25/26/27o 图3-19-5 线形应用图3-19-6 非线形应用由图3-19-5可看出，信号经运放放大后，驱动二极管，光电耦合器作其负载，经光电耦合器后，信号到达了输出端，且供电电压由另一组电源供电实现了输入和输出间的电气隔离。
图3-19-6所示电路，是典型的继电器驱动电路。
为了实验的方便，这里选择的是小电流驱动，实际应用时，可实现大电流驱动，比如控制总电源的切断与接通。
1． 设计举例以图3-19-6为例。
先看T 1管。
输入信号为开关信号，当高电平时，U i =3.5V ,此时基极电流限制在1mA 左右，故有mA R U U b BEi 11=−，所以，有：1b BEi 1b I U U R −=3-19-1=Ω=−K 8.217.05.3 取Ω=K 3R 1b 。
三极管饱和，V CES ≡0,又光耦正向电流一般工作在1mA 左右，压降为1.3V 左右，若取I c1=4mA ，则mA 4R U V cF1cc =−，可得：1c F1cc c I U V R −=3-19-2式中U F 可在1.3~1.5V 之间取值。
光耦隔离驱动设计及计算解析
关键词：光耦隔离驱动传输比（CTR）If Ic【问题描述】： ................................................................................................................................................................................................... •【问题分析】 (1)【优化方案】 (1)【收获】 (8)【问题描述】：监控类产品中中经常要用到光耦隔离电路，例如CAN、485，232等通信电路，或者是信号输入输出隔离电路等。
我们在设计中要根据光耦的几个主要参数，仔细计算光耦原副边的电路参数。
否则可能导致电路功能异常。
下面就某个市场问题展开分析。
山东基站的IPLU0006出现如下问题，将IPLU0006的串口6（485通道）与智能设备IPLU1501相连, 前置机中显示IPLU1501往往通讯正常一段几分钟之后，即通讯异常。
而将设备断电重启后，通讯正常一段时间后设备又会出现通讯异常，如此反复。
【问题分析】对现场寄回来的样机进行分析，发现是由于电路设计是裕量不足引起。
具体分析如下：①下图为RS485电路中前端的光耦隔离部分，其中红色选中部分为收发控制电路部分。
CPU发出的控制信号经过缓冲驱动后经光藕隔离，控制通信芯片的收发控制端。
这里原边上拉电阻为2k门，副边上拉电阻为4.72。
（案例名称）经验案例当RTS2输出为低电平时（0.2V ）时，光耦饱和导通。
ADM483的收发控制段被拉低，收发控制端一直箝位在低电平而保持为接收状态。
当 RTS2输出为高电平时（3.3V ）时，光耦断开，ADM483的收发控制段被拉高而保持为发送状态。
由于485为总线制，总线上可能有多个智能设备，所以对于同一时刻，总线上只能有一台设备处于发 送状态，而其他的设备都处于接收状态。
光耦 二极管 电阻 集电极电阻计算
光耦二极管电阻集电极电阻计算下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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开关电源光耦计算
开关电源光耦计算开关电源光耦（Optocoupler）是一种将输入信号和输出信号通过光电转换实现隔离的器件。
在开关电源中，光耦的应用非常广泛，用于实现输入端与控制电路之间的电气隔离，提高系统的稳定性和安全性。
光耦的基本原理是利用发光二极管和光敏三极管的光电效应，将电信号转换为光信号，再将光信号转换为电信号，并通过光耦输出。
光耦的输入端通常由发光二极管控制，而输出端则由光敏三极管接收光信号并输出电信号。
在开关电源中，光耦主要用于隔离输入端的控制信号与输出端的开关电源控制电路。
通过光耦的隔离，可以有效地避免输入端的电流、电压等干扰信号对输出端的影响，提高系统的稳定性和可靠性。
光耦在开关电源中的应用主要体现在以下几个方面：1. 输入信号隔离：通过光耦将输入信号与控制电路隔离，可以有效地避免输入信号对控制电路的影响。
例如，在开关电源的输入端加入光耦，可以隔离输入信号中的高电压、高电流等干扰信号，保护控制电路的正常工作。
2. 输出信号控制：光耦可以将控制信号转换为光信号，并通过光敏三极管将光信号转换为电信号输出。
通过光耦，可以实现对输出端的开关电源控制电路的精确控制。
例如，在开关电源的输出端加入光耦，可以实现对输出电压、输出电流等参数的精确调节和控制。
3. 电气隔离：光耦具有良好的电气隔离性能，可以将输入端和输出端完全隔离开来，避免电流、电压等干扰信号的传递。
通过光耦的电气隔离，可以提高开关电源的安全性和稳定性，减少电路故障和损坏的风险。
4. 信号传递：光耦可以实现输入信号和输出信号之间的传递。
通过光耦，可以将输入信号准确地传递到输出端，实现开关电源的正常工作。
同时，光耦还可以对输入信号进行隔离和滤波，提高输入信号的质量，保证开关电源的稳定性和可靠性。
总结起来，开关电源光耦是一种重要的隔离器件，可以在开关电源中实现输入信号与输出信号的隔离，提高系统的稳定性和可靠性。
通过光耦的应用，可以有效地避免输入信号的干扰和干扰信号对输出端的影响，保护控制电路的正常工作。
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光电耦合器是一种电信号的耦合器件，它一般是将发光二极管和光敏二极管的光路耦合在一起，输入和输出之间可以不共地，输入信号加于发光二极管上，输出信号由光敏二极管取出。
光耦合器传输的信号可以为数字信号，也可以为模拟信号，只是对器件要求不同，故选择时应针对输入信号选择相应的光电耦合器。
模拟信号所用光耦常称为线性光耦，光电耦合器在传输信号的原理上与隔离变压器相同，但它体积小，传输信号的频率高，使用方便，光电耦合器一般采用DIP封装。
光电耦合器常用在接口电路中，作为两种供电电路间的信号转换，常见光电耦合器如GO—100系列、GO—200系列和GO—300系列，其内部电路如图3-19-1、图3-19-2、图3-19-3，三极管输出系列4N25/26/27，内部电路如图3-19-4。
其典型应用如图3-19-5、图3-19-6所示。
+
-
空
图3-19-4 4N25/26/27
o 图3-19-5 线形应用
图3-19-6 非线形应用
由图3-19-5可看出，信号经运放放大后，驱动二极管，光电耦合器作其负载，经光电耦合器后，信号到达了输出端，且供电电压由另一组电源供电实现了输入和输出间的电气隔离。
图3-19-6所示电路，是典型的继电器驱动电路。
为了实验的方便，这里选择的是小电流驱动，实际应用时，可实现大电流驱动，比如控制总电源的切断与接通。
1． 设计举例
以图3-19-6为例。
先看T 1管。
输入信号为开关信号，当高电平时，U i =3.5V ,
此时基极电流限制在1mA 左右，故有
mA R U U b BE
i 11
=−，所以，有：
1
b BE
i 1b I U U R −=
3-19-1
=
Ω=−K 8.21
7
.05.3 取Ω=K 3R 1b 。
三极管饱和，V CES ≡0,又光耦正向电流一般工作在1mA 左右，压降为1.3V 左
右，若取I c1=4mA ，则
mA 4R U V c
F
1cc =−，可得：
1
c F
1cc c I U V R −=
3-19-2
式中U F 可在1.3~1.5V 之间取值。
一般电流大，压降大，反之，亦然。
这里取U F =1.3V ，V cc1=+5V ，所以，可得Ω=−=
K 925.04
3
.15R c ，取Ω=K 1R c 再看驱动一边电路。
光耦输出端负载R 1，工作电流略为10%I c1=0.4mA ，若负载Ω=K 10R 1，则V 4U 1R =，
可求得Ω=−=
K 3.31
7
.04R 2b ，取Ω=K 9.3R 2b ，图中J 为继电器线圈，应选12V/2mA 一种，最大工作电流不要超过10mA 。
D 为阻尼二极管，一旦二极管截止时，线圈中的电流通过D 作为泄放电路。
否则，产生的高压会击穿三极管，T 1和T 2均可选择50>β、mA 50I CM ≥、V 25V CEO ≥即可。
阻尼二极管一般用整流二极管，阻尼特性好。
LD 为发光二极管，选用红或绿色即可，工作电流在1mA~5mA 之间，压降1.3V 。
则电阻Ω=−=−=
K 7.101
3
.112I U V R LD LD 2cc 2，取Ω=K 10R 2，若亮度不明显，可
适当加大工作电流。