第09章版图设计流程及设计方法

第九章 版图设计流程及设计方法学习指导

学习目标与要求

1．了解集成电路版图设计及验证相关EDA工具；

2．掌握集成电路版图设计及验证相关理论知识；

3. 掌握集成电路版图设计流程、方法及设计技巧

学习重点

1．集成电路版图设计及验证相关EDA工具

2．集成电路版图设计流程、方法及设计技巧

学习难点

1．集成电路版图设计及验证相关理论知识；

2．不同集成电路版图设计的方法及设计技巧

第一节版图设计概念

1.定义：版图设计是创建工程制图（网表）的精确的物理描述过程，而这一物理描述遵守

有制造工艺、设计流程以及通过仿真显示为可行的性能要求所带来的一系列约束。

2.各种类型集成电路版图

第二节版图设计工具－TANNER L-EDIT

集成电路设计近年来发展相当迅速，许多设计需要借助计算机辅助设计软件。

作为将来从事集成电路设计的工作人员，至少需要对版图有所了解，但是许多软件（如cadence）实在工作站上执行的，不利于初学者。

L-Edit软件是基于PC上的设计工具，简单易学，操作方便，通过学习，掌握版图的设计流程。

一、Tanner Pro 简介

Tanner Pro 是一套集成电路设计软件，包括S-EDIT 、T-SPICE 、W-EDIT 、L-EDIT 与LVS ，他们的主要功能分别如下： 1、S-Edit ：编辑电路图；

2、T-Spice ：电路分析与模拟；

3、W-Edit ：显示T-Spice 模拟结果；

4、L-Edit ：编辑布局图、自动配置与绕线、设计规则 检查、截面观察、电路转化；

5、LVS ：电路图与布局结果对比。

版图设计工具－Tanner L-EDIT

Tanner Layout Editor －版图编辑大师TANNER

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Virtuoso Layout Editor

界面漂亮友好

功能强大完备

操作方便高效

二、设计参数的设置Setup>Design

1、Setup>Design对话框共有六页，分别是：Technology(工艺参数)、Grid(网格参数)、

Selection(选择参数)、Drawing(绘图参数)、Curves(曲线参数)、Xref files(外部交叉引用参

数)。

2、网格分为显示网格、鼠标网格（跳跃、平滑）、定位器网格。

3、版图设计规则的作用：a、设计规则规定了生产中可以接受的几何尺寸的要求和达到的

电学性能；b、对设计和制造双方来说，设计规则既是工艺加工应该达到的规范，也是设计必循遵循的原则；c、设计规则表示了成品率和性能的最佳折衷。

4、设计规则的设置：Minimum Width、Exact Width 、Not Exist 、Spacing 、Surround 、

Overlap 、Extension 、Density。

The density rule finds and flags objects on the

derived density layer specified in Layer1.

The layer specified must be a Density type

derived layer. Violations to the rule include any

polygons output to a density layer.

按照规则，查找layer1下拉选框中制定的密度推导

层中的对象，并对其加以标志。Layer1下拉选框中

制定的图层必须是密度类型的推导层。如有多变性

输出到密度层，就构成违规。

（8）Density

5、例外情况的忽略（ignore）：采用此来设置一些可以忽略的情况，对于特定的规则设置才

有用。Coincidences 边界一致的可以被忽略；Surround Intersections 物体之间交叉的；

Surround、If layer 2 completely encloses layer 1 Spacing；45 degree acute angles 物体部分包括 45°(或更小）；Minimum width；Spacing；Surround。

6、版图设计规则的运用及理解：

1）p阱之间间距20um；Pwell to pwell spacing =20um；

2）P阱对有源区的最小覆盖10um；p-well surround active =10um；

3）有源区最小宽度10um；Active minium width =10um；

4）有源区最小间距10um；Active to Active Spacing=10um；

5）多晶硅条最小宽度5 um；Poly minum width =5 um；

6）多晶硅条最小间距5 um；poly to poly spacing=5 um；

7）离子注入区对有源区最小覆盖10 um；p-select surround active=10 um，n-select surround active =10um；

8）铝引线孔7.5*7.5 um*um；Metal1 Contact Exact Size =7.5um；

9）铝条最小宽度10um；Metal1 Minimum Width =10um；

10）铝条间距最小10um；Metal1 to Metal1 Spacing=10um；

11）铝条对铝引线孔最小覆盖2.5um；Metal1 surround Contact=2.5um；

12）引线孔距扩散区最小距离5um；Metal1 Contact to P-Select spacing=5um；Metal1 Contact to N-Select spacing=5um；