运行中变压器套管末屏接地情况的检测分析
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e x c h a n g e d Y z e o l i t e s s o d i u m a n d a mmo n i u m Y z e o l i t e s
【 M 】 . I n : A d s o r p t i o n a n d i o n e x c h a n g e w i t h s y n t h e t i c z e o l i t e s ,
d e v e l o p me n t i n z e o l i t e s c i e n c e a n d t e c h n o l o g y, 1 9 8 6.
( 上接第 1 0页 )
环对末屏的接地 情况起着重要 的作用。
6 建 议
①建议对采用上述结构 的末屏元件进行更换 ,确保
究[ J 】 . 河南化工 , 2 0 0 5 , ( 2 2 ) : 2 5 — 2 7 .
[ 5 ]R u b i o J . A . , S o i f a J . , C a n o F . H. I n l f u e n c e o f t h e d e h y d r a t i o n
末屏 可靠接地 ;
②工作过程 中,若 需对上述结构的末屏接地打开 ,
复位后必须采用 万用表检测末屏与地的导通情况。
参考文献 :
【 1 ]温 红旗 , 王 荣亮 , 房克荣 . 变 压器 套管 末屏 接地 型式 中存
图1 7 过 度 环 烧 蚀 图
在的问题及解决方法 [ J ] . 天津 电力技术 , 2 0 1 2 , ( 4 ) : 6 3 — 6 6 .
[ 1 】孙栋 良, 赵勇 . 碱性 条件 对N a Y 分 子筛脱 钠及其 结构 的影
t i N[ J ] . 石化技术与应用 , 2 0 0 5 , 2 3 ( 5 ) : 3 4 6 — 3 4 9 .
【 2 ]S h e r r y H. S . T h e i o n — e x c h a n g e p r o p e r t i e s o f z e o l i t e s . I 『 J 1 .
第 3 2卷第 4 期
韦国有, 等: 多级串联流化床轮流切换工艺在 N a Y铵交换的应用研究
1 3
出如下结论 : 多级 串联流化床轮 流切换 工艺适合于N a Y 分子筛 的交换 ; 5 级或7 级串联 流化床 轮流切 换工艺均可 以将N a Y 分子筛的交换 的氧化钠降到4 . 0 %以下 。多级 串
1 9 6 6 , ( 7 0 ) : 1 1 5 8 . [ 3 ] H e r ma n R . G . , B u l k o J . B . P r e p a r a t i o n o f c o p p e r ( I I )一
s y n t h e t i c z e o l i t e s o f t h e f a u j a s i t e s t r u c t u r e[ M】 . I n : N e w
1 9 6 0 .
联 流化床轮流切换工艺但级别达到7 级时 , 硫酸铵利用率 原 工艺7 5 %提高到9 5 %以上。 通 过该 实验 , 多级串联流化
床轮流切换工艺应用 于N a Y 铵交换 , 可以提 高铵利用率 , 减少铵排放 , 利 于环境保护。
参 考文献 :
【 4 ]孙栋 良, 赵 勇. 碱性 条件下 N a Y 分子 筛水 热交换反 应 的研
e q u i l i b r i u m i n v o l v i n g H3 O+, NH4 + a n d Na + i o n s i n
U n i v a l e n t i o n e x c h a n g e i n s y n t h e t i c f a u j a s i t e , P h y s . C h e m,
p r e t r e a t me n t o n t h e c a t i o n l o c a t i o n i n N a Y z e o l i t e[ J ] .
C o l l o i d I n t e r f a c e S c i , 1 9 8 0 , 7 3 ( 2 ) : 3 1 2 .
[ 6 】 Ma e s e n T . L . M. , v a n B e k k u m H. , V e r b u r g T . G . , e t . a 1 . F a s t
h y d r o t h e r ma l a m mo n i u m e x c h a n g e o f z e o l i t e N a Y【 J ] .
测户外设备 内部异常放 电情况 , 并进行定位 ;
[ 2 ]王静 , 刘 国跃. 2 2 0 k V 变压 器套管末 屏接地不 良缺 陷分析
『 J ] . 中国科技博览 , 2 0 1 1 , ( 3 ) : 8 6 .
②局放信号产生 的主要原 因是末屏接 地不 良, 过度
பைடு நூலகம்
C h e m. S o c . , 1 9 9 1 , 8 7 ( 5 ) : 7 8 7 .
【 7 ] F r a n k l i n K . R . , T o w n s a n d R . P . , Wh e l a n S . T . T e na r r y e x c h a n g e