电容数字转换单芯片方案

PCAP01 – 革新革新电容电容电容数字转换器数字转换器数字转换器单芯片方案单芯片方案 1 1 前前言

电容传感器在很多工业和消费类产品的中都有非常广泛的应用。由于电容传感器的小尺寸和低功耗以及高精度等方面的特性，在很多应用领域受到青睐。而对于电容传感器的测量来说，传统的电路方式有其无法克服的局限性。复杂的模拟电路设计，难以扩展的电容测量范围，都会给开发带来非常大的阻力。尽管存在一些所谓的简单易用的电容数字转换器单芯片方案，但无论从价格，性能，和简单程度上，还是会有诸多限制。

德国acam 公司专利的PICOCAP®测量原理则给电容测量提供了革命性的突破。在2011年推出了最新的带有内部DSP 单片机的单芯片电容测量方案PCAP01, 这个芯片会使给电容测量提高到一个前所未有的水平。

2.2.概述概述概述

PCap01为带有单片机处理单元的一款专门进行电容测量的电容数字转换单芯片方案。这颗芯片测量范围覆盖了从几fF 到几百nF，而且可以非常简单的通过配置来满足各种不同应用的需求。PCap01既适合超低功耗最低至几个uA 的测量，也适合高精度达到21位有效位的高性能测量，还可以进行最高达50万次每秒钟的快速测量。这颗芯片提供了对于高精度测量,低功耗测量以及快速测量应用的的完美结合。传感器数据可以在芯片内部进行现行校准，然后通过SPI 或者IIC 数据串行接口进行传送。另外，芯片还可以通过IO 口来发送 PWM/PDM 输出电压信号。其余的IO 口可以作为中断管脚，水平报警信号管脚或者普通IO 口来应用。

PCap01 有非常小的QFN 封装尺寸，仅需要极少数量的外部元器件 (至少需要2个外部双通电容) ，使整个系统的设计非常紧凑而且降低成本，适合很广泛的电容测量。 3.3. PICOCAP PICOCAP 测量测量测量原原理介绍介绍

PICOCAP 测量原理展示了对于电容测量的新的革命性的方式。在这个原理中，一个传感器的电容和一个参考电容被连接到同一个放电电阻，组成了一个Low-pass 低通滤波。 电容首先被充电到电源电压，然后通过电阻进行放电。而放电到一个可控制阚值电压的水平将会被芯片内部的非常高精度时间数字转换器TDC 所记录下来。

这个测量过程将会在传感器和参考电容上重复交错进行，应用同样的电阻。计算的结果是测量的比值结果，是与电阻和比较器温度相关性有关。传感器和参考电容数值的选择应该为统一范围来降低增益偏移。实践角度讲，对于被测电容没有大小的限制。传感器几乎可以从0fF到几十nf。PICOCAP同时也支持差动电容传感器的测量带有内部的线性补偿。

主要特点

芯片主要特点

PCAP01芯片

4. . PCAP01

主要特点

Pcap01芯片为一颗单芯片电容测量方案，犹如下一些特性：

一颗芯片可以适合多种应用，测量灵活性非常高:

，在10Hz最低仅2 µA

低测量功耗，

a)低测量功耗

位有效位, 4 aF rms 精度

22 位有效位

b)测量精度最高达

测量精度最高达 22

位有效位

500 kHz

c)测量频率可以最高达500 kHz

非常宽的电容测量范围, 从几 fF 到上百nF

超低增益和offset漂移

18 位高分辨率温度测量

48-位 DSP, 4k byte OTP, 4k byte SRAM

内部或者外部时钟振荡

最多可以支持6个IO口

IIC, SPI, PWM, PDM 接口

宽的电源电压范围从2.1 V 到 3.6 V

宽操作温发度范围( -40 °C 到 +125°C)

QFN32 或者 QFN24 封装

内部结构原理图：

内部结构原理图

Pcap01发挥了PICOCAP®测量原理的高精度优势，使电容测量达到了一个前所未有的水平。根据传感器和参考电容大小不同，以及所选择的测量模式的不同，我们有如下测量数据。这个测量数据为典型测量噪声精度 vs. 数据输出频率, 我们的测试是应用Pcap01评估系统以及10pF参考电容和1pf的Span加载电容完成。芯片的电压为 V = 3.0 V：

上面表格中我们看到，我们分别给出了floating漂移模式和Grounded接地模式两种情况。当应用漂移模式，完全补偿的情况下，在5Hz输出时测量的RMS噪声为6aF，测量有效位高达20.7位！在选择不同测量频率的不同设置情况下，精度和速度的相对关系在表格中给出。 当然随基础电容大小不同，那么测量的有效分辨率也会有所不同。 当应用补偿模式进行高精度测量的时候可以使测量有非常低的增益和零点漂移。电容可以连接为接地，漂移模式。而传感器和参考电容是通过内部集成的模拟开关选择到放电网路中。另外由于专利的电路和补偿算法，内部可以补偿寄生电容。补偿的结果可以达到在温度范围内仅0.5 ppm /K 增益偏移。这比绝大多数传感器本身内部偏移要好得多。

传感器传感器连接连接连接的方式的方式的方式：：

对于电容传感器的测量，芯片提供了非常灵活的连接方式，那么比较典型的连接方式如下所示：

在芯片中用户可以自己选择是应用内部集成的放电电阻以来进行电容的测量，还是外接放电电阻来进行测量，连接的方式如下图所示：

导线导线补偿补偿补偿：：

在电容测量当中，导线的寄生电容对于整个测量的影响是不能够忽略的。尤其当导线较长的情况下，导线寄生电容的影响将会对测量结果有致命的影响。在Pcap01当中，可以对传感器的导线寄生电容进行有效补偿：

通过上面的传感器连接的方式，可以补偿连接传感器两端的导线寄生电容，消除导线对于测量结果的影响。那么如果想要进行导线补偿，3个在漂移模式的测量需要被进行如下：

如果对于高稳定性高精度的测量，那么我们推荐连接传感器为漂移模式，来进行完全补偿。当然如果导线非常短，而且对于测量性能温度性能要求并不苛刻的情况下，也可以使用内部仅内部补偿，在接地和漂移模式下均可以应用：

温度温度测量测量测量单元单元RDC RDC：：

Pcap01内部有一个非常强大的温度测量单元，用户可以选择外接温度传感器测量，或者应用内部集成的铝电阻作为温度传感器电阻。内部铝电阻的温度系数为TK ≈ 2800 ppm/K，一般的温度测量完全可以满足。当然如果对于温度测量要求较高，则需外接高精度温度传感器（如PT1000）来进行测量。