IGBT大功率E类逆变器
简述IGBT的主要特点和工作原理
简述IGBT的主要特点和工作原理一、简介IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor,是一种复合全控电压驱动功率半导体器件。
由BJT(双极晶体管)和IGFET(绝缘栅场效应晶体管)组成。
IGBT兼有MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低导通压降的优点。
GTR 的饱和电压降低,载流密度大,但驱动电流更大。
MOSFET的驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT结合了以上两种器件的优点,驱动功率小,饱和电压降低。
非常适合用于直流电压600V及以上的变流系统,如交流电机、逆变器、开关电源、照明电路、牵引驱动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极晶体管)和FWD(续流二极管)通过特定的电路桥封装而成的模块化半导体产品。
封装后的IGBT模块直接应用于逆变器、UPS不间断电源等设备。
IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。
一般IGBT也指IGBT模块。
随着节能环保等理念的推进,此类产品将在市场上越来越普遍。
IGBT是能量转换和传输的核心器件,俗称电力电子器件的“CPU”,广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源设备等领域。
二、IGBT的结构下图显示了一种N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构。
N+区称为源极区,其上的电极称为源极(即发射极E)。
N基区称为漏区。
器件的控制区为栅极区,其上的电极称为栅极(即栅极G)。
沟道形成在栅区的边界处。
C 极和E 极之间的P 型区域称为子通道区域。
漏极区另一侧的P+ 区称为漏极注入器。
它是IGBT独有的功能区,与漏极区和子沟道区一起构成PNP双极晶体管。
它充当发射极,将空穴注入漏极,进行传导调制,并降低器件的通态电压。
《N沟道增强型绝缘栅双极晶体管》IGBT的开关作用是通过加正栅电压形成沟道,为PNP(原NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。
反之,加反向栅压消除沟道,切断基极电流,就会关断IGBT。
IGBT
IGBT本文内容包括IGBT的简介,工作原理,失效问题和保护问题分析。
一.简介IGBT是一种新型的电力半导体器件。
现已成为电力电子领域的新一代主流产品。
它是一种具有MOS输入、双极输出功能的MOS、双极相结合的器件。
结构上,它是由成千上万个重复单元(即元胞)组成,采用大规模集成电术和功率器件技术制造的一种大功率集成器件。
IGBT具有其它功率器件不全具备的高压、大电流、高速三大特点。
它既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点,又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。
它是电力电子领域非常理想的开关器件。
【1】二.工作原理IGBT的结构绝缘栅双极晶体管是一种新型电力半导体器件,它集成MOS栅极控制与双极电导调制以获得高的输入阻抗和低得通态电阻,是目前最理想的功率开关器件。
其基本结构有横向型和纵向型两类,对于高压MOS器件,电流横向流动结构的出现早于电流纵向流动结构,但是其单位面积的最大电流较小,导通电阻较大,因而横向型MOS器件难以实现大功率化。
不过,横向器件便于和其它电路相集成,而且它不需要用高阻外延材料,因而其应用也具有一定的广泛性。
IGBT结构上类似于MOSFET,其不同点是IGBT是在N沟道MOSFET的漏极上增加了一个p+基板,形成PN结J,,栅极与源极则完全与MOSFET相似。
由于IGBT 是在N沟道MOSFET的N十基板上加一层P+基板,形成了四层结构,由PNP一NPN 晶体管构成IGBT。
但是NPN晶体管和发射极由于铝电极短路,设计尽量使NPN 晶体管不起作用。
所以可以认为IGBT是将N沟道MOSFET作为入极、PNP晶体作为输出的单向达林顿管。
在NPT-IGBT中:因为背发射极电流中的电子流成分很大,器件关断时,基区存储的大量电子可以通过背发射区而很快清除掉,空穴可以迅速地流向P阱,所以开关时间短,拖尾电流小,开关损耗小。
igbt逆变器工作原理_igbt在逆变器中的作用
igbt逆变器工作原理_igbt在逆变器中的作用IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
目前国内缺乏高质量IGBT模块,几乎全部靠进口。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是高压开关家族中最为年轻的一位。
由一个15V高阻抗电压源即可便利的控制电流流通器件从而可达到用较低的控制功率来控制高电流。
IGBT的工作原理和作用通俗易懂版:IGBT就是一个开关,非通即断,如何控制他的通还是断,就是靠的是栅源极的电压,当栅源极加+12V(大于6V,一般取12V到15V)时IGBT 导通,栅源极不加电压或者是加负压时,IGBT关断,加负压就是为了可靠关断。
IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。
IGBT有三个端子,分别是G,D,S,在G和S两端加上电压后,内部的电子发生转移(半导体材料的特点,这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因),本来是正离子和负离子一一对应,半导体材料呈中性,但是加上电压后,电子在电压的作用下,累积到一边,形成了一层导电沟道,因为电子是可以导电的,变成了导体。
如果撤掉加在GS两端的电压,这层导电的沟道就消失了,就不可以导电了,变成了绝缘体。
IGBT的工作原理和作用电路分析版:IGBT的等效电路如图1所示。
由图1可知,若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。
IGBT大功率E类逆变器
关断期间, L 2, C2, R 和 C1 形成了一个闭合的 谐振回路继续谐振, L 1 对谐振回路充电, 补充谐振 能量。当 C 1 上的电压又谐振到零时, V Q 1 导通, 从 而实现了开关管的零电压开通, 且大大降低了开通 损耗。至此, 电路完成了一个完整周 期的工作, 在 R 上得到了一个完整的正弦波输出。为了使输出 波形的正半周和负半周时间相同, 一般取开关的占 空比 D = 0. 5。
参考文献:
[ 1] Sokal N O , Sokal A D. Class E A New Class of High Efficiency T uned Single Ended Switching Power Ampli fiers[ J] . I EEE J. Solid State Circuits, 1975, SC 10( 6) 168 ~ 176.
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图 3 E 类逆变器的改进电路
图 4 示出并联 串联电路阻抗变换中等效的串 联电阻 R s 和串联电容 Cs 与并联电阻 R p 之间的对 应关系。由图 4 可见, 当并联电路的 R p 在一个很 宽的范围内变化时, 对应的等效串 联电路中 的 R s 只在一个很窄的范围内变化, 只要选取适当的变换, 就可使 E 类逆变器获得很宽的负载范围。
[ 2] Kazimier M K , Bui X T . Class E DC/ DC Conv erters w ith a Capacitive Impedance I nverter[ J] . IEEE J. T rans action I ndustrial Electronics, 1989, 36( 3) : 426~ 433.
IGBT工作原理
IGBT工作原理概述:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高压、高功率开关器件,广泛应用于电力电子领域。
本文将详细介绍IGBT的工作原理,包括结构、工作模式、特性和应用。
一、结构:IGBT由N沟道MOSFET和双极型晶体管(BJT)的耦合组成。
它的结构类似于MOSFET,但在N沟道MOSFET的基础上添加了PN结,形成了一个PNPN结构。
IGBT的主要部分包括N+型衬底、N-型沟道、P+型基区和N+型漏极。
二、工作模式:1. 关态(Off State):当控制极(Gate)施加负电压时,IGBT处于关态。
此时,PNPN结中的P+型基区被正向偏置,形成一个导通的PN结。
因此,IGBT处于关断状态,没有漏电流流过。
2. 开态(On State):当控制极施加正电压时,IGBT处于开态。
此时,控制极的正电压使得PNPN结中的P+型基区被反向偏置,阻断了PN结的导通。
然而,由于N沟道MOSFET的存在,控制极的正电压会形成一个电场,吸引N-型沟道中的电子,使其形成导电通道。
因此,IGBT处于导通状态,允许电流通过。
三、特性:1. 高压能力:IGBT具有较高的耐压能力,可以承受数百伏特的高电压。
这使得IGBT成为高压应用领域的理想选择,例如电力变换器和电动汽车驱动系统。
2. 高功率密度:IGBT具有较高的功率密度,能够在较小的体积内承受大功率。
这使得IGBT在需要高功率输出的应用中具有优势,例如工业驱动器和太阳能逆变器。
3. 快速开关速度:IGBT具有较快的开关速度,可以实现高频率的开关操作。
这使得IGBT在需要高频率开关的应用中表现出色,例如无线通信和医疗设备。
4. 低导通压降:IGBT的导通压降较低,可以减少功率损耗。
这使得IGBT在低能耗要求的应用中更加高效,例如节能照明和电动车充电器。
四、应用:1. 电力变换器:IGBT广泛应用于电力变换器中,用于将电能从一种形式转换为另一种形式。
逆变器IGBT功率模块故障分析与处理措施分析
逆变器IGBT功率模块故障分析与处理措施分析摘要:绝缘栅双极型晶体管功率模块设计,是当前设计逆变器的核心所在,只有充分保障模块运行的可靠性与整体质量,才可以让光伏电站可以稳定安全的运行下去。
在本文的分析中,主要阐述了IGBT的功率模块经常损坏问题,并从运行环境、硬件以及各种影响因素进行分析,为相关领域工作人员提供一定的参考。
关键字:IGBT;光伏电厂;硬件故障引言为了保障IGBT功率模块可以稳定的运行,日常需要工作人员结合实际的故障信息,进行针对性的分析与评估,同时采用准确的处理方式,及时的处理好例如锁定效应、过流运行以及短路超时的常见故障信息,以此全面的推动电力系统的运行稳定性。
1 IGBT功率单元绝缘栅双极型晶体管的设计,采用金氧半场效晶体管进行安装,以及与双极型晶体管进行负荷处理,以此具备着驱动功率小,以及开关速度比较快的特征。
在运行的过程中,也相应的发挥出饱和同时压降低的技术优势。
这样的设备在使用中,需要得到故障的及时处理与把控,以此促进新能源发电厂的稳定运行,带来更多的电力生产效益[1]。
2 IGBT功率模块故障分析2.1 锁定效应IGBT在设计中,由于内部设置了寄生晶体管,以此在规定的漏极电流的范围区间中,正偏电压要避免出现晶体管的导通情况。
在漏极电流的不断增长之后,正偏电压会导致NPN晶体管的开通,以此让NPN与PNP的晶体管始终处于饱满的状态下。
这样的情况,会导致栅极失去了原本的控制状态,并带来一定的IGBT 的锁定的基本效应,后续会引发一定的集电极电流过大,以及带来功耗方面的基本损失[2]。
2.2 长时间过流IGBT的功率模块的长时间运行过程中,经常会受到设备的选型失误问题,或者出现的安全问题的影响。
一旦出现了超出反偏安全工作区域,以及限定当中的电流安全边界的影响。
其次,后续进行针对性的处理中,需要及时的对断器件进行及时的处理,并控制引发功率所带来的一定负面影响。
现阶段进行该项目的处理中,需要结合系统的故障状态,才可以最终判断系统运行效果。
igbt模块逆变器电路图大全(六款igbt模块逆变器电路设计原理图详解)
igbt模块逆变器电路图大全(六款igbt模块逆变器电路设计原理图详解)igbt模块逆变器电路图设计(一)太阳能光伏发电的实质就是在太阳光的照射下,太阳能电池阵列(即PV组件方阵)将太阳能转换成电能,输出的直流电经由逆变器后转变成用户可以使用的交流电。
以往的光伏发电系统是采用功率场效应管MOSFET构成的逆变电路。
然而随着电压的升高,MOSFET的通态电阻也会随着增大,在一些高压大容量的系统中,MOSFET会因其通态电阻过大而导致增加开关损耗的缺点。
在实际项目中IGBT逆变器已经逐渐取代功率场效应管MOSFET,因为绝缘栅双极晶体管IGBT通态电流大,正反向组态电压比较高,通过电压来控制导通或关断,这些特点使IGBT在中、高压容量的系统中更具优势,因此采用IGBT构成太阳能光伏发电关键电路的开关器件,有助于减少整个系统不必要的损耗,使其达到最佳工作状态。
在实际项目中IGBT逆变器已经逐渐取代功率场效应管MOSFET。
图1:太阳能光伏发电流程IGBT逆变器的工作原理逆变器是太阳能光伏发电系统中的关键部件,因为它是将直流电转化为用户可以使用的交流电的必要过程,是太阳能和用户之间相联系的必经之路。
因此要研究太阳能光伏发电的过程,就需要重点研究逆变电路这一部分。
如图2(a)所示,是采用功率场效应管MOSFET 构成的比较简单的推挽式逆变电路,其变压器的中性抽头接于电源正极,MOSFET的一端接于电源负极,功率场效应管Q1,Q2交替的工作最后输出交流电力,但该电路的缺点是带感性负载的能力差,而且变压器的效率也较低,因此应用起来有一些条件限制。
采用绝缘栅双极晶体管IGBT构成的全桥逆变电路如图2(b)所示。
其中Q1和Q2之间的相位相差180°,其输出交流电压的值随Q1和Q2的输出变化而变化。
Q3和Q4同时导通构成续流回路,所以输出电压的波形不会受感性负载的影响,所以克服了由MOSFET构成的推挽式逆变电路的缺点,因此采用IGBT构成的全桥式逆变电路的应用较为广泛一些。
大功率IGBT智能驱动模块使用手册说明书
WEPOWER2PD632大功率IGBT智能驱动模块使用手册WEPOWER 系列大功率IGBT智能驱动模块是特别为大功率IGBT设计的更为可靠,安全的智能驱动模块。
本产品已获得国家专利授权。
WEPOWER公司推出的系列大功率IGBT智能驱动模块驱动功率大、设计精巧、功能齐全,使用方便,填补了国内在大功率IGBT智能驱动器领域的空白,对我国电力电子技术及相关产业的发展起到了非常积极的促进作用。
我公司生产的2PD632双通道大功率IGBT智能驱动模块可直接替代CONPECT公司的2SD315型产品。
1.主要特点、技术指标和运用1)主要特点:* 适用于大功率IGBT模块驱动* 带短路、过流以及欠压保护* 软关断保护技术* 特别可靠和耐用* 高电气隔离* 开关频率从0~150KHZ* 占空比:0~100%* 抗干扰强,dv/dt>100,000V/us* 内部集成DC/DC电源2)技术指标驱动通道数:2通道;适用母线电压:≤1700V;额定输入电压:15V(±0.5V);最大驱动电流:±32A;内置DC/DC功率:2*6W;PWM输入电平:0-16V(兼容TTL和COMS);额定驱动电压:+15V/-10V;操作温度范围:2PD632I:-40℃~+85℃2PD632J: -40℃~+105℃2PD632M:-55℃~+125℃最大指标符号 定 义 参数 单位 VDD 原边供电电压 16 V VDC 原边供电电压 15.6 V V输入信号电压(高) VS+0.3 V iHV输入信号电压(低) GND-0.3 V iLIout输出峰值电流 16 A PEAK输出平均电流 250 mA IoutAVmax最大开关频率 100 kHz fmax最高C、 E极监测电压 1700 V VCEdv/dt 电压上升率 50 kV/usVisoIIO输入输出隔离电压(AC,RMS,2S) 4000 VVisoIPD 局部放电截止电压,RMS,QPD≤10PC 2000 VVisoI12通道1和通道2隔离电压(AC,RMS,2S)2000 VRGonmin最小开通电阻 0.5 ΩRGoffmin最小关断电阻 0.5 ΩQout/pulse单个脉冲最大输出电能 23 uCTop 使用温度2PD632I -40℃~+85℃℃2PD632J -40℃~+105℃2PD632M -55℃~+125℃Tstg 存储温度2PD632I -55℃~+105℃℃2PD632J -55℃~+125℃2PD632M -60℃~+130℃特性指标符号 定 义参数单位 最小 典型 最大VDD 原边供电电压 14 15 16 V VDC DC/DC供电电压 14.5 15 15.6ISO 原边空载电流 80 mA 原边最大电流 1000 mAVi输入信号电压 15/0 VViT+逻辑高输入门限电压3.5 - - VViT-逻辑低输入门限电压- - 1.5 VVG(on)门极开通电压 +15 VVG(off)门极关断电压 -10 Vtd(on)开通延迟时间 0.2 ustd(off)关断延迟时间 0.22 ustd(err)故障输出延迟时间 0.5 ustTD 通道1和通道2内部默认死区时间1.8 usCPS原副边耦合电容 17 pF VCEsat VEC过流保护门限 9 V W 重量 35 gMTBF 平均无故障时间(Ta=40℃,最大负载)1.6 106h3)应用z逆变器z电机驱动z机车牵引z大功率变换器z大型开关电源2、2PD632外形尺寸及引脚排列引脚功能引脚功能1 VDD +15V 输入端电源2 VDD +15V输入端电源3 SO1 通道A故障输出4 /RST 复位输入5 CA 通道A死区电容6 inB B通道输入7 CB 通道B死区电容8 NC9 SO2 通道B故障输出10 inA A通道输入11 GND 输入端电源地12 GND 输入端电源地13 VDC 内部DC/DC +15V 输入14 VDC 内部DC/DC +15V 输入15 VDC 内部DC/DC +15V 输入16 VDC 内部DC/DC +15V 输入17 VDC 内部DC/DC +15V 输入18 GND(dc) 内部DC/DC电源地19 GND(dc) 内部DC/DC电源地20 GND(dc) 内部DC/DC电源地21 GND(dc) 内部DC/DC电源地22 GND(dc) 内部DC/DC电源地44 G1 通道1门极输出43 G1 通道1门极输出42 COM1 通道1公共端41 COM1 通道1公共端40 NC39 E1 通道1E极38 E1 通道1E极37 NC36 C1 通道1C极检测端35 NC34 NC33 NC32 G2 通道2门极输出31 G2 通道2门极输出30 COM2 通道2公共端29 COM2 通道2公共端28 NC27 E2 通道2E极26 E2 通道2E极25 NC24 C2 通道2C极检测端23 NC3.应用举例下图是2PD632的运用参考电路。
大功率电压型逆变器新型组合式IGBT过流保护方案
0
引起 IB G T失效的原 因有 :
收稿 日期 :0 2— l一 2 20 0 2
1 6 ( 6 9 1)
圉I
IB G T等 效 电路
维普资讯
大功 率电压型 逆 变器新型 组合 式 I B G T过 流保 护方 案
C P P N
般都是利用这些瞬时过电流保护信号, 通过触发器时 序逻辑电路的记忆功能 ,构成记 E锁定保护电路 ,以避 免保 护 电路在过 流时的频 繁动作 ,实 现可取 的过 流保
一
护。 本文分析 了大功率 可控整流电压型逆变器中封锁驱 动及整流拉逆变式双重保护 电路结 构。
2 IB G T失效原 因和 保护 方法
最 高允许的工作温度 为 1O 3℃左右 。 2 )超 出关断安全工作 区引起 擎住效应而损坏 擎 住效应分静态擎住效应和动态擎住 效应 。G T为 P P 1B NN 4 层结构 , 其等效 电路如图 l 所示。 内存在一个寄生晶 体 闸管 ,在 N N晶体管的基极与发射极之 间并有一个体 P 区扩展 电阻 兄, P型体 内的横 向空穴 电流 在 兄 上会产 生
1 引 言
随着 电力电子器件制造技术 的发展 ,高性能 、太容 量的绝缘栅双极晶 ̄ (G T 因其具有电压型控制 、 1B ) 输
1 )过热损 坏
集 电极 电流过 大引起的瞬时过热及
其它原 因,如散热不 良导致 的持续过热均会使 IB G T损 坏 如果器件持续短路 , 大电流产生的功耗将 引起温升 , 由于芯片 的热容量小 , 其温度迅速上升 , 若芯片温度超 过硅本 f温度 ( 20C)器件将失去阻断能力 , 控 约 5 ̄ , 栅极
华远焊机 WSE-IGBT 系列 逆变交直流手工钨极氩弧焊机 说明书
WSE-IGBT 系列
逆变交直流手工钨极氩弧焊机
用户安全提示:
华远焊机的所有焊接和切割设备在设计上已充分顾及用户的安全和舒适,尽管如此,如果您能正确地安
装和使用该设备对您的安全仍将大有助益,在没有认真阅读说明书之前,请不要随意安装、使用或对设
备进行维修。
特别提示(非常重要):
1. 当焊机放置在倾斜的平面时,应注意防止其倾倒。 2. 禁止将焊机作管道解冻之用。 3. 由于该系列焊机防护等级为 IP21S,不适宜在雨中使用。 4. 该系列焊机静外特性为降特性,其额定负载持续率为 35%(250,315)或 60%(500),在 10 分钟
一. 特点及用途:
WSE 系列逆变交直流手工钨极氩弧焊机具有交流、直流手工焊功能,交流、直流氩弧焊功能,还 具有脉冲功能,是集多种功能于一体的钨极氩弧焊机。
WSE 系列 IGBT 手工钨极氩弧焊机的一次逆变采用了最新的绝缘栅双极晶体管 IGBT 和快恢复二极 管整流模块等大功率开关器件,从而使逆变频率高达 20KHZ。它以小巧的中频变压器取代了传统焊机中
当焊机设置有提升吊环时,可以利用吊环进行场内搬运,华远焊机提醒用户, 焊机提升对焊机有潜在的危险,除非特殊情况,一般的搬运应使用其滚轮, 推动焊机移位。
起吊时应保证焊机所有附件已经拆除
当焊机起吊时,应保证焊机下方没有人员驻留,并随时提醒过路行人 严禁吊车快速移动。 焊机安装到位后应按使用说明书的相关章节由专业人员认真安装焊机。
2. 工作条件及工作环境----------------------------------------5
3. 产品规格及技术参数----------------------------------------5
IGTB
IGBT百科名片IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFE T的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
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非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
目录[隐藏]结构工作特性发展历史输出特性与转移特性模块简介等效电路结构工作特性发展历史输出特性与转移特性模块简介等效电路[编辑本段]结构IGBT结构图左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。
P+ 区称为漏区。
器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。
沟道在紧靠栅区边界形成。
在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region )。
而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区(Dr ain injector),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。
附于漏注入区上的电极称为漏极。
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。
反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。
IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。
当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
逆变器6个igbt工作原理
逆变器6个igbt工作原理
IGBT(模拟可控硅)是一种半导体可控管,它的上端和普通的晶体管类似,
上端和通过MOS管控制,底端有较大的可控性和高效率,通常被广泛用于变频器、高压板、断路器、电焊机、电机和转换器等电力转换装置。
这种半导体元件,将模拟运放,MOS管和功率晶体管3种器件合二为一,几乎可用于所有电力控制系统,经过优化运放成本,更易于某些系统的节省内存和芯片空间。
IGBT可以用于控制电流变化,在逆变器中广泛的运用,它的运行由两个部件
决定,其中IGBT的模拟端和MOS管端,结合在一起就形成了一个完整的可控管
框架。
在此框架中IGBT和MOS管共同作用的原理下,将需要逆变的直流电源电压,转换成我们需要的交流电压, IGBT表现出良好的高效率,节能和控制能力,可以有效抑制电磁兼容性(EMC)问题。
IGBT在逆变器中,需要使用6个IGBT,分别连接3组两个IGBT组成,每组IGBT被接入电路同一侧,它们的工作原理用三种模式来说明:
第一种模式:IGBT的源极与发射极电压均为正,同时控制反向;
第二种模式:IGBT源极和发射极电压均为负,同时控制向正;
第三种模式:IGBT源极和基极电压为负,发射极电压为正,检测反向。
IGBT逆变器可以在高效率、低噪音、低颤动、节能、高应用效果、长寿命等
方面大大节省系统成本。
IGBT技术提供了最佳的性能,是目前最新发展的电力技术,也是未来的发展方向之一。
EP系列光伏逆变器安装操作和维护手册V1.1
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安全注意事项
无锡上能新能源有限公司
本手册中包含了 EP 系列光伏逆变器产品安装,操作和维护过程中必须遵守的重要的注意事项 与指导说明,安装前必须详细阅读本手册。
用户手册使用注意事项: 在安装与使用 EP 系列光伏逆变器前,请详细阅本手册。
警告
请严格按照本手册说明安装逆变器,否则可能会导致设备损坏或危及操作人员安全! 逆变器操作人员注意事项: 逆变器必须由厂家或其代理商指定工程师进行安装、调试与维护,否则可能危及人身安全和 导致设备故障。由此引起的设备损坏,不属保修范围。
警告 严禁将逆变器不经过变压器直接连接至电网,否则会造成逆变器损坏或引起火灾!
危险 逆变器正常运行时内部(含接线端口)存在危险电压!请勿在未经授权或者许可情况下擅 自拆卸逆变器内部盖板,以免造成设备损坏或者人身伤害!
危险 逆变器内部有储能元件,在逆变器完全下电后,应等待不少于 15 分钟后再进行后续操作。
2.1 环境要求..................................................................................................................................................... 11 2.1.1 运行环境要求..................................................................................................................................11 2.1.2 存储环境要求................................................................................................................................. 12
IGCT及IGCT变频器
IGCT及IGCT变频器1 引言大功率晶闸管(SCR)在过去相当一段时间里,几乎是能够承受高电压和大电流的唯一半导体器件。
因此,针对SCR的不足,人们又研制开发出了门极关断晶闸管(GTO)。
用GTO晶闸管作为逆变器件取得了较为满意的结果,但其关断控制较易失败,仍较复杂,工作频率也不够高。
几乎与此同时,电力晶体管(GT R)迅速发展了起来。
绝缘栅双极晶体管IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物。
其主体部分与晶体管相同,也有集电极和发射极,但驱动部分却和场效应晶体管相同,是绝缘栅结构。
IGBT的工作特点是,控制部分与场效应晶体管相同,控制信号为电压信号 UGE,输人阻抗很高,栅极电流I G≈0,故驱动功率很小。
而其主电路部分则与GTR相同,工作电流为集电极电流,工作频率可达20kHz。
由IGBT作为逆变器件的变频器载波频率一般都在10kHz以上,故电动机的电流波形比较平滑,基本无电磁噪声。
虽然硅双极型及场控型功率器件的研究已趋成熟,但是它们的性能仍待提高和改善,而1996年出现的集成门极换流晶闸管(IGCT)有迅速取代 GTO的趋势。
2 IGCT集成门极换流晶闸管(IGCT)是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的器件。
门极换流晶闸管GCT是基于GTO结构的一个新型电力半导体器件,它不仅与GTO有相同的高阻断能力和低通态压降,而且有与IGBT相同的开关性能,兼有GTO和IGBT之所长,是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件。
IGCT芯片在不串不并的情况下,二电平逆变器容量0.5~3MVA,三电平逆变器1~6MVA;若反向二极管分离,不与IGCT集成在一起,二电平逆变器容量可扩至4. 5MVA,三电平扩至9MVA。
目前IGCT已经商品化,ABB公司制造的IGCT产品的最高性能参数为 4.5kV/4kA,最高研制水平为6kV/4kA[1]。
1998 年,日本三菱公司也开发了直径为88mm的6kV/4kA的GCT晶闸管。
毕业设计 基于IGBT的大功率开关电源设计
1 前言电源是各类电子设备的重要组成部分,没有一部高质量的电源,难以保证电子设备的正常工作,由于高频开关电源在重量、体积和效率等方面是线性电源无可比拟,因此在许多领域中得到广泛应用。
线性电源和开关电源各有自己的特点,线性电源的特点是稳定性好、可靠性高、输出电压精度高、输出纹波电压小。
它的不足之处是要求采用工频变压器和滤波器,它们的重量和体积都很大,并且调整管的功耗较大,使得电源的效率大大降低。
相对于线性电源来说,开关电源具有效率高,可靠性和稳定性较好,体积小,重量轻的优点,它对供电电网电压的波动不敏感,在电网电压波动较大的情况下,仍能维持较稳定的输出,因此,开关电源更能满足现代电子设备的要求。
近些年来,由于新型功率器件和开关集成稳压器的出现,以及电力电子变换技术的进步,使开关电源又有了长足发展。
绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。
它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。
本系统采用门极可关断功率全控式电力电子器件IGBT,改变其负载两端的直流平均电压的调制方法采用脉冲调宽的方式,即主开关通断的周期保持不变,而每次通电时间可变。
由于IGBT工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,因为受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT 的可靠性直接关系到电源的可靠性。
因而对IGBT的保护设计是电源设计时需要重点考虑的一个环节。
本次设计采用富士公司的EXB841驱动芯片,利用其单电源,模块化,过流检测,保护软关断等优点,通过单片机控制实现大功率开关电源电路的设计。
2.1 方案论述2.1.1方案一图2.1 开关电源电路框图交流电压经过EMI滤波及整流滤波后,得到直流电压加到半桥变换器上,用TLP250去驱动功率IGBT管。
双E类逆变器拓扑电路仿真研究
本科毕业设计(论文)(双E类逆变器拓扑电路仿真研究)***燕山大学2012年6月本科毕业设计(论文)(双E类逆变器拓扑电路仿真研究)学院(系):***专业:08应用电子2班学生姓名:***学号:***指导教师:***答辩日期:2012年6月17日燕山大学毕业设计(论文)任务书摘要摘要感应加热电源是利用电涡流对工件加热的一种装置,由于具有诸多优点而在工业中得到了广泛的应用。
目前,国内中频电源已经非常成熟,高频电源在频率、容量等方面还有待提高。
因此本文针对高频电源进行了理论分析和研究。
文中首先介绍了感应加热电源的工作原理并讲述了国内外的研究现状。
接下来分析了E类逆变器的工作原理和双E类逆变器的工作原理,以及工作在最佳状态下MOSFET的电流电压波形,为接下来设计双E类逆变器做了准备。
然后分析了谐振电路、E类逆变器的谐振频率等,设计计算了双E 逆变器电路的参数。
根据双E类逆变器的原理,为使其工作在最佳状态,设计了闭环控制电路。
最后用pspice仿真,验证设计方案的可行性。
关键词感应加热;MOSFET;E类逆变器;pspiceAbstractAbstractPower supply for induction heating is an equipment to heat the work piece by whirling current and it is applied widely in industry because of its many virtues. Now, intermediate frequency power supply is perfect, but high frequency power supply has defects in the aspects of frequency and capacity and so on. So high frequency power supply is developed in this thesis.Firstly, operation principle of induction heating is introduced and the actuality of the power supply for induction heating is summarized. Then analysis the operation principle of class-E inverter, double class-E inverter. and the MOSFET current and voltage waveforms in the best condition, which is preparation for design double class-e inverter next. Moreover series resonant inverter is selected as inverter circuit and explain the resonant frequency of class-E and double class-E via analysis. In order to simulation the circuit, the inverter circuit parameters are designed and calculated. According to the principle of double class-E inverter, in order to make it work in the best condition ,design closed-loop control circuit. Finally using pspice simulation to verify the feasibility of the design.Keywords induction heating; MOSFET; class-E inverter; pspice目录摘要 (I)Abstract ................................................................................................................ I I 第1章绪论.. (1)1.1课题背景 (1)1.1.1 感应加热电源的基本原理 (1)1.1.1.1 电磁感应与感应加热 (1)1.1.1.2 透入深度与集肤效应 (2)1.2感应加热电源的发展现状 (3)1.2.1 国外感应加热电源的现状 (3)1.2.2 国内感应加热技术现状 (4)1.3电力电子器件的发展 (5)1.4论文选题意义及主要工作 (6)第2章E类逆变器结构与原理分析 (8)2.1单E类逆变器原理分析 (9)2.2双E类逆变器原理分析 (11)本章小结 (13)第3章E类逆变器的设计和计算 (14)3.1基本谐振电路 (14)3.2E类逆变器的谐振频率 (15)3.2.1 单E类逆变器谐振频率 (15)3.2.2双E类逆变器谐振频率 (16)3.3E类逆变器的设计和参数计算 (16)3.3.1 品质因数 (16)3.3.2 MOSFET的选择 (17)3.3.3主电路参数计算 (18)3.4控制电路设计 (19)本章小结 (21)第4章实验仿真 (22)4.1E类逆变器的调试 (22)4.2仿真波形 (24)本章小结 (27)结论 (28)参考文献 (29)致谢 (31)附录1 (32)附录2 (37)附录3 (42)附录4 (50)附录5 (58)第1章 绪论1第1章 绪论1.1 课题背景感应加热技术是一种先进的加热技术,它具有传统加热方法所不具备的优点,因而在国民经济和社会生活中获得了广泛的应用。
大功率IGBT单管逆变器上下并联结构[实用新型专利]
(10)授权公告号 (45)授权公告日 2014.07.02C N 203691251U (21)申请号 201320751435.0(22)申请日 2013.11.25H02M 7/00(2006.01)(73)专利权人深圳市富驰机电设备有限公司地址518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道五联社区朱古石春洋工业区D 栋厂房(72)发明人罗虎(74)专利代理机构深圳市精英专利事务所44242代理人李新林(54)实用新型名称大功率IGBT 单管逆变器上下并联结构(57)摘要本实用新型公开了一种大功率IGBT 单管逆变器上下并联结构,包括固定有IGBT 单管的逆变板和固定有整流管的整流板,所述的逆变板、整流板分别为二个,且为上下并联结构,分别构成下逆变电路和上逆变电路;还包括用于固定逆变板、整流板的固定支架;二个整流板之间设有竖向设置的负极输出联接片和正极输出联接片。
本实用新型采用了二个并联的逆变电路,实现了IGBT 单管的大功率输出,并进一步采用了上下并联结构,从而优化逆变器的空间结构,缩小逆变器的尺寸,有利于逆变焊机的小型化发展,并有利于逆变器的维护与保养。
(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书3页 附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利权利要求书1页 说明书3页 附图1页(10)授权公告号CN 203691251 U1/1页1.大功率IGBT 单管逆变器上下并联结构,包括固定有IGBT 单管的逆变板和固定有整流管的整流板,其特征在于所述的逆变板、整流板分别为二个,且为上下并联结构,分别构成下逆变电路和上逆变电路;还包括用于固定逆变板、整流板的固定支架;二个整流板之间设有竖向设置的负极输出联接片和正极输出联接片。
2.根据权利要求1所述的大功率IGBT 单管逆变器上下并联结构,其特征在于固定支架包括四个固定支杆,及用于联接四个固定支杆的块状散热器;所述的整流管、IGBT 单管与散热器固定联接。
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关断期间, L 2, C2, R 和 C1 形成了一个闭合的 谐振回路继续谐振, L 1 对谐振回路充电, 补充谐振 能量。当 C 1 上的电压又谐振到零时, V Q 1 导通, 从 而实现了开关管的零电压开通, 且大大降低了开通 损耗。至此, 电路完成了一个完整周 期的工作, 在 R 上得到了一个完整的正弦波输出。为了使输出 波形的正半周和负半周时间相同, 一般取开关的占 空比 D = 0. 5。
电力电子技术 Power Electr onics
Vo l. 37, No. 6 December , 2003
据负载大小的不同, 有图 2 所示的 3 种不同工作状 态, 具体分析如下:
( 1) 最佳状态 如图2a所示, 当 R 为最佳负载R OPT 时, 开关管两 端电压在开关管开通时恰好谐振到零( 同时 dv / dt = 0) , 所以是零电压开通, 这时的开关损耗最小。 ( 2) 准最佳状态 如图 2b 所示, 当 R < R OPT 时, 开关管两端电压 在开关管开通前就已谐振到零, 这时并联在开关管 两端的反向二极管导通; 将开关管两端的电压箝位 在零直到开关管开通, 这种情况下仍然是零电压开 通, 开关损耗还是比较小的。另外, 开关管两端电压 在开通时谐振到零, 但 dv / d t 不为零, 这种情况也 属于准最佳状态。 ( 3) 失调状态 如图 2c 所示, 当 R > R OPT 时, 开关管在两端电 压还未谐振到零之前就开通, 所以不是零电压开通, 这时 C1 上存在的正向电压直接对导通的开关管放 电, 会对开关管造成很大的电流冲击, 不仅这时的开 通损耗很大, 而且严重的时候还有可能损坏开关管, 所以这种情况是不允许的。
图 5 示出实 验结果。其 中, 图 5a 为 R = 40 时, 电路工作在最佳状态时开关管上的电压、电流波 形。可见, 开关管实现了零电压开通和关断后, 两端 的电压以有限的斜率上升, 从而大大降低了开关上 的损耗。图 5b 为电路处于最佳状态下的电路输出 电压和 IGBT 上的电压波形。由图可见, 设计电路 可得到很好的正弦波输出, 同时在负载变化的情况 下, 开关管仍可工作在最佳和准最佳状态。图 5c 和 图 5d 分别为不同负载下的 IGBT 电压、电流波形。 由图 5c 可见, 当 R 小于 R OPT = 40 时, 开关管仍能 工作在最佳或准最佳状态。由图 5d 可见, 当 R 大 于 R OPT = 40 时, 开关管可工作在 准最佳状态, 从 电流波形上可见, 开通时电流不是从零开始上升的, 而是从负值开始的, 经过零增大到最大值。
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图 3 E 类逆变器的改进电路
图 4 示出并联 串联电路阻抗变换中等效的串 联电阻 R s 和串联电容 Cs 与并联电阻 R p 之间的对 应关系。由图 4 可见, 当并联电路的 R p 在一个很 宽的范围内变化时, 对应的等效串 联电路中 的 R s 只在一个很窄的范围内变化, 只要选取适当的变换, 就可使 E 类逆变器获得很宽的负载范围。
当 V Q 1 导通时, L 1 中的电流全部流过 VQ 1, 由 于 L 2, C 2 在 开通之 前已 经储存 了能量, 这时 L 2,
定稿日期: 2003- 07- 01 作者简介: 李 青( 1976- ) , 男, 新疆伊犁人, 硕士生, 研
究方向为电力电子。
C2, R 就形成了一个闭合的谐振回路, R 上就得到 一个正弦输出。此时通过 V Q1 的电流则为 L 1 中的 电流与 L 2, C2, R 谐振回路中的电流之和。
1引言
目前, 输出为正弦波的中频电源在工业生产中 得到越来越广的应用, 其输出频率往往要求在几十 千赫以上, 且输出功率要求也较大, 因此开关管的功 率损耗成为一个难以解决的问题。E 类逆变器的最 大优点就是可以在很高的频率下保持很高的效率, 因此具有广阔的应用前景。以往的 E 类变 换器主 要以场效应管作为开关管, 频率虽然可以很高, 但功 率容量很有限。这里将 E 类逆变器的高频 软开关 特性与 IGBT 的高电压、大电流特性相结合, 最后得 到了较大功率和较高频率的正弦波输出, 并且输出 频率和输出功率还有望进一步提高。
以往的 E 类逆变器因开关器件受到限制, 而 且工作状态难以控制, 往往只应用于高频小功率场 合。使用 IGBT 作为开关 管和采用 先进的电 路拓 扑, 可使 E 类逆变器应用于大功率电源的设计中。
IGBT 大功率高频 E 类逆变器可获得很好的 正弦波输出, 在需要大功率高频正弦波领域有广泛 的应用前景。
图 2 E 类逆变器的电压、电流波形
3 E 类逆变器的改进电路[2]
一般希望 E 类逆变器工作在最佳和准 最佳状 态, 而不工作在失调状态, 但 传统的 E 类逆 变器只 有在很窄的负载范围内才能工作在最佳和准最佳状 态, 但实际当中, 负载往往会有较大的变化。为使电 路在负载变化较大的情况下也能工作在最佳和准最 佳状态, 电路中使用了图 3 所示的改进型 E 类逆变 器拓扑。E 类逆变器的改进电路工作原理与基本电 路相同, 所不同的是, R 两端并联了一个 C3, C3 在 此起到一个阻抗匹配作用, C3 和 R 的并联电路经 过阻抗变换可等效为一个电容和电阻的串联电路, 改进电路与基本电路是等效的。
2 E 类逆变器工作原理和工作状态[1]
2. 1 工作原理 图 1 示出 E 类逆变器基本电路拓扑。图中, L 1
的阻抗足够大, 因 而使流过的电流 为一个恒定值。 L 2, C2 为谐振元件, 在 R 上产生高频的正弦 波输 出。C 1 为外加电容, 目的是使开关管 VQ 1 工作在 理想状态。下面分析该电路工作原理。
图 1 E 类逆变器的基本电路
由上述分析可见, E类逆变器可大大减小开关管 的开通损耗和关断损耗, 并且电路结构简单, 使用一 个开关管, 就能容易地获得较高频率的正弦波输出。 2. 2 E 类逆变器的 3 种工作状态
E 类逆变器的工作状态受负载的影响很大。根
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第 37 卷第 6 期 2003 年 12 月
图 4 并联 串联阻抗变换中 R s, C s 与 R p 的对应关系
4 实验结果
实验电路采用图 3 所示 E 类逆变器的改进电 路拓扑, 电路元件参数为: C 1= 37. 5 nF, C 2= 55 nF, C3= 90 nF, L 2= 125 H, L 1= 0. 7 mH 。电路采用型 号为 SKM150GB2400D 的 IGBT 作为开关器件, 驱 动信号频率为80 kHz, 占空比 D = 0. 5, 输入直流电 压 为 400 V。实 验 结 果 较 为 满 意。 实 验 中 获 得 8 kW, 80 kH z的正弦波输出, 电路达到了设计要求。
图 6 负载特性曲线和最佳负载下的调频调压特性曲线
5结论
叙述了将 IGBT 应用于 E 类 逆变器的 实验研 究。根据实验结果可得如下结论:
IGBT 在大功率工业电源中得到越来越广泛 的应用, 但因其开关损耗还是较大, 所以很少能在高 频下稳定工作。将 IGBT 应用在 E 类逆变器中, 开 关管以软开关方式工作, 即在零电压条件下开通、关 断时, 电压以有限斜率上升, 开关损耗较小, 从而可 使 IGBT 开关管在高频下稳定工作。
第 37 卷第 6 期 2003 年 12 月
电力电子技术 Power Electr onics
Vo l. 37, No. 6 December , 2003
IGBT 大功率 E 类逆变器
李 青, 刘 平
( 西南物理研究院, 四 川 成都 610041)
摘要: 研究了以 IGBT 作为开关管的 E 类逆变器。利用 E 类逆变器的软开关特性, 使 I GBT 在更高的频率下稳 定工 作; 利用 I GBT 的高压大电流特性, 使 E 类 逆变器 获得较 大功率的 正弦波 输出。文 中分析了 这种电 路的工 作 原理和特性, 给出了实验结果。
对阻值从 1~ 10 k 变化范围内的负载做了电
I GBT 大功率 E 类逆变器
路实验, 取得了满意的结果, 开关管都可以工作在最 佳或准最佳状态。
电路。
图 5 实验结果
图 6 示出负载特性曲线和最佳负载下的调频调 压特性曲线。图 6a 为输出电压和输出电流的负载 特性曲线。可见, 负载对输出电压、电流和输出功率 有明显影响, 只有在最佳负载附近, 才能得到最大的 功率输出。所以, 当实际的负载和电路的最佳负载 相差较大时, 要通过合适的负载匹配将实际负载变 换到最佳负载附近。同时可见, 当负载阻值较大时, 输出电压保持在一个相对稳定的数值, 约为输入电 压的 3 倍左右。图 6b 为 IGBT 开关管工作时峰值 电压 V p 和峰值电流 I p 的负载特性图。可见, 负载 的变化对开关管的电压和电流有明显的影响, 负载 阻值较小时, 开关上的电压峰值较小, 一般为输入电 压的 3~ 4 倍, 正向通过开关管的电流峰值也较小。 当负载阻值较大时, 开关上的电压峰值较大, 为输入 电压的 5 倍多, 同时, 正向通过开关管的电流峰值也 较大。因此应根据这种情况, 在负载变化较大时, 选 择较大电压和较大电流容量的 IGBT 开关管, 确保 电路安全工作。图 6c 为该电路在最佳负载下的调 频调压特性曲线。可见, 在最佳负载的情况下, 当开 关频率在小范围内改变, 可以导致输出电压发生较 大的变化, 能够实现一定范围内的调压, 同时可保持 开关管工作在最佳或准最佳状态。但是, 调节频率 应在一定的范围内, 同时, 负载变态而损坏。所 以, 通过调频来调压应在负载变化不大的情况下进 行, 若负载变化较大且又要调压, 建议另加前级调压
关键词: 绝缘栅门极晶体管; 逆变器/ 软开关 中图分类号: T M 464 文献标识码: A 文章编 号: 1000- 100X( 2003) 06- 0071- 03