催化剂工程-第四章(金属催化剂及其催化作用)

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4.7.2 d%与催化活性
电子因素: d%与催化活性有较好的关联; 几何因素:原子间距,格子空间的几何取向。
NH3
+
D2
M Cat.
NH2D
+
HD
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4.7.3 晶格间距与催化活性
巴兰金多位理论:对于分子的多点(位)吸附,需要同时考 虑吸附的几何适应性和能量适应性,需要具有正确的原子空 间群。
四位体反应过程
H-H H H
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金属的磁性 反磁性:物质被磁场轻微排斥或被强迫离开磁场; 顺磁性:物质被磁场轻微吸引或被拉入磁场中; 铁磁性:物质被磁场十分强烈地拉入磁场中。 5
4.2 金属催化剂的化学吸附
金属的电子组态与吸附能力
金属对气体分子化学吸附强度(通过测定吸附热定量)顺序为: O2>C2H2>C2H4>CO>H2>CO2>N2
*** 载体与金属间存在强相互作用(SMSI)
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Kao 用 UPS (Ultraviolet photoelectron spectroscopy)
证实了Ni和TiO2之间有SMSI作用。
a)在金属颗粒和载体接缝处的M阳离子中心 b)孤立金属原子和原子簇阳离子中心 c)金属氧化物MOx对金属粒面的涂饰
C 工业上理想的金属催化剂与催化反应
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3
4.1 金属催化剂的特性
• 金属催化剂 d区元素,过渡金属(IB、VIB、VIIB、VIIIB族) • 能级中有未成对dsp电子 与吸附质sp电子配对,发生化学吸附 • 金属晶体堆积方式各异 14 Bravais Lattices (布拉维晶格),提供各种不同的 活性中心 • 对吸附质分子进行均裂活化
• 空带(Empty band):价电子能级以上的空能级展宽成的能带
• 导带(Conduction band):0 K时最低的可接受被激发电子的空

• 禁带(Band Gaps):两分离能带间的能量间隔,又称为能隙 (ΔEg)
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4.3.2 金属催化剂的电子逸出功
当金属吸附分子后,分子得到金属原子给出的电子而形 成离子,同时放出热量,若分子对电子的亲合势用ε表示,则 电子逸出功Φ、吸附热 Q 、 ε间的关系为: Q=ε-Φ 因此,形成化学吸附键的必要条件是ε > Φ。 如果金属的Φ较小,ε较大,放热较多,这时分子被金属 强烈吸附形成稳定的化学键,不能再吸附分子。所以,在通 常情况下,碱金属和碱土金属对烃类化合物不显示出催化活 性。
一些过渡金属的d带空穴值
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4.3.3 价键模型
价键理论把金属原子的电子分成两类,一类是 成键电子,用来形成金属键;另一类叫原子电子或 称未结合电子,它对金属键的形成不起作用,但与 磁性和化学吸附有关。或者说过渡金属有两类轨道, 一类叫成键轨道,它由外层spd或dsp轨道杂化而成, 另一类是非键轨道,或称原子轨道. d%是指d电子参加金属键的分数,或成键轨道 中d轨道的成分,它是价键理论用以关联催化活性和 其它性质的一个特性参数。 d% 大,d电子越多,d空穴越少。
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4.7 金属催化剂催化活性的经验规则
4.7.1 d-带空穴与催化活性
适中的d-带空穴才具有催化活性; d-带空穴太少,吸附太弱; d-带空穴太多,吸附太强。
例1 Ni催化苯加氢制环己烷,催化活性很高,Ni的d-带空 穴为0.6,若用Ni-Cu合金作催化剂,则催化活性明显下降, 因为Cu的d-带空穴为零,形成合金时d电子从Cu流向Ni,使 Ni的d空穴减少,造成加氢活性下降。 例2 用Ni催化苯乙烯加氢得乙苯,有较好的催化活性。如 用Ni - Fe合金代替金属Ni,加氢活性也下降。因为Fe是d-空 穴较多的金属,为2.22。合金形成时d电子从Ni流向Fe,增 30 加Ni的d-空穴。这说明d-空穴不是越多越好。
Bloch波函数表明电子的某些能量值是不允许的。这 些不允许的能量区域称为带隙(禁带)
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固体中的能带(Energy Band Structures in Solids)
能级分裂:n个同种原子接近时,相同的原子能级分裂(split)成n 个能量不同的能级(分子轨道)
能带 (electron energy band):许多原子聚集,由许多分子轨道 组成的近乎连续的能级带 带宽:能带中最高能级与最低能级的能量差,与原子数目无关, 仅取决于原子间距,间距小,带宽大。
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从活化分子的能量因素考虑,要求化学吸附既不太强, 也不要太弱,吸附太强导致不可逆吸附,吸附太弱则不足以 活化分子。催化实践表明,金属催化剂的活性要求d%有一定 范围,例如,化学工业中广泛采用的金属加氢催化剂,其d% 在40%~50%之间。
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乙烯加氢催化剂活性与金属d%的关系
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4.3.4 配位场模型
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4.8.3 载体的效应 现象: M / TiO2 (M ≡ Ni、Rh、Ru、Pd、Os、Ir ) 高温处理后,对H2和CO2的吸附能力低,V高<V低 。 本以为高温处理后,催化剂表面烧结引起颗粒变 大,比表面减少使吸附减少。但实际发现,催化剂颗 粒变化不大,且表面未发生烧结。另外,在673k氧化 可使其吸附量恢复。显然非烧结引起吸附量降低,因 烧结是不可逆的。
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对于过渡金属,当它们还是原子时,原子中的电子能 级是不连续的;当由原子形成金属晶体时,原子中产生金 属键。以Ni为例,3d和4s电子都参加金属键的形成。根据 金属能带理论,在形成金属键时,4s电子和3d电子的能级 由于相互作用而发生扩展,形成4s能带和3d能带。
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d带空穴 d带空穴愈多,说明未成对的电子数愈多;d带空穴 的程度影响吸附性能和催化性能.
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结构非敏感性反应
例如,环丙烷的加氢就是一种结构非敏感反应。用宏观 的单晶Pt作催化剂与用负载于Al2O3或SiO2的微晶(1~1.5nm) 作催化剂,测得的转化频率基本相同。 由于这类(C-H、H-H)键断裂的反应,只需要较小的能 量,因此可以在少数一两个原子组成的活性中心上或在强吸 附的烃类所形成的金属烷基物种表面上进行反应。
强吸附:过渡金属,有 未配对d电子; 弱吸附:非过渡金属, 有未配对sp电 子; 吸附质:其性质也影响 金属的吸附性 能; 吸附条件:温度、压力 6 等
4.3 金属和金属表面的化学键
4.3.1 能带模型 金属晶格中每一个电子的运动规律,用下面的 Bloch波函数描述:
band index n,wave vector k
SMSI与催化活性的关系:p101~103 • 金属与载体的相互作用可以改变催化剂的催化性能; • 金属与载体的相互作用改变了金属的还原性,表现在其还 39 原温度的改变上。
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4.9 结构非敏感与敏感性反应
通过考察影响金属负载型催化剂转换频率(TOF)的三种因素: ① 在临界范围内颗粒大小和单晶取向的影响; ② 一种活性的第VIII族金属与一种较小活性的IB族金属,如Ni- Cu形成合金的影响; ③ 一种第VIII族金属替换成同族中另一种金属的影响。 根据对这三种影响因素敏感性的不同,催化反应可以分成两大类: 一类是涉及H-H、C-H或O-H键断裂或生成的反应,对结构 的变化、合金化的变化或金属性质的变化敏感性不大,称之为 结构非敏感性反应。 一类是涉及C-C、N-N或C-O键的断裂或生成的反应,对结 构的变化、合金化的变化或金属性质的变化敏感性较大,称之 为结构敏感性反应。
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4.5 晶格的缺陷与位错
热力学第三定律 所有物系都存在着不同程度的不规则分布 真实晶体 总有一种或多种结构上的缺陷,并影响着其 化学吸附、催化活性、电导作用及传递性质。
4.5.1 晶格缺陷的主要类型 点缺陷、线缺陷和面缺陷
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点缺陷(原子): Schottky 缺陷 Frenkel 缺陷
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P.E. 78 % 49 % Pt颗粒的边长 5.0 nm 1000 nm P.E. 30 % 0.1 %
Pt颗粒的边长 1.4 nm 2.8 nm
一般,工业Pt重整催化剂,Pt曝露百分数均大于50%。
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金属在载体上微细分散的程度,直接关系到表面金属原子的 状态,影响到这种负载型催化剂的活性。通常晶面上的原子有三 种类型,有的位于晶角上,有的位于晶棱上,有的位于晶面上。
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4.8.2 晶粒大小与催化活性
晶粒大小对催化剂活性的影响可能是几何因素和能量因 素的综合结果。 1.在反应中起作用的活性部位的性质,由于晶粒大小的改 变,会使晶粒表面上活性部位的相对比例起变化,从几 何因素影响催化反应。 2.载体对金属催化行为是有影响的。当载体对催化活性影 响较大时,金属晶粒变得越小,可以预料载体的影响会 变得越大。 3.晶粒大小对催化作用的影响还可从电子因素方面考虑, 正如上面所述,极小晶粒的电子性质与本体金属的电子 性质不同,也将影响其催化性质。
线缺陷/位错(原子线): 边位错 螺旋位错
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面缺陷(原子面缺陷) 堆垛层错 颗粒边界
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4.6 晶格的不规整性与多相催化
金属表面的不规整性:
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晶格的不规整性与多相催化的关联: 1.位错处和表面点缺陷处,催化剂原子的几何排布与 表面其它地方不同,而表面原子间距结合立体化学 特性,对决定催化活性是重要的因素,边位错和螺 旋位错处有利于催化反应的进行。 2.晶格不规整处的电子因素促使有更高的催化活性, 与位错和缺陷相联系的表面点,能够发生固体电子 性能的修饰。
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源自文库
六位体反应过程
晶格间距的大小直接影响吸附的几何适应性。
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乙烯加氢的活性与晶格中金属原子间距的关系
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4.8 负载型金属催化剂的催化活性
4.8.1 金属的分散度
金属在载体上微细的程度用分散度D(dispersion)表 示,或曝露百分数(P.E.)。
D ns 表面的金属原子数 nt 总的(表相+ 体相)金属原子数
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费米能级 (Fermi energy Level)---金属
T=0K(基态 ground state)时,最高的被电子充满能级, 能量为EF, 以下能级全满, 以上能级全空。 • 价带(Valence band):价电子能级展宽成的能带 (可满可不满) • 满带(Filled band):填满电子的价带
第四章 金属催化剂及其催化作用
4.0 概述
A 金属催化剂应用广泛
加氢,脱氢,氢化,异构化,环化等反应的催化剂。 B 金属催化剂主要类型: (1) 块状,电解银,熔铁,铂网; (2) 分散型或负载型,Pt-Re/η-Al2O3; (3) 合金催化剂, 如:Cu-Ni合金,烯烃,CO2等加氢; (4) 金属间互化物, LaNi5,电解析氢,烯烃加氢,CNT制 备,F-T合成等; (5) 金属簇状物,催化剂Fe3(CO)12 ,酮的不对称氢转移氢 化等; 1
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4.4 金属晶体结构和金属表面的几何构型
4.4.1 金属的晶体结构 晶格: 金属晶体最常见的有三种晶体结构,即 面心立方晶格(F.C.C): Cu、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Pd、Rh、Ir、Co 体心立方晶格(B.C.C): Cr、V、Mo、W、碱金属 六方密堆晶格(H.C.P): Mg、Re、Ru、Os
配位场模型是借用配位化学中键合处理的配 位场概念而建立的定域模型。在面心立方的正八 面体对称配位场中,金属原子5个简并的d轨道能 级分裂成t2g和eg两组(如图a)。
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• 由于轨道是具有空间指向性的,所以表面金属 原子的成键具有明显的定域性 • 这些轨道以不同角度与表面相交,从而影响到 轨道键合的有效性。 •用配位场模型,原则上可以解释金属表面的化 学吸附,还可以解释不同晶面之间化学活性的 差别。 Fe催化剂的不同晶面对NH3的合成活性不同 [110]面的活性为 1 [100]面的活性为 21 [111]面的活性为 440。
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位错作用与补偿效应
补偿效应:指前因子A的增加,总是伴随活 化能(Ea)的增加,反之亦然。 缺陷与位错虽然增加了催化剂活性位(A), 但同时也增加了催化剂的活化能(Ea)
点缺陷和金属的超活性 金属的超活性:通过特殊方法处理,在金属 表面形成高度非平衡的点缺陷浓度,从而导 致金属表面具有超常的活性(105倍)
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晶格参数
金属晶体的结构参数
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* 晶面:
•各晶面表面能量不同,稳定性不同,催化活性也有高有低。 例如:合成氨用Fe催化剂不同晶面具有不同的催化活性: 110面:1(能量最低) 100面:21 111面:440 (能量最高)
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4.4.2 金属表面的几何结构
底层结构 表面原子排布与体相单胞相同。 表面结构 表面原子排布与底层结构不同。 吸附 洁净金属表面总会发生吸附现象。
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