第二章 静电场

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第2章静电场

第2章静电场

“立个球面”的立体角=? 2. “任意曲面”dS对“某点”所张的立体角 (1) 以R0为半径的“球面”
3. “立体角”的重要结论
散度方程微分形式的引出:
请注意:此处的ρ 是指自由电荷的体密度ρvf !
(强调)散度方程
• 物理意义: 它们描述了静电场的发散性,给出了通过封闭面的 电通量与面内所围电荷量之间的关系; • 积分形式说明: 任意封闭面的电通量=面内所围电荷总量; 电通量为0,则封闭面内不包含电荷,即面内无源; 进而说明:静电场具有通量源,即自由电荷。 • 微分形式说明: 静电场(电位移)散度=该点处电荷体密度; 进而,静电场具有散度源,即自由电荷的体密度。
例2. 求电荷分布
已知真空中电场分布,求各处电荷分布的体密度. 分析: 由电场分布可知, 球对称, 电场只有径向分量; 可以直接运用散度方程求解; 仍要分球内和球外两种情况;
作业
• 试计算电荷面密度为σ 的无限大平面周围 的电场。
静电场的旋度方程
• 首先应注意,这是静电场,不是任意电场; • 积分形式: 电场沿任意闭合曲线的积分为0; C指任意闭合曲线; C自身方向与C所围曲面方向满足右手规则; 积分式即电场的环流量; • 微分形式: 静电场的旋度为0 无论在有源区还是无源区; 电荷是静电场的什么源?体密度是什么源?
真空中距离为R的两点电荷q1,q2 q1对q2的作用力,电荷量正比,距离平方反比 矢量方向:q1指向q2 真空中介电常数(Dielectric Constant)
1 12 0 8.85 10 ( F / m) 9 4 9 10
真空中静止点电荷的电场强度
q 2受到的电场力:F R, q1 , q2


总结1:
库仑定律(真空中静止电荷电场)

静电场 高斯定理

静电场  高斯定理

q q Ua U U ( ) 4 0 r1 r2 q r2 r1 4 0 r1r2
当a点很远时r>>L,则r1≈r2≈r,
1
q L cos 1 P cos Ua 2 4 0 r 4 0 r 2
r2 r1 r cos
电偶极子轴线上的场强(电势梯度法) 电偶极子电场中的电势: 轴线延长线上的电势:
有电介质存在时的高斯定理的应用
(1)分析自由电荷分布的对称性,选择适当的高斯面 ,求出电位移矢量。 (2)根据电位移矢量与电场的关系,求出电场。 (3)根据电极化强度与电场的关系,求出电极化强度。 (4)根据束缚电荷与电极化强度关系,求出束缚电荷。
非极性分子
E0
极性分子
E0
电极化强度(偶极矩密度)
1、电极化强度:
其中 pei 是第i个分子的电偶极矩
单位是[库仑/米2]、[C/m2].
def P lim
V
pei
i
V
以下将电极化强度矢量简称为极化强度 束缚电荷就是指极化电荷。
电介质的极化规律
在外电场 E0中,介质极化产生的束缚 电荷,在其周围无论介质内部还是外 部都产生附加电场 E ' 称为退极化场。
i
②极性分子 在无外场作用下存在固有电矩 因无序排列对外不呈现电性。 当有电场作用时,极性分子发 生偏转。
在外电场中的电介质
E0
E0
l
无外场下,所具有的电偶极矩称为固有电偶极矩。 在外电场中产生感应电偶极矩。
极化电荷
在外电场中,均匀介质内部各处仍呈电中性, 但在介质表面要出现电荷,这种电荷不能离开电 介质到其它带电体,也不能在电介质内部自由移 动。我们称它为束缚电荷或极化电荷。

高中物理 第二章静电场和恒定电流电场

高中物理 第二章静电场和恒定电流电场

第二章 静电场和恒定电流电场§2.1 静电场的基本方程1 静电场的定义:场的源-电荷,相对于观察者(坐标系)静止。

2 静电场的基本方程:0=∂∂t,因此有 ⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧=⋅∇==⋅∇==⨯∇=⨯∇000B HB D E D E H μρε 可以发现电场量(ε,,D E )与磁场量(μ,,B H)无耦合,故可以单独研究静电场和静磁场。

于是静电场的基本方程是⎪⎩⎪⎨⎧=⋅∇==⨯∇ρεD ED E3 静电场的物理特性;1)场源:电荷,散度源,旋度为零,是保守场,可以定义势能。

2)电力线:非环,始于正电荷或带正电荷的导体或无穷远,终于负电荷或带负电荷的导体或无穷远。

3)与磁场关系:无关。

§2.2 电位1 为什么需要电位:1)电位作辅助量,简化求解过程,矢量变标量。

2)静电场电位有物理意义:电位是单位正电荷的势能。

3)电位比电场易测量。

2 电位定义:前提是旋度为零。

任何标量梯度的旋度恒等于零:0=∇⨯∇ϕ (梯度的物理解释:最陡)因此只要让ϕ-∇=E静电场的旋度方程自然满足。

3 电位的物理意义:任意一点A 的电位等于把单位正电荷从该点移到电位参考点P (零电位点)电场力所做的功,也就是外力克服电场力把单位正电荷从电位参考点(零电位点)移到该点所做的功。

数值上也就是单位正电荷所具有的势能。

⎰⎰⎰⎰⎰⎰=-==⋅∇=⋅∇-=⋅→⋅=⋅=PAA PA PA P A PAP AP AAP d l d l d l d E l d E q l d F W ϕϕϕϕϕϕ上式结果与A 点到P 点的具体路径无关,这是因为⎰=⋅=+=-AMPNAANPAMP ANP AMP l d E W W W W 0AMNP所以 A N P A M P W W =因此我们才可以说(在静电场条件下)电位是单位正电荷的势能。

势能本身就意味着它只与状态有关,与过程无关。

4 电位参考点的选择:1)电荷在有限区域,无穷远点为参考点。

电动力学镜像法ppt课件

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性,电势也应具有球对称性。当考虑较
r
远处场时,导体球可 视为点电荷。
2 0 (r a)
r 0
r3
(r 0) r , 0
B0 A
r
A
n r r 2
Q
0
r
dS
ra
0
A dS 0 A4 a 2
a2
a2
A Q
4 0
Q 4 0r
E
Q
(r a)
r Qr
2、导体内部电场为零;
3、导体表面上电场必沿法线方向,因此导体表面为 等势面,整个导体的电势相等。
设导体表面所带电荷面密度为σ,设它外面的介质电容率
为ε,导体表面的边界条件为
|s 常数
n s
Q dS dS
S
S n
En
三.静电场的能量
仅讨论均匀介质
1. 一般方程: 能量密度
本节主要内容
一、静电场的标势 二、静电势的微分方程和边值关系 三.静电场的能量
一、静电场的标势
在静止情况下,电场与磁场无关,
麦氏方程组的电场ห้องสมุดไป่ตู้分为
E 0
E
D 静电场的无旋性是它的一个重要特
性,由于无旋性,我们可以引入一
这两方程连同介质 的电磁 性质方程 D 是E 解决静
个标势来描述静电场,和力学中用 势函数描述保守力场的方法一样。
把单位正电荷由P1点移至 P2点,电场E对它所作的
功为
P2 E dl P1
这功定义为P1点和P2点的
电势差。若电场对
电荷做了正功,则电势
下降。由此
(P2 )
(P1 )
P2 P1
E
dl

第二章 静电场分析

第二章  静电场分析
面积dS’内的元电荷 3、线电荷密度
l
'
dq s (r' )dS'
连续分布在一个忽略面积的线形区域 l’上的电荷
Δq dq l ( r ) lim ' ' l ' 0 Δl dl
dl’内的元电荷
dq l (r' )dl
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4、点电荷与点电荷的函数表示 (1)函数定义
1 4π 0 1 qi (r' )( R ) i 1 i
N
图2.1.3 矢量叠加原理
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2.1.1 电荷和电荷分布
自然界中最小的带电粒子之一是电子,带电体总 是电子点量的整数倍,宏观上是大量微观粒子的平均 效应,常用电荷的连续分不来代替其分离性。
1、体电荷密度 当电荷连续分布在一个体积V’内时, 可用体电荷密度来描述其分布特性:
q eR q dR q 1 1 l E dl 40 l R 2 dl 4 R 2 4 ( R R ) 0 l 0 A B
E dl 0
结论
qE dl 0
静电场是保守场,电场力沿封闭路径 做功为零。
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由斯托克斯定理得
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② 叠加原理 由库仑定律和电场强度的定义可得单个点电荷 产生的电场强度
F q(r' )qt q(r' ) E p (r) e qt e V/m 2 R 2 R qt 4π 0 R 4π 0 R
一般表达式为:
Ep( r )
q( r' ) 4π 0 r r'
② 对于具有高度对称性的电场,利用高斯定律可以 方便的求出场强分布,但对于一般电场,高斯定 律只能确定任意闭曲面上的场强通量。 ③ 应用高斯定律可以导出电场分界面上法线分量的 边界条件。 计算步骤:

第二章静电场恒定电场和恒定磁场

第二章静电场恒定电场和恒定磁场
图2.1电介质的极化
介质中的高斯定理表示为 式中电位移矢量为
在线性的各向同性的电介质中
例2.1在空气中放入一个带电量为Q、半径为a的球体,该球体的 相对介电常数为εr。求该球体内、外任意一点的电场强度。
解(1) 球内任意一点,设到球心距离为r,做高斯面为以r为半径的球面, 如图2.2所示。
由电场的对称性可知,E和D的方向为er,所以
大小、它们之间的距离和周围的电介质,即可以不用电容器。
例2.10同心金属球与球壳系统如图2.12所示,内导体球半径为a,外导体 球壳的内外半径分别为b和c,导体球与导体球壳带有等量异号电荷,它
们之间充满相对介电常数为 r 的电介质,球外为空气。求该导体系统
的电容。
解:根据高斯定理不难求出空间各点的电场强度,设导体球和导体球壳的 带电量分别是q和-q,则导体和导体球壳之间的电场强度的大小为
电场能为
WeΒιβλιοθήκη 1 2dVv
(2) 对于多导体系统
We

1 2
dV
v
例2.12半径分别为a和b的同轴线,外加电压为U,内圆柱体电荷量为正,外圆柱 面单位长度上的电荷量与内圆柱体等值异号。如图2.16(a)所示,两电极间在θ1的 角度内填充介电常数为ε的电介质,其余部分为空气,求同轴线单位长度上储存 的电场能量。
示,求在l长度上的外电感。
图2.25例2.20用图
例2.21一个半径为a的无限长直导线,在导线均匀流过的电流为I,求这个导线
在单位长度上的内电感,如图2.26所示(设导体内部的磁导率近似为μ0)。 解:截面上的磁通并没有与全部电流I交链,而只是与一部分电流交链,交链的总 磁链为
图2.26
2. 互 有两感个回路l1和l2,如图2.27所示。

第二章 静电场中的导体和电介质:电容器的电容

第二章 静电场中的导体和电介质:电容器的电容
D 0 E P 0 r E E
P e 0 E
§2.8 电容器的电容
一.孤立导体的电容
q C V
单位:F(法拉)
C是与导体的尺寸和形状以及周围的电介质有 关,与q,V无关的常数。
1F 10 F 10 PF
6 12
例1 .求半径为R的孤立导体球的电容。
q1:q2: · :qn = C1:C2: · :Cn · · · ·
q qi (V A VB ) C i ,
i 1 i 1
n
n
n q C Ci VA VB i 1
并联电容器的总电容等 于各电容器的电容之和 2. 串联
C Ci
i 1
n
A +
VA +q –q +q –q 。
q dA udq dq C
从开始极板上无电荷直到极板上电量为Q的过 程中,电源作的功为
2 q 1 Q 1Q dq 0 qdq C C 2 C
A dA 0
Q
Q CU
U为极板上电量为Q时两板间的电势差
1 Q2 1 1 2 A CU QU 2 C 2 2
E
0
( r R1 , r R2 )
λ er 2πεr
B A
( R1 r R2 )
2
VA VB
R E dl R Edr
1
λdr R1 2πεr
R2
R2 q R2 λ ln ln 2πε R1 2πεL R1
q 2πεL C V A VB ln( R2 / R1 )
②所求的C = q/VA–VB一定与q和VA–VB无关,仅 由电容器本身的性质决定。

第二章-静电场与导体

第二章-静电场与导体

第二章静电场与导体教学目的要求:1、深入理解并掌握导体的静电平衡条件及静电平衡时导体的基本性质,加深对高斯定理和环路定理的理解,结合应用电场线这一工具,会讨论静电平衡的若干现象,会结合静电平衡条件去理解静电感应、静电屏蔽等现象,并会利用前章的知识求解电场中有导体存在时的场强和电势分布。

2、确理解电容的概念,并能计算几种特殊形式的电容器的电容值。

3、进一步领会静电能的概念、会计算一些特殊带电导体的静电能。

4、深刻理解电场能量的概念,会计算电场能。

教学重点:1、静电场中的导体2、电容和电容器教学难点:1、静电场的唯一定理§2.1 静电场中的导体§2.2 电容和电容器§2.3 静电场的能量§2.1 静电场中的导体1、导体的特征功函数(1)金属导体的特征金属可以看作固定在晶格点阵上的正离子(实际上在作微小振动)和不规则运动的自由电子的集合。

①大量自由电子的运动与理想气体中分子的运动相同,服从经典的统计规律。

②自由电子在电场作用下将作定向运动,从而形成金属中的电流。

③自由电子的平均速率远大与定向运动速率。

(2)功函数金属表面存在一种阻止自由电子从金属逸出的作用,电子欲从金属内部逸出到外部,就要克服阻力作功。

一个电子从金属内部跑到金属外部必须作的最小功称为逸出功,亦称功函数。

2、导体的静电平衡条件(1)什么是静电感应?当某种原因(带电或置于电场中)使导体内部存在电场时,自由电子受到电场力的作用而作定向运动,使导体一侧因电子的聚集而出现负电荷布另一侧因缺少电子而有正电荷分布,这就是静电感应,分布在导体上的电荷便是感应电荷。

(2)静电平衡状态当感应电荷在导体内产生的场与外场完全抵消时,电子的定向运动终止,导体处于静电平衡状态。

(3)静电平衡条件所有场源包括导体上的电荷共同产生的电场的合场强在导体内部处处为零。

静电平衡时:①导体是等势体。

②导体外表面附近的电场强度与导体表面垂直。

第二章 静电场

第二章  静电场

(a) 单个点电荷产生的电场强度
F q E p ( R) e 2 R qt 4π 0 R
V/m
一般表达式为 q r r' E p (r ) 2 4π 0 r r ' r r '

图1.1.2 点电荷的电场
q
4 π 0 r r '
3
(r r ' )
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dEz dE cos
dE dE sin
dE
dE z
z z2 2
dE

z2 2
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dE
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第 二 章
L2
静 电 场
z 1 1 ( ) Ez 3 dz 2 2 2 2 L1 4π ( z ) 2 2 2 4 π o L L o 2 1
dq dl
1 E 4 π 0

dl
R
2
l
eR
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第 二 章
静 电 场
例2.1.1 真空中有一长为L的均匀带电直导线,电
荷线密度为 ,试求P 点的电场。 解: 轴对称场,圆柱坐标系。
dE ( z , )
x
图1.1.5 带电长直导线的电场
dz
4π o ( z 2 2 )
第 二 章
第二章 静电场
Steady Electric Field
静 电 场
序 电场强度和电位
环路定律、高斯定律 基本方程、分界面上的衔接条件 边值问题、惟一性问题 分离变量法 有限差分法 镜像法和电轴法 电容和部分电容 静电能量与力 静电场的应用

第2章 静电场(8) 静电场的能量

第2章  静电场(8) 静电场的能量

2
400 R 5Q
2
―带电金属球”或“均匀带电球面”
We Q 80 R

400 R
35
均匀带电球体
We 6Q
2
400 R
―带电金属球”或“均匀带电球面”
We 5Q
2
400 R
36
[结论] 将“带电金属球”改为同样大小的 “均匀带电球面”,结果?
Answer: 改为球面, We不变; 同样大小的“均匀带电球体”?
20
能量体密度:
(定义)
1 we D E 2
we E 2 1
2
(2-103)
对于理想介质: (2-104)
物理意义:
电场是一种物质,它具有能量。
21
注释:
We 1
2
d V
(2-97)
V
★适用范围: 仅适用于静电场
★适用范围:
(反映了:静止电荷所具有的静电位能)
即位移是虚设的,故称为虚位移法。
45
★虚位移法
★原理:能量守恒
外力做的功=静电场能量的变化+电场力做功
d W d We f g d g
d W k dqk
与各带电导体 相连的外电源 提供的能量;
K
第p号导体作dg 位移后电场储 能We的增量;
f 在 g 方向 的分量。
46
★方法:
第二章 静电场
§2.1 §2.2 §2.3 §2.4 §2.5 §2.6 §2.7 §2.8 库仑定律与电场强度 静电场的无旋性与电位函数 静电场中的导体与电介质 高斯通量定理 泊松方程和拉普拉斯方程 分界面上的边界条件 导体系统的电容 静电场能量和静电力

静电场的基本概念

静电场的基本概念

第二章 静电场2.1 静电场的基本概念基本内容和要求:(1)电荷守恒定律;库仑定律。

(2)电场强度的定义;场强迭加原理。

(3)点电荷系、简单带电体的场强计算。

一、 电荷及其量子化 电荷守恒定律二、库仑定律02211221r rq q k F F r r r =−=这里比例系数229/C m N 1000.9⋅×=k041πε=k22120m /N C 1085.8⋅×=−ε 真空介电常数注意:库仑定律只适用于点电荷!三、电场 电场强度1 试验电荷:电量足够小的点电荷注:(1)电场强度反映电场固有性质。

(2)电场强度的单位:N/C 或V/m3 E q F r r 0=四、场强计算 1 点电荷的场强=02004r rqq F r r πε这里是场源到场点.....P .的单位矢量.....r r 注:点电荷的电场是球对称场。

2 场强迭加原理⇒=∑i F F r r ∑=i E E r r这里i F r是第i 个电荷单独存在时对试验电荷的作用力;i E r是第i 个电荷单独存在时在场点P 产生的场强。

这里是到场点P 的单位矢量。

i r ri q 4 连续带电体的场强体分布:dV dq e ρ= (e ρ电荷体密度) 面分布:dV dq e σ= (e σ电荷面密度) 线分布:dV dq e λ= (e λ电荷线密度)例1 电偶极子在轴线上的场强。

θcos 22++−+−==+=E E E E E x x x x 0=+=−+y y y E E E)4(4220ly q E +=+πε,2/122)4(2cos l y l +=θ所以 2/3220)4(4l y qlE +=πε,沿轴负向x 讨论: 若,则y l <<304yql E πε≈定义电偶极距 l q p r r=,304yp E πεr r −≈例2 均匀带电细棒的场强分布。

204rdydE πελ= θθπsin )sin(dE dE dE x =−= θθπcos )cos(dE dE dE y =−−=因为y r a r =−=−)cos()sin(θπθπ 所以θθctg sin /a y a r −==即,因此 θθd a dy 2csc =ad dE 04πεθλ=最后得到)cos (cos 4sin 4210021θθπελθθπελθθ−===∫∫ad a dE E x x)sin (sin 4cos 4120021θθπελθθπελθθ−===∫∫ad a dE E y x 讨论:(1)P 点在细棒的中垂面上,21θπθ−=所以 10cos 2,0θπελaE E x y == (2)无限长的均匀带电细棒,πθθ==21,0,所以 0=y E(3)P 点在细棒的延长线上。

NO.9-10 第二章 静电场--泊松方程和拉普拉斯方程教学内容

NO.9-10  第二章  静电场--泊松方程和拉普拉斯方程教学内容
第二章 静 电 场
静电场计算中的两类问题
——已知场空间分布,求源电荷分布
• 利用高斯定理的微分形式 D 0 D E
——已知源电荷分布,求空间场分布
•利用高斯定理的积分形式 (当电场分布具有某种空间对称性)
D
s
ds
q0
• 应用场强叠加原理
电荷分布在有限区域内,场区域为无限大,
且其中的介质是均匀线性和各向同性的。
E 0
本构关系: D E 线形、各向同性媒质
第二章 静 电 场
2.5.2 泊松方程和拉普拉斯方程 D
D E E E E 2
D E
E
当 场中无电荷分布
(即 0)的区域:
2
电位 满足的泊松方程
2 0
拉普拉斯方程
2 拉普拉斯算子
边界条件是: ;
①r=a, φ1=φ2; ;
②r=a,
0
1
r
0
2
r
;
③r→∞, φ2=0(以无限远处为参考点); ;
④r=0, Er=0)。
1
r
0
(因为电荷分布球对称,
球心处场强E1=0,

由上述条件, 确定通解中的常数:
A 0, D 0,C va3 , B va2
30
20
第二章 静 电 场 例 2 如图所示三个区域, 它们的介电常数均为ε0, 区域2中的 厚度为d(m), 其中充满体电荷密度为ρv(C/m3)的均匀体电荷, 分界 面为无限大。试分别求解①、②、③区域的位函数与电场强度。
dy
E1
vd 2 0

(V / m)
d y 2
E2
v y 0

静电场(中文)

静电场(中文)

度,以 E 表示。
E
=
F q
式中 ,q 为试验电荷的电荷量 ;F 为电荷 q 受到的作用力。
电场强度通过任一曲面的通量称为电通,以
表示,即
= ᅲS E ᅲdS
电场线方程 E dl = 0 电场管
几种典型的电场线分布
带电平行 板
正电 荷
负电 荷
电场线的疏密程度可以显示电场强度的大小。
第二章 静电场



容Leabharlann 电场强度、电位、介质极化、场方程、边界条件、能量与力
1. 电场强度 2. 真空中静电场方程 3. 电位与等位面 4. 介质极化 5. 介质中的静电场方程
6. 两种介质的边界条件 7. 介质与导体的边界条件 8. 电容 9. 电场能量 10. 电场力
1. 电场强度
电场对某点单位正电荷的作用力称为该点的电场强
已知
E = e0
E =0
求得
(r
)
=
1 4πe
0
(r) dV V| r - r|
A(r) = 0
因此
E = -
标量函数 称为电位。因此,上式表明真空中 静电场在某点的电场强度等于该点电位梯度的负 值。
按照国家标准,电位以小写希腊字母 表 示,上式应写为
E = -
将电位表达式代入,求得电场强度与电荷 密度的关系为
( 3 )任意两点之间电场强度 E 的线积分与路径 无关,它是一种保守场。
( 4 )若电荷分布已知,计算静电场的三种方法是: 利用高斯定律计算电场强度 通过电位求出电场强度 直接根据电荷分布计算电场强度
)(r - r |3
r
)
dS
(r )

电磁场与电磁波 第2章静电场

电磁场与电磁波 第2章静电场
如果电场由点电荷q单独产生
如果是一个闭合路径,则W=0 电场强度的环路线积分恒为零,即
应用斯托克斯定理
因此,静电场的电场强度 可以用一个标量函数 的梯度来表示,即定义
单位正实验电荷在电场中移动电场力做功
两点间的电位差定义为两点间的电压U,即
单位:V
电位函数不唯一确定,取
故可选空间某点Q作为电位参考点,空间任一点P的电位为 通常选取无限远作为电位参考点,则任一P点的电位为
在交界面上不存在 时,E、D满足折射定律。
D 1 n D 2 n 1 E 1 c1 o 2 E s 2 c2 os
E 1 t E 2 t E 1 si1 n E 2 si2n
图2.3.3 分界面上E线的折射
t电位函数 表示分界面上的衔接条件
Ax Ay Az
对应静电场的基本方程 E 0 ,矢量 A 可以表示一个静电场。
能否根据矢量场的散度来判断该矢量场是否是静电场?
2.3.2 分界面上的边界条件
1、 电位移矢量D的衔接条件 以分界面上点P作为观察点,作一
小扁圆柱高斯面( L 0)。
图2.3.1 在电介质分界面上应用高斯定律
根据 DdSq
V ' P d ' V S 'P e n d ' S 0
• 在均匀极化的电介质内,极化电荷体密度 p 0。
• 有电介质存在的场域中,任一点的电位及电场强度表示为
(r) 4 1 0 V '( r f r 'p )d' V S '( r f r 'p )d' S E (r ) 4 1 0 V '( f r p r )'3 r( r ')d' V S '( f r p r ) '3 r( r ')d' S

第二章 静电场(二)

第二章 静电场(二)

唯一
2) 给定每个导体上的总电量
n
ds qi i 或 i n
相差一常数
E grad
i
E 唯一
3) 一部分导体上给定电势, 另一部分导体上给 定带电量 (混合条件) 一部分满足
Ci
i
一部分满足 n
或 i n ds qi
静电屏蔽 接地的封闭导体壳内电荷不影响壳外电场
研究对象:壳外电场, 介质及电荷分布不变,即方程一定 边界条件:接地导体壳 唯一性 定理 壳外 电场 一定
0
边界形状及边界条件不变,即边界一定
封闭导体壳无论是否接地,壳内电场不受壳外电荷 影响
研究对象:封闭导体壳的壳内电场 方程一定 边界条件:导体壳 S n dS q内 边界一定 唯一性定理 壳内电场一定
2
3.平行双电轴法
无限长均匀带电的平行双输电线 等位面 导线的截面圆 等效 认为是双电轴所形成的等位面填充导电媒质
平行双电轴
外 部 电 场 等 效
1).半径相等的平行双输电线
相距d=2x的平行双输电线导线半径均为 R0 等效
2
D 2 2 x R 0 0 2
相距D的平行双电轴
用镜象电荷代替大地的影响
镜像电荷
与场源电荷平行对称 与场源电荷大小相等,方向相反
2.无限大导电平面镜象法的应用
1 ).
0 0
等效
0
0
2 ).
0 0
0
等效
要求:2π/α为偶数
3).长直圆柱导体对导电平面的镜象
等效
双电轴法和镜像法的综合应用
§2-4 球形导体面的镜象

第二章有导体时的静电场讲解

第二章有导体时的静电场讲解
Q 2h C U A U A ln RB RA
§4 带电体系的静电能
一、带电体系的静电能 在引力场中,两物体相互靠近时,引力作正功, 势能减少;反之势能增加。类似地,对静电体系, 也可引入静电势能的概念。如,q1、q2构成的静电 体系,体系从状态 1 变化到状态 2 ,则电场力在这 一过程中做的功可定义为体系在新旧两种状态中 静电(势)能之差。进一步约定q1、q2处于无限远 离时的静电能为 0,则它们处于任意状态时的静电 能便有了明确值。对多个点电荷构成的静电电系 也可类似地定义静电能。
q
i
i
0
s
E 0
2.面电荷密度 和场强E 关系:
E dS ES S / 0
侧 上

E 0
E
S
注意: E 仅在导体表面附近适用 0
3.导体表面曲率和电荷密度的关系
U2
U1 4 0r Q1
4 0 R
1 2 3

1 EB ( 1 2 3 4 ) 0 2 0
A 1 2 B 3 4
§ 2.2 封闭金属壳内的静电场 1.腔内无电荷(无论导体是否带电) (a) 导体内场强为零; (b) 腔内空间场强处处为零; (c) 导体、空腔为等势体; (d) 内表面处处没有电荷,电荷只分布在外表面。 2. 腔内有电荷 q q (a)导体内场强处处为零; (b)腔内表面感应电荷为 - q,腔外壁总电荷为Q+q; (c)腔内电场不再为零,具体分布与腔内电荷有关; (d)导体外表面上的电荷分布与无空腔的导体相同。
而平行板电容器内部为体积V的均匀电场, 很明显,单位体积内能量,(电场能量密度):
1 2 w E 2
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参考点的选择是任意的,但从
V'

ρ( r' ) dV ' r r'
1 ρ( r' ) dV ' 可知电位反比于场点与源点 4πε 0 V ' r r'
间的距离 r r' ,因此取无限远处电位为零,符合理论分析,又方便计算。
无界自由空间中,位于坐标原点的点电荷q产生的电场E( r ) 则点电荷在自由空间中产生的电位表达式为: υ P ( r )=
τdz' τρ dz' cos α e e ρ 2 2 2 3/ 2 ρ 4 πε 0 R 4 πε 0 ( ρ z' )
l 2 0
l / 2
dEρ 2 l ) 2ρ
τρ dz' τ e sin α 0 eρ 2 2 3/ 2 ρ 4 πε 0 ( ρ z' ) 2 πε 0ρ
R12
q2
F12
荷的电荷量成正比,与两电荷
距离的平方成反比;方向沿q1 和q2 连线方向,同性电荷相互 排斥,异性电荷相互吸引。
q1q2 R 12 F12 3 4πε 0 R12
实验还证明:真空中多个点电荷构成的电荷体系,两两间 的作用力,不受其它电荷存在与否的影响。
qj qi
Fi
j i
B B B
电位差 AB定义为移动单位正电荷A B电场力做功。
绝对电位无意义,如同绝对高度、压强一样,必须选择电位的参考点,即
B B A B
规定电位零点。如取B点为参考点,则:υ A= E dL,且υ B= E dL 0。
22
dq R 1 E(r) υ( r ) 3 4 πε0 R 4πε 0
(ri ' )Vi
E(r)
i 1

ρ(ri ) ΔVi Ri 4 πε0 Ri3
'
ρ(r ' )R dV 3 4 πε0 R V dq R 4 πε0 R 3
小体积元中的电荷产生的电场
q 体电荷分布: ( r ' ) lim C / m 3 ; 某体积中的总电量:q ( r ' )dV V 0 V V q 面电荷分布: ( r ' ) lim ;面分布总电量:q ( r ' )dS S 0 S S q 线电荷分布: ( r ' ) lim ;线分布总电量:q ( r ' )dL l 0 l L
dE dEρ
相当于电量为 l的点电荷产生的电场。

z dE
dE
dq e 2 R 4 πε 0 R
若为无限长的线电荷, 有
a 0=arctan(
解:dq τdz' dEρ dE cos α E( ρ ,0 ,0 )
l/2
dE
l ) ,从而 E e。 2 2 2 0
2r 2 1 E (r ) er er 40 r 2 2 0
11
2、r a时,在球外做同心高斯面,则高斯面内 q dq dq
V1 V2 a 0 1 4 3 4 3 d ( πr ) 0d ( πr ) 2 πa 2 a r 3 3
2 E dS E 4 π r S 2 πa 2 a2 2 E 4πr E( r ) e 2 2 r q 2 πa ε0 2ε 0 r ε0 ε0 1 (0 r a) 2ε er 0 总结:E( r ) 2 若已知E( r ),如何求ρ( r' )? a e (r a) 2 r 2ε 0 r
S S S S
(*)左边= E
q ε0 E( r ) q e 2 r 4πε 0 r
10
q 4 πε 0 r 2
例2:求球状电荷源的场分布。
一般步骤 : (1)依据场源结构特点,选择适当坐标系。 (2)取元电荷dq,计算元电场dE。
a r
(3)对dE在源上积分,得E。 给定电荷源按球对称分布,空间场分布也呈球对称。 建立球坐标系,利用高斯定理有: 1、r a时,内部总电荷q dq dV '
第二章:静电场
主要内容: 理解电场强度和电位的定义、电场强度与电位间的 关系;了解静电场中的导体和电介质;掌握静电场的基 本方程及电场强度、电位在不同媒质分界面的边界条件, 泊松方程和拉斯方程。
Coulomb定律与静电场
1 Coulomb定律
q1
真空中任意两个静止点电荷q1 和q2之间作用力的大小与两电
真空中静止点电荷Q 激发的电场:
r
例1、求点电荷的电场分布。 解:用库仑定理: Q对q的作用力FQq Qq e 2 Qq 4 πε 0 r FQq
q
Q
Q Q在q点的场强 Eq e 2 Qq q 4 πε 0 r
6
如果电荷是连续分布,密度为 (r ) ,它在空间 任意一点产生的电场为:
体积V是任意 微分形式的高斯定理 静电场是有散场
13
例 3: 已知半径为a的球内、 外的电场强度为
a2 E er E0 2 ( r a ) r 3 r r E e E 5 3 3 (r a) r 0 2a 2a
求电荷分布。
14
解:由高斯定理的微分形式 E 0
, 得电荷密度为
0 E
用球坐标中的散度公式
1 ( r 2 Ar ) 1 (sin A ) 1 A A 2 r r r sin r sin
可得
ρ 0( r a ) 15 2 2 ρ ε o E0 3 ( a r )( r a ) 2a
练习: 1、均匀电荷体密度为ρ的球体,半径为a,求其在真空中场分布。 2、求带电量为q,半径为a的带电球体的空间场分布。
12
高斯定理描述的是一个闭合面电场强度的通量与闭合面内电荷间
的关系。要分析一个点的情形,需要用微分形式。如果闭合面内
的电荷是密度为ρ的体分布电荷,则高斯定理可以写为:
V ρdV 又有散度定理: ( A )dV A dS S V 1 E dS EdV V ρdV S V ε0 q E dS ε0 S 1 S E dS ε 0 ρ E ε0
q E dS ε0 S
静电场的Gauss定律表明: 静电场的力线发源于正电荷,终止于负电荷。在 没有电荷的空间中,静电场的力线是连续的。
性质2
静电场是无旋矢量场
1 ' r dV
R E r 3 40 V R


1 40
P q q q E dL e dL e e dl r r r P 4 πε r 2 P 4 πε r 2 4πε 0 r 0 0
q e。 2 r 4 πε 0 r
如果给定源分布不满足特殊结构,高斯定理不成立;直接求E的积分又 不成;或由于其矢量性方向不易判断时,可先求标量电位υ( r ),而后根据 E υ( r )求E的空间分布。
qi q j R ij
3 4 πε 0 Rij
多个电荷体系中电荷 qi 受到的作用力是系统
中除 qi 以外的电荷与该电荷单独存在时作用
力之矢量代数和,满足线性叠加原理。
电场与电场强度
◆实验证明,任何电荷在其所 处的空间中激发出对置于其 中别的电荷有力作用的物 质,称为电场。由静止电荷 激发的电场称为静电场。
9
其中,α 0= arctan(
德国数学家和物理学家高斯曾从理论上证明,静电场中任一闭 合曲面上所通过的电通量与这一闭合曲面内所包围的电荷电量 间存在着确定的量值关系,这一关系被称为高斯定理。
( c )、高斯定理: q E dS ε0 S
r
E
高斯面
r
(*)
点电荷的结构具有球对称性,当点电荷位于坐标原点时, 产生的电场分布与球坐标的方位角υ和θ无关,E线呈放 射状从原点向外辐射。 (*)左边= E dS= E en ds= Eds=E ds=E 4 πr 2
A
静电场中,沿闭合路径移动电荷,电场力不做功。 应用斯托克斯公式:
( A ) dS A dl
S l
E dL 0
L
E 0
静电场是无旋场
18
静电场的性质
性质1 静电场是有散矢量场,电荷是静电场的 通量源。
直接求散度:
r E r 0
r V 0
高斯面
2 r

1 2 2 r sin drd d 2 r r 0 0 0
已知电荷分布体密度 : 1 (r ' ) r 0 (0 r a ) (r a)
2 E dS E 4 r S 2r 2 2 E 4r q 2r 2 0 0 0
q er 2 2 4 πε0 r2
16
p
E q E q
沿任意路径将单位电荷从A点移到B点时,电场力做功
B
L
rB
r dr
dL
rA
er ,eL
A
q
B
r
q q W q' E d L er eL d l 2 A A 4 πε r 4 πε0 0
对于理想的电荷分布dq ρdV ' σdS' τdL' ,因此自由空间中 由面电荷σ( r' )、线电荷τ( r' )产生的电场分布为: 1 E( r ) 4πε 0 dq 1 σ( r' ) e dS' eR 2 R 2 R 4πε 0 S' R S' dq 1 e 2 R R 4πε 0 L' τ( r' ) dL' eR 2 R L'
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