FD-SMOKE系统测量铁磁性薄膜的克尔效应
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|偏向 振 , 方
6 /
|
‘ 起 偏 器 的 偏振方 向
2 实验装置
实 验 装 置 如 图 3所 示 。 由 以下 6 部 分 组 成 :
() 1 光学减震 台 ;( ) 路 系统 ,包括 入射 光路 2光 与接 收光 路 ;( ) 磁 电源 主 机 和 可 程 控 电磁 3励 铁 ;( ) 4 前级放 大器 和直 流 电源 组合 器 ( 为激光 器提供精密稳压 电源 , 将光 电检测装置接 收到的 克 尔信 号作 前级 放 大 ,并 送 入 系统控 制 装 置 中
吸收率不同 】 即使样品处于非磁状态 , , 反射光
的椭偏 率也 要发 生变 化 , 而铁 磁 性 会 导致 椭 偏率 有
一
品是各向异性 的, 反射光将变成椭圆偏振光且偏振
收稿 日期 :2 1 o 0 1一 4一l 5 作者简介 :郝 海玲 (9 9一) 17 ,女 ,硕士 ,专业凝聚态物理 ,
探测到的克尔信号只是克尔旋转角【 。 8 】
当要测量克尔椭偏率 s 时 ,在检偏 器前另加 一个 14波片 ,它来自以产生 2的相位差 , / 此时
检偏器看到的是 i + ) = 一 。 ,而不 ( +
是 0 + ,因此测量 到的信号为克 尔椭偏 率【 。 9 】
经过推导可得在磁饱和情况下 A s为:
I 二
]
]
]
]
]
]
]
( ) 在加人 14波 片 后 测 出 的实 验数 据 如 表 2 /
2所 示 。
表 2 加入 14波片后实验数据表 /
参 考 文 献
刘祥林 ,刘公强 ,金绥更 .磁光材料 和磁 光器件[ . M] 北京 :北京科学技术出版社 ,19 : 3— 4 90 2 2.
Ab ta t Ma n t— p i a r fe tme s r me to e s ra e ma n t tra a n d a t g s u h a ih s n i vt f sr c : g eo o t lKer e c a u e n ft u fc g ei ma e lh s ma y a v n a e ,s c hg e st i o c h c i s i y te me s r me ta d n n c n a t me s r me t T e e p r n s o e o h mp ra tMo e P y i s e p rme t i n v r ie . h a u e n n o -o t c a u e n . h x e me ti n ft e i o t n d m h sc x i n n u ie st s i e i
Mo g E o R,B d r . S a e D S MOKE s n l r m ro g e ・ i asfo f r ma n t g e
检 偏 器 在 消 光 点 时 偏 振 方 向 检 偏 器 的
式( ) 9 中,, + ) , 一 ) ( 和 ( 。分别是正负磁饱 和状态 下 的光 强 。从 式 ( ) 以看 出 ,光 强 的 变 化 9可
△ 只与 0 有关 , , 而与 S 无关。说明在 图 1 光路中
psi n ea v an t auao ef w r n vr er f c,h Upem jr xs n eas ew e erf - oiv adngtem ge c trtni t r a adr es K r et t e is ao ia dt l b tent e te i is i nh o d e e e e a hn e h er
( 下转 第 16页 ) 1
实 际测 量 时最好 测 量磁滞 回线 中正 向饱 和时 的
和反 向饱 和时的克尔旋转 角
金薄膜的克尔旋转角 = . 1 3 04。
=
() 9
・
1 6・ 1
实验科 学与技术
2 1 8月 0 1年
( 上接 第 2 6页 )
表 1 实验数据
附加 的变化 , 这个 变 化称 为克 尔椭 偏率 ,即椭
圆长短 轴 之 比 J 。按 照 磁 场 相 对 入 射 面 的 配 置 状
研 究方向磁 性材料 ;现 在 山西省 晋 中职 业技 术 学院任教 ,职称 助讲 。
态不同, 表面磁光克尔效应可以分为以下 3 种¨ :
( ) 向克 尔效 应 ,其 磁 化 方 向垂 直 于 样 品表 1极
图 2 偏 振器 件 配置 方 位
的信号检测装置 中 , 将霍尔传感器探测到 的信号 送人检 测装 置 );( ) 5 信号 检 测 主机 ;( ) 6 控制
() 1
通常 、 在一阶近似有 J :
=0 +i s
系统 和计算机 。
通过检偏棱镜 的光强为 :
, I s 8 E c s = i + o8l n () 2
HAO il Ha—i ng ( eat n f on ao , izogV ct nl eh ia C l g , i h n 3 6 0 hn ) D pr t u dt n Jnhn oa oa T cncl o ee Jn og0 0 0 ,C i me o F i i l z a
18 95年 ,科学家对表 面磁光 克尔效应的研究 能达到亚原子单层的磁性探测灵敏度和易于与超高 真空系统结合 的特点… ,使其 发展成为一 种重要
常规 的研究 薄 膜磁 学性质 的技术 。现今 它被 广泛 应 用于研 究 表面超 薄 膜 的磁 有 序 、磁 性 相 变 、磁 各 向
方 向会发 生偏转 ;而 如果 此 时 样 品 为铁 磁 状 态 ,还 会导 致反 射光 偏振 面相对 于入射 光 的偏振 面额 外再
关 键 词 :克尔效应 ; 磁滞 回线;克 尔旋转 角;椭偏率 中 图分 类 号 :0 4 文 献 标 志 码 :B 41 文章 编号 :17 6 2—45 (0 1 0 0 2 0 5 0 2 1 )4— 05— 3
Te tt e Fe r m a n tc Fi y t e S se o s h r o g e i l b h y t m fFD —S OKE m — M
T i a e s s t es s m o d tc r n al yf m a lsi h o gt d n e rh se e i o d e n a u e te a s e o e h sp p ru e h y t t ee ti l l s mp e n t e ln i ia K r y tr ssl p mo ,a d me F h l ft e o o i u l o s n h
・
2 6・
实验科学与技术
2 1 年 8月 01
面并且平行于人射面;( ) 向克尔效应 ,其磁化 2纵
方向在样品膜面内,并且平行于入射面 ;( ) 向 3横
克尔效应 , 其磁化方向在样品膜面内,并且垂直于 入射面。 在图 l 的光路中 , 假设取入射光 为 P偏振 光 , 其电场矢量 平行于入射 面, 当光线从 磁化 了的 样品表面反射时 , 由于克尔效应反射光 中含有很小 的垂直于 层 的电场分量 ,如图 2 。 所示。
o g e c mae a s fma n t t r l. i i
Ke r s Ke f c ;ma n t y tr ss h o y wo d : re et g ei h see i o p;Ker rt t n a ge U p ii ae c r o ai n l ;e i t t rt o ey
第 9卷 第 4期 21 0 1年 8月
实验科学与技术
E p r n ce c n c n lg x e me tS in e a d Te h oo y i
V019 No 4 . . Au u t 2 g s. 01 I
F D—S K MO E系统 测 量 铁 磁 性 薄 膜 的 克 尔 效 应
郝 海玲
( 中职业技术学院 基础部 ,山西 晋中 0 o o ) 晋 36 0
摘要 :表 面磁光 克尔效应测 量磁 性材料磁 性具有很 多优 点,如测 量灵敏度 高、非接触 式测量 。该 实验是 高校 重要的近代 物 理 实验之一 。在 用表 面磁光 克 尔效应 系统测量铁磁性薄膜材料 时 ,文 中利 用该 系统测 出铁 合金膜样 品在 纵向克 尔模 式下的 磁 滞回线 ,测 出正 负磁 在正向饱和状 态和反向饱和状 态时的克 尔效应 角 ,即椭 圆长轴和参 考轴之 间的 夹角。并计算得在 饱 和状 态下的克 尔旋转角和椭偏率 。应用该 实验可研 究磁性材料表 面的磁性质 。
面 轴
测量灵敏度高 、 非接触式测量 、测量同一样品厚度 不等的楔形磁性薄膜以及可以将待测样品放在真空
中原 位测 量等 。
1 S K MO E实 验原 理
一
图 1 表 面磁 光 克 尔效 应 原 理 图
般 而言 ,由于 样 品对 P偏 振 光 和 5 振 光 的 偏
当线偏振光入射到不透 明样品表面时 , 如果样
转过一小角度 , 这个小角度称为克尔旋转角 即椭
圆长 轴 和参考 轴 间的夹 角 如 图 l所示 。 ¨,
样 品
异型 ,以及层间耦合等多种磁学现象 ,同时表面磁
光克尔效应在商业上还被用于高密度的磁光存储技
术研究 和测量 J 和其他 磁性 测量 手 段相 比 , 面 。 表 磁光 克尔 效应 测量 磁性 材料 磁 性具 有很 多优 点 , 如
e c i On ac l td te K r o ain a ge a d Ke l p i i ae h s e p r n a t d h u fc s ma n t r p r e nea s x  ̄ e c u ae h e rr tt n l n r el t t rt .T i x e me t n su y t e s ra e g e i p o t s l o i cy i C c e i
将式() 1 代人 式 ( ) 2 得到 : , =I , =I
一
I Is B+( +i cs ( ) i n s )o8I 3 6 o8 ,得 到 : ,cs一l () 4 I I +( s 0 +iI I
通 常 6较 小 ,可取 s i
般情况下,6 虽然很小 ,但 6 k 而 和 : ,  ̄0
所以有:J I[ + 8 ] : o 1 2
由式 ( ) 在样 品达磁 饱 和状 态 下 0 : 7得 为
() 7
3 实验结果
导
克尔旋转角
则
J0
( 8 )
,
=
() 1 利用该系统测 出铁合金膜样 品在纵 向克尔 模式下的磁滞 回线如图4所示 。表 1 是实验数据记 录 ,求出克尔旋转角 1 =( . 1 00 75 0 14 ± .0 )V , ,△ ( .0± .0 V,实验时取 8 00 ,该铁合 17 0075 =1.
S 在 同一数量 级上 ,略去 二 阶项后 ,考 虑到 探 测器 测到 的是式 ( ) 4 实数部 分 ,式 ( ) 4 变为 , I 。 ( + 8^ = l 20) E 无外加 磁 场下 :,= l 0 I E () 5 () 6
图3 S K MO E实验系统
—堂 — — 一 _ — — — — : — —
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|偏向 振 , 方
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‘ 起 偏 器 的 偏振方 向
2 实验装置
实 验 装 置 如 图 3所 示 。 由 以下 6 部 分 组 成 :
() 1 光学减震 台 ;( ) 路 系统 ,包括 入射 光路 2光 与接 收光 路 ;( ) 磁 电源 主 机 和 可 程 控 电磁 3励 铁 ;( ) 4 前级放 大器 和直 流 电源 组合 器 ( 为激光 器提供精密稳压 电源 , 将光 电检测装置接 收到的 克 尔信 号作 前级 放 大 ,并 送 入 系统控 制 装 置 中
吸收率不同 】 即使样品处于非磁状态 , , 反射光
的椭偏 率也 要发 生变 化 , 而铁 磁 性 会 导致 椭 偏率 有
一
品是各向异性 的, 反射光将变成椭圆偏振光且偏振
收稿 日期 :2 1 o 0 1一 4一l 5 作者简介 :郝 海玲 (9 9一) 17 ,女 ,硕士 ,专业凝聚态物理 ,
探测到的克尔信号只是克尔旋转角【 。 8 】
当要测量克尔椭偏率 s 时 ,在检偏 器前另加 一个 14波片 ,它来自以产生 2的相位差 , / 此时
检偏器看到的是 i + ) = 一 。 ,而不 ( +
是 0 + ,因此测量 到的信号为克 尔椭偏 率【 。 9 】
经过推导可得在磁饱和情况下 A s为:
I 二
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( ) 在加人 14波 片 后 测 出 的实 验数 据 如 表 2 /
2所 示 。
表 2 加入 14波片后实验数据表 /
参 考 文 献
刘祥林 ,刘公强 ,金绥更 .磁光材料 和磁 光器件[ . M] 北京 :北京科学技术出版社 ,19 : 3— 4 90 2 2.
Ab ta t Ma n t— p i a r fe tme s r me to e s ra e ma n t tra a n d a t g s u h a ih s n i vt f sr c : g eo o t lKer e c a u e n ft u fc g ei ma e lh s ma y a v n a e ,s c hg e st i o c h c i s i y te me s r me ta d n n c n a t me s r me t T e e p r n s o e o h mp ra tMo e P y i s e p rme t i n v r ie . h a u e n n o -o t c a u e n . h x e me ti n ft e i o t n d m h sc x i n n u ie st s i e i
Mo g E o R,B d r . S a e D S MOKE s n l r m ro g e ・ i asfo f r ma n t g e
检 偏 器 在 消 光 点 时 偏 振 方 向 检 偏 器 的
式( ) 9 中,, + ) , 一 ) ( 和 ( 。分别是正负磁饱 和状态 下 的光 强 。从 式 ( ) 以看 出 ,光 强 的 变 化 9可
△ 只与 0 有关 , , 而与 S 无关。说明在 图 1 光路中
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( 下转 第 16页 ) 1
实 际测 量 时最好 测 量磁滞 回线 中正 向饱 和时 的
和反 向饱 和时的克尔旋转 角
金薄膜的克尔旋转角 = . 1 3 04。
=
() 9
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实验科 学与技术
2 1 8月 0 1年
( 上接 第 2 6页 )
表 1 实验数据
附加 的变化 , 这个 变 化称 为克 尔椭 偏率 ,即椭
圆长短 轴 之 比 J 。按 照 磁 场 相 对 入 射 面 的 配 置 状
研 究方向磁 性材料 ;现 在 山西省 晋 中职 业技 术 学院任教 ,职称 助讲 。
态不同, 表面磁光克尔效应可以分为以下 3 种¨ :
( ) 向克 尔效 应 ,其 磁 化 方 向垂 直 于 样 品表 1极
图 2 偏 振器 件 配置 方 位
的信号检测装置 中 , 将霍尔传感器探测到 的信号 送人检 测装 置 );( ) 5 信号 检 测 主机 ;( ) 6 控制
() 1
通常 、 在一阶近似有 J :
=0 +i s
系统 和计算机 。
通过检偏棱镜 的光强为 :
, I s 8 E c s = i + o8l n () 2
HAO il Ha—i ng ( eat n f on ao , izogV ct nl eh ia C l g , i h n 3 6 0 hn ) D pr t u dt n Jnhn oa oa T cncl o ee Jn og0 0 0 ,C i me o F i i l z a
18 95年 ,科学家对表 面磁光 克尔效应的研究 能达到亚原子单层的磁性探测灵敏度和易于与超高 真空系统结合 的特点… ,使其 发展成为一 种重要
常规 的研究 薄 膜磁 学性质 的技术 。现今 它被 广泛 应 用于研 究 表面超 薄 膜 的磁 有 序 、磁 性 相 变 、磁 各 向
方 向会发 生偏转 ;而 如果 此 时 样 品 为铁 磁 状 态 ,还 会导 致反 射光 偏振 面相对 于入射 光 的偏振 面额 外再
关 键 词 :克尔效应 ; 磁滞 回线;克 尔旋转 角;椭偏率 中 图分 类 号 :0 4 文 献 标 志 码 :B 41 文章 编号 :17 6 2—45 (0 1 0 0 2 0 5 0 2 1 )4— 05— 3
Te tt e Fe r m a n tc Fi y t e S se o s h r o g e i l b h y t m fFD —S OKE m — M
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实验科学与技术
2 1 年 8月 01
面并且平行于人射面;( ) 向克尔效应 ,其磁化 2纵
方向在样品膜面内,并且平行于入射面 ;( ) 向 3横
克尔效应 , 其磁化方向在样品膜面内,并且垂直于 入射面。 在图 l 的光路中 , 假设取入射光 为 P偏振 光 , 其电场矢量 平行于入射 面, 当光线从 磁化 了的 样品表面反射时 , 由于克尔效应反射光 中含有很小 的垂直于 层 的电场分量 ,如图 2 。 所示。
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Ke r s Ke f c ;ma n t y tr ss h o y wo d : re et g ei h see i o p;Ker rt t n a ge U p ii ae c r o ai n l ;e i t t rt o ey
第 9卷 第 4期 21 0 1年 8月
实验科学与技术
E p r n ce c n c n lg x e me tS in e a d Te h oo y i
V019 No 4 . . Au u t 2 g s. 01 I
F D—S K MO E系统 测 量 铁 磁 性 薄 膜 的 克 尔 效 应
郝 海玲
( 中职业技术学院 基础部 ,山西 晋中 0 o o ) 晋 36 0
摘要 :表 面磁光 克尔效应测 量磁 性材料磁 性具有很 多优 点,如测 量灵敏度 高、非接触 式测量 。该 实验是 高校 重要的近代 物 理 实验之一 。在 用表 面磁光 克 尔效应 系统测量铁磁性薄膜材料 时 ,文 中利 用该 系统测 出铁 合金膜样 品在 纵向克 尔模 式下的 磁 滞回线 ,测 出正 负磁 在正向饱和状 态和反向饱和状 态时的克 尔效应 角 ,即椭 圆长轴和参 考轴之 间的 夹角。并计算得在 饱 和状 态下的克 尔旋转角和椭偏率 。应用该 实验可研 究磁性材料表 面的磁性质 。
面 轴
测量灵敏度高 、 非接触式测量 、测量同一样品厚度 不等的楔形磁性薄膜以及可以将待测样品放在真空
中原 位测 量等 。
1 S K MO E实 验原 理
一
图 1 表 面磁 光 克 尔效 应 原 理 图
般 而言 ,由于 样 品对 P偏 振 光 和 5 振 光 的 偏
当线偏振光入射到不透 明样品表面时 , 如果样
转过一小角度 , 这个小角度称为克尔旋转角 即椭
圆长 轴 和参考 轴 间的夹 角 如 图 l所示 。 ¨,
样 品
异型 ,以及层间耦合等多种磁学现象 ,同时表面磁
光克尔效应在商业上还被用于高密度的磁光存储技
术研究 和测量 J 和其他 磁性 测量 手 段相 比 , 面 。 表 磁光 克尔 效应 测量 磁性 材料 磁 性具 有很 多优 点 , 如
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将式() 1 代人 式 ( ) 2 得到 : , =I , =I
一
I Is B+( +i cs ( ) i n s )o8I 3 6 o8 ,得 到 : ,cs一l () 4 I I +( s 0 +iI I
通 常 6较 小 ,可取 s i
般情况下,6 虽然很小 ,但 6 k 而 和 : ,  ̄0
所以有:J I[ + 8 ] : o 1 2
由式 ( ) 在样 品达磁 饱 和状 态 下 0 : 7得 为
() 7
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导
克尔旋转角
则
J0
( 8 )
,
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() 1 利用该系统测 出铁合金膜样 品在纵 向克尔 模式下的磁滞 回线如图4所示 。表 1 是实验数据记 录 ,求出克尔旋转角 1 =( . 1 00 75 0 14 ± .0 )V , ,△ ( .0± .0 V,实验时取 8 00 ,该铁合 17 0075 =1.
S 在 同一数量 级上 ,略去 二 阶项后 ,考 虑到 探 测器 测到 的是式 ( ) 4 实数部 分 ,式 ( ) 4 变为 , I 。 ( + 8^ = l 20) E 无外加 磁 场下 :,= l 0 I E () 5 () 6
图3 S K MO E实验系统