我国高性能传感器集成电路取得突破性发展

我国高性能传感器集成电路取得突破性发展

日前，南京理工大学的一篇关于物理传感器方面的论文在微电子学与集成电路领域顶级国际期刊IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS （JSSC）刊出。该研究成果表示我国在MEMS惯性传感器专用集成电路设计方面取得突破性发展。

现代生活中，智能手机、汽车导航、游戏机、数码相机、音乐播放器、无线鼠标、硬盘保护器、智能玩具、计步器、防盗系统等等都融入了MEMS

惯性传感器，虽然它们通常只有几毫米甚至更小，却是解决导航、定位、定

向和运动姿态测量的重要部件。

2015年9月，微电子学与集成电路领域顶级国际期刊IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS （JSSC）刊出了南京理工大学MEMS团队的研究论文《A Sub-g Bias-Instability MEMS OscillaTIng Accelerometer With an Ultra-Low-Noise Read-Out Circuit in CMOS》，这是国内首次在该期刊上发表物理传感器方面的文章。研究成果发表于JSSC，表明南

理工在MEMS惯性传感器专用集成电路设计方面取得了突破性进展。这项研究成果能大大提高传感器的稳定性（精度），采用该电路的传感器，其性能达到国内外已报道的先进水平。