钛酸锶钡陶瓷的结构及介电规律研究
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控 制.
0 3 的 s 含 量会 导 致立 方 相 . 项 工作 在 .5 r 本
1 5 0c 3 c烧结 2h制 备 了 ( a一S TO B 1 r) i3陶瓷 , 探 讨 了烧结 温度 的提 高对 ( a Sx TO B r) i 陶瓷 的结 构 和介 电性 能变化规 律 的影响 .
aeti fm J . . p1 P y. 19 , 7 ( ) t h l s[ ] J A p. hs , 9 5 7 6 : ni
2 O
2 /( ) 0 。
图 1 ( a 一S TO3 B 1 r) i 陶瓷 的 X D谱 , R
x=0. 5, 2 0. 5, 3 0. 5 1 0. 0, 2 0. 0, 3
(1 0) = .5 1 03
量低 至 =0 1 . 5时 , 现 较 高 的 室 温 介 电 损 耗 出
立 方 相.
杂导 致 降 低.
一
.
iL兰 L
l L~ 二 L
l . = ~ … i L~ 一 L
L~ 一. :
4 0 6 o 8 0 10 0
,
。
S o tn ( rc ne t )
图 3 ( a 一S TO3 瓷 的 晶格 常数 ( , ) B r) i 陶 a c
’
基金项 目: 吉林省科技发展计 划资助项 目(0 0 52 2 10 3 ) 作 者 简 介 : 自文 ( 96 ) 男 , 乔 16 一 , 吉林 省 长春 市 人 , 吉林 化 工 学 院 高 级 工 程 师 , 要 从 事 电子 信 息 产 品元 器 件 及 电子 材 主
料 方 面 的 研究 .
第 1 期
乔 自文 , : 酸 锶 钡 陶 瓷 的 结 构 及 介 电 规 律 研 究 等 钛
9
等人 报道 : 1 2 在 0℃烧 结 2h的样 品 在 ≤0 3 3 .5 均 为 四方相 . 此 , 结 温 度 的提 高 ( 0 q 使 因 烧 3 C) ( a S TO B h r) i,陶 瓷 能 在 较 低 的 s 含 量 下 进 入 r
分析纯 试 剂 为原 料 , 照分 子 式 ( a S TO 按 B r) i , ( 0 1 ,.0,.5 0 3 ,.5 进 行化 学配 比 , = .5 0 2 0 2 ,. 0 0 3 ) 预烧 去碳 及冷 压 成 型后 在 13 0℃烧 结 2h制备 5 了系列 陶瓷 材料 . 室温 X D测 量 在德 国 Bu e 8A V N E R rk r D A C D
P y.,9 5,7( 2): 6 - 6 . h s 19 7 1 64 164 5
[] 2
Ia v D., r .. e ltL.. ta . r c u a a v no Caon M 0u le e 1 Stu t r l nd dilc rc p o e te fs i -n b rum-to tum ia - ee t r p ris o pn・ a i o i -rni s ttn-
l 0
吉
林
化
工
学
院
学
报
21 0 1焦
参 考 文献 :
Ab e K., m a u S.. e r ecrc p o ete n e ia i Ko s t F ro lti r p ris i p tx—
ay go n B S i3 hn fm [ ] J A p. l rw a l r O t i s J . . p1 T i l
(1 0)a 0 1 O3
.。
~
f0 0) x=02 2 .5
. 。
室温 在 80 0左 右 , 温 tn 降 至 0 0 0 室 a 6 . 4以下 ,
适合 于 高介 电材料 的应用 .
(I 0) 】
.
/ 、 \
.
:
~
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2 / 。 0( )
2 结 果 与讨 论
图 1 ( a一Sx TO 是 B 】 r) i3陶 瓷 的 粉 末 X D 图 R 样 , 有 样 品显 示 钙 钛 矿 结 构 . R 结 果 表 明 : 所 XD
1 实 验 部 分
采用 冷压 陶瓷 技术 , B C SC 和 TO 以 a O 、r O i
在抛光 陶瓷 碟 表 面 离 子 溅 射 金 原 子 形 成 电
功能 陶瓷元 器件 材料 , 展 成 为 当前 材 料研 究 的 发 热点 - . 究不仅 涉 及 由 外延 生 长法 ¨ 、 转 涂 1 研 7 ] J旋 层法 j溶胶一 、 凝胶 法 。 以及 溅射 法 制备 的薄
膜 , 涉及 固相 反应法 制备 的 陶瓷 . 也 F 等人报道 了( a s TO u B h ) i3陶瓷在 1 2 0℃ 3 烧 结 2h的样 品在 ≤0 3 . 5均 为 四方 相 , 高 于 而
部, 吉林 长春 l0 1 ; 吉林化 工学院 材 料科学与 =程研究 中心 , 30 33 f = 吉林 吉林 122 ; . 30 2 4 吉林 大学 物理学 院, 吉林 长
春 102 ) 3 0 1
摘 要 : 用 冷 压 陶 瓷 技 术 制 备 了 ( a s TO ( 0 1 ,.0 0 2 ,.00 3 ) 瓷 . 究 了烧 结 温度 采 B … ) i = .5 0 2 ,.5 0 3 ,.5 陶 研 的 提 高 对 陶瓷 结 构 及 介 电规 律 的 影 响 . 究 表 明 :0℃ 烧 结 温 度 的提 高 使 该 系 列 陶 瓷 能 在 = .5后 从 研 3 03 四方 相 进入 立 方 相 . 电 峰移 动率 为 一32c / S. =03 样 品 的介 电峰 发 生 在 室 温 附 近 , 温 介 电 常 介 . % r c .5 室
=
型 x射 线衍射 仪上 进 行 , 采用 C 辐 射 , 测 uK 2 量 范 围在 2 。~ 10 , 长 为 0 0 。 晶体 结构 由 0 0 。步 .2 .
收 稿 日期 :0 01-5 2 1.1 0
立双峰 并人 单 一 对 称 峰 , 品 形 成 立 方 结 构 . u 样 F
≤O 3 样 品为 四方 相 , =0 3 .0 . 5样 品 为 立 方 相. 图 2绘 出 了图 1中的 X D谱 在 3 。 4 。 近 的 R 1和 5 附 X D峰随 s 含量 的变化 , 对各 峰进 行 G us R r 并 a s 拟 合. 当 ≤O 2 . 0时 , 3 。 在 1附近 的 X D峰 显示 分立 R 的( 0 ) ( 1 ) 1 1 和 10 双峰 ; X≥ 0 2 当 . 5时 , 显示 似 乎
(as=0 0 ) 不 利 于 材 料 的 应 用. 着 的增 tn .8 , 随
. .
/ / 7 ~
八.
O2 .5
加 , n 逐 渐 降低 , 且 当 =0 3 t6 a 并 . 5时 , R接 近 T
。 : .
,
形成介 电蜂 扩 散 在 室 温 附 近 的高 介 电材 料 ,
J n. 2 1 a 01
文 章 编 号 :0 72 5 ( 0 1 O - 0 -3 10 -8 3 2 1 ) l 0 80 0
钛 酸 锶 钡 陶 瓷 的 结 构 及 介 电规 律 研 究
乔 自文 房 美 玉 , 大 勇¨ , , 路 刘巧 丽 '
( . 林 省 电子 信 息 产 品 监督 检 验 研 究 院 试验 中 心 , 林 长 春 10 2 ;. 春 正 海 汽 车 内饰 件 有 限 公 司 技 术 质 量 1吉 吉 30 12 长
图 2 ( a 一S TO3 瓷 在 3 。 4 。 近 B , r) i 陶 1和 5附 的X ND峰 随 S 含 量 的 变 化 r
图 3为 ( a …S TO B I r) i 陶瓷 的 晶 格 常 数 ( , a c 和 单 胞 体积 ( 0 随 s 含 量 ( 的 变化 . 着 ) v) r ) 随
。
和单胞体积 ( ) s 含量的变化 随 r
I c
图 4 为 ( a一 r) i ( =0 5 0 2 , B Sx TO .1 , . 5 03 ) .5 的介 电常 数 ( 和 损耗 (a6 随 温 度 的 变 £) t ) n
.
化 , 中 : 立 方 一 图 为 四方 相 变 点 , 居 里 温 度 ; 即 对 应 四方. 交 相变点 . 5为该 系列 陶 瓷 的居 里 正 图 温 度 ( 、 大 介 电 常 数 ( ) T )最 占 和室 温介 电 常 数 ( ) 占 随 的 变 化. 陶瓷 的 介 电 峰随 的 增 加 向 低 温线性 移动 , 动 率 为 一3 2o/ S. S 移 . % r 当 r含 C
( 。4 m) 于 B n ( . 6 m) , 而 S 掺 0 14n 小 a 0 1 1n J 因 r
℃
图 4 ( a 一S TO3 瓷 的 B , r) i 陶 ( )介 电常 数 ( . b a E) ( )介 电 损 耗 ( n ) t 6 随温 度 的 变 化 a
具 有立方 对称性 的单 一对 称 峰. 而 , 4 。 近 然 对 5附
的 X D 峰 的 G us拟 合 结 果 清 晰 地 展 示 了 R as
0 3 样 品分 立 的 ( 0 ) ( 0 ) 峰 , 具 有 .0 02 和 20 双 仍 四方 结构 特征 . 当 = , 5时 , 0 2 和 ( 0 ) 03 ( 0 ) 2 0 分
MSMoeig 美 国 A cl dl ( n eer y公 司 ) 件 的 R f x 软 e e l
( a i, 和钛酸 锶 ( ri , 的 固溶 体 , 一种 具 B TO ) STO ) 是 有较 高 的介 电性 能 和典 型 的 A O 钙 钛 矿 结构 的 B
P c ae 块计 算 , akg 模 去除 C 仅 u K 2和衍 射 背底 的 贡 献, 采用 A=15 05 2A计算 . .4 6
=
极 , 于介 电温 谱评 价 . 电测 量 在 美 国 F U E 用 介 LK
公 司 P 63 6型 R L表上进 行 , 试 电压 为 1 M 0 C 测 V,
测试频 率为 1k z 温 度 范 围为 一5 H , 0~20℃ , 0 升 温速 率 为 2 ̄/ i , 用 液 氮 控 温 室 自动 程 序 C mn 采
第2 8卷
第 1期
吉 林 化 工 学 院 学 报
J U N L OFJ N IT T F C M C E HN L G O R A H I I S ’ U E O HE I ALT C O O Y N I
Vo . 8 No 1 12 .
2 1年 1月 01
数在 800左右 , 温介电损耗 降至 0 0 0 室 .4以下 , 适合于高介电材料 的应用.
关 键 词 : 酸锶 钡 ; 构相 变 ; 电 性质 钛 结 介
文献 标 志 码 : A 中 图分 类 号 : 1 .3 O6 4 2
钛 酸锶钡 ( S 一( a一s TO ) 钛 酸钡 BT B ) i 是
增加 , 四方 晶胞 的 a轴 缓 慢 降低 , c轴 快 速 降 而 低 , 和 c值逐 渐接 近 . a 当 = . 5时 , 轴 和 C轴 03 a 并人 单一对 称 轴 , 成 立 方 晶胞 . 胞 体 积 随 形 单 增 加 而降低 , 但 = 。 0和 0 2 02 . 5样 品 稍微 偏 离 近 似 线 性 的 变 化 规 律 .由 于 s“ 离 子 半 径 r
0 3 的 s 含 量会 导 致立 方 相 . 项 工作 在 .5 r 本
1 5 0c 3 c烧结 2h制 备 了 ( a一S TO B 1 r) i3陶瓷 , 探 讨 了烧结 温度 的提 高对 ( a Sx TO B r) i 陶瓷 的结 构 和介 电性 能变化规 律 的影响 .
aeti fm J . . p1 P y. 19 , 7 ( ) t h l s[ ] J A p. hs , 9 5 7 6 : ni
2 O
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图 1 ( a 一S TO3 B 1 r) i 陶瓷 的 X D谱 , R
x=0. 5, 2 0. 5, 3 0. 5 1 0. 0, 2 0. 0, 3
(1 0) = .5 1 03
量低 至 =0 1 . 5时 , 现 较 高 的 室 温 介 电 损 耗 出
立 方 相.
杂导 致 降 低.
一
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L~ 一. :
4 0 6 o 8 0 10 0
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图 3 ( a 一S TO3 瓷 的 晶格 常数 ( , ) B r) i 陶 a c
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基金项 目: 吉林省科技发展计 划资助项 目(0 0 52 2 10 3 ) 作 者 简 介 : 自文 ( 96 ) 男 , 乔 16 一 , 吉林 省 长春 市 人 , 吉林 化 工 学 院 高 级 工 程 师 , 要 从 事 电子 信 息 产 品元 器 件 及 电子 材 主
料 方 面 的 研究 .
第 1 期
乔 自文 , : 酸 锶 钡 陶 瓷 的 结 构 及 介 电 规 律 研 究 等 钛
9
等人 报道 : 1 2 在 0℃烧 结 2h的样 品 在 ≤0 3 3 .5 均 为 四方相 . 此 , 结 温 度 的提 高 ( 0 q 使 因 烧 3 C) ( a S TO B h r) i,陶 瓷 能 在 较 低 的 s 含 量 下 进 入 r
分析纯 试 剂 为原 料 , 照分 子 式 ( a S TO 按 B r) i , ( 0 1 ,.0,.5 0 3 ,.5 进 行化 学配 比 , = .5 0 2 0 2 ,. 0 0 3 ) 预烧 去碳 及冷 压 成 型后 在 13 0℃烧 结 2h制备 5 了系列 陶瓷 材料 . 室温 X D测 量 在德 国 Bu e 8A V N E R rk r D A C D
P y.,9 5,7( 2): 6 - 6 . h s 19 7 1 64 164 5
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吉
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部, 吉林 长春 l0 1 ; 吉林化 工学院 材 料科学与 =程研究 中心 , 30 33 f = 吉林 吉林 122 ; . 30 2 4 吉林 大学 物理学 院, 吉林 长
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摘 要 : 用 冷 压 陶 瓷 技 术 制 备 了 ( a s TO ( 0 1 ,.0 0 2 ,.00 3 ) 瓷 . 究 了烧 结 温度 采 B … ) i = .5 0 2 ,.5 0 3 ,.5 陶 研 的 提 高 对 陶瓷 结 构 及 介 电规 律 的 影 响 . 究 表 明 :0℃ 烧 结 温 度 的提 高 使 该 系 列 陶 瓷 能 在 = .5后 从 研 3 03 四方 相 进入 立 方 相 . 电 峰移 动率 为 一32c / S. =03 样 品 的介 电峰 发 生 在 室 温 附 近 , 温 介 电 常 介 . % r c .5 室
=
型 x射 线衍射 仪上 进 行 , 采用 C 辐 射 , 测 uK 2 量 范 围在 2 。~ 10 , 长 为 0 0 。 晶体 结构 由 0 0 。步 .2 .
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立双峰 并人 单 一 对 称 峰 , 品 形 成 立 方 结 构 . u 样 F
≤O 3 样 品为 四方 相 , =0 3 .0 . 5样 品 为 立 方 相. 图 2绘 出 了图 1中的 X D谱 在 3 。 4 。 近 的 R 1和 5 附 X D峰随 s 含量 的变化 , 对各 峰进 行 G us R r 并 a s 拟 合. 当 ≤O 2 . 0时 , 3 。 在 1附近 的 X D峰 显示 分立 R 的( 0 ) ( 1 ) 1 1 和 10 双峰 ; X≥ 0 2 当 . 5时 , 显示 似 乎
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乔 自文 房 美 玉 , 大 勇¨ , , 路 刘巧 丽 '
( . 林 省 电子 信 息 产 品 监督 检 验 研 究 院 试验 中 心 , 林 长 春 10 2 ;. 春 正 海 汽 车 内饰 件 有 限 公 司 技 术 质 量 1吉 吉 30 12 长
图 2 ( a 一S TO3 瓷 在 3 。 4 。 近 B , r) i 陶 1和 5附 的X ND峰 随 S 含 量 的 变 化 r
图 3为 ( a …S TO B I r) i 陶瓷 的 晶 格 常 数 ( , a c 和 单 胞 体积 ( 0 随 s 含 量 ( 的 变化 . 着 ) v) r ) 随
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和单胞体积 ( ) s 含量的变化 随 r
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图 4 为 ( a一 r) i ( =0 5 0 2 , B Sx TO .1 , . 5 03 ) .5 的介 电常 数 ( 和 损耗 (a6 随 温 度 的 变 £) t ) n
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化 , 中 : 立 方 一 图 为 四方 相 变 点 , 居 里 温 度 ; 即 对 应 四方. 交 相变点 . 5为该 系列 陶 瓷 的居 里 正 图 温 度 ( 、 大 介 电 常 数 ( ) T )最 占 和室 温介 电 常 数 ( ) 占 随 的 变 化. 陶瓷 的 介 电 峰随 的 增 加 向 低 温线性 移动 , 动 率 为 一3 2o/ S. S 移 . % r 当 r含 C
( 。4 m) 于 B n ( . 6 m) , 而 S 掺 0 14n 小 a 0 1 1n J 因 r
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图 4 ( a 一S TO3 瓷 的 B , r) i 陶 ( )介 电常 数 ( . b a E) ( )介 电 损 耗 ( n ) t 6 随温 度 的 变 化 a
具 有立方 对称性 的单 一对 称 峰. 而 , 4 。 近 然 对 5附
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0 3 样 品分 立 的 ( 0 ) ( 0 ) 峰 , 具 有 .0 02 和 20 双 仍 四方 结构 特征 . 当 = , 5时 , 0 2 和 ( 0 ) 03 ( 0 ) 2 0 分
MSMoeig 美 国 A cl dl ( n eer y公 司 ) 件 的 R f x 软 e e l
( a i, 和钛酸 锶 ( ri , 的 固溶 体 , 一种 具 B TO ) STO ) 是 有较 高 的介 电性 能 和典 型 的 A O 钙 钛 矿 结构 的 B
P c ae 块计 算 , akg 模 去除 C 仅 u K 2和衍 射 背底 的 贡 献, 采用 A=15 05 2A计算 . .4 6
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极 , 于介 电温 谱评 价 . 电测 量 在 美 国 F U E 用 介 LK
公 司 P 63 6型 R L表上进 行 , 试 电压 为 1 M 0 C 测 V,
测试频 率为 1k z 温 度 范 围为 一5 H , 0~20℃ , 0 升 温速 率 为 2 ̄/ i , 用 液 氮 控 温 室 自动 程 序 C mn 采
第2 8卷
第 1期
吉 林 化 工 学 院 学 报
J U N L OFJ N IT T F C M C E HN L G O R A H I I S ’ U E O HE I ALT C O O Y N I
Vo . 8 No 1 12 .
2 1年 1月 01
数在 800左右 , 温介电损耗 降至 0 0 0 室 .4以下 , 适合于高介电材料 的应用.
关 键 词 : 酸锶 钡 ; 构相 变 ; 电 性质 钛 结 介
文献 标 志 码 : A 中 图分 类 号 : 1 .3 O6 4 2
钛 酸锶钡 ( S 一( a一s TO ) 钛 酸钡 BT B ) i 是
增加 , 四方 晶胞 的 a轴 缓 慢 降低 , c轴 快 速 降 而 低 , 和 c值逐 渐接 近 . a 当 = . 5时 , 轴 和 C轴 03 a 并人 单一对 称 轴 , 成 立 方 晶胞 . 胞 体 积 随 形 单 增 加 而降低 , 但 = 。 0和 0 2 02 . 5样 品 稍微 偏 离 近 似 线 性 的 变 化 规 律 .由 于 s“ 离 子 半 径 r