太阳能电池工作原理

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体中原子的价电子受到激发,在p 区、空间电荷区和n区都会产生光
生电子-空穴对,也称光生载流子 。这样形成的电子-空穴对由于热 运动,向各个方向迁移。
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• 光生电子-空穴对在空间电荷区中 产生后,立即被内建电场分离,光
生电子被推进n区,光生空穴被推 进p区。在空间电荷区边界处总的
载流子浓度近似为0。
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聚光太阳电池
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聚 光 电 池
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二. 硅太阳电池的工作原理
• 硅原子的外层 电子壳层中有4个 电子。受到原子核的束缚比较小, 如果得到足够的能量,会摆脱原子 核的束缚而成为自由电子,并同时 在原来位置留出一个空穴。电子带 负电;空穴带正电。
• 在纯净的硅晶体中,自由电子和 空穴的数目是相等的。
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• 如果在纯净的硅晶体中掺入少 量的5价杂质磷(或砷,锑等), 由于磷原子具有5个价电子,所以1 个磷原子同相邻的4个硅原子结成 共价键时,还多余1个价电子,这 个价电子很容易挣脱磷原子核的吸 引而变成自由电子。
• 所以一个掺入5价杂质的4价半 导体,就成了电子导电类型的半导
体,也称为n型半导体。
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• 如果使太阳电池开路,即负载电
阻, RL =∞ ,则被 p-n 结分开 的全部过剩载流子就会积累在 p-n
结附近,于是产生了等于开路电压
VOC的最大光生电动势。 • 如果把太阳电池短路,即RL = 0
,则所有可以到达 p-n 结的过剩
载流子都可以穿过结,并因外电路 闭合而产生了最大可能的电流,即
• 地面太阳电池:在地面上应用的太阳电池 。
• 光敏传感器 :光照射时,太阳电池两极之 间就能产生电压。连成回路,就有电流流 过,光照强度不同,电流的大小也不一样 ,因此可以作为传感器使用。
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•航 天 器 上 的 光 伏
•系 统
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火星车
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• 4. 按照工作方式分类: • 平板太阳电池 • 聚光太阳电池
边界后,同样由于受到内建电场的 作用而在电场力作用下作漂移运动
,进入n区,而光生空穴(多数载 流子)则被留在p区。
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• 因此在 p-n 结两侧形成了正、
负电荷的积累,形成与内建电场方 向相反的光生电场。这个电场除了
一部分抵消内建电场以外,还使p 型层带正电,n型层带负电,因此
产生了光生电动势。这就是“光 生伏打效应”(简称光伏)。
很多,空穴很少。由于交界面两边 ,电子和空穴的浓度不相等,因此 会产生多数载流子的扩散运动。
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• 在靠近交界面附近的p区中,空 穴要由浓度大的p区向浓度小的n区
扩散,并与那里的电子复合,从而 使那里出现一批带正电荷的搀入杂 质的离子。
• 同时在p型区内,由于跑掉了一
批空穴而呈现带负电荷的搀入杂质 的离子。
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Leabharlann Baidu
多晶硅太阳电池
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非晶硅太阳电池
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• 2. 按照结构分类: • 同质结太阳电池 • 异质结太阳电池 • 肖特基结太阳电池 • 复合结太阳电池 • 液结太阳电池等
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• 3. 按照用途分类: • 空间太阳电池:在人造卫星、宇宙飞船
等航天器上应用的太阳电池。由于使用环 境特殊,要求太阳电池具有效率高、重量 轻、耐辐照等性能。
短路电流ISC。 精品课件
• 如果把太阳电池接上负载RL,
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在n型半导体中,除了由于
掺入杂质而产生大量的自由电子以
外,还有由于热激发而产生少量的
电子-空穴对。然而空穴的数目相
对于电子的数目是极少的,
• 所以在n型半导体材料中,空穴
数目很少,称为少数载流子;而电子 数目很多,称为多数载流子。
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n型半导体
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• 同样如果在纯净的硅晶体中掺入3 价杂质,如硼(或鋁、镓或铟等), 这些3价杂质原子的最外层只有3个价 电子,当它与相邻的硅原子形成共价 键时,还缺少1个价电子,因而在一 个共价键上要出现一个空穴,因此掺
入3价杂质的4价半导体,也称为p型
半导体。
• 对于p型半导体,空穴是多数载
流子,而电子为少精品数课件 载流子。
P型半导体
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• 若将p型半导体和n型半导体两
者紧密结合,联成一体时,由导电 类型相反的两块半导体之间的过渡
区域,称为 p-n 结。在 p-n 结两 边,由于在p型区内,空穴很多, 电子很少;而在n型区内,则电子
第二章 太阳电池工作原理
一. 太阳电池分类
• 1. 按照基体材料分类: • 晶硅太阳电池,
包括:单晶硅和多晶硅太阳电池
• 非晶硅太阳电池 • 薄膜太阳电池 • 化合物太阳电池,包括:砷化镓电池;硫
化镉电池;碲化镉电池;硒铟铜电池等 • 有机半导体太阳电池精品课件等
太阳电池种类
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单晶硅太阳电池
面的两边形成一边带正电荷而另一
边带负电荷的一层很薄的区域,称
为空间电荷区。这就是 p-n 结。在
p-n 结内,由于两边分别积聚了负
电荷和正电荷,会产生一个由正电
荷指向负电荷的电场,因此在 p-n
结内,存在一个由n区指向p区的电
场,称为内建电场(或称势垒电场)

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• 太阳电池在光照下,能量大于 半导体禁带宽度的光子,使得半导
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硅原子示意图
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• 在硅晶体中每个原子有4个相邻 原子,并和每一个相邻原子共有2 个价电子,形成稳定的8原子壳层 。
• 从硅的原子中分离出一个电子需 要1.12eV的能量,该能量称为硅的 禁带宽度。被分离出来的电子是自 由的传导电子,它能自由移动并传 送电流。
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硅原子的共价键结构
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• 在n区,光生电子-空穴产生后 ,光生空穴便向 p-n 结边界扩散 ,一旦到达 p-n 结边界,便立即
受到内建电场的作用,在电场力作 用下作漂移运动,越过空间电荷区
进入p区,而光生电子(多数载流 子)则被留在n区。
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• p区中的光生电子也会向 p-n 结边界扩散,并在到达 p-n 结
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• 同样在靠近交界面附近的n区中 ,电子要由浓度大的n区向浓度小 的p区扩散,而电子则由浓度大的n 区要向浓度小的p区扩散,并与那
里的空穴复合,从而使那里出现一 批带负电荷的搀入杂质的离子。
• 同时在n型区内,由于跑掉了一
批电子而呈现带正电荷的搀入杂质 的离子。
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于是,扩散的结果是在交界
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