【电子教案模拟电子技术】第四章放大电路的频率响应
《模拟电子技术》教案(全)
《模拟电子技术》教案（全）模拟电子技术教案信息工程系目录第一章常用半导体器件第一讲半导体基础知识第二讲半导体二极管第三讲双极型晶体管三极管第四讲场效应管第二章基本放大电路第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理第六讲放大电路的基本分析^p ^p 方法第七讲放大电路静态工作点的稳定第八讲共集放大电路和共基放大电路第九讲场效应管放大电路第十讲多级放大电路第十一讲习题课第三章放大电路的频率响应第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积第四章功率放大电路第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路第十五讲改进型OCL电路第五章模拟集成电路基础第十六讲集成电路概述、电流电路和有负载放大电路第十七讲差动放大电路第十八讲集成运算放大电路第六章放大电路的反馈第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算第二十一讲负反馈对放大电路的影响第七章信号的运算和处理电路第二十二讲运算电路概述和基本运算电路第二十三讲模拟乘法器及其应用第二十四讲有滤波电路第八章波形发生与信号转换电路第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路第二十六讲电压比较器第二十七讲非正弦波发生电路第二十八讲利用集成运放实现信号的转换第九章直流电第二十九讲直流电的概述及单相整流电路第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路第三十一讲串联型稳压电路第三十二讲总复习第一章半导体基础知识本章主要内容本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析^p ^p 。
首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。
其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。
然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析^p ^p 方法。
本章学时分配本章分为4讲，每讲2学时。
电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础
4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶 体管，或简称为三极管。
分类： 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN型、PNP型 按频率分：高频管、低频管 按功率分：小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时，发射结和集电结均正偏，输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时，发射结正偏，集电结反偏，收集电子能力增强，发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集，从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。
３．极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时，三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时，值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘 积 等 于 规 定 的 PCM 值各点连接起来，可得 一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC，而表征三极管电流控制作用的参 数就是电流放大系数 。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论：
１、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来，这两 种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制 电流。 ２、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。
童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路的频率响应)
题 4.3 图
解：共射电路在中频带的相移为－180°，由波特图可看出中频放大倍数为 100，下限
频率为 1Hz 和 10Hz，上限频率为 250kHz。故电压放大倍数为：
Au
(1
1 jf
100 )(1 10)(1
jf
j
2.5
f 105
)
(1
jf
)(1
10 f 2 j f )(1 10
表 4-1-2 放大管高频等效电路
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三、单管放大电路的频率响应 1．频率响应 典型单管放大电路如图 4-1-1（a）所示，中频段交流等效电路如图（b），低频段如图 （c），高频段如图（d）。
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f
fL )(1 j
f
的折线化波特图如图 4-1-2 中
)
jf
fH
fL
fH
实线所示，虚线为实际曲线。
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图 4-1-2 单管共射放大电路折线化波特图 折线图中，截止频率为拐点，在截止频率处，增益与中频段相比下降 3dB，相移＋45° 或－45°。Βιβλιοθήκη 3．放大电路频率特性的改善•
•
（1）高频特性改善：一定条件下，增益带宽积|Aumfbw|或|Ausmfbw|约为常量。要改善高
频特性，首先选择截止频率高的放大管，然后选择参数，使 Cπ′所在回路等效电阻尽量小。
（2）低频特性改善：应采用直接耦合的方式。
四、多级放大电路的频率响应（见表 4-1-3）
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模拟电子技术基础PPT第4章 放大电路的频率响应
Cbe---发射结电容 r--b-集c 电结电阻
Cbc ---集电结电容
互导
gm
iC vBE
VCE
iC vBE
VCE
BJT的高频小信号模型
电工电子
1. 晶体管的高频小信号模型
②简化模型
忽略 rbc 和 rce 混合型高频小信号模型
上海理工
电工电子
上海理工
电工电子
上海理工
4.3.1 单级共射极放大电路的频率响应
1. 高频响应
①型高频等效电路
目标：简化和变换
CM1 (1 gmRL )Cbc
CM2 Cbc
CM2 CM1 输出回路的时间常数
远小于输入回路时间常数， 考虑高频响应时可以忽略 CM2的影响。
C Cbe CM1
电工电子
4.3.1 单级共射极放大电路的频率响应 1. 高频响应
上海理工
end
电工电子
电工电子
1. RC低通电路的频率响应
②频率响应曲线描述
幅频响应
AVH
1 1 ( f / fH )2
最大误差 -3dB
相频响应 H arctan ( f / fH )
上海理工
电工电子
2. RC高通电路的频率响应
上海理工
RC高通电路
RC电路的电压增益：
AVL (s)
Vo (s) Vi (s)
R2
g mVbe
Vo RL
(Vo
Vbe )jCbc
0
由于输出回路电流比较大，所
以可以 忽略 Cbc 的分流，得 Vo gm RL Vbe
而输入回路电流比较小，所以
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路的频率响应题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 。
A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，o U 与iU 的相位关系是 。
A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚ 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。
已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，'bb r ＝100Ω, β0＝80。
试求解：（1）中频电压放大倍数smu A ； （2）'πC ；（3）f H 和f L ；（4）画出波特图。
图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ（2）估算'πC ：pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。
电子教案模拟电子技术第四章放大电路的频率响应
S3茨电圃的蹶辱咆应小结41放大电路的频率性模拟电子技术1・幅频特性和相频特性戌=人（/）Z0（/）rA M（/）—幅频特性［仅/）—相频特性几一下限截止频率/H—上限截止频率2.频带宽度(带宽)BW(Band Width)模拟电子技术4.1.1简单i?C低通和高通电路的频率特性一、RC低通电路的频率特性1.频率特性的描述:_U._ 1/jM A u -1S R + l/j(oC l + ja)RC1+i7T H 令\IRC =轴则/H = l/2nRC模拟电子技术0.70 -7乂Mo ■-45--90-=0.707 ；(p = -/=/H时'|45°/>>/H时，念T 0 ；(p—>—90°八AC高通电路的频率特性八从_ R—1-jo M U. R+1/J(D C l + l/j(oRC U；令LRC =0^\f L= 1/2TZRC1J1+(/L//)2/^10/L201glAJ = 0dBf 二fl201glAJ = 201g0.7071 = -3 dB0 = 45f<0.1A201glAJ = -201g///H (DM 0o= arctan/L/ f超前例4・1・1求已知一阶低通电路的上限截止频率。
1 ________________________/h =2nRC ~ 2x3.14x0.5kQx0e01gF= 3L8 (kHz)例5・1・2已知一阶高通电路的/L =300 H Z ,求电容C~a~~Il~~i C = —- 2叭R i 2 x 3.14 x 300 Hz x 2500 Q=0.212 (|LL F)―□— lkQ )lkl0.0 I t 戴维宁定理等效T 苗 —c_1=1—— 1//1 kQ 500 QC 2k模 拟电子技术4.1.2晶体管及其单级放大电路的频率特性一、单级阻容耦合放大器的中频和低频特性—1 •中频特性G 、C 2可视为短路 极间电容可视为开路A~^L_A(P = -180°2•低频特性：极间电容视为开路耦合电容G 、C2与电路中电阻串联容抗不能忽略二一+% c 2Tl 2$眯MSO模 拟电子技术/L = {m ax (/L1，/L2)}厂-180+如(九仃)结论：频率降低,A us 随之减小，输出比输入电压Ci /； AL 1—二Rs n rb以()RsA Rc 卜二t/j fbe3f B 空〉rb4 u'=EjfusO &SA“sO+(/ L //)2二、单级放大器的高频性1.晶体三极管的混合兀型等效电路因〃值随频率升高而降低，高频下不能釆用H 参数等效电路。
模拟电子技术教案【范本模板】
模拟电子技术教案电子与信息工程学院目录第一章常用半导体器件第一讲半导体基础知识第二讲半导体二极管第三讲双极型晶体管三极管第四讲场效应管第二章基本放大电路第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理第六讲放大电路的基本分析方法第七讲放大电路静态工作点的稳定第八讲共集放大电路和共基放大电路第九讲场效应管放大电路第十讲多级放大电路第十一讲习题课第三章放大电路的频率响应第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积第四章功率放大电路第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路第十五讲改进型OCL电路第五章模拟集成电路基础第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路第十八讲集成运算放大电路第六章放大电路的反馈第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算第二十一讲负反馈对放大电路的影响第七章信号的运算和处理电路第二十二讲运算电路概述和基本运算电路第二十三讲模拟乘法器及其应用第二十四讲有源滤波电路第八章波形发生与信号转换电路第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路第二十六讲电压比较器第二十七讲非正弦波发生电路第二十八讲利用集成运放实现信号的转换第九章直流电源第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路第三十一讲串联型稳压电路第三十二讲总复习第一章半导体基础知识本章主要内容本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析.首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点.其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。
然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。
本章学时分配本章分为4讲，每讲2学时。
第一讲常用半导体器件本讲重点1、PN结的单向导电性；2、PN结的伏安特性;本讲难点1、半导体的导电机理：两种载流子参与导电；2、掺杂半导体中的多子和少子3、PN结的形成；教学组织过程本讲宜教师讲授。
74_模拟电子技术基础频率响应
且
则
其中 第1项是与频率无关旳通带内源电压增益 后两项分别是2个与6.2节RC高通电路相同旳低频响应。
可见共射放大电路旳低频响应是由2个RC高通电路共同作 用旳成果。其中fL1与Cb1和Ce两个电容有关。
为简朴起见，假设2个下限截止频率fL1和fL2之间相距较远（ 4倍以上），能够只考虑起主要作用旳截止频率旳影响。例如有 fL1 > 4 fL2，则上式简化为
1. 增益旳传递函数
低频小信号等效电路
Rb=（Rb1 || Rb2）远不小于R′i
R′i
定性讨论 输入回路
ω↓
和
↑
↓
输入回路构成旳是RC高通电路
输出回路 ω↓
↑
↓
输出回路也是高通电路
由电路可列出方程
由第2个方程得
其中
代入第1个方程得源电压增益
令
通带内（中频）增益，与频率无关
由Cb1和Ce引起旳 下限截止频率 Cb2引起旳下限截止频率
fH >> fL
假如信号旳全部频率成 份均落在通频带内，则 基本上不会出现频率失 真现象。
若已知信号旳频率成份，要设计出满足要求旳放大电路，最主要 旳任务就是设计出频率响应旳fH和fL。
频率响应旳分析措施
1、正弦稳态响应是分析频率响应旳基本措施 2、工程上常采用分段分析旳简化措施。即分别分析放大电路旳低频响应、 中频（通频带）响应和高频响应，最终合成全频域响应。其中通频带内 旳响应与频率无关，就是前两章放大电路性能指标旳分析成果。 3、也能够用计算机辅助分析（如Spice等）旳措施，取得放大电路精确 旳频率响应曲线。
6.4.4 共射放大电路旳高频响应
1. 高频等效电路
6.4.4 共射放大电路旳高频响应
模拟电子技术基础第4章频率特性课件
共78页第5页
4.1 频率响应概述
8）每一个具体的放大电路，只对特定频段的信号能够进 行不失真的放大，因此，必须根据信号的频率范围，选 择具有与之相应的频率特性的放大电路，才能获得满意 的放大效果。 例如，一个音频信号的范围为20HZ f 20KHZ，则为了使 放大以后的信号完整地反映原有信号，所设计的放大电路
11 1
RC S
A ( j) 1 1 1
U
f
1 L 1 j L 1 j L
j
f
Low-pass network. 共78页第21页 high-pass network.
4.3 双极结型晶体管的高频等效模型
4.3.1 双极结型晶体管的混合Π型等效模型 4.3.2 双极结型晶体管混合Π型等效模型的主要参数 4.3.3 双极结型晶体管电流放大系数β的频率响应 4.3.4 双极结型晶体管混合Π型等效模型的单向化处理
为– 3dB。
共78页第12页
4.2.1 RC低通电路的频率响应
b) 相位频率响应
arctg( f / fH )
当 f<<fH ：相位频率特性的渐近线为0°的直线。 当 f>>fH ：相位频率特性的渐近线为-90°的直线
当 f=fH ： arctg( f / fH ) 450
相位频率特性如图
j
f
1
幅值频率特性： AU ( j) 1 ( fL )2
f
相位频率特性： arctg( fL / f )
fL
1
2 RC
共78页第16页
4.2.2 RC高通电路的频率响应
2). 波特图
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•如果同时考虑耦合电容 和 ，则可分别求出 •对应于输入回路和输出回路的两个下限截止频率
•这时，放大电路的低频响应，应具有两个转折 •频率。如果二者之间的比值在4~5倍以上，则 •可取较大的值作为放大电路的下限频率。
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•否则，应该可以用其他方法处理。此时，波特 图
•4.1.2 晶体管及其单级放大电路的频率特性
•一、单级阻容耦合放大器的中频和低频特性
•RB1 •C •+
•R 1 •S•U• S •RB2
•1. 中频特性
•RC
•+VCC •+•C2
•C1、C2 可视为短路 •极间电容可视为开
•V
路
•R
L
•2. 低频特性：•极间电容视为开路
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•耦合电容 C1、C2 与电路中电阻串联容抗不能忽 略
•输出
•则：
•须使 •SR > 2 f Uom •否则将引起输出波形失真 ：
•A741，•Uom= 10 V •最高不失真频率为 8 kHz
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•2. 全功率带宽 BWP
•输出为最大峰值电压时不产生明显失真的
•最高工作频率
•三、高速宽带集成运放
4.2.1 多级放大器的上限频率fH
• 设单级放大器的增益表达式为
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
• 式中，|AuI|=|AuI1||AuI2|…|AuIn|为多级放大器中 •频增益。令
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
4.2.2 多级放大器的下限频率fL
•带宽增益积 G·BW = Aud BW
•单位增益带宽 BWG = Aud BW = Auf BWf = fT •大信号动态参数：
•转换速率 SR •全功率带宽 BWP
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•三、集成运放小信号交流放大电路 •1. 耦合电容构成高通电路对下限频率的影 响
【电子教案--模拟电子技 术】第四章放大电路的
频率响应
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2020/10/30
【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
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•4.1 放大电路的频率 性
•引言 • 4.1.1 简单RC低通和高通电路的频率特性
• 4.1.2 晶体管以及其单级放大电路的频率特性
• 4.1.3 集成运算放大器高频参数及其影响
设单级放大器的低频增益为
•(5–69) •(5–70)
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•(5–71)
•(5–72)
【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
• 解得多级放大器的下限角频率近似式为 •若各级下限角频率相等，即ωL1=ωL2=…=ωLn,则
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•当 BWG > 2 MHz， •BWP > 20 kHz， •SR > 6 V/s
•选高速宽带运放
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
4.2 多级放大器的频率响应
• 如果放大器由多级级联而成，那么，总增益
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•引 言
•1.幅频特性和相频特性 •Aum •Au
•0.707Aum
•Au( f ) — 幅频特
•性( f ) — 相频特性
•O
• •fL
•f L — 下限截止频
•O
率•f H — 上限截止频率
•2. 频带宽度(带宽)BW(Band Width)
•BW = f H - f L f H
【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
••
••
••
••
•R•• B >> rb•e•
••
••
•• ••
••
•结论: 频率降低, Aus 随之减小, 输出比输入电压 •相位超前。
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•二、单级放大器的高频性
•1. 晶体三极管的混合 型等效电路
•• •R •• •US S
c
••
•rb •Cb
•R
e e
•E •密勒等
L
•• •(C1，C2 视为短路)
•RL = RC // •CMR=L(1 + gmRL ) Cbc
•B•rb
•B 效
•C
b
•• •RS •• •US
•rb e •Cb •CM
e •E
••
•在输出回路略去 Cbc
••
•R
H =
L
•C
•
•• •• •0.707oo
•1
•晶体管放大电路增益带宽积 • G ·BW Aus0·fH = 常数
•f •f •f T
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•2. 集成运算放大器高频参数及其影响
•开环带宽 BW = fH
• 小信号 •频率参数
•闭环带宽
BWf = fHf
•实际上，同时也可得出单管 共
•射电路完整的电压放大倍数 表
•达式，
•
即
•共射电路完整波特图
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•由上图可看出，画单管共射 放大电路的频率特
性
•和 •，
•时，关键在于算出下限和上限截止频率 •下限截止频率取决于低频时输入回路的时间数
• ，由图可知：
•20lg•|A• u |/dB
•0 •–20
•0.1 1 10 100
•f / fH •– 3
•f•–40
•
•f •0
•–45
•fH
•0.1 1 10
dB •– 20 dB/十倍频 •f / fH
•–90
•波特图
•– 45/十倍频
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•二、RC 高通电路的频率特
性
••
••
••
•• •C •R
•••令 1/RC = •L则 fL = 1/2RC
•f 10 fL •20lg|Au| = 0 dB
•超前
•f = fL •20lg|Au| = 20lg0.7071 = -3 dB
•f 0.1 fL •20lg|Au| = -20lg f / fH
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•因此 往往是决定低频响应的主要因素。
•4.1.3 集成运算放大器高频参数及其响
•一、小信号频率参数
•20lgAud (f ) /dB
•1. 开环带宽BW •BW = f
H
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•0 •O •f H
•f / •f Hz
T
【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•fH 为开环增益下降 3 dB 时的频率 •带宽 •通用型集成运放带宽较窄(几赫兹) •增益积•= Aud f H
1•f/HR=tC1t /2 RtCt
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•Rt = (RS + r bb )//rbe •Ct = Cbe + CM = Cb e+(1 + gmRL )
•增益带宽积
Cbc
•G BW = Aus0 fH
•(常数
)
••
••
••
••
••
•C
•因 值随频
•rbc
•C
•率升高而降
bc
•低，高频下 •不能采用 H •B
•rbb •B
•C
•C•Cbbce：：几不p恒F，定限，制 着•与放工大作器状频态带有的关展宽
• 参数等效电 •路。
•rbe
be
•E
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•2. 与频率 f 的关
【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•例 4.1.1•求已知一阶低通电路的上限截止频率
。
•1 k
•戴维宁定理等
•1//1 k
•1 k•0.01 F效
•0.01 F
•例 5.1.2•已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz，求电容 C。
•500 •C •2 k
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
• •则 BWf = 7
•kf H=z0，使 Auf = 1，当 Auf 降为 0.707 时，此时的频率
•
即为 fT。
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【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•二、大信号频率参
数
•1. 转换速率 SR
•输入
•例如：
•A 741 为 0.5 V/
s
•高速型 SR > 10 V/ s
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•第 四章
•小 结
【电子教案模拟电子技术】第四章放 大电路的频率响应
•一、简单 RC 电路的频率特性
低通电路
•• •C
••
•R
•RC 高通电路
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