可控硅元件的合理选用
可控硅均压电阻选用
可控硅均压电阻选用
可控硅均压电阻是用于保护可控硅（晶闸管）的重要元件之一。
它的作用是在可控硅关断时，平衡可控硅两端的电压，以防止电压过高而损坏可控硅。
在选用可控硅均压电阻时，需要考虑以下几个因素：
1. 阻值：均压电阻的阻值应根据可控硅的额定电压和电流来选择。
一般来说，阻值应足够大，以限制可控硅两端的电压，但也不能太大，以免影响可控硅的正常工作。
2. 功率：均压电阻的功率应足够大，以承受可控硅关断时产生的瞬时功率。
一般来说，功率应大于可控硅的额定功率。
3. 温度系数：均压电阻的温度系数应较小，以保证在不同温度下电阻值的稳定性。
4. 精度：均压电阻的精度应较高，以保证可控硅两端电压的平衡。
5. 可靠性：均压电阻应具有良好的可靠性，以确保长期稳定工作。
6. 安装方式：均压电阻的安装方式应便于安装和维护。
在选用可控硅均压电阻时，建议参考可控硅的技术手册和相关标准，选择合适的均压电阻。
同时，还应注意均压电阻与可控硅的匹配，以确保系统的可靠性和稳定性。
如果对可控硅均压电阻的选用有任何疑问，建议咨询专业人士或相关厂家。
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数可控硅（SCR）是一种常见的半导体器件，也被称为双向可控整流二极管（thyristor）或晶闸管。
它是一种电子开关，可控硅具有多种主要参数，这些参数对于合理选用和应用可控硅是非常重要的。
本文将介绍可控硅的主要参数，包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压。
1.阈值电压（VBO）：阈值电压是指在可控硅关闭状态下，当施加的压差超过该电压时，可控硅将开始导通。
阈值电压是可控硅能否实现可控的重要参数。
2.额定电流（IT）：额定电流是指可控硅能够长时间承受的最大电流。
超过额定电流的电流将会引起可控硅的过热和损坏，因此在使用可控硅时应确保电流不超过额定电流。
3.最大可承受电压（VDRM）：最大可承受电压是指在关闭状态下，可控硅可以承受的最高电压。
当施加的电压超过最大可承受电压时，可控硅可能损坏。
4.触发电流（IGT）：触发电流是指在可控硅导通之前需要施加的触发电流。
触发电流是可控硅实现可控的重要参数。
5.反向触发电压（VDRM）：反向触发电压是指可控硅在关闭状态下能承受的最高反向电压。
超过该电压，可控硅可能开始导通，导致不可预计的行为。
除了上述主要参数外，可控硅还有一些其他的重要参数，如触发时间（tQ）、关断时间（tQ）、导通压降（VF）和静态工作点等。
这些参数需要根据具体的应用需求来选择和考虑。
总之，可控硅的主要参数包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压等。
掌握这些参数对于正确选择和应用可控硅至关重要。
通过详细了解可控硅的参数，可以更好地设计和使用可控硅，以满足各种不同的电气控制需求。
可控硅电路选型分析
一、可控硅半导体结构及其工作原理：以单向可控硅为例晶闸管(Thyristor)又叫可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，晶闸管都处于关短状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。
图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。
因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。
当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。
晶闸管参数应该如何选择
嘿儿哈 2015/07/09 文章来自网络转载晶闸管也就是可控硅，国外简称为SCR元件，是硅整流装置中最主要的器件，它的参数选择是否合理直接影响着设备运动性能。
合理地选用可控硅可提高运行的可靠性和使用寿命，保证生产和降低设备检修成本费用。
在一般情况下，装置生产厂图纸提供的可控硅的参数最主要两项：即额定电流(A)和额定电压(V)，使用部门提出的器件参数要求也只是这两项，在变频装置上的快速或中频可控硅多一个换向关断时间(tg)参数，在一般情况下也是可以的。
但是从提高设备运行性能和使用寿命的角度出发，我们在选用可控硅器件时可根据设备的特点对可控硅的某一些参数也作一些挑选。
根据可控硅的静态特性，对可控硅器件参数的选择提出如下几点讨论。
1 选择正反向电压可控硅在门极无信号，控制电流Ig为0时，在阳(A)一一阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置，所以，器件呈高阻抗状态，称为正向阻断状态，若增大UAK而达到一定值VBO，可控硅由阻断突然转为导通，这个VBO值称为正向转折电压，这种导通是非正常导通，会减短器件的寿命。
所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。
在阳一一阴极之间加上反向电压时，器件的第一和第三PN结(J1和J3)处于反向偏置，呈阻断状态。
当加大反向电压达到一定值VRB时可控硅的反向从阻断突然转变为导通状态，此时是反向击穿，器件会被损坏。
而且V BO和V RB值随电压的重复施加而变小。
在感性负载的情况下，如磁选设备的整流装置。
在关断的时候会产生很高的电压( ∈=-Ldi/dt)，如果电路上未有良好的吸收回路，此电压将会损坏可控硅器件。
因此，器件也必须有足够的反向耐压VRRM。
可控硅在变流器(如电机车)中工作时，必须能够以电源频率重复地经受一定的过电压而不影响其工作，所以正反向峰值电压参数VDRM、VRRM应保证在正常使用电压峰值的2-3倍以上，考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素，在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数选取。
可控硅选型方法晶闸管选型方法
可控硅选型方法晶闸管选型方法
1．选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波生发器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用 BTG 晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管 2．选择晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流 1.5~2 倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各顶要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
可控硅 触发限流电阻的选择
在选择可控硅触发限流电阻时，需要考虑以下几个因素：电阻值：根据可控硅的规格和电路需求，选择合适的电阻值。
通常情况下，电阻值越大，限流效果越好，但同时也会延长触发时间。
因此，需要根据实际应用进行权衡。
功率：电阻的功率决定了其能够承受的电流大小。
在选择电阻时，需要确保其功率能够承受电路中的电流，避免因过载而烧毁。
精度：电阻的精度对其限流效果也有影响。
精度越高，电阻值的变化范围越小，触发电流的稳定性越好。
因此，在选择电阻时，需要选择精度较高的电阻。
温度系数：电阻的阻值会随着温度的变化而变化，温度系数是衡量电阻阻值随温度变化程度的指标。
在选择电阻时，需要考虑其温度系数是否符合电路要求。
其他因素：此外，还需要考虑其他因素，如电压、频率等对电阻选择的影响。
综上所述，可控硅触发限流电阻的选择需要考虑多个因素，包括电阻值、功率、精度、温度系数等。
在实际应用中，需要根据具体需求进行选择，以确保电路的正常运行和可靠性。
可控硅触发器的选用
可控硅触发器的选用什么是可控硅触发器在了解可控硅触发器的选用之前，需要先了解什么是可控硅触发器（SCR触发器）。
SCR触发器是一种电子器件，它是一种半导体元件，主要用于控制电流。
它有一个控制端和两个执行端，被用于控制直流、微波、交流电路等。
可控硅触发器的特点SCR触发器有以下的特点，可以在选用时作为考虑的因素：1.具有较高的可靠性和稳定性，尤其在高温高压环境下更稳定。
2.其导通性能优秀，可以用于较高功率的电力电子应用。
3.控制触发信号的波形、宽度等均可通过电路进行调整，从而适应不同的电子器件。
4.接口简单，不需要使用额外的外设电路。
5.具有可逆性，能够进行正常的双向控制。
可控硅触发器的应用场景SCR触发器在电力电子应用领域有非常广泛的应用，例如火车车载设备、电机起动器、电炉控制、调速电器、稳压电源等。
具体来说，主要应用场景如下：1.电机起动器：可以控制电机的起动时间和加速时间，从而保证电机的正常工作，并减少因起动时电流波动带来的损坏。
2.电炉控制：可以实现对炉子加热过程的精确控制，保证生产过程的稳定性和安全性。
3.调速电器：可以控制电机运行速度，实现高效稳定的转速调节。
4.稳压电源：可以用于稳定电源电压，保持稳定的电力供应。
可控硅触发器的选用在选择可控硅触发器时，需要考虑以下因素：1.电路电压：触发器的额定电压需要与电路要求的电压匹配。
2.电路电流：触发器的额定电流需要与电路要求的电流匹配。
3.触发方式：在不同的应用场景下，可能需要不同的触发方式，例如由脉冲触发、由电压触发等。
4.频率范围：触发器需要适应所需控制的电路的频率范围。
5.可控硅触发器的稳定性要好，可以有效地保障系统的安全运行。
除此之外，还需要考虑一些其他条件，例如触发器的可靠性、功耗、成本等。
因此，选用可控硅触发器需要综合考虑以上因素，选择合适的触发器来提高系统的可靠性和稳定性。
总结可控硅触发器是一种重要的电子器件，在电力电子应用领域有着广泛的应用。
晶闸管可控硅阻容吸收元件的选择
晶闸管可控硅阻容吸收元件的选择TPMK standardization office【 TPMK5AB- TPMK08- TPMK2C- TPMK18】一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。
在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。
同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
可控硅电路选型分析
可控硅电路选型分析首先，可控硅的特性是选型的重要考虑因素之一、可控硅的主要特性包括触发电流、工作电压、电流传导能力、温度特性等。
触发电流是指可控硅正常导通所需的最低电流，该数值越小，控制电路的复杂性和成本也相应越低。
工作电压指的是可控硅能够承受的最大电压，选择合适的工作电压能够提高可控硅的稳定性和寿命。
电流传导能力是指可控硅正常导通时能够承受的最大电流，需根据具体需要选择合适的数值以确保电路的安全性和可靠性。
温度特性指的是可控硅导通特性随温度变化的情况，不同型号的可控硅在不同温度下工作时的性能可能会有所不同，需要根据具体工作条件选择合适的可控硅。
其次，根据电路要求选择合适的可控硅。
在选型过程中，需要根据电路的功率要求、触发方式、选通方式等因素来确定合适的可控硅。
功率要求是指电路需要承受的最大功率，根据该数值选择合适的可控硅功率等级。
触发方式是指可控硅导通的触发方式，常见的触发方式有正半周触发和双向触发等，根据具体的触发方式选择合适的可控硅。
选通方式是指可控硅在断电后是否需要外部干预才能继续导通，如果需要外部干预，则选择需要外界干预才能导通的可控硅。
最后，成本也是一个重要的选型因素。
不同型号的可控硅价格可能会有所不同，因此需要根据不同项目的经济实际情况来选择成本合适的可控硅。
此外，还需考虑可控硅的使用寿命、可靠性等方面的因素，以确保选型的可控硅符合项目的要求和预期寿命。
综上所述，可控硅的选型需要综合考虑其特性、电路要求和成本等因素。
选取合适的可控硅能够提高电路的性能和稳定性，降低电路的复杂性和成本，达到预期的电路效果。
在选型过程中，需要充分了解和评估可控硅的特性，并结合具体的电路要求和成本，做出最合适的选择。
可控硅替换原则
可控硅替换原则可控硅是一种常见的电子元件，在电子设备中起到控制电流的作用。
可控硅的特性使其在电路中具有广泛的应用，但是由于可控硅寿命有限且价格较高，因此在某些情况下需要使用可控硅的替代品。
在选择可控硅的替代品时，我们需要遵循一些原则，以确保替代品能够满足原件的要求。
以下是可控硅替换的原则。
1. 电气特性匹配：在选择可控硅的替代品时，首要原则是确保替代品的电气特性与原件相匹配。
这些特性包括最大额定电压、最大额定电流、触发电压和触发电流。
替代品的这些特性必须与原件的要求相一致，以确保替代品能够在电路中正常工作。
2. 尺寸和包装匹配：可控硅有不同尺寸和包装形式，如TO-220、TO-247等。
在替换可控硅时，需要选择具有相同尺寸和包装的替代品，以确保替代品能够适应原有的布局和连接。
3. 效率和功耗：替代品的效率和功耗也是需要考虑的因素。
如果替代品具有更高的效率和较低的功耗，那么它可能是一个更好的选择。
然而，需要注意的是，替代品的效率和功耗不能低于原件的要求，以免对电路的正常工作产生负面影响。
4. 可靠性和寿命：可控硅的寿命是有限的，因此在替换可控硅时需要考虑替代品的可靠性和寿命。
替代品应具有相似或更好的可靠性和寿命，以确保设备的长期稳定运行。
5. 成本：最后一个原则是成本。
可控硅的价格相对较高，因此在选择替代品时需要考虑成本因素。
替代品应具有合理的价格，并且在满足其他要求的前提下，尽量选择价格较低的替代品。
总结起来，可控硅替换有一定的原则，包括电气特性匹配、尺寸和包装匹配、效率和功耗、可靠性和寿命以及成本等因素。
在选择可控硅替代品时，需要尽量找到与原件相匹配的替代品，以确保电路的正常工作和设备的长期稳定运行。
在替换可控硅时，还应注意测试和验证替代品的性能，以确保其满足要求。
最终,在选择可控硅的替代品时需要综合考虑以上原则，并进行全面评估，以找到最佳的替代方案。
晶闸管可控硅阻容吸收元件的选择
一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。
同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF 选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2 Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值If----正向电流PR---- 电阻功率PfV--- 额定功率fc--- 不是符号！是f*c，就是频率*容值！阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
可控硅替换原则
可控硅替换原则
可控硅，是一种常见的半导体器件。
在电路中，可控硅通常用于控制交流电压，实现对电器的控制。
作为普及率较高的控制器件，可控硅十分常见。
但在某些应用中，可控硅的选取却有着一些讲究。
下面按照以下四点来探讨一下可控硅替换原则。
一、选取正弦波可控硅
正弦波可控硅，是一种常用且性能比较优秀的可控硅。
这类可控硅能够正常工作在电压与电流均为正弦波的情况下，所以在一些电路中具有广泛应用。
值得注意的是，正弦波可控硅的性能在非正弦波工况下可能会发生变化，因此在选用时需要注意工作状态。
二、优选高温可控硅
高温可控硅，如文字所示，能够在高温环境下正常工作。
相较于普通可控硅，高温可控硅在热稳定性上更为优秀。
另外，在一些对于耐高温性要求较高的应用场景，选用高温可控硅也是更加明智的选择。
三、注意交流电压负载
在选择可控硅时，需要注意交流电压负载情况。
负载较大时，可控硅的工作稳定性会受到一定的影响。
因此在负载较大的场景下，需要针对性地选择更加稳定性能更好的可控硅。
四、合理配置安装方式
即使选择了合适的可控硅，如果安装方式不正确也会影响其工作效果。
在安装可控硅时，需要注意散热效果和电路中的电阻等问题。
合理配
置可控硅的安装方式，可以在很大程度上提升可控硅的稳定性。
综上所述，可控硅在不同的应用场景下，选用的原则是不尽相同的。
在选购可控硅时，需要根据实际应用场景进行综合考虑。
只有选购适
合的可控硅，并且合理配置安装方式，才能确保其正常稳定的工作。
可控硅元件选型与使用
仪元公司可提供 SS 水冷系列和 SF 风冷系列以及各类非标及组件散热器 为元件配套
使用
根据元件通态额定平均电流推荐配置的标准型散热器型号见下表
元件通态额定平均电流
100A-200A 300A 400A 500A-600A 800A 1000A
推荐散热器型号
水冷
风冷
SS11
SF12
SS12
SF13 SF13 SF14
SS12 SS13
SF15
SS13
SF16
SS14
SF17
1000A-3000A
SS14
其中 SF 系列风冷散热器是指在强迫风冷(风速 6m/s)条件下的推荐配置 用户在使用
时应根据实际散热条件并考虑可靠性要求进行选择 对于 1000A 以上元件一般不推荐使用
风冷散热器 若使用风冷散热器 则元件额定电流需降额使用
m 平整度小于或等于 30 m 安装时元件台面与散热器台面应保持清洁干净无 油污等脏物 3 安装时要保证元件台面与散热器的台面完全平行 同心 安装过程中 要求通过元 件中心线施加压力以使压力均匀分布在整个接触区域 用户手工安装时 建议使用 扭矩扳手 对所有紧固螺母交替均匀用力 压力的大小要达到数据表中的要求 4 在重复使用水冷散热器时 应特别注意检查其台面是否光洁 平整 水腔内是否有 水垢和堵塞 尤其注意台面是否出现下陷情况 若出现了上述情况应予以更换
器直流输入电压为 Ud 功率因数为 cos 则
VDRM/RRM= 1.5-2 Ud / 2cos 2 元件的额定通态电流 IT AV
考虑到元件在较高频率下工作时 其开关损耗非常显著
元件的额定通态电流应按实
际流过其有效值 I 的 2-3 倍来考虑 即
可控硅元件的合理选用
１４ 门 极 参 数 ．
１ 性能 参 数 的计 算和 元件 的 选 用
１１ 额 定 通 态 平 均 电 流 ．
这是 一项基 本参 数 。可控硅 和 其他 电子 元件 一样 ， 定其 允许 决
门极 参 数包 括触 发 电流 和 触 发 电压 。因为 可控 硅 的 门
注 ： 指 整流变压器次级输 出的交流电压 ； 代表 电感 负载 指代有 续流二极
管 的 电路 。
（ 在要 求 较 高的 单相 或三 相 全控 桥 可逆 系 统 中 ， ２ ） 大多 数采 用 由晶体 管组 成的 正弦波 或锯 齿波垂 直移相 的触 发 电路。 类触 发 电 这 路 可获得 宽脉 冲 ， 出功 率大 。 此 ， 输 为 我们 在使 用额 定 电流 １０ 以 ０Ａ 上 的 可控硅 元 件 时 ， 触 发 电路输 出电流 、 其 电压参 数 应 比可 控硅 元 件 的 门极 触 发 电流、 电压参 数 （ 出厂值 范 围） ２ 倍 ， 需要注 意 大 ～３ 但 其触 发 电路 的限定值 。 （） 多只 可控 硅 串 、 ３用 并联 工作 的 大功 率设 备 中通 常 采用 强 触 发 脉冲 电路 ， 也有 用 小功 率可 控硅 放 大脉 冲信 号 ， 它们 的优 点是 触 发 功率 大 ， 获得 宽脉 冲 、 可 工作 可 靠 。 选可 控 硅元 件 时 ， 了注 意 挑 除 Ｖ、 等值 外 ， 还要 注 意 门极 的触发 电流 、 电压 值均 应 在所 使 用
要求 可 以归 纳 为 ：
（）适用于单相小功率可控硅设备中阻容或阻感形式 的触发 １
电路 ， 在单 相 、 或 三相 半控 桥 线路 获 得广 泛应 用 的单 结 晶体 管触 发
可控硅参数要求范文
可控硅参数要求范文可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种重要的电子器件，常用于电能调节、交流电流控制、直流电流开关等应用领域。
在实际应用中，选择合适的可控硅参数十分重要，下面将从可控硅的额定值、电流电压特性、灵敏度等方面进行详细介绍。
首先，我们来看可控硅的额定值。
可控硅的额定电容、功率、电流、电压、温度等参数需符合特定的要求，这样才能确保器件的稳定工作。
额定电容表示可控硅的电容容量，通常以微法（μF）为单位，用于描述可控硅的快速开关特性；额定功率指的是可控硅能够承受的最大功率，通常以瓦特（W）为单位，这对于应用中的功率分配和保护电路设计非常重要；额定电流表示可控硅的最大可管理电流，通常以安培（A）为单位，使用中应确保电流不超过额定电流；额定电压指的是可控硅所能承受的最大电压，通常以伏特（V）为单位，不能超过额定电压以保证器件的稳定运行；额定温度是指可控硅能够正常工作的最高温度，通常以摄氏度（℃）为单位，在使用中应控制温度，避免过热引起电压漂移和损坏等现象。
其次，可控硅的电流电压特性也是一个重要的参数。
可控硅的电流电压特性包括导通特性和关断特性。
导通特性指的是在可控硅的触发电流作用下，电流从阳极流向阴极的特性。
常见的导通特性参数有导通压降、导通电阻等；关断特性指的是在可控硅的关断条件下，电流完全截断的特性。
常见的关断特性参数有关断电流、关断时间等。
这些特性对于实际应用中的开关动作和稳定性都非常重要，应根据具体应用需求选择适合的可控硅参数。
再次，可控硅的灵敏度也是选型时需要考虑的因素之一、灵敏度指的是器件触发电流与晶闸管可控电流之间的比值。
灵敏度越高，则晶闸管在低电流条件下就能够触发，适应性更强。
选择灵敏度合适的可控硅，可以提高开关性能，减少触发电流的损耗，降低功耗和成本。
最后，还有一些其他的可控硅参数也需要考虑。
比如器件的开启时间、关断时间、峰值电流、功率转换效率等。
可控硅元件选型与使用
可控硅元件选型与使用首先，在选型可控硅元件时需要考虑其电气参数。
主要包括额定电流（IR），额定电压（VR），触发电流（IH），阻断电压（VDRM/VRRM）和耐冲击电流（ITSM）等。
这些电气参数决定了可控硅元件能承受的电流和电压范围。
根据实际电路的要求，选择合适的电气参数，避免超过可控硅元件的额定工作范围。
其次，需要考虑可控硅元件的封装类型。
常见的封装类型有TO-220、TO-247、TO-126等。
不同的封装类型具有不同的散热能力和安装方式。
在设计电路时，需要根据可控硅元件的功率损耗和散热要求来选择合适的封装类型，以确保可控硅元件能在正常工作温度下运行。
此外，还要考虑可控硅元件的响应速度和触发方式。
可控硅元件触发方式有电压触发和电流触发两种。
根据具体需求，选择合适的触发方式，并确保可控硅元件的响应速度能满足电路的要求。
如果需要快速切断电流，可以选择具有高响应速度的可控硅元件。
在使用可控硅元件时，还需要注意以下几点。
首先，要合理布置电路，避免可控硅元件直接暴露在高温环境或有害环境中，以防止可控硅元件过热或受到损坏。
其次，要防止可控硅元件在超过其额定电流或电压的情况下工作，以避免引起元件的热击穿或击穿，造成设备事故或故障。
同时，要注意可控硅元件的散热，合理选择散热器，确保可控硅元件能够在正常工作温度下运行。
可控硅元件的工作温度过高会导致其损坏或寿命缩短。
此外，还要注意可控硅元件的触发信号的保护。
在触发可控硅元件时，要确保触发信号的电压和电流不超过其额定值，以防止元件受到损坏。
最后，要定期检查和维护可控硅元件，及时更换老化或损坏的元件，以确保电路的正常工作和稳定性。
综上所述，可控硅元件的选型和使用需要考虑其电气参数、封装类型、响应速度和触发方式等因素。
同时，还要注意电路的布局、额定电流和电压、散热、触发信号的保护以及定期检查和维护等问题。
只有正确选型和使用可控硅元件，才能保证电路的正常工作和可靠性。
双向可控硅调压电路元器件的选择
双向可控硅（bidirectional controlled silicon, BCR）调压电路是一种常见的电子调压电路，它能够实现直流电压的调节和控制。
在设计双向可控硅调压电路时，选择合适的元器件对于电路的性能和稳定性至关重要。
本文将针对双向可控硅调压电路元器件的选择进行详细讨论。
一、双向可控硅双向可控硅是一种半导体器件，具有双向触发功能，能够进行正、负向的电压调节。
它的主要特点包括触发电压低、响应速度快、耐绝缘能力强等。
在双向可控硅调压电路中，合适的双向可控硅能够有效提高电路的稳定性和可靠性。
二、双向可控硅调压电路元器件的选择1. 双向可控硅在选择双向可控硅时，需要考虑其额定电压和电流、触发电压、耐压能力等参数。
一般来说，选择额定电压和电流略大于实际需要的数值，以确保电路能够正常工作并具有一定的过载能力。
2. 电容器电容器在双向可控硅调压电路中起着滤波和稳压的作用。
选择电容器时，需要考虑其电压等级、容量、频率响应等参数。
合适的电容器能够减小电路的波纹电压和干扰，提高电路的稳定性。
3. 电感电感也是双向可控硅调压电路中常用的元器件之一，主要用于滤波和能量存储。
选择电感时，需要考虑其电流、电感值、耐压能力等参数。
合适的电感能够减小电路的电磁干扰和输出波纹，并提高电路的效率。
4. 整流二极管整流二极管用于将交流电转换为直流电，并起着保护电路的作用。
在选择整流二极管时，需要考虑其额定电压、电流、反向漏电流等参数。
合适的整流二极管能够有效减小功率损耗和提高电路的效率。
5. 电阻电阻用于限流和分压，是双向可控硅调压电路中不可或缺的元器件。
在选择电阻时，需要考虑其阻值、功率、稳定性等参数。
合适的电阻能够确保电路的稳定性和安全性。
6. 负载负载是双向可控硅调压电路中直接影响输出性能的元器件，包括电机、灯泡、电炉等。
在选择负载时，需要考虑其功率、阻抗、响应速度等参数。
合适的负载能够确保电路的输出稳定并能够适应不同的工作环境。
晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容及阻容元件的选择
晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容及阻容元件的选择一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。
在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。
同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
可控硅的挑选方法
一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极A与阴极B间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。
三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R×1k或R×10k 挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。
反向阻值应很大，但不能为无穷大。
可控硅元件的合理选用
可控硅元件的合理选用1.3 通态平均电压(简称正向压降)Vr这项参数是可控硅的质量指标之一，因为流过可控硅的正向电流与正向压降的乘积就是可控硅由阻断到导通、导通到阻断的过程中总损耗的主要部分。
同样电流下正向压降越小则损耗越小，可控硅的温升也越小。
这个对于大容量的可控硅整流器而言更不容忽视从减少可控硅损耗和发热的观点出发，应尽可能选择正向压降较小的。
可控硅正向平均压降，是生产厂根据合格的型式实验而自行规定的，一般在0.5～1.2V范围内。
对多只可控硅并联使用的线路中，每桥臂的可控硅正向压降值要选配的基本一致，以相差不超过4-0.5V为宜。
1.4 门极参数门极参数包括触发电流IGT和触发电压VGT。
因为可控硅的门极参数分散性很大，所以在选用可控硅时，必须根据触发电路的特点进行合理挑选。
若选用IGT、VGT偏小的元件，则容易受外界干扰而触发，反之则难以触发。
此外，可控硅的门极参数还受到外界环境温度的影响，当温度增加，IGT、VGT会显著降低，温度下降会骤然增大。
不同容量、不同用途的可控硅设备，其触发回路也各不相同。
目前，常用的几种触发电路对选择可控硅门极参数所提出的具体要求可以归纳为：(1)适用于单相小功率可控硅设备中阻容或阻感形式的触发电路，或在单相、三相半控桥线路获得广泛应用的单结晶体管触发电路，此类触发电路输出功率小、脉冲宽度窄、线性度差，一般使用于KP-50型以下的可控硅。
应选择IGT≤30mA、VGT≤1.2v的可控硅元件，但是门极参数也不能选得太小，否则抗干扰能力差，易发生误触发。
(2)在要求较高的单相或三相全控桥可逆系统中，大多数采用由晶体管组成的正弦波或锯齿波垂直移相的触发电路。
这类触发电路可获得宽脉冲，输出功率大。
为此，我们在使用额定电流100A以上的可控硅元件时，其触发电路输出电流、电压参数应比可控硅元件的门极触发电流、电压参数(出厂值范围)大2～3倍，但需要注意其触发电路的限定值。
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可控硅元件的合理选用
1.3 通态平均电压(简称正向压降)Vr
这项参数是可控硅的质量指标之一，因为流过可控硅的正向电流与正向压降的乘积就是可控硅由阻断到导通、导通到阻断的过程中总损耗的主要部分。
同样电流下正向压降越小则损耗越小，可控硅的温升也越小。
这个对于大容量的可控硅整流器而言更不容忽视
从减少可控硅损耗和发热的观点出发，应尽可能选择正向压降较小的。
可控硅正向平均压降，是生产厂根据合格的型式实验而自行规定的，一般在0.5～1.2V范围内。
对多只可控硅并联使用的线路中，每桥臂的可控硅正向压降值要选配的基本一致，以相差不超过4-0.5V为宜。
1.4 门极参数
门极参数包括触发电流IGT和触发电压VGT。
因为可控硅的门极参数分散性很大，所以在选用可控硅时，必须根据触发电路的特点进行合理挑选。
若选用IGT、VGT偏小的元件，则容易受外界干扰而触发，反之则难以触发。
此外，可控硅的门极参数还受到外界环境温度的影响，当温度增加，IGT、VGT会显著降低，温度下降会骤然增大。
不同容量、不同用途的可控硅设备，其触发回路也各不相同。
目前，常用的几种触发电路对选择可控硅门极参数所提出的具体要求可以归纳为：
(1)适用于单相小功率可控硅设备中阻容或阻感形式的触发电路，或在单相、三相半控桥线路获得广泛应用的单结晶体管触发电路，此类触发电路输出功率小、脉冲宽度窄、线性度差，一般使用于KP-50型以下的可控硅。
应选择IGT≤30mA、VGT≤1.2v的可控硅元件，但是门极参数也不能选得太小，否则抗干扰能力差，易发生误触发。
(2)在要求较高的单相或三相全控桥可逆系统中，大多数采用由晶体管组成的正弦波或锯齿波垂直移相的触发电路。
这类触发电路可获得宽脉冲，输出功率大。
为此，我们在使用额定电流100A以上的可控硅元件时，其触发电路输出电流、电压参数应比可控硅元件的门极触发电流、电压参数(出厂值范围)大2～3倍，但需要注意其触发电路的限定值。
(3)用多只可控硅串、并联工作的大功率设备中通常采用强触发脉冲电路，也有用小功率可控硅放大脉冲信号，它们的优点是触发功率大，可获得宽脉冲、工作可靠。
挑选可控硅元件时，除了注意Vr、VRM、Vl 等值外，还要注意门极的触发电流、电压值均应在所使用触发电路输出功率范围内，各元件的开通时间还要基本一致。
1.5 维持电流IH和擎住电流IL
IH、IL是可控硅在触发导通过程中2个不同的物理量。
通常只有IH作为可控硅出厂参数，选用时应注意这一点。
IH、IL的大小与结温有关，即温度越高2个参数值越小，反之越大。
一般可控硅的IL=(3～5)IH。
因为可控硅电路的负载特性对可控硅元件的工作影响很大，所以IH、IL这2个量不容忽视。
例如对于电感性负载，电路的基本特点是电流变化滞后于电压的变化。
因此应选用维持电流大一些的可控硅元件，否则移相控制作用可能失效，造成失控(可控硅导通后不能关断)，一般的中小型可控硅直流传动设备中，使用KP20、KP50时，IH应取≥8mA；使用KPIO0、KP200时，IH应取≥20mA。
大容量整流设备中使用KP500、KP800时，IH应取≥40mA。
在逆变器和直流斩波器中，可控硅能否跟随一定频率的触发脉冲可靠地开通、关断，是电路正常工作的根本保证。
例如一些恒电位电源设备，为使元件在较小阳极电流下也能正常导通，在选用KP20、KP50时，应选择IH≤3mA为宜。
否则就要影响电路的工作性能，并潜伏着可控硅遭受击穿的危险。
2 使用和检测维修中应注意的事项
(1)对于连续运行的大功率可控硅设备，对可控硅的稳定性要求很高。
为此，额定电流It的值安全系数应取自身额定电流的3～4倍，额定电压值的安全系数应取自身额定电压VRM的3～5倍。
(2)虽然可控硅具有很多优点，但它的电流、电压容量有限，而且过载能力也差，所以使用可控硅时应有过电流、过电压吸收保护装置，以及采取限制电压上升和电流上升的措施。
(3)由于可控硅各项参数都与温度有很大关系，所以可控硅工作环境要符合规定的冷却散热条件。
如果将原规定为风冷型的可控硅改为自然冷却时，那么允许通过的电流值只能是该可控硅额定电流It的30％左右。
同样，工作环境温度超过+40℃时或冷却条件低于规定要求时，选用的可控硅的额定电流It也应比计算值适当大一些。
(4)现场维修中，测试可控硅基本参数的最简便的检测方法是用万用表和示波器。
使用时必须注意，不能用万用表的高阻挡检测可控硅门极与阴极的阻值，以免门极的PN结被击穿短路。
用示波器，则可以直观读取可控硅各参数的数值，便于掌握质量的优劣。
还应特别注意维修中严禁使用兆欧表检查可控硅的绝缘性能，防止兆欧表检测电压过高击穿PN结。
3 结语
可控硅整流装置不论在电力系统，还是在现代工业的各行各业中已得到广泛应用。
可控硅整流装置要安全运行除合理选用外，还必须要有可靠的保护措施。
限流、过流保护在可控硅整流装置中的不断完善，会使整流装置运行起来更加安全可靠。