电子科技大学微电子08年复试问题

我考电子科大的微电子，很幸运的，我被录取了。能被录取应该也是很惊险的，复试线348，我刚好370。下午在录取名单上看到我的名字高兴得不得了，结果当场就被押到饭店请客去了，呵呵。

我前后共参加了3场面试，第一轮是笔试前一天的下午，四个面试官，有一个是导师，其他三个好象是博士，我从他们口气中猜的。NND，上来先问我初试考什么，我说是数模电，接下来问一句，半导体物理学过吧。我挺老实的告诉他，学过。然后又问我研究生想做什么，我说想做功率器件，这下好了。。劈头盖脸的全是半导体和晶体管原理的东西。先问啥叫CMOS，然后叫我画电路图出来，娘的这是大三集成电路里面的，哪儿还记得。然后又让我画CMOS泊面图，这是工艺部分的，还有点印象，画出来又问工艺怎么形成的，我晕死，这哪儿记得啊。后来问半导体的从PN结的形成到什么能带图，禁带跃迁，到最后内建电场分布图。没把我压死。。。

第二天，笔试电路分析，挺简单的，我四十分钟搞定了。翻来覆去检查了几十遍，最后自己看到都想吐了。下午是正式面试了，抽三道题，然后回答。我第一道抽到解释扩散长度，晕死，虽然老用这词，让我解释我还真不知道标准答案，随便扯了一下，错了！第二道，解释发射极电流对特征频率的影响，我只觉得两眼一黑，这是晶体管的内容啊，只是个忘了啊！没办法，下一道，CMOS电路特点，总算抽到个会的了，后来又问了我两个初试科目的问题，一个数电一个模电，这要再答不上就别混了。。。哎，表现太郁闷了。

第三轮是要收你的导师再面，晕啊，太紧张了，会的都脱口说不会，靠！问的什么lantch-up效应，知道有但不知道内容，还有反相器之类的，太多了，记不清了。反正多数不会。。。。

总结起来，主要是问三门，半导体物理，晶体管原理，集成电路。还有些工艺的内容和初试的问题，那三门要象初试一样学习！问的超详细！我就是没仔细看，死得好惨的，最后被录取了估计是老师看我会扯，学习能力强，呵呵。还有不要对老师撒谎，不会就说不会。好了就说这么多，希望对考微电子的师弟师妹们有帮助。

我所知道的微电子复试

(2010-04-06 20:37:10)转载

标签：杂

谈

记得去年复试之前，有位学姐在考研交流板块发了一篇关于复试经验的帖子，对我的复试有很大帮助，下面我把我去年复试的体

会也写出来，希望对参见微电子复试的学弟学妹们有所帮助

关于笔试，笔试是微电子概论（郝跃主编）和模拟电子技术（孙肖子主编）二选一，笔试时，会发一套卷子，里面有模电和微电子概论，

任选一门，可以先看看题，觉得哪个简单就做哪个（当然，这需要你做两手准备时才有可能）

下面是07年到09年这三年的微电子概论的笔试真题，可以看出基本有一半的题属于书上最简单的知识，当然还有将近15%可能是

书上没有的，所以微电子概论一般都在70多分

07年微电子概论复试题

（一共6道大题，满分100分，4月9日19：30～21：00）

1，什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？

2，简述晶体管的直流工作原理。

3，简述MOS场效应管的工作特性。

4，CMOS电路的基本版图共几层，都是哪几层？再描述一下COMS工艺流程。

5，专用集成电路的设计方法有哪些？它们有什么区别？

6，影响Spice软件精度的因素有哪些？

08年微电子复试题

1.半导体内部有哪几种电流？写出电流计算公式。

2.晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？

3.经过那些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。

4.双极ic和mos ic的隔离有何不同？

5.rom有那些编程结构？各有和特点？

6.画出稳压电路的结构图，解释工学原理。

09年微电子复试题

1.pn结的寄生电容有几种，形成机理，对pn结的工作特性及使用的影响？15'

2.什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？15'

3.CMOS集成电路设计中，电流受哪些因素影响？15'

4.CMOS集成电路版图设计中，什么是有比例设计和无比例设计，对电学参数有哪些影响？15'

5.画出集成双极晶体管和集成MOSFET的纵向剖面图，并说明它们的工作原理的区别？20'

6.对门电路而言，高电平噪声容限和低电平噪声容限受哪些因素影响？20'

对于模拟电子技术，有填空和计算两种题型，相对而言，要进行计算和电路分析的比较多，难度一般并不大，主要是张进成老师上课的重点和期末考试的重点，所以考模电可能会考比较高的分数，但相对微电子概论，复习起来可能会比较麻烦

笔试完后，第二天就是面试，关于面试，主要在于回答专业课的问题，一般来说，专业课的问题都出自模电和微电子概论

我简单说一下郝跃课题组去年的情况，抽两道题，一道英语题（一般是与专业知识无关的英语问题），再就是

一道专业题（一般出自于模电或是微电子概论），有2分钟左右的准备时间，然后开始回答，回答完之后，有时面试就直接结束，有时可能问题会有扩展，再多问几道专业问题，之后面试就结束了，听力基本没有涉及，至于其他课题组，不太了解，但据说问的问题会多一些，但基本也出自模电或是微电子概论，一般认为，专业问题要比英语更重要，直接决定面试老师对你的印象

下面引用一下好网上网友给出的部分去年面试真题

专业课面试

1. 齐纳击穿与雪崩击穿的原理和区别

2. 什么是有比例设计与无比例设计，其影响参数

3. 高低电平噪声影响的参数

4. 多级放大器的耦合方式及优缺点

5. 什么是线性电源

6. 直流电源的原理及构成

7. PN节的两种电容的机理。

8. PN节有哪几种击穿？各自的机理及击穿曲线的特点？

9. 简述CMOS的工艺流程，几层版图？

10. 影响Spice软件精度的因素有哪些？

11. 半导体中载流子的两种运动。

12. 模拟集成运算放大器的组成和性能。

13. 四探针法测电阻的原理。

14. 共价键和金刚石结构晶体

15. 什么是共价键(有什么特点)

16. 半导体的导电原理,导电机构

17. ROM和RAM的工作原理

18. 晶体管与MOS管隔离的区别

19. N沟耗尽型MOSFET工作原理？

20. 集成运算放大器的基本组成？有哪些参数？

21. CAD的含义与作用

22. 现在CAD软件模拟与数字谁更好及原因

23. 半导体及金属导电的原理

24. 半导体及金属禁带宽度

25. cmos有那几种有源寄生效应，有什么影响？

26. 晶体三极管工作的三种组态以及它们的应用场合？

27. 说出几种可编程ROM的原理及优缺点。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。