《集成电路版图设计》课件(第二章)

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2、一种快速输入单 元逻辑的方法:
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3、单元的宽长比设 置原则——最常见 宽长比的设置
逻辑图中每一 个管子宽长比 的设置
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3、单元的宽长 比设置原则— —最常见宽长 比的设置(续)
单元符号的建立和 Label的设置
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第一部分、D508项目逻辑图的准备
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一、逻辑图输入工具启动
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主菜单栏:
1)File菜单 2)Tools(工具)菜单 3)Options菜单
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基于Cadence系统的 全定制版图设计基础 二、一个传输门逻辑图及符号的输入流程 1、建立逻辑库:
三种工艺 文件的使 用
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逻辑库的管理1: 库路径编辑器
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逻辑库的管理2: 库管理器
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逻辑库 的管理3: 库路径 信息文 件cds.lib
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3、单元的宽长比 设置原则——其它 宽长比的设置
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4、D508项目所有的单元
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四、D508项目总体逻辑图
百度文库
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3、传输门符号的建立:
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传输门符号的建立通常分成自动产生再加上人工修改优化两个步骤。
自动产生:
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3、传输门符号的建立(续):
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人工优化:
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基于Cadence系统的 全定制版图设计基础 三、D508项目单元逻辑图的准备: 1、单元逻辑图输入的经验总结:
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数字部分
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四、D508项目总体逻辑图
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模拟部分
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第二部分、D508项目版图输入准备
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一、设计规则准备
每一个单元都有schematic、symbol两个最重要的属性 在进行单元逻辑输入时要有嵌套的概念 单元名称、引脚名称一定要规范 器件可以从已有库中拷贝到用户建立的逻辑库中 建单元时在逻辑编辑工具中把端口名称显示出来 尽量使用已有库中的内容
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三、显示文件准备(续)
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Display Resource Editor 窗口:
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方式二:选择Attach
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三、显示文件准备
LSW窗口:
nwell是N 阱,PMOS管做在N阱中; ndiff是N型扩散区,也叫N型有源区(active),用来做NMOS管; pdiff是P型扩散区,也叫P型有源区,用来做PMOS管; nimp是N型扩散区注入层; pimp是P型扩散区注入层; poly是多晶层,主要用来做管子的栅极; cont是接触孔contact; metal1是一铝层; via1是一铝层和二铝层之间的连接孔,称为通孔; metal2是二铝层; pad是压焊点所在的层; 其它还包括一些特殊器件上的标识层等等
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一、设计规则准备(续)
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D508项目的主要设计规则
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二、工艺文件准备
方式一:选择New
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方式一(续):
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2)逻辑图输入 添加管脚
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3)元件参数设置
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pmos4元件的主要参数:
Model name:器件模型名称; Multiplier:乘数因子; Width:沟道宽度; Length:沟道长度; Drain diffusion area:漏区面积; Source diffusion area:源区面积; Drain diffusion periphery:漏区周长; Source diffusion periphery:源区周长; Drain diffusion res squares:漏区电阻方块; Source diffusion res squares:源区电阻方块。
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基于Cadence系统的 全定制版图设计基础 2、传输门逻辑图的输入和参数设置:
1)逻辑图输入界面
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2)逻辑图输入 放置元件
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2)逻辑图输入 元件之间的连线
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4)逻辑图输入完成后的检查
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从Design菜单当中选择Check and Save, 会显示错误(errors)或者警告(warnings) 的数量。若有错误或者警告,则会在逻辑 图上相应的地方显示一个黄色的叉号,并 且高亮(HighLight)显示。
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