工艺流程相关知识
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HBT工艺和BiCMOS工艺，SOI材料的CMOS工艺， GaAs基/InP基的MESFET工艺、HEMT工艺和HBT工 艺等。目前应用最广泛的特定工艺是CMOS工艺。 在CMOS工艺中，又可细分为DRAM工艺、逻辑工 艺、模拟数字混合集成工艺，RFIC工艺等。
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4.2 双极型集成电路的基本制造工艺
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双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（8）第六次光刻——金属化内连线光刻 反刻铝形成金属化内连线后的芯片复合图及剖面图如图。
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4.3 MESFET工艺与HEMT工艺
❖ MESFET是第一代GaAs晶体管 类型和工 艺标识，是 GaAs 单片集成电路技术的 基础，现在是 GaAs VLSI 的主导工艺。
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MESFET工艺
Source Metallization
Gate
Metallization
Gatelength Channel
Drain Metallization Epitaxial Active Layer
S.i. GaAs Substrate
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MESFET工艺
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4.1 引言
所谓 特定工艺，常常是指以一 种材料为衬底、一种或几种类型的晶 体管为主要的有源器件；辅以一定类 型的无源器件；以特定的简单电路为 基本单元；形成应用于一个或多个领 域中各种电路和系统的工艺。
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特定工艺
这些特定工艺包括： 硅 基 的 双 极 型 工 艺 、 CMOS 、 BiCMOS 、 锗 硅
在双极型集成电路的基本制造工艺中， 要不断地进行光刻、扩散、氧化的工作。
典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺 流程图如下图所示。
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典型PN结隔离掺金TTL电路工艺流程图
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
（1）衬底选择 对于典型的PN结隔离双极集成电路，衬底
一般选用 P型硅。芯片剖面如图。
（2）由于肖特基势垒的耗尽区延伸进入有源层， 使得沟道的厚度变薄。根据零偏压情况下沟道夹 断的状况，可形成两种类型的MESFET：增强型 和耗尽型。
对于增强型MESFET，由于内在电势形成的 耗尽区延伸到有源区的下边界， 沟道在零偏压 情况下是断开的。而耗尽型MESFET的耗尽区只 延伸到有源区的某一深度，沟道为在零偏压情况 下是开启的。
隔离扩散孔的掩模版图形及隔离扩散后 的芯片剖面图如图所示。
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双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（5）第三次光刻——P型基区扩散孔光刻
基区扩散孔的掩模版图形及基区扩散后的芯片
剖面图如图所示。
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双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（6）第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻
从上表面引出第一次光刻的掩模版图 形及隐埋层扩散后的芯片剖面见图。
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
（3）外延层淀积 外延层淀积时应该考虑的设计参数主要有：
外延层电阻率ρepi和外延层厚度Tepi。外延
层淀积后的芯片剖面如图。
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
此次光刻还包括集电极、N型电阻 的接触孔和外延层的反偏孔。
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第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻
N+发射区扩散孔的掩模图形及N+发射区 扩散后的芯片剖面图如图所示。
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双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（7） 第五次光刻——引线接触孔光刻 此次光刻的掩模版图形如图所示。
（4）第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻
隔离扩散的目的是在硅衬底上形成许 多孤立的外延层岛，以实现各元件间的 电隔离。
目前最常用的隔离方法是反偏PN结 隔离。一般P型衬底接最负电位，以使隔 离结处于反偏，达到各岛间电隔离的目 的。
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第 二 次 光 刻 ——P+ 隔 离 扩 散 孔 光 刻
上次课内容
❖ 第3章 集成电路工艺简介
3.1 引言
3.2 外延生长工艺
3.3 掩模的制版工艺
3.4 光刻工艺
3.5 掺杂工艺
3.6 绝缘层形成工艺
3.7 金属层形成工艺
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本次课内容
❖ 第4章 集成电路特定工艺
4.1 引言 4.2 双极型集成电路的基本制造工艺 4.3 MESFET工艺与HEMT工艺 4.4 CMOS集成电路的基本制造工艺 4.5 BiCMOS集成电路的基本制造工艺
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
（2）第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻
一般来讲，由于双极型集成电路中各 元器件均从上表面实现互连，所以为了减
少寄生的集电极串联电阻效应，在制作
元 器 件 的 外 延 层 和 衬 底 之 间 需 要 作 N+ 隐 埋层。
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第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻
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MESFET工艺
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（3）在栅极加电压，内部的电势就会被增强或减 弱，从而使沟道的深度和流通的电流得到控制。 作为控制端的栅极对MESFET的性能起着重要 的作用。
由于控制主要作用于栅极下面的区域，所以， 栅长即栅极金属层从源极到漏极方向上的尺寸， 是MESFET技术的重要参数。
❖ HEMT工艺是最先进的GaAs集成电路工 艺。
❖ MESFET和HEMT两者的工作原理和工 艺制造基础基本相同。
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MESFET工艺
❖ 下图将示出GaAs MESFET的基本结 构 。 在 半 绝 缘 (Semi-isolating ， s.i.)GaAs衬底上的N型GaAs 薄层为有 源层。这一层可以采用液相外延(LPE)、 汽相外延(VPE)或分子束外延(MBE)三 种外延方法沉积形成，也可以通过离 子注入形成。
（1）有源层上面两侧的金属层通常是金
锗合金, 通过沉积形成, 与有源层形成
源极和漏极的欧姆接触。这两个接触区
之间的区域定义出有源器件, 即MESFET
的电流沟道。MESFET通常具有对称的源 漏结构。沟道中间区域上的金属层通常
是金或合金, 与有源层形成栅极的肖特
基接触。
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4.2 双极型集成电路的基本制造工艺
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双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（8）第六次光刻——金属化内连线光刻 反刻铝形成金属化内连线后的芯片复合图及剖面图如图。
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4.3 MESFET工艺与HEMT工艺
❖ MESFET是第一代GaAs晶体管 类型和工 艺标识，是 GaAs 单片集成电路技术的 基础，现在是 GaAs VLSI 的主导工艺。
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MESFET工艺
Source Metallization
Gate
Metallization
Gatelength Channel
Drain Metallization Epitaxial Active Layer
S.i. GaAs Substrate
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MESFET工艺
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4.1 引言
所谓 特定工艺，常常是指以一 种材料为衬底、一种或几种类型的晶 体管为主要的有源器件；辅以一定类 型的无源器件；以特定的简单电路为 基本单元；形成应用于一个或多个领 域中各种电路和系统的工艺。
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特定工艺
这些特定工艺包括： 硅 基 的 双 极 型 工 艺 、 CMOS 、 BiCMOS 、 锗 硅
在双极型集成电路的基本制造工艺中， 要不断地进行光刻、扩散、氧化的工作。
典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺 流程图如下图所示。
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典型PN结隔离掺金TTL电路工艺流程图
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
（1）衬底选择 对于典型的PN结隔离双极集成电路，衬底
一般选用 P型硅。芯片剖面如图。
（2）由于肖特基势垒的耗尽区延伸进入有源层， 使得沟道的厚度变薄。根据零偏压情况下沟道夹 断的状况，可形成两种类型的MESFET：增强型 和耗尽型。
对于增强型MESFET，由于内在电势形成的 耗尽区延伸到有源区的下边界， 沟道在零偏压 情况下是断开的。而耗尽型MESFET的耗尽区只 延伸到有源区的某一深度，沟道为在零偏压情况 下是开启的。
隔离扩散孔的掩模版图形及隔离扩散后 的芯片剖面图如图所示。
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双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（5）第三次光刻——P型基区扩散孔光刻
基区扩散孔的掩模版图形及基区扩散后的芯片
剖面图如图所示。
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双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（6）第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻
从上表面引出第一次光刻的掩模版图 形及隐埋层扩散后的芯片剖面见图。
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
（3）外延层淀积 外延层淀积时应该考虑的设计参数主要有：
外延层电阻率ρepi和外延层厚度Tepi。外延
层淀积后的芯片剖面如图。
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
此次光刻还包括集电极、N型电阻 的接触孔和外延层的反偏孔。
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第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻
N+发射区扩散孔的掩模图形及N+发射区 扩散后的芯片剖面图如图所示。
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双极型集成电路的基本制造工艺步骤
（7） 第五次光刻——引线接触孔光刻 此次光刻的掩模版图形如图所示。
（4）第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻
隔离扩散的目的是在硅衬底上形成许 多孤立的外延层岛，以实现各元件间的 电隔离。
目前最常用的隔离方法是反偏PN结 隔离。一般P型衬底接最负电位，以使隔 离结处于反偏，达到各岛间电隔离的目 的。
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第 二 次 光 刻 ——P+ 隔 离 扩 散 孔 光 刻
上次课内容
❖ 第3章 集成电路工艺简介
3.1 引言
3.2 外延生长工艺
3.3 掩模的制版工艺
3.4 光刻工艺
3.5 掺杂工艺
3.6 绝缘层形成工艺
3.7 金属层形成工艺
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❖ 第4章 集成电路特定工艺
4.1 引言 4.2 双极型集成电路的基本制造工艺 4.3 MESFET工艺与HEMT工艺 4.4 CMOS集成电路的基本制造工艺 4.5 BiCMOS集成电路的基本制造工艺
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
（2）第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻
一般来讲，由于双极型集成电路中各 元器件均从上表面实现互连，所以为了减
少寄生的集电极串联电阻效应，在制作
元 器 件 的 外 延 层 和 衬 底 之 间 需 要 作 N+ 隐 埋层。
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第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻
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MESFET工艺
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（3）在栅极加电压，内部的电势就会被增强或减 弱，从而使沟道的深度和流通的电流得到控制。 作为控制端的栅极对MESFET的性能起着重要 的作用。
由于控制主要作用于栅极下面的区域，所以， 栅长即栅极金属层从源极到漏极方向上的尺寸， 是MESFET技术的重要参数。
❖ HEMT工艺是最先进的GaAs集成电路工 艺。
❖ MESFET和HEMT两者的工作原理和工 艺制造基础基本相同。
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MESFET工艺
❖ 下图将示出GaAs MESFET的基本结 构 。 在 半 绝 缘 (Semi-isolating ， s.i.)GaAs衬底上的N型GaAs 薄层为有 源层。这一层可以采用液相外延(LPE)、 汽相外延(VPE)或分子束外延(MBE)三 种外延方法沉积形成，也可以通过离 子注入形成。
（1）有源层上面两侧的金属层通常是金
锗合金, 通过沉积形成, 与有源层形成
源极和漏极的欧姆接触。这两个接触区
之间的区域定义出有源器件, 即MESFET
的电流沟道。MESFET通常具有对称的源 漏结构。沟道中间区域上的金属层通常
是金或合金, 与有源层形成栅极的肖特
基接触。
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