常用的电流源电路

i
g
e
R
n
U
则由图3—35(a)可知
若
，则
，I O 犹如是I R 的镜像，所以此电路称为镜像电流源或电流镜。

图3—35（a）所示电流源的伏安特性如图3—35（b）所示。

为了保证电流源具有恒流特管必须工作在放大区，即U CE2>U BE2»0.7V(在图中A 、B
电流源输出端对地之间的直流等效电阻 U
n e
（3
所以式(3—94)可近似为
(3显见，改变R 的比值，故这种电路称为比例电流源。

在集成电路中，实现比例电流源的方法可通过改 T 1、、T 2）所示。

因为晶体管发射极电流与发射区面积成正比，即晶体管发射极电流可表示为
式中，W 是基区宽度；管子的b 足够大，则有
若取S E2=2S E1(图中用双发射极表示I o =2I R
U
i s
t e
r e
d
3.微电流源(Widlar电流源)
在集成电路中,为了提供微安量级的恒定偏流,常采用图3—37所示的微电流源电路.
显见, 将图3—36（a ）中的电阻R 1短路，便构成了微电流源。

由图可知
由式（3—93），并考虑到两管参数一致，即I ES1=I ES2,所以
上式可近似表示为
（3—96）
上式是一个超越方程，可用图解法或试探法求解。

【例3—6】 在图3—37 电路中，已知I R =1mA,R 2=5K W ,基极电流可忽略不计，求I o 。

解:用试探法求解。

由式（3—96）得
26ln(1/I o )—5I o =0
设I o =15m A=0.015mA ，代入上式
109.2—75¹0
说明对数项过大。

再试，设I o =20m A=0.02mA,得
U
n R
e g
i s
t e
r e
d
若晶体管T 1、T 2及T 3的特性一致，即
，则由上述方程可解得
由上式可见，与基本电流源相比，威尔逊电流源中的I C3更接近等于，即管子 变化（包括温度对 的影响）对输出电流I o (=I C3»I R )的影响较小，即传输精度有明显地提
高。

U
n R
基准电流I R 与各级输出电流的关系为
由于所有各管的基极电流均由基准电流I B ,n值越大，偏差越大。

为了使
可见，输出电流I o 与基准电流I R 的偏差值比图3—39（a）电路减小了
倍。

在集成电路中，多路恒流源可采用多个集电极晶体管来实现，如两路电流源可用图3—39（c）所示电路来实现。

可以推得，它的电路功能与图3—39（a）电路n=2时是一致的。

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n R
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