看懂这些——模拟电路没有问题

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅S、锗Ge）。

2.特性--- 光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子-- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性

*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度--- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻--- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型--- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN 结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6〜0.8V,锗材料约为0.2〜0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。二.半导体二极管

*单向导电性 --- 正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降——硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压——硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法-- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：

若V 阳>V 阴（正偏），二极管导通（短路）;

若V阳

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。2）等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：

若V 阳>V 阴（正偏），二极管导通（短路）;

若V 阳

三极管的结构、类型及特点

1类型---分为NPN和PNP两种

2•特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理

模拟电路复习题（部分答案）

一判断题，用“V”和“X”表示判断结果

1、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（X ）

2在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为3、

在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷）可形成N型半导体。

（V ）

4、在杂质半导体中控制掺入杂质元素的浓度，就可控制杂质半导体的导电性能。（V）

5、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（X ）

6、PN结加正向电压时，耗尽层将变窄。（V ）

7、稳压管工作在反向击穿时表现稳压特性。（V ）

8、当晶体管工作在放大区时，发射结正向偏置，且集电结反向偏置。（V ）

9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（V ）

10只有电路既能放大电流又能放大电压，才称其有放大作用。（X ）

11、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（X ）

12、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。（X ）

13、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（X ）

14、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用共射放大电路。（V ） 15、共模抑制比K CMR 是反映差分放大电路对差模信号的放大能力和对共模信号的抑制能力的指

标。（V ）

16、由温度变化所引起的半导体器件参数的变化是产生零点漂移现象的主要原因，所以也称零点

漂移为温度漂移。（V）

17、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（X ）

18、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（X ）

P型半导体。（V ）

1.三极管的三种基本组态

19、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电流基本不变。（X ）

20反馈电路中，反馈量仅决定于输出量。 ( V ) 21、 运算电路中一般均引入负反馈。

(V )

22、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

(V ) 22、 只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。 (X )

23、 电路只要满足AF 1，就一定会产生正弦波振荡。

(X ) 24、 在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流的输出电流是半波整流电路输出电流

的2倍。

(V )

25、 在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗就越大。

(X )

26、 功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真的情况下，负载上可能获得的平均功率。 27、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真的情况下, (V )

28、 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的能量转换电路。 (V ) 29、 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。 (X )

30、 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。 (V ) 二选择填空

1、在放大电路中，测得某三极管三个管脚对地电位分别为

12V 、3.7V 、3V ，则对应三个端分别

为 _______ ，该管子为 _________ 型硅管

(A) e c b ;NPN (B)c e b; PNP (C) c b e; NPN (D)e b c; PNP

(C )

2、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位分别为

1.5V 、4V 、

2.2V ，则这三个

端分别为(

)，该管子为( )型。

(A) e c b NPN (B)c e b PNP (C) b c e NPN (D)e b c PNP

(A )

3、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极 1，2，3电位分别为2V ，6V 和2.7V ，则(

)

(C) 1 为 b ,2 为 c, 3 为 e (D) 1 为 b ,2 为 e, 3 为 c

I B 从15识增大到25 pA , Ic 从2mA 变为3mA ，那么它

(D) 120

I B 从12小增大到22 pA , Ic 从1mA 变为2mA ，那么它 的B 约为( )

(A) 83 (B) 91

(C) 100

(D) 120

(C )

6、 测得三极管I B =30 pA 时l c =2.4mA , I B =40 pA 时l c =3mA ，则该管的交流电流放大系数为( )

(A) 60 (B) 75

(C) 80

(D) 100

(A )

7、 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 ________

(A)前者反向偏置，后者正向偏置 (B)前者正向偏置，后者反正向偏置

负载上可能获得的最大交流功率。

(A) 1 为 e ，2 为 b ，3 为 c (B) 1 为 e ，2 为 c ，3 为 b

4、 工作在放大区的某三极管，如果当 的B 约为 ________

(A) 83 (B) 91 (C) 100

(C )

5、 工作在放大区的某三极管，如果当