“模电”第1章习题答案
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模电第一章课后习题答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB cCESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模电第四版(童诗白)答案
(a)
(b)
(c) 图 P2.2
(d)
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图 P2.2 所示各电路的交流通路如解图 P2.2 所示；
9
(a)
(b)
(c) 解图 P2.2
(d)
2.3 分别判断图 P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出 Q、Au、Ri 和Ro 的表 达式。 解： 图 (a):
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
， Ri
R1 //
rbe 1
， Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时 U BEQ 分别求出 RL
0.7V
。利用图解法
和 RL 3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压 U om （有效值） 。
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
， Ri
，I CQ
I BQ ，UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 ， Ro R2 // R3
图(b)： I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 ， ICQ I BQ ， R2 R3
6V ，最小稳定电流
I Z min 5mA ，最大稳定电流 I Z max 25mA 。
(1)分别计算 U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压 U O 的值； (2)若 U I
35V
时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案
1半导体二极管自我检测题一. 选择和填空1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体, 掺入杂质后称杂质半导体。
若掺入五价杂质, 其多数载流子是电子。
2. 在本征半导体中, 空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中, 空穴浓度B 电子浓度；在P型半导体中, 空穴浓度 A 电子浓度。
（A．大于, B．小于, C．等于）3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决..，而少数载流子的浓度..关系十分密切。
（A. 温度, B. 掺杂工艺, C. 杂质浓度）4.当PN结外加正向电压时，扩散电..漂移电流，耗尽. . ；当PN结外加反向电压时，扩散电..漂移电流，耗尽.. .（A. 大于, B. 小于, C. 等于, D. 变宽, E. 变窄, F不变）5. 二极管实际就是一个PN结, PN结具有单向导电性, 即处于正向偏置时, 处于导通状态；反向偏置时, 处于截止状态。
6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_.，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A. 0.1～0.3V, B. 0.6～0.8V, C. 小于, D. 大于）7.已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度.T1时的伏安特性如图中虚线所示。
在25℃时，该二极管的死区电压. 0..伏，反向击穿电压. 16. 伏，反向电流.10-. 安培。
温度T.小..25℃。
（大于、小于、等于）图选择题78. PN结的特性方程是。
普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。
二. 判断题（正确的在括号内画√, 错误的画×）1. N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（×）2. 在P型半导体中, 掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。
（√）3．P型半导体带正电, N型半导体带负电。
（×）4. PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 （1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电（第四版）习题解答
模电（第四版）习题解答第 1 章常⽤半导体器件⾃测题、判断下列说法是否正确，⽤“× ”和“√”表⽰判断结果填⼊空内。
(1) 在N 型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2) 因为N 型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
( × )(3) PN 结在⽆光照、⽆外加电压时，结电流为零。
( √ )(4) 处于放⼤状态的晶体管，集电极电流是多⼦漂移运动形成的。
( × )(5) 结型场效应管外加的栅⼀源电压应使栅⼀源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其(6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的⼤于零，则其输⼊电阻会明显变⼩。
( × ) 、选择正确答案填⼊空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C.变宽(2) 稳压管的稳压区是其⼯作在 C 。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿(3) 当晶体管⼯作在放⼤区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V 时，能够⼯作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。
A. 结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、伏。
、写出图Tl.3 所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D= 0.7V。
图T1.3解：U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。
已知稳压管的稳压值U Z= 6V，稳定电流的最⼩值I Zmin=5mA。
求图Tl.4 所⽰电路中U O1 和U O2各为多少(a) (b)T1.4解：左图中稳压管⼯作在击穿状态，右图中稳压管没有击穿，故故U O2=5V。
U O1=6V。
五、电路如图T1.5 所⽰，V CC=15V，试问：(1)R b=50k 时，Uo=?(2)若T 临界饱和，则R b=?解：(1)= 100，U BE=0.7V。
模电练习题2021-第1章试题及答案
模电练习题2021-第1章试题及答案1. 纯净的半导体称为本征半导体。
[判断题]对错(正确答案)2. 自由电子带负电，空穴带正电。
[判断题]对(正确答案)错3. 自由电子是载流子，空穴不是。
[判断题]对错(正确答案)4. 本征半导体导电性能很差。
[判断题]对(正确答案)错5. 在半导体内部，只有自由电子是载流子。
[判断题]对错(正确答案)6. 在 P 型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度。
[判断题]对(正确答案)错7. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
[判断题]对错(正确答案)8. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。
[判断题]对(正确答案)错9. 与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大。
[判断题]对(正确答案)错10. 因电场作用所产生的运动称为扩散运动。
[判断题]对错(正确答案)11. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
[判断题]对(正确答案)错12. 在 PN 结中，P 区的电势比 N 区高。
[判断题]对错(正确答案)13. 当 PN 结外加反向电压时，扩散电流大于漂移电流。
[判断题]对错(正确答案)14. PN 结具有单向导电性，施加正向电压时处于导通，施加反向电压时处于截止，其导通电流的方向由 P 区流向 N 区。
[判断题]对(正确答案)错15. 在 PN 结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从 P 区到 N 区。
[判断题]对(正确答案)错16. 漂移运动方向是从 N 区到 P 区。
[判断题]对(正确答案)错17. PN 结形成后，参与扩散运动的载流子数量大于参与漂移运动的载流子数量。
[判断题]对错(正确答案)18. PN 结外加正向电压变化时，结电容近似为扩散电容。
[判断题]对(正确答案)错19. PN 结的单向导电性与外加电压频率无关。
[判断题]对错(正确答案)20. 结电容是常量。
[判断题]对错(正确答案)21. 本征半导体在温度升高后（） [单选题]自由电子和空穴数目都不变自由电子和空穴数目都增加且增量相同(正确答案)22. 在杂质半导体中，温度变化时，（） [单选题]载流子的数目变化(正确答案)少子与多子变化的数目不相同少子与多子浓度的变化相同23. N 型半导体中多数载流子是（） [单选题]空穴自由电子(正确答案)24. 内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是（） [单选题] P 型半导体N 型半导体本征半导体(正确答案)25. 下列半导体材料热敏特性突出的是（） [单选题]本征半导体(正确答案)P 型半导体N 型半导体26. 半导体获得广泛应用的原因是（） [单选题]半导体的电阻介于导体与绝缘体之间半导体可以制作成非常纯净的晶体半导体可以通过掺杂工艺制成 N 型半导体和 P 型半导体半导体具有热敏性、光敏性和特殊的掺杂特性(正确答案)27. 本征半导体中，自由电子和空穴的数目（） [单选题]相等(正确答案)自由电子比空穴的数目多自由电子比空穴的数目少28. P 型半导体的空穴数目多于自由电子，则 P 型半导体呈现的电性为（） [单选题]负电正电电中性(正确答案)29. PN 结加正向电压时，空间电荷区将（） [单选题]变窄(正确答案)基本不变变宽30. 当 PN 结达到动态平衡时，参与扩散运动的载流子数目（）漂移运动的载流子数目。
模电 第一章习题答案
第一章习题参考答案2．如图直流电路，已知电流表读数为3A ，电压表读数为10V ，元件A 产生功率为18W ，元件C 吸收功率为10W ，求元件B 和D 的产生功率解：电流参考方向如图所示，电压参考方向与电流参考方向相关联已知VU U A i D C 10,31-==-=W i U P W i U P c c A A 10,1821==-==解得A i V U A 162-==，，列a 点的KCL 方程：321i i i +=解得A i 23-=列KVL 方程=++A C B U U U解得V U B 4=Wi U P W i U P D D B B 20)2()10(12)3(421=-⨯-==-=-⨯==所以B 产生12W 的功率，D 产生-20W 的功率，即吸收20W 的功率。
12．求图示电流i解:对两个网孔列KVL 方程1l 网孔：0105312=--i i (1)2l 网孔：0551=-i (2)(2)求出 1i =1mA ，代入(1)得2i =5mA 根据KCL 解得 i =1i +2i =6mA14．图示电路，求各支路电流1I 、2I 和电压ab U解：根据KCL 定理，I=0，V U ab 10-= 左回路网孔KVL 方程 A I I 2010511==-右回路网孔KVL 方程 A I I 109922-==+17．求等效电阻 图a)解：等效电阻为Ω=++=4)84//()4)6//3((R 图b)解:等效电导为s S S S S S G ab 10)6//612//()2//2(=+=，Ω=1.0ab R23．求开路电压ab Uba8Ω6Ω8Ω解：利用节点电压法求出电压uV u u 6105)300016000130001(3=⨯=++-算出根据分压原则VU U u Vu u V u u b a ab b a 2262432=-=====25．求图中的电流ΩK 4ΩK 2bu解：利用KVL 方程 得045=+i所以A 8.0i -=。
模电第四版习题答案
模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程，其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。
以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案，供参考：第一章：半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
在室温下，硅的电阻率大约是1kΩ·cm，而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。
2. N型半导体中，多数载流子是自由电子，而P型半导体中，多数载流子是空穴。
3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压，N型半导体加上负电压，此时PN结导通。
第二章：二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电，稳压二极管主要用于电路中稳定电压。
2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大。
3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管，它在反向偏置时具有稳定的电压。
第三章：双极型晶体管1. 双极型晶体管（BJT）分为NPN和PNP两种类型，其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。
2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。
3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大，使得集电极电流达到最大值，此时晶体管不能进一步放大信号。
第四章：场效应晶体管1. 场效应晶体管（FET）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
2. JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种常见的FET。
3. MOSFET在截止状态下，其源极和漏极之间的电阻非常大，几乎相当于断路。
第五章：放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。
2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一，它具有较高的电压增益和中等的电流增益。
3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值，对共模信号不敏感。
第六章：反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。
2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度，但可能会降低增益。
模电习题与答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2、填空题:I. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2•信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量、基波分量以及无穷多项高次谐波分量组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8.在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路四类。
10. 输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
II. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是电压增益 =20lgA v dB 、电流增益 =20lgA i dB 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化的稳态响应。
14.幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率_______ 之间的关系 。
10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电 路？ 三、某电唱机拾音头内阻为 1M Q ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Q 扬声器 连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路， 它的输入电阻R i =1M Q ,输出电阻R o =10 Q,电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
该放大电路使用 哪一类电路模型最方便？解：直接将它与10Q 扬声器连接，扬声器上的电压V =10 QOVsz 10 Q X1V=10iV o.61 M Q +10 Q10 Q第一章绪论、某放大电路输入信号为 解:A rV 。
模电书后习题参考答案
《电路与模拟电子学》部分习题参考答案第一章1.1 (a) 10W 吸收功率 (b)10W 吸收功率 (c) 10W 发出功率 (d) 10W 发出功率 1.2 1P =8W 吸收功率； 2P =－16W 吸收功率； 3P =12W 发出功率 1.3 (a) A 5.0-＝I (b)6V -＝U (c) Ω1＝R 1.4 A 1.0=I1.5 Ω1210＝R h 6KW ⋅＝W 1.6 F 2C μ= J 1046-⨯＝W1.7 (a) A 5=I (b) 6V ＝U (c) 2A ＝I1.8 (a) 10V ＝U 50W ＝P (b) 50V ＝U 50W 2＝P (c) V 3-＝U 5W 1-＝P (d) V 2＝U 10W ＝P1.9 (a) A I 2= (b) 10V ＝U (c) 2A ＝I 1.10 (a) 18.75V ＝U (b) 3A ＝I (c) 0.9A ＝I 1.11 (a) 2V ＝U (b) 2.5A ＝I1.12 (a) 2V 11＝U 72W -＝P (发出功率) (b) 0.5A 2＝I 5W 1＝P (吸收功率) 1.13 (a) 4V ＝U (b) 2A -＝I ；2A 1＝I 1.14 (a) A I 3-= (b) 4V ＝U (c) 1A ＝I1.15 (a) A I 0= 2V -＝U (b)A I 20-= V 10-＝U (c) 1A 1＝I 2A 2＝I 1.16 (a) 2V ＝ab U (b) 7V ＝ab U (c) 2V ＝ab U1.17 (a) 0V 1＝a V 8V ＝b V 6V 1＝c V 0V 1＝d V 6V ＝e V(b) 4V ＝a V 0V ＝b V 0V ＝c V 9V ＝d V V 11-＝e V 1.18 断开：2V -＝A V ； 闭合： 3.6V ＝A V 1.19 0.4A ＝I 10V ＝ab U 0V ＝ac U1.20 (a) 27V ＝U A I 3-= (b) 60W ＝P (c) 74W min ＝P第二章2.1 (a) Ω2.5 (b) Ω1.6 (c) Ω2.67 (d) Ω5 2.2 Ω5k ＝R 2.3 Ω81.25＝R2.4 (1)400V 2＝u (2) 4V 36=V (3)滑线变阻器、电流表均将被烧毁(电流过大)2.5 3V ＝U 2.6 A 2-=I2.7 (a) A 4=I (b) A 6.1=I 2.8 (a) A 9.0=I (b) A 4=I2.9 (a) 2V =V (b) 20V 1=V 6V 2=V2.10 (a) 7V =u A i 3= (b) 42V =u A i 1.1-= 2.11 60V =u2.12 4V ＝a u ； 2.5V ＝b u ；2V ＝c u2.13 14V -＝U ；A 3-=I2.14 (a) A I 8.1= 121.6W -＝P (b) A I 1= 12W -＝P 2.15 52W 2＝P ；78W 3＝P 2.163.75A 2.17 4V ＝oc U ；Ω1＝i R2.18 Ω4＝R2.19 (a) A I 3= (b) mA I 33.1= (c) mA I 5.1=2.20 Ω10＝R ； 35.1W ＝P 2.21 A I 5.2=；Ω20＝i R 2.22 (a)Ω6＝i R (b)Ω7.5＝i R2.23 (a) A I 6.4-= 9.2W -＝P (b) A I 5.22-= 12.5W 10-＝P2.24 (a) 8V ＝U A I 1= (b)28V ＝U A I 5.0= 2.25 7.2V ＝U ； A I 4.1= 2.26 A I 4=2.27 1V 0＝U 、A I 01.00=；Ω=100R ；Ω50＝d R 2.28 A i 88.3= 2.29 3V ＝u ；A i 21=2.30 A )1cos 01.0(+t 2.31 Ω1＝ab R 2.32 Ω8＝ab R 2.33 b2.34 5V 1-＝U ； 3V 2-＝U ；5V 3＝U 2.35 10V ＝ab U第三章3.1 (a)6V )0(＝+u A 2.0)0(=+i (b) 20V )0(＝+u A i m 10)0(=+(c) 8V )0(-+＝u A 2)0(=+i 3.2 (a)A 05.0)0(=+L i 0V )0(＝+C u1000A/S d d 0L -＝－t iV/S 105d d 40C ⨯＝－tu(b)A i L 5)0(=+ 17V )0(＝+C u4.5A/S d d 0L ＝－tiV/S 0d d 0C＝－tu3.3 ① 45V )0()0(＝+-=C C u u A i C 0)0(=- A i m 45.0)0(C =+② mA i i L L 15)0()0(==+- 0V )0(＝-L u 45V )0(＝+L u ③ 换路时L i 、C u 不会跃变；C i 、L u 会跃变 3.4 19.5V ；6V3.5 V e 20-2⨯=u mA e 10-2⨯=i 3.6 (a) ms t 1= (b) s 2.4μ=t3.7 (a) V e 4)(-2t ⨯＝t u ；mA e t i t 204.0)(-⨯=(b) V e3)(-111t⨯＝t u ；mA e t i t 11167.0)(-⨯-=(c) V e 3)(-6t⨯＝t u ；A et i t)1(5.0)(6--⨯=3.8 (a) )V e 1(9)(4103.3C t t u ⨯--=； (b) )V e 1(12)(-0.1t -⨯＝t u C 3.9 )mA e 75.05.0()(208tt i -+-=3.10 A et i tL 101)(--=；V e 20)(-10t ⨯＝t u L ；V e 1020)(-10t ⨯+＝t u 3.11 A et i t)1(10)(500--=3.12 V e 761)(-t-＝t u C 3.13 )V e8.12.2()(5105tt u ⨯-+=3.14 V e 821)(-5t+＝t u C 3.15 A et i tL 45005.02.0)(-⨯+-=3.16 A e t i t -⨯+=3.05.0)(3.17 (a) ）－（）（＝3)2()1()(t t t t t f εεεε----+(b) )1()1()(--+t t t t t f εε）（＝ (c) )2()42()1()22()(--+-+-+t t t t t t f εεε）（＝ (d) ]3)1()[3()]1(1)[1()(）－（）（＝t t t t t t t f εεεε--+-+--++ 3.18 V )1(565.0)(48.0t C e t t u --⨯）（＝ε3.19 ① V )1(2)(9o t e t t u --⨯）（＝ε ②V )1(210)()2(9o ---⨯-t e t t u ）（＝ε 3.20 A )5.01()(）（＝t e t i t ε--3.21 V )e 80e 100(5-4C t t u --= A )e 8e 10(5-4:L t t i --= 3.22 临界阻尼情况；过阻尼情况3.23 V ]100e )10001(100[1000C ++-=-t t u ；A e 1001000tt i -＝3.24 A/S 5.23.25 V 810)(5t C e t u --＝ 3.26 V 2)(5.1te t u -⨯＝第四章4.2 mA )12031400(cos 20︒+=t i 4.3 U V 33m U ＝； mA I 152＝4.4 A 63101︒∠=∙I A )63(cos 210)(1︒+=t t i ωA 117102︒∠=∙I A )117(c o s 210)(2︒+=t t i ωA 117103︒-∠=∙I A )117(c o s 210)(3︒-=t t i ω A 63104︒-∠=∙I A )63(cos 210)(4︒-=t t i ω4.5 V )37(cos 50︒+=t u ω4.6 A 7=I ；A5.3'=I4.7 Ω2.76k ＝R4.8 Ω4＝R ；0.24H ＝L 4.9 V 113=U ；A 38.0=I 4.10 Ω5＝R ；0.1F ＝C4.11 读数为A 5；()Ω-=j1612Z ；()j0.0403.0+=Y S4.12 (a)阻容串联：Ω5＝R ；0.058F ＝C (b)阻感串联Ω=3R ，H 3.29=L4.13 Ω10＝R ；172.2mH ＝L 4.14 A )1171000(cos 48.0)(︒+=t t i ab4.15 A )7.291000(cos 75.1)(1︒+=t t i ；A )3.561000(cos 92.3)(2︒+=t t i 4.16 A 728.15︒-∠=∙I4.17 A 41.1=I ；Ω14.1＝R ；Ω=1.14C X ； Ω=07.7L X 4.18 视在功率A)V (447⋅=S 有功功率W)(400=P 无功功率var)(200=Q功率因数89.0cos =ϕ4.19 Ω+=)7j 22(Z W)(8.2=P 89.0cos =ϕ 4.20 ()Ω-=j2010L Z ； 0.005W max =P 4.21 j)V 3(10A +=V ；W 300=S ；ar Q v 300=4.22 ① Hz f 5o 103.2⨯＝；433=Q ②A5.1o ＝I ；6495V ==C L U U4.23 Ω14.1＝R ；H 67.0=L ；F 0.17μ=C ；20=Q 4.24 V 18=U4.25 断开时：V 3111=U ；V 2202=U 闭合时：V 01=U ；V 2202=U 4.26 A 1.4＝I4.27 (a) V cos 1t u = V c o s 25.02t u -= (b) V sin 21t u =，V sin 5.02t u =(c) )V 0.252(21-t te eu +-=- )V 25.05.0(22t t e e u ---=4.28 H 0628.0=M4.29 V )143cos(2215oc ︒-=t u 4.30 62.0=K ︒∠=∙7652.1I 4.32 mH 86.52=M4.33 星形：相电流与线电流相等：A 1.5322A ︒-∠=∙I ，A 1.17322B ︒-∠=∙IA 9.6622C ︒∠=∙I ； W 8688=P三角形：相电流：A 1.5338B'A'︒-∠=∙I ，A 1.17338C'B'︒-∠=∙I ，A 9.6638A'C'︒∠=∙I 线电流：A 1.5366A ︒-∠=∙I ，A 1.17366B ︒-∠=∙I ，A 9.6666C ︒∠=∙IW 26064=P4.34 ︒-∠=∙1.3744A I ，A 1.15722B ︒-∠=∙I ，A 9.8222C ︒∠=∙I ，W 23232=P 4.35 不可； A 022A ︒∠=∙I ，A 3022B ︒-∠=∙I ， A 3022B ︒∠=∙I ，︒∠=∙01.60N I 4.36 A :0A 1A :5.77A 2A :10A 3A :5.77A 4.37 TtU U ∆⋅=m T t U U ∆⋅=m av4.38 123V =U A 11=I 273.5W =P4.39 V 3.131，A 93.1， A 86.1 4.40 V )45(cos 55)(2︒-+=t t u ω4.41 V )455.1cos(2)1.532cos(25.0)(R ︒-+︒-+=t t t u ，W 75.3375.0S1=+=P 4.42 0.8mA 1， V 4.67， .82W 0 4.43 A 12C =I 4.44 ︒∠=∙9.3625oc U 4.45 ]Re[2A A *∙∙I U 4.46 V 17 4.47 5W ＝P 4.48 A 02︒∠=∙I第五章5.5 (a)⎩⎨⎧-=->=-≤3V V 3V 3o o u u u u u ii i (b) ⎩⎨⎧=>=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3(c)⎩⎨⎧=>=≤3V V 3 V 3o o u u u u u i i i (d) ⎩⎨⎧=≥=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3 (e) ⎩⎨⎧=-≥-=-≤i i i u u u u u o oV 33VV 35.9 “与”门5.14 利用二极管5.15 ① V 6o ＝U ；A 6L m I ＝；A 24Z m I ＝② V 4.2o ＝U ；A 48L m I ＝；A 0Z m I ＝ ③ 增大R 的阻值5.16 4.65V4.65V 4.65V V 65.44.65V V 65.4o o o -=≥-=≤≤-=-≤u u u u u u u i i i i第六章6.3 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 6.4 ① C E B ② 40 ③ PNP 6.5 15；100；306.6 增大；下降；左移；上升；增大 6.7 截止；饱和；饱和 6.9 D 6.10 Ω1k o ＝R6.11 ① (a)截止失真 (b)饱和失真6.12 ①9V CC ＝V ；Ω1k E ＝R ；12V CEQ ＝U ；Ω2k L ＝R ②截止失真；4V opp ＝U 6.13 ①2mA CQ ＝I ； 5.4V CEQ -＝U ②0V CQ ＝U ；截止 ③7.3V CQ ＝U ；饱和④Ω455k B1＝R ⑤45.1u -＝A6.15 1mA EQ ＝I ；9.5V CEQ ＝U ；83u ＝A ；Ω29i ＝R ；Ω1k .2o ＝R 6.16 44u -＝A ；减小；增大 6.17 饱和失真；增大B1R 或减小B2R6.19 ①Ω19.2k 2＝R ②mV sin 580o t u ω-＝ ③Ω8.3k i ＝R ；Ω44o ＝R6.20 ①1T 共射；2T 共射；3T 共集 ②2mA C1Q ＝I ；3mA C2Q ＝I ；4mA C3Q ＝I ；Ω31k B1＝R ③568u ＝A ④Ω1.2k i ＝R ；Ω48o ＝R6.21 ①W 125.10max o =P ② 2.5W CM ＝P ；38V (BR)CEO ＝U ； 1.125A CM ＝I 6.22 ①W 9max o =P ② 1.8W CM ＝P ③V U CEO BR 24)(>6.23 ①18V min CC ＝V ② 1.125A CM ＝I ；36V (BR)CEO ＝U ③12.89W V ＝P④2W CM ＝P ⑤12.7V ＝U 6.24 ①5V C ＝U ；调整1R 或3R ②调整2R ，使其增大 ③烧毁三极管 6.25 ① 3.5W o ＝P ②W 5V ＝P ③0.75W T2T1=P P ＝ 6.26 分别处于击穿区、饱和区、非饱和区6.28 ①1mA DQ ＝I ②Ω2k S1＝R ③Ω6k max S2＝R④)310(2u S R k kA +-＝ C ⑤2i 334S G R R R +＝；Ω10k o ＝R6.29 ①V 2GSQ -＝U ②0.22mA D Q ＝I ；V 8.9DSQ ＝U ③0.44mS m ＝g 6.30 beC L u 1)//(r g R R g A m m +-=β；G R R ＝i ；C R R =o6.31 Ebe L C m E D m R r R R R g R r R g A )1()//(1)])1(//([2be2u βββ++⋅+++=； 321i //G G G R R R R +＝；L C R R R //o =6.34 ①mA I Q C 11＝；V 10CE1Q ＝U ②10u -＝A ③Ω23k i ＝R ；Ω6k o ＝R 6.35 ①mA I I Q C Q C 5.021=＝、V7.921=Q CE Q CE U U ＝；mA I Q C 13=、V8.10CE3Q ＝UmA I Q C 5.04=、V 7.0CE4Q ＝U6.36 ①V 9.2O Q ＝U ②])1([2)//(111C2L u E be B R r R R R A ββ+++=第七章7.1 (a)电流并联负反馈 (b)电流串联负反馈 (c)电压串联负反馈 (d)电压并联负反馈 7.2 ①上负下正 ②电压串联负反馈7.4 (a)电压并联负反馈 (b)电压并联负反馈、正反馈 (c)电压并联负反馈 (d)电流串联负反馈 (e) 正反馈 (f)电流并联负反馈 7.5 (a) 13u R R A -= (b) 32u R R A -= 7.6 (a) 电压并联负反馈；BR R A Fud -= (b) 正反馈7.7 电压串联负反馈 )(121u E D ER R R R R F ++=7.8 电压串联负反馈 )1)()(1(6598917uf R R R R R R R A +++= 7.9 ①mA I C 12= ②mA I C 2.33= ③减小 C2R④应改为电压串联负反馈，f R 接至2b 、3b 接1c ⑤变动前10uf -＝A ；变动后11uf ＝A 7.10 2500；0.0967.11 31099.9-⨯；91；-9%7.12 ① 电压负反馈，F R 接在 3T 射级和 1T 射级之间 ② 电流负反馈，F R 接在 3T 集电极和 1T 基极之间7.13 ①V 71=Q C U ；V 7.01-=Q E U ②V 576.61=C u ；V 424.72=C u③ 3b 与1c 相连 ④Ω9k F ＝R7.14 ①V 522==C C U U ②1c 接运放反相端，2c 接运放同相端；③10uf ＝A ④1c 接运放同相端，2c 接运放反相端，F R 接1 b ；9uf -＝A 7.15 电压串联负反馈，254421o )()(R R R R R R u u i ++=第八章8.1 (a) V 45.0o =u (b) V 15.0o -=u (c) V 9.0o =u (d) V 15.0o =u 8.2 ① i u R R u 12o1-= ；i u R R R R Ru )(63612o +-= 8.3 ① i u R R R R R u )(63612o +-= 8.4 2500u -＝A 8.6 50084o +-=i u u 8.7 ① 44332211o i F i F i F i F u R Ru R R u R R u R R u ----=② )41212(4321o i i i i u u u u u +++-= (V 0V 15o ≤≤-u ) 8.8反相比例运算；40u -＝A ；V 6.58.9① f offoffi i i o ref R R V d R V u ])21([301o -=∑=+ ② 组成偏置电路，使电路由单极性输出变为双极性输出8.10 ① dt R t u R t u C t u i i ))()((12211o +⎰）＝－（ 8.11 ① 每个节点由3个支路构成，每个支路的电阻为2R② )2(321o ∑-=⋅=n i i i nf ref d RR V u③ V 10V 0O ≤≤U8.12 dtt du t u i )()(o1-＝；)(2)(o t u t u i ＝ 8.13 ① (a)反相比例运算器 (b)乘法器② (a) 23)(1124o R R S i S I R u I R u -＝ (b) )(21o i i S u u RI u ⋅-＝ 8.14 ① 带通 ② 高通 ③ 带阻 ④ 低通8.15 一阶有源高通滤波器； 二阶无源低通滤波器；二阶无源带阻滤波器； 二阶有源带通滤波器8.16 ① 30.8o ＝A ；200Hz o ＝f ；5＝Q ② 50o ＝A ；20Hz o ＝f ；5＝Q 8.17 ① 过零比较器 ② 单门限比较器 ③ 迟滞比较器 8.18 ①1A 、4A 为虚地； 2A 、3A 为虚短②1A 为反相加法器；2A 为电压跟随器；3A 为减法器；4A 为积分器；5A 为过零比较器 ③321o152.0i i i u u u u ---＝；4o2i u u ＝；)(2o1o2o3u u u -＝；t u U u C 2)0(3o o4--＝ ④ V 2.1o4＝u ；V 15o5-＝u8.19 ①1A 为积分器；2A 为迟滞比较器 ②ms 20 ③ms 808.20 实际是个窗口比较器；当时，或B A U u U u <>i i 输出为低电平；否则输出为高电平。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章
第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示，设二极管为理想的，试判断下列情况下，电路中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端的电压AO U 。
（1）V V DD 61=，V V DD 122=；（2）V V DD 61=、V V DD 122-=；（3）V V DD 61-=、V V DD 122-=。
解：1、当V V DD 61=、V V DD 122=时，假设二极管是截止的，则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压，所以二极管截止假设成立。
V V U DD AO 122==。
2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时，假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压，所以二极管截止假设不成立，二极管导通。
V V U DD AO 61==。
3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时，假设二极管是截止的，则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压，所以二极管截止假设不成立，二极管导通。
V V U U DD BO AO 61-===。
1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压VU D 7.0)on (=，试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时，电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。
解：1、当Ω=k R 1时，假设二极管是截止的，则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知，二极管承受正偏电压导通（假设不成立）故可得其等效电路如图P1.2b所示：根据KCL 、 KVL ：⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O 222197.039 解之：mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时，假设二极管是截止的，则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知，二极管承受反偏电压截止（假设成立）01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的，试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出AO两端的电压AO U解：（a ）假设21V V 、均截止，则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=， 21V V 、均承受正偏电压，但2V 管的正向偏值电压更大，故它首先导通。
模电习题答案(第五版)
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电子技术基础模拟部分 第五版
第九章作业题解答
田汉平
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模拟电子技术第一章习题解答
第一章习题解答题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
题 1-2假设一个二极管在50°C 时的反向电流为10μA ，试问它在20°C 和80°C 时的反向电流大约为多大？已知温度每升高10°C,反向电流大致增加一倍。
答：在20°C 时的反向饱和电流为2-3x10μA=1.25μA 在80°C 时的反向饱和电流为23x10μA=80μA 题 1-3某二极管的伏安特性如图P1-3(a)所示：① 如在二极管两端通过1k Ω的电阻加上1.5V 的电压，见图P1-3(b)，此时二极管的电流I 和电压U 各为多少？② 如将图P1-3(b)中的1.5V 电压改为3V ，则二极管的电流和电压为多少？提示：可用图解法。
(a) (b)图 P1-3解：根据图解法求解①电源电压为1.5V 时，1.5=U+I I ≈0.8mA ，U ≈0.7V ②电源电压为3V 时，3=U+I I ≈2.2mA ，U ≈0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
题 1-4已知在图P1-4中，u 1=10sin ωt (V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u o 的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反i/ mA32100.51向电流可以忽略。
答：图略动态电阻rz 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流rz 愈大，则其动态电阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αu 的绝对值愈小，表示当温度变化时稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100 分）1. N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2•以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3. PN 结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4. 晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5. 硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6. 在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7. 晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8. 晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9. 晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10. 三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11. 温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A. 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变12. 如果PN 结反向电压的数值增大（小于击穿电压）D.自由电子和空穴数目都不变，则（）。
A. 阻当层不变，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大B. 阻当层变厚，反向电流基本不变D.阻当层变厚，反向电流减小4. 工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极8.测得三极管i b =30 yA 时i c =2.4mA ,而i b =40 ^A 时i c =3mA ，则该管的交流电流放大系数3为（）°A.60B.75C.80 D .1009. NPN 型硅管各极对地电位分别是 V 1=6V , V 2=2.7V , V 3=2V ，贝U 1, 2, 3分别为（）°A.基极、集电极、发射极B.发射极、基极、集电极C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）°A.截止区B.放大区C.饱和区D .击穿区11. 在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（）A.输入电阻小，输出电阻大B.输入电阻小，输出电阻小作业1-2一、习题（满分100分）1. N 型半导体（ ）。
大学模拟电路答案第一章
第一章半导体材料及二极管习题类型1．1半导体材料的导电特性；1．2～1.9简单二极管电路的分析、计算；1．10、1．11二极管限幅电路的分析、计算；1．12～1.16稳压二极管电路的分析、计算；1．17、1．18稳压管稳压电路的设计。
1.1 某N型Si材料的施主密度/cm3。
在T=300K和T=550K时Si的本征浓度分别为/cm3和1015/cm3。
计算在这两种温度下的自由电子浓度和空穴浓度，并说明材料导电特性的变化。
解：（1）T=300K，肯定成立/cm3，/cm3。
（2）T=550K，应联立求解和。
将，代入上二方程可得：由上式解出/cm3/cm3。
结论：在T=300K时，，材料呈现杂质导电特性。
在T=550K时，，材料已呈现本征导电特性。
1.2当T＝300K时，Ge和Si二极管的反向饱和电流分别为1μA和0.5pA。
如果将此两个二极管串联连接，有1mA的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：，两管已充分导通，故伏安关系近似为，由此，取mV（T=300K）VV。
题图1.21.3 在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下估算：（1）若反向饱和电流A，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。
（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正、反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。
解：（1）V=0.1V时，A；V=0.2V时，mA；V=0.3V时，A；（2）按题意由上式解出V（3）1.4二极管的伏安特性可用来表示，设。
如果用一个的干电池正向接在该二极管的两端，试计算将有多大电流通过？电流值是否与实际情况相符？解：计算值，实际上，电流一旦超过允许的最大整流电流，管子就因过热而烧毁。
1.5题图1.5中所有二极管的反向饱和电流均为，求输出电压时相应的输入电压。
题图1.5解：1.6二极管电路如题图1.6所示，判断各图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压。
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串联：
+
_ 15V
+
_ 1.4V
+
_ 6.7V
+
_ 9.7V
并ห้องสมุดไป่ตู้：
+ + + _ _
_
6V
（输出稳压值 为小的一个）
0.7V
0.7V
1-10
稳压管电路如图1-29所示。已知稳压管的 稳压值为6V，稳定电流为10mA,额定功耗为 200mW，限流电阻R=500Ω。 1.当UI=20V,RL=1kΩ时,U0=? 2.当UI=20V,RL=100Ω 时,U0=?
UZ 6V I0 6mA RL 1k
I Z I I 0 22 mA
10mA 22mA 33mA
稳压管可以正常工作:
U 0 U Z 6V
2.当UI=20V,RL=100Ω 时,U0=? 假设稳压管正常工作，
则 U Z 6V
UZ 6V I0 60 mA RL 100
第1章 课后习题解答
0143
1-8
图1-28所示电路中，ui=10sin100t V， 二极管为理想的。分别画出他们的输出 波形和传输特性曲线，u0=f (ui)。
5
当ui处于正半周且ui<5V： 二极管导通， u0=ui 。 当ui处于正半周且ui>5V： 二极管截止， u0=5V。 当ui处于负半周： 二极管导通，u0=ui。 输出波形和传输特性曲
3.当UI=20V,RL开路时，电路的稳压性能如何？
4.当UI=7V,RL变化时，电路的稳压性能如何？
解：1.当UI=20V,RL=1kΩ时,U0=? 稳压管的最大工作电流: PZM 200 mW I Z max 33mA UZ 6V
U I U Z 20 6 I 28mA R 500
THANKS！
线
当ui处于正半周且ui<5V： 二极管截止， u0=ui 。 当ui处于正半周且ui>5V： 二极管导通， u0=5V。 当ui处于负半周： 二极管截止，u0=ui。
输出波形和传输特性曲线
1-9
两个硅稳压管的稳压值分别为6V、9V，把它们串、 并联相接时可以得到几种稳压值？各是多少？
解:
两个硅稳压管在正偏时视为普通二极管，压降 均为0.7V，反偏时正常工作，压降分别为6V和9V。
I Z I I 0 28 60 32 mA
电流反向且过大，假设不成立。
RL 100 U0 UI 20V 3.3V 6V R RL 500 100
稳压管不能正常工作
3.当UI=20V,RL开路时，电路的稳压性能如何？
假设稳压管能正常稳压， 则 U Z 6V
U I U Z 20 6 I 28mA R 500
I Z I 28mA 33mA
假设成立，稳压管可正常稳压。
4.当UI= 7V,RL变化时，电路的稳压性能如何？
假设稳压管能正常稳压， U Z 6V 则
( 7 6 )V IZ I 2mA 10 mA 500 IZ大大小于正常稳定电流，稳压管 不能正常工作，无法稳压。