模拟电路自测题2(晶体管及放大电路)
第2章 晶体管及其基本放大电路 自测题 习题 解案 08.8.29
第2章 晶体管及其基本放大电路2.1 知识点归纳1. 晶体管的类型及工作状态晶体管有NPN 、PNP 两种类型，它们均有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。
主要有三种工作状态：放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置）、饱和状态（发射结正向偏置、集电结正向偏置）、截止状态（发射结反向偏置、集电结反向偏置）。
（1）根据管脚电流判别晶体管的工作状态方法如表2-1所示（2）根据工作电压判别NPN 管的工作状态方法如表2-2所示。
PNP 管工作电压的极性和各极电流方向与NPN 管相反。
2. (1) 晶体管的电流关系① 晶体管三个电极的电流关系为：B C E I I I +=② 工作于放大状态时B C I βI ≈B E )1(I βI +≈其中B I 最小、C I 居中、E I 最大。
对于NPN 管：E I 流出晶体管，B I 、C I 流入晶体管。
对于PNP 管：E I 流入晶体管，B I 、C I 流出晶体管。
(2) 两种极间反向电流：集电极-基极反向饱和电流I CBO 与集电极-发射极反向穿透电流I CEO 的关系I CEO = (1+β)I CBO(3) 两种电流放大系数：共基极交流电流放大系数α与共发射极交流电流放大系数β的关系α-=1αβ，ββα+=1 (4) 晶体管的放大作用晶体管是一种电流控制型器件，它要具有放大作用除了满足发射区掺杂浓度高、基区很薄、集电结面积大的内部结构条件外，还必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的外部条件。
此时，各电极电位之间的关系：NPN管U C＞U B＞U EPNP管U C＜U B＜U E硅管的BEU约为0.2~0.4V。
U约为0.6~0.8V，锗管的BE3. 晶体管放大电路的组成原则(1) 确保晶体管工作于放大区，即满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的外部条件。
(2) 确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。
(3) 确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、选择题1. 下列哪种器件是一种双极型晶体管？（A）锗二极管（B）硅二极管（C）三极管（D）场效应晶体管答案：C2. 在放大电路中，下列哪种反馈方式可以使放大倍数增加？（A）电压反馈（B）电流反馈（C）串联反馈（D）并联反馈答案：A3. 下列哪种电路可以实现交流信号的放大？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：C4. 下列哪种元件在放大电路中起到稳定放大倍数的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：D5. 下列哪种电路可以实现信号的整流？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：B6. 在整流电路中，下列哪种元件可以实现全波整流？（A）二极管（B）三极管（C）晶闸管（D）grt答案：A7. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：A8. 在滤波电路中，下列哪种元件可以实现低通滤波？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C9. 下列哪种电路可以实现信号的转换？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：D10. 在振荡电路中，下列哪种元件可以起到决定振荡频率的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、基极和_______极。
答案：集电极2. 放大电路的输入电阻较大，输出电阻较小，这样可以使得输入信号的电压得到_______放大。
答案：有效3. 放大电路中，反馈分为电压反馈和电流反馈，其中电压反馈可以使放大倍数_______。
答案：增加4. 整流电路的作用是将交流信号转换为_______信号。
答案：直流5. 滤波电路的作用是去除信号中的_______分量。
答案：高频6. 振荡电路的作用是产生_______信号。
答案：稳定三、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
模拟电路自测题
RB 51k
RC 2k VD
RB1 15k
RC 2k
RB1 60k
RC 2k
β=30 β=30
RB2 51k RB2 40k
UBE=0.75V
RE 3k
(a)
(b) 图4
(c)
2．图 5 所示电路，分别计算更换晶体管，β 值由 20 变至 100，静态工作点电流、 电压的绝对值及变化百分数。图中器件为硅管。 3．图 6 所示电路为一乙类推挽功率输出级简化电路，输入信号 ui 为正弦波，要
A 中，A、B 符号___________时为负反馈，当满足 1 + AB
___________时，为深负反馈。 12．采用 BJT 管的通用集成运算放大器的输入级一般是_____________电路，而 输出级一般是_____________电路。 13．本征半导体中掺入微量_________价元素，空穴浓度将大大增加，这种半导 体称为________型半导体。 14．图(1)中 T1 不能工作在放大区的原因是_______________________；图(2)中 T2 不能工作在放大区的原因是_______________________。
I B ， I C 及 U CE 分别为多少。
2．图 4 所示是某绝缘栅场效应管的转移特性， 图中查得原始沟道漏极电流 I DSS = 7.7mA ，夹断 图3 电压 U GS ( off ) = -8V。试问： (1) 该场效应管是何种类型？画出其电路符号，标明漏极电流方向及各电极 电源极性。 (2) 试求 U GS = −2V 时工作点 Q 的漏极电流 ID 及跨导 gm。
模拟电子技术基础
练习一
模拟电路考试试题10套和答案
坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。
6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。
8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。
二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
模拟电路试卷及答案(十套)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a,b。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。
3．在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真.5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2，则输出电压为V;若u i1=1500µV， ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响.10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最;组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为().A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B。
β和ICBO增加,uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D。
β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻 C。
击穿电压 D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（)来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C。
利用参数对称的对管子 D。
利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数(）. A。
变大 B. 变小 C。
不变 D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A。
《模拟电子线路实验》实验二 晶体管共射极单管放大器
模拟电子线路实验实验二晶体管共射极单管放大器【实验名称】晶体管共射极单管放大器【实验目的】1.学习单管放大器静态工作点的测量方法。
2.学习单管放大电路交流放大倍数的测量方法。
3.了解放大电路的静态工作点对动态特性的影响。
4.熟悉常用电子仪器及电子技术实验台的使用。
【预习要点】1.复习课件中有关单管放大电路工作点稳定问题的内容。
2.放大电路输出信号波形在哪些情况下可能产生失真？应如何消除失真？【实验仪器设备】【实验原理】实验电路图如图2-1所示。
温度的变化会导致三极管的性能发生变化，致使放大器的工作点发生变化，R和射极电阻影响放大器的正常工作。
图2-1所示电路中通过增加下偏置电阻B2R来改善直流工作点的稳定性，其工作原理如下：E图2-1 分压偏置共射极放大电路①利用B1R 和B2R 的分压作用固定基极电压V B 。
当B1R 、B2R 选择适当，满足I B1>> I B 时，有B2B CC B1B2R V V R R =+式中B1R 、B2R 和CC V 都是固定的，不随温度变化，所以基极电位V B 基本上为一定值。
②通过E R 的负反馈作用，限制C I 的改变，使工作点保持稳定。
具体稳定过程如下：CT ︒I电容C 1、C 2有隔直通交的作用，C 1滤除输入信号的直流成份，C 2滤除输出信号的直流成份。
射极电容C E 在静态时稳定工作点；动态时短路R E ，增大放大倍数。
当流过偏置电阻B1R (b1R 和电位器W R 的阻值和)的电流I B1远大于晶体管的基极电流B I (一般5～10倍)，基极电压V B 远大于V BE 时，它的静态工作点可用下式估算B1B CC B1B2R V V R R =+B BEC E E=V V I I R ≈－ CE CC C C E =(+)V V I R R －当放大器的输入端加交流输入信号i v 后，基极回路便有交流输入b i 产生，经过放大在集电极回路产生β倍的c i ，同时在负载输出o c L 'v i R =，从而实现了电压放大。
模拟电路第二章习题
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12
解题分析：共什么极是指哪个极为输入回路和输出回路的公共端。（交流通 路）
（a）共射（b）共基 即求解电路的静态和动态参数
本题静态参数求解错误多！
h
13
2.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的 输出特性，静态时 UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求 出 RL ＝∞和 RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失 真输出电压 （UOM有效值）。
h
14
对于放大电路与负载直接耦合的情况下，直流负载线与交流负载线是同 一条直线；而对于阻容耦合放大电路情况，只有在空载情况下，两条直 线才合二而一。
（一般取饱和管压降为0.7V）（最大不失真输出电压的求法参考课本92页） 本题为直接耦合共射放大电路
h
15
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16
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β ＝80，rbe＝1kΩ，ui＝20mV；静态时 UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。 判断下列结论是否正确，凡对的在括号内 打“ √ ”，否则打“×”。
h
19
解题分析：本题考查晶体管在饱和截止等状态下集电极电位的算法。 题图的直流通路如下所示：
Rb2
VCC Rc
Rb1
Ti tl e
Si ze
Numbe r
h
B
20
Dat e:
28-Apr-2010
Rb2
VCC Rc
Rb1
解题过程：（1）
4
（2） （3）
Ti tl e
Si ze
Numbe r
h
27
析：参考习题2.4 3.28V和2.12V
h
28
2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100， Rbb’=100Ω。
模拟电路2习题及解答
Au Uo / Ui 1.2 / 0.02 60
Ai
io
/ ii
Uo / RL
Us Ui /
Rs
1.2 /1
0.03 0.02 / 0.6
72
Ap Au Ai 60 72 4320
Au dB 20 lg Au 20 lg(60) 35.6dB Ai dB 20 lg Ai 20 lg(72) 37.1dB
Au＝60（35.6dB），Ai＝72（37.1dB），Ap＝4320（36.4dB），Ri＝1.2kΩ，Ro＝0.5kΩ
4
2. NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝80，
UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝3.3k，RB＝470k，RC＝
（2）Au＝－75，Aus＝－43，Ri＝1.37kΩ，Ro ＝3kΩ
7
5．NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝
100，UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝500，RB1＝33k，
RB2＝10k，RC＝4.7k，RE＝2k，RL＝5.1k，电源电压＋VCC＝＋12V。
91
Ri RB1 / / RB2 / /rbe
1
1 1
1
2kΩ
33 10 2.68
Ro RC 4.7kΩ
Aus
Ri
Ri Rs
Au
2 0.5
2
91
73
Rs 500Ω
us
ui
RB2 10kΩ
RL 5.1kΩ
uo
+
RE 2kΩ CE
（1）IBQ＝10.5μA ，ICQ＝1.05mA，UCEQ＝5V （2）Au＝－91，Aus＝－73，Ri＝2kΩ，Ro＝4.7kΩ 8
北航网络教育模拟电路习题2及答案
《模拟电路》习题2一、单项选择题1．在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图所示，该晶体管的类型是（）。
A、NPN型硅管B、PNP型硅管C、NPN型锗管D、PNP型锗管2．二极管的主要特性是（）。
A、放大特性B、恒温特性C、单向导电特性D、恒流特性3．对于基本共射放大电路， R b减小时，输入电阻R i将（）。
A、增大B、减少C、不变D、不能确定4．温度升高时，晶体管的反向饱和电流I CBO将（）。
A、增大B、减少C、不变D、不能确定5．在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是（）。
A、共射放大电路B、共基放大电路C、共集放大电路D、不能确定6．差动放大电路的主要特点是（）。
A、有效地放大差模信号，强有力地抑制共模信号B、既可放大差模信号，也可放大共模信号C、只能放大共模信号，不能放大差模信号D、既抑制共模信号，又抑制差模信号7．理想运放的开环差模增益A Od为（）。
A、0B、1C、105D、∞8．在交流负反馈的四种组态中，要求互导增益A iuf=I O/U i稳定应选（）。
A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈9．放大电路引入直流负反馈后将（）。
A、改变输入、输出电阻B、展宽频带C、减小放大倍数D、稳定静态工作点10．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者正偏11．欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用（）。
A、积分运算电路B、微分运算电路C、加法运算电路D、乘方运算电路12．在信号频率大于谐振频率时呈（）。
A、容性B、阻性C、感性D、不确定13．功率放大电路的转换效率是指（）。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、以上都不正确14．直流稳压电源中滤波电路的作用是（）。
模拟电路自测题2(晶体管及放大电路)
晶体管及放大电路基础1.晶体管能够放大的外部条件是_____C____。
（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时，其___A______。
（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏3.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的 为___。
（A）40 （B）50 （C）604.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能____A_____。
（A）越好（B）越差（C）无变化5.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能___A______。
（A）高（B）低（C）一样6.温度升高，晶体管的电流放大系数b_____A____。
（A）增大（B）减小（C）不变7.温度升高，晶体管的管压降|UBE|______B___。
（A）升高（B）降低（C）不变8.温度升高，晶体管输入特性曲线______B___。
（A）右移（B）左移（C）不变9.温度升高，晶体管输出特性曲线_____A____。
（A）上移（B）下移（C）不变10.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔____C_____。
（A）不变（B）减小（C）增大11.对于电压放大器来说，______B___越小，电路的带负载能力越强。
（A）输入电阻（B）输出电阻（C）电压放大倍数12.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位__B_______。
（A）同相（B）反相（C）相差90度13.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_____A____失真。
（A）饱和（B）截止（C）饱和和截止14.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是___C______。
（A）输入电阻太小（B）静态工作点偏低（C）静态工作点偏高15.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_____C____。
模拟电子技术模拟试题及答案
模拟电子技术模拟试题及答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.6mA和3.66mA，该晶体管的β等于（）A、50B、60C、61D、100正确答案：B2.基本放大电路中,经过晶体管的信号有( )。
A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。
正确答案：C3.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
( )A、正确 ;B、错误正确答案：B4.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共漏放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、共射放大电路正确答案：D5.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、变压器耦合B、光电耦合C、直接耦合D、阻容耦合正确答案：C6.集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。
A、虚断和虚短。
B、正反馈与负反馈；C、线性与非线性；正确答案：C7.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。
A、饱和B、交越C、频率D、截止正确答案：D8.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
( )A、正确 ;B、错误正确答案：B9.P型半导体中的少数载流子是 ( )A、自由电子B、负离子C、空穴D、正离子正确答案：A10.共发射极放大电路的反馈元件是（）。
A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。
正确答案：B11.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的( )在漏源极之间电场作用下形成的。
A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：B12.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
正确答案：B13.单极型半导体器件是( )。
A、二极管;B、场效应管;C、晶体三极管;D、稳压管。
正确答案：B14.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。
A、错误B、正确 ;正确答案：A15.P型半导体中多数载流子是______。
模拟电路考试题及答案
模拟电路考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的输入级通常采用什么类型的晶体管？A. 双极型晶体管B. 场效应晶体管C. 绝缘栅双极晶体管D. 金属氧化物半导体场效应晶体管答案：B2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C3. 以下哪个元件不是模拟电路中的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D4. 共发射极放大电路的输出信号与输入信号的相位关系是：A. 同相B. 反相C. 不确定D. 无关系答案：B5. 电路中的反馈类型分为哪两种？A. 正反馈和负反馈B. 开环反馈和闭环反馈C. 直流反馈和交流反馈D. 电压反馈和电流反馈答案：A6. 电路中使用负反馈的目的是什么？A. 增加增益B. 降低增益C. 稳定增益D. 增加输出阻抗答案：C7. 以下哪个不是模拟电路中的噪声来源？A. 热噪声B. 闪烁噪声C. 1/f噪声D. 电源噪声答案：B8. 模拟电路中的带宽是指：A. 电路能够处理的最大频率范围B. 电路能够处理的最小频率范围C. 电路的最大增益D. 电路的最小增益答案：A9. 电路中的耦合方式有哪两种？A. 直接耦合和变压器耦合B. 直接耦合和电容耦合C. 变压器耦合和电容耦合D. 直接耦合和电感耦合答案：B10. 模拟电路中的稳定性通常由哪个参数来衡量？A. 增益B. 相位C. 频率D. 增益-相位乘积答案：D二、填空题（每题2分，共20分）1. 在共集电极放大电路中，输出电压与输入电压是________相位。
答案：同2. 运算放大器的开环增益通常在________以上。
答案：1000003. 模拟电路中的信号源通常分为________和________两种。
答案：电压源、电流源4. 电路中的负反馈可以提高电路的________和________。
答案：稳定性、线性5. 模拟电路中的直流稳压电源通常由________、________和________三部分组成。
模拟电子技术基础(半导体晶体管及放大电路基础)期末单元测试及答案
一、单选题1、晶体管能够放大的外部条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏正确答案：B2、测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的 为（）。
A.60B.100C.50D.40正确答案：A3、温度升高，晶体管输入特性曲线（）。
A.左移B.右移C.不变D.无法判断正确答案：A4、当晶体管的集电极电流I C>I CM时，下列说法正确的是（）。
A.晶体管一定处于饱和状态B.晶体管一定被烧毁C.晶体管的 一定减小D.晶体管的P C>P CM正确答案：C5、测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管（）。
A.已损坏B.处于饱和状态C.截止状态D.放大状态正确答案：A6、对于电压放大器来说，（）越小，电路带负载的能力越强。
A.输入电压B.输入电阻C.电压放大倍数D.输出电阻正确答案：D7、一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压u i的幅度时，输出电压u o的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应（）。
A.减小R BB.减小V CCC.增大R CD.减小R C正确答案：D8、晶体管电路如图所示，已知各晶体管的β=50。
试分析电路中晶体管的工作状态。
（）A.截止B.饱和C.放大D.倒置正确答案：C9、在放大电路中，直流负反馈可以（）。
A.稳定电路的静态工作点B.提高放大电路的输入电阻C.提高晶体管电流放大倍数的稳定性D.提高放大电路的放大倍数正确答案：A10、已知图示放大电路中的R B=100kΩ，R C=1.5kΩ，V CC=12V,晶体管的β=80，V BE=0.6V。
那么，该晶体管处于何种状态？（）A.饱和状态B.放大状态C.无法判断D.截止状态正确答案：A11、已知图示放大电路中的R B=100kΩ，R C=1.5kΩ，V CC=12V,晶体管的V BE=0.6V。
第2章《自测题、习题》参考答案
第2章《自测题、习题》参考答案6 第2章自测题与习题参考答案第2章双极型晶体管及其基本放大电路自测题2.1填空题1．晶体管的穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的倍。
在选用管子时，一般希望ICEO尽量。
2．晶体管的电流放大作用是用较小的电流控制较大的电流，所以晶体管是一种控制器件。
3．某三极管的极限参数PCM?150mW，ICM?100mA，U(BR)CEO?30V，若它的工作电压UCE?10V，则工作电流IC不得超过mA；若工作电压UCE?1V，则工作电流不得超过______ mA；若工作电流IC?1mA，则工作电压不得超过______V。
4．根据题2.1.4图中各三极管的电位，分别填写出它们所处的状态。
（从左到右）______、______、______、______、______、______、______。
题2.1.4图5．题2.1.5图画出了固定偏置共射放大电路中的晶体管的输出特性曲线和直流、交流负载线。
由此可得出：（1）电源电压VCC?_____；（2）静态集电极电流ICQ?_____，管压降UCEQ?_____；（3）集电极电阻Rc?_____，负载电阻RL?_____；（4）晶体管的电流放大系数β?_____，进一步计算可得电压放大倍??_____（r??200Ω）数A；（5）放大电路bbu题2.1.5图模拟电子技术基础7的最大不失真输出正弦电压的有效值约为_____；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅应小于；（7）不产生失真时的最大输入电压的峰值为_____。
6．在晶体管放大电路中，集电极负载电阻Rc的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为放大作用。
7．在不带Ce的分压式稳定工作点放大电路中，已知晶体管β?100，rbb??300Ω，UBE?0.6V。
VCC?12V，Rb1?60kΩ，Rb2?20kΩ，电容C1、C2足够大，（1）静态工作点ICQ?_____，UCEQ?_____；（2）输入Rc?3.6kΩ，Re?2.4k Ω。
模拟电路考试-题及其答案解析
自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ T ）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。
（ F ）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。
A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。
A ．正、反向电阻相等B ．正向电阻大，反向电阻小C ．反向电阻比正向电阻大很多倍D ．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。
(X 轴为电压)A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。
A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。
（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。
A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。
A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。
A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。
A ．多数载流子B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。
（发正偏集反偏）A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。
晶体管及其基本放大电路自测题习题解案08829
第2章 晶体管及其基本放大电路2.1 知识点归纳1. 晶体管的类型及工作状态晶体管有NPN 、PNP 两种类型，它们均有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。
主要有三种工作状态：放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置）、饱和状态（发射结正向偏置、集电结正向偏置）、截止状态（发射结反向偏置、集电结反向偏置）。
（1）根据管脚电流判别晶体管的工作状态方法如表2-1所示（2）根据工作电压判别NPN 管的工作状态方法如表2-2所示。
PNP 管工作电压的极性和各极电流方向与NPN 管相反。
2. (1) 晶体管的电流关系① 晶体管三个电极的电流关系为： ② 工作于放大状态时其中B I 最小、C I 居中、E I 最大。
对于NPN 管：E I 流出晶体管，B I 、C I 流入晶体管。
对于PNP 管：E I 流入晶体管，B I 、C I 流出晶体管。
(2) 两种极间反向电流：集电极-基极反向饱和电流I CBO 与集电极-发射极反向穿透电流I CEO 的关系I CEO = (1+β)I CBO(3) 两种电流放大系数：共基极交流电流放大系数α与共发射极交流电流放大系数β的关系α-=1αβ，ββα+=1 (4) 晶体管的放大作用晶体管是一种电流控制型器件，它要具有放大作用除了满足发射区掺杂浓度高、基区很薄、集电结面积大的内部结构条件外，还必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的外部条件。
此时，各电极电位之间的关系：NPN 管 U C ＞U B ＞U E PNP 管 U C ＜U B ＜U E 硅管的BE U 约为0.6~0.8V ，锗管的BE U 约为0.2~0.4V 。
3. 晶体管放大电路的组成原则(1) 确保晶体管工作于放大区，即满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的外部条件。
(2) 确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。
(3) 确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。
4. 放大电路的分析(1) 静态分析无外部输入信号时，放大电路的工作状态称为静态，此时，晶体管各极电流、电压值为静态工作点Q。
模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)
第二章训练题一、判断题：1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（×）2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
（×）3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（× ）4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
5. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（×）6. 当单级放大电路的静态工作点过高时，根据I b=I c/β，可选用β大的晶体三极管来减小I b 。
（×）7. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（×）8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型，输出电压的底部失真时为饱和失真。
（√）9. 在共射放大电路中，若晶体管为NPN，输出电压u o出现底部失真，则该失真为截止失真。
（×）10. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（×）11.可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）12.若单管共射放大电路出现截止失真，可适当增大基极电阻R B消除失真。
（ × ）13.某二级电压放大电路中，已知A u1=－10、A u2=－50 ，则总的电压放大倍数为500。
（√）14. 某二级电压放大电路中，已知Au1=50、Au2=100 ，则总的电压放大倍数为150。
（√）15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
（×）16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA，因此推算出：be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。
（×）17.放大电路如图1所示，已知：U CC＝12V，R B＝240kΩ，R C＝3kΩ，晶体管β＝40，且忽略U BE。
2021年国家开放大学《模拟电子电路》模拟考试题
2021年国家开放大学《模拟电子电路》期末模拟题一、填空题(每空3分,共45分)1.在晶体管放大电路中，测得晶体管各个电极的电位如图1.1所示。
试判断该晶体管的类型（PNP或NPN型、硅管或锗管），并区分b、c、e三个电极。
图1.1图1.1三极管为_________型，_________管；其中①为_________极，②为_________极。
2. 基本放大电路共分为共射放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路三种基本组态。
在这三种组态中，__________放大电路既放大电压也放大电流；___________放大电路只放大电流不放大电压；___________放大电路输出电阻最小，带负载能力最强。
3. 在负反馈放大电路中，若希望稳定静态工作点，可采用_________反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，可采用_____________反馈。
4. 差动放大电路主要作用是抑制电路的_______________。
5. 正弦波振荡电路稳幅条件是_____________，起振条件是_____________。
6. 在功率放大电路中，乙类放大电路是指放大管的导通角_____________，甲乙类放大电路是指放大管的导通角_________________。
_____________________。
二、如图 2.１所示分压式工作点稳定电路中，已知：U cc=15V, R b1=20KΩ , R b2= 60KΩ , R e= 2KΩ , R L=3KΩ , R C=3KΩ , 三极管的β＝60，U BE=0.7V , r bb’=300Ω。
（本题共28分）(2)求电路的输入和输出电阻R i , R o ;(3)电压放大倍数A u。
(4)若增大三极管的β值，三极管的工作区将靠近什么区？发生什么失真？图2.1三、在图3.1所示电路中（每小题9分，共27分）1.找出构成级间反馈的元件，判断反馈的极性，如为正反馈，请修改电路，使之形成负反馈；2.判断负反馈的组态，并说明对静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻有何影响；3.如果输入电压V 1=20mV , 希望输出电压为1 V ，在满足深度负反馈的条件下，求反馈电阻的阻值；图3.1答案及评分标准填空题（每空3分，共45分）1. NPN ，硅；集电极，发射极；2. 共射，共集，共集。
(完整版)14级模拟电路第1-4单元复习自测题
14级 《模拟电路》第1-4单元 复习自测题第一单元 半导体器件1.1 在P 型半导体中，多数载流子是 [ B ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.2 在N 型半导体中，多数载流子是 [ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.3 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.4下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.5二极管的主要特性是 [ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.6. 左下图，设二极管导通压降为0.7V ，判断二极管是否导通，并求输出电压 U O 。
1.7 二极管电路如右上图所示，考虑其正向压降为0.7V ，判断二极管是否导通，求输出电压U o （D1导通，D2截止。
U O = -0.7V ）1.8左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为[ A ]。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止B. VD2导通， VD1 、 VD3截止C. VD3导通， VD1 、 VD2截止D. VD1， VD2 、 VD3均导通1.9. 判断右上图电路中二极管的工作状态。
[ A ]A. VD1导通， VD2截止B. VD2导通， VD1 截止C. VD1 、 VD2均导通D. VD1， VD2均 截止1.10 如左下图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。
（当u i >0,D 通，u 0=u i ;当u i <0,D 截止，u 0=0）VD VD 21 3.5 导通截止，O V U1.11在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1(左图)所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管图1.1 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V1.12测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示，试说明三极管的类型是[ D ]A. NPN型硅管；B. PNP型硅管；C. NPN型锗管；D. PNP型锗管1.13 某三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏1.14双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ B ]A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏1.15当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于[ A ]A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿1.16当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于[ B ]。
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晶体管及放大电路基础
1.晶体管能够放大的外部条件是_____C____。
（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时，其___A______。
（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏3.测得晶体管三个电极的静态电流分别为，和。
则该管的 为___。
（A）40 （B）50 （C）60
4.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能____A_____。
（A）越好（B）越差（C）无变化
5.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能___A______。
（A）高（B）低（C）一样
6.温度升高，晶体管的电流放大系数b_____A____。
（A）增大（B）减小（C）不变
7.温度升高，晶体管的管压降|UBE|______B___。
（A）升高（B）降低（C）不变
8.温度升高，晶体管输入特性曲线______B___。
（A）右移（B）左移（C）不变
9.温度升高，晶体管输出特性曲线_____A____。
（A）上移（B）下移（C）不变
10.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔____C_____。
（A）不变（B）减小（C）增大
11.对于电压放大器来说，______B___越小，电路的带负载能力越强。
（A）输入电阻（B）输出电阻（C）电压放大倍数
12.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位__B_______。
（A）同相（B）反相（C）相差90度
13.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，
这种失真是_____A____失真。
（A）饱和（B）截止（C）饱和和截止
14.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是___C______。
（A）输入电阻太小（B）静态工作点偏低（C）静态工作点偏高
15.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_____C____。
（A）输出功率（B）静态工作点（C）交流参数
16.既能放大电压，也能放大电流的是_____A____放大电路。
v1.0 可编辑可修改
（A）共射极（B）共集电极（C）共基极
17.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是___C____。
（A）晶体管的电流放大系数太大（B）电源电压太高（C）晶体管参数随环境温度的变化而变化18.在放大电路中，直流负反馈可以_____C___。
（A）提高晶体管电流放大倍数的稳定性（B）提高放大电路的放大倍数（C）稳定电路的静态工作点
19.可以放大电压，但不能放大电流的是____C_____放大电路。
（A）共射极（B）共集电极（C）共基极
20.射极输出器无放大_____A____的能力。
（A）电压（B）电流（C）功率
21.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是____B____放大电路。
（A）共射极（B）共集电极（C）共基极
22.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入的负载后输出电压降为3 V，则此电
路的输出电阻为______B___。
（A）（B）1kW （C）2kW
23.在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是___C____多级放大电路。
（A）阻容耦合（B）变压器耦合（C）直接耦合
24.直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应
____A_____。
（A）好（B）差（C）相同
25.在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的_____C____多级放大电路。
（A）阻容耦合（B）变压器耦合（C）直接耦合
26.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大
电路的输出信号产生失真。
这种失真称为_____C____失真。
（A）饱和（B）截止（C）频率
27.放大电路的两种失真分别为_____C____失真。
（A）线性和非线性（B）饱和和截止（C）幅度和相位。