模拟电路自测题2(晶体管及放大电路)

晶体管及放大电路基础

1.晶体管能够放大的外部条件是_____C____。

（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时，其___A______。

（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏3.测得晶体管三个电极的静态电流分别为，和。则该管的 为___。

（A）40 （B）50 （C）60

4.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能____A_____。

（A）越好（B）越差（C）无变化

5.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能___A______。

（A）高（B）低（C）一样

6.温度升高，晶体管的电流放大系数b_____A____。

（A）增大（B）减小（C）不变

7.温度升高，晶体管的管压降|UBE|______B___。

（A）升高（B）降低（C）不变

8.温度升高，晶体管输入特性曲线______B___。

（A）右移（B）左移（C）不变

9.温度升高，晶体管输出特性曲线_____A____。

（A）上移（B）下移（C）不变

10.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔____C_____。

（A）不变（B）减小（C）增大

11.对于电压放大器来说，______B___越小，电路的带负载能力越强。

（A）输入电阻（B）输出电阻（C）电压放大倍数

12.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位__B_______。

（A）同相（B）反相（C）相差90度

13.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，

这种失真是_____A____失真。

（A）饱和（B）截止（C）饱和和截止

14.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是___C______。

（A）输入电阻太小（B）静态工作点偏低（C）静态工作点偏高

15.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_____C____。

（A）输出功率（B）静态工作点（C）交流参数

16.既能放大电压，也能放大电流的是_____A____放大电路。

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（A）共射极（B）共集电极（C）共基极

17.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是___C____。

（A）晶体管的电流放大系数太大（B）电源电压太高（C）晶体管参数随环境温度的变化而变化18.在放大电路中，直流负反馈可以_____C___。

（A）提高晶体管电流放大倍数的稳定性（B）提高放大电路的放大倍数（C）稳定电路的静态工作点

19.可以放大电压，但不能放大电流的是____C_____放大电路。

（A）共射极（B）共集电极（C）共基极

20.射极输出器无放大_____A____的能力。

（A）电压（B）电流（C）功率

21.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是____B____放大电路。

（A）共射极（B）共集电极（C）共基极

22.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入的负载后输出电压降为3 V，则此电

路的输出电阻为______B___。

（A）（B）1kW （C）2kW

23.在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是___C____多级放大电路。

（A）阻容耦合（B）变压器耦合（C）直接耦合

24.直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应

____A_____。

（A）好（B）差（C）相同

25.在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的_____C____多级放大电路。

（A）阻容耦合（B）变压器耦合（C）直接耦合

26.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大

电路的输出信号产生失真。这种失真称为_____C____失真。

（A）饱和（B）截止（C）频率

27.放大电路的两种失真分别为_____C____失真。

（A）线性和非线性（B）饱和和截止（C）幅度和相位