声表面波温度补偿-TCSAW专利调研

主要公司有SEIKO EPSON CORP（精工爱普生），MURATA MFG CO LTD（村田制作所），TOYO COMMUNICAYION EQUIP CO，KYOCERA CORP（京瓷）国内主要有
村田 JP7254835-A：在X切112°Y方向的钽酸锂基片上电极厚度为波长的2-5%时器件具有好的温度特性。

（1995）
精工爱普生JP9275326-A：晶体的光轴在右手直角坐标系中，晶体的光轴垂直于Z轴，电轴平行于X轴，机械轴平行于Y轴。

插指电极在晶体的（100）面上的两个反射栅之间。

激发的声波绕着X轴转16°30′的漏表面传播。

反射栅与插指电极之间的距离与指条间的距离
一样。

当电极电导最大时激发的中心频率在反射栅的反射带宽之中。

汇流条的宽度是插指宽度的十倍。

漏波的速度在插指电极，汇流条和自由表面区域达到一定的值时。

可以限制波的能量损失并且获得较好的频率温度特性。

（1998）
日本电气EP0678973B1：在接收电路中设置另外的谐振器，通过接收电路的设计去除温度的影响。

而不要成本高昂的微处理器。

（2001）
村田EP682408A1：通过设计器件的输入和输出电极间的距离大于插指电极最外圈距离的3.5倍。

可以减小器件的频率温度系数。

实例中实现了从7ppm/℃提高3.35ppm/℃。

（1995）
村田EP734120A1：在Y切X方向传播的36°钽酸锂基片上电极厚度为波长的2.6%-4.8%，氧化硅厚度为波长的22%-38%时且氧化硅覆盖住pad和反射栅时具有±10%ppm/℃的频率温度系数。

（1996）
村田EP2288025A1：电极用两层金属，上面一层是比较耐腐蚀的金属或者合金。

然后用一层与电极总厚度相等的绝缘层填在插指之间。

最后用一层绝缘层覆盖住整个器件上。

金属可以是Al，Au，Ag，Cu，W，Ta，Pt，N，或者Mo。

绝缘层可以是氧化硅。

金属电极的密度必须要是第一层绝缘层的1.5倍以上。

（2011）
SPTS Technologies EP 2871259A1：使用脉冲直流反应磁控溅射在Kr气和氧气的混合气体中沉积氧化硅有利于得到密度大于 2.35g/cm³的氧化硅材料。

有利于得到更好的温度补偿特性。

（2014）
村田JP02096405 A：在温度补偿电路中使用与声表面波器件中相同的薄膜材料得到相同的温度电阻变化，从而去除温度对电阻变化的影响得到更好的温度补偿特性。

（1990）
精工爱普生JP2000188521 A：设计谐振器各个插指电极和反射栅之间的距离使得当辐射电导最大时的频率大于反射系数最大时的频率。

有利于得到较好的温度特性。

（2000）
MARUYASU INDUSTRIES JP2001153782 A：电路中采用温度传感器和存储器，微处理器来测量，计算补偿声表面波器件的温度漂移。

（2001）
精工爱普生JP2001185988 A：通过控制一种压电材料和顺电材料（铌酸钾）的的固溶体压电薄膜材料的相变温度来得到较好的温度特性和高的机电耦合系数。

（1999）
村田JP2003198323 A:在欧拉角为(0°±3°, 110° to132°, 0°±3°)的钽酸锂基片上Al电极厚度为漏声表面波长的0.04-0.12时，用厚度为波长的0.15-0.4的氧化硅盖住插指换能器能得到温度频率特性比较好，机电耦合系数比较大，阻尼常数比较小的器件。

（2003）
精工爱普生JP2003204260 A：通过比较温度补偿震荡回路的相位和电压控制声表面波器件的相位来控制电压从而在一个宽的温度范围内得到稳定的频率。

（2003）
精工爱普生JP2003224448 A：在氧化锌多层膜器件中，氧化硅介电层在氧化锌与基片之间。

当氧化锌厚度与波矢的乘积在0.1-1之间且氧化硅厚度与波矢乘积在0.12-0.45之间时能得到
较好的频率温度系数。

（2003）
村田JP2003324334 A：在专利所示的声表面波器件中，插指电极的汇流条上设置沿着汇流条长度方向的突起。

通过这个突起和倒装芯片工艺封装到一个线膨胀系数比压电基片小的外壳上来减小器件的温度系数。

（2003）
村田JP2004228901 A：在欧拉角为(0±2°, 90°-160°, 0±2°)的钽酸锂基片上，用Pt做电极厚度为波长的0.005-0.054时，氧化硅沉积在插指电极上厚度为波长的0.1-0.4时。

具有小的传播损耗，大的机电耦合系数和小的传播损耗。

（2004）
村田JP2004228901 A：在插指电极的指条上沉积氧化硅而不沉积在指条之间可以使器件具有小的温度系数同时具有小的插入损耗。

（2004）
村田JP2004266631 A：压电基片通过6个固定点固定到封装盒上。

六个固定点的中间两个具有比两端的4个具有更高的热膨胀系数。

这样能够使器件得到更小的温度频率系数。

（2004）
村田JP2004266632 A：压电基片的下表面复合了一层有机物膜，这层有机物膜具有比压电基片更大的热膨胀系数。

压电基片通过位于压电基片中间的两个固定点固定到封装盒上。

这样能使器件得到更小的温度频率系数。

（2004）
精工爱普生JP2004312198 A：在基片上有接地层，接地层上面是压电层，压电层上由插指电极。

然后再在上面沉积两层温度补偿层。

与插指电极接触的温度补偿层可以减小器件的频率温度系数，最上面一层温度补偿层又比下面一层温度补偿层温度特性更小。

（2004）
村田JP2005039867 A：在压电基片上沉积插指电极，电极材料为密度大于Al的金属。

然后进行频率调节再进行氧化硅的沉积。

进行温度补偿。

这样得到的氧化硅层具有大的机电耦合系数且氧化硅不容易开裂.(2005)
精工爱普生JP2005086233 A：在压电单晶基片上沉积插指电极和温度补偿层。

调节插指间的距离P和晶体的切角，插指电极的厚度宽度。

或者它们的组合能得到更好的温度特性。

精工爱普生JP2005176357 A：用外围电路的设计来补偿温度系数的变化。

（2005）
精工爱普生JP2005184340 A：在压电基片上，反射栅的材料为比插指电极密度更大的金属材料能够得到较好的温度系数。

和小的尺寸。

（2005）
村田JP2005244359 A：在压电基片上沉积了插指电极，在插指部分沉积了一层氧化硅，在pad部分又沉积了一部分金属。

后面沉积的金属区域的边缘离指条顶端的边缘距离为波长的1.05到2.6倍。

这种办法可以减小电极电阻同时减小温度频率特性。

（2005）
村田JP2005311230 A：一种隔热导热的封装方法，两个器件都包裹在树脂中与高导热的载体相接触。

热量从一个原件的导热载体流出而很少会通过辐射影响到另外一个原件。

（2005）
村田JP2005348139 A:在压电基片上做好插指电极后沉积一层氧化硅材料。

当氧化硅材料表
面的截面形状和插指电极材料的截面相似时可以提高插指的反射系数同时减小频率温度特性。

（2005）
精工爱普生JP2006005434 A：在压电基片上制作插指电极然后再上面盖上绝缘层。

然后在变形的过程中用激光照射又插指的区域可以改变器件的频率温度特性。

（2006）
精工爱普生JP2006060531 A：在器件中设置两个声表面波谐振器，两个器件频率不同。

通过一系列的比较和反馈控制得到温度特性比较好的震荡频率。

（2006）
精工爱普生JP2006067079 A：在器件中得到设置三个声表面波器件用第一个和第二个的频率差转换得到的电压控制第三个声表面波器件可以得到比较好的声表面波器件。

（2006）
精工爱普生JP2006074096 A：把两个声表器件背靠背封装而温度补偿电路在两个器件的中间区域。

这样既可以补偿温度变化又可以节省面积。

（2006）
村田JP2006121743 A：在Y切X方向传播的钽酸锂基片上。

以铝做电极或者以铝为主的合金做电极。

沉积氧化硅在插指电极上时当氧化硅的厚度和基片的切向在某个设定的范围内时可以同时减小器件的插入损耗好温度系数。

（2006）
村田JP2006166466 A：在Y切X方向传播的钽酸锂基片上。

至少一个插指电极是有铝或者铝为主的合金制作的。

当氧化硅覆盖住插指电极和一个反射栅时。

且氧化硅的厚度和基片的切角是在一定方向时。

反射栅在基片的边缘时可以减小器件的频率温度特性和抑制插入损耗的恶化。

（2006）
精工爱普生JP2006237750 A：在欧拉角为(0, θ , ψ )的单晶基片上声表面横波传播方向在晶体X轴的90°±10°且θ在126°到150°之间氧化硅的厚度为波长的0.02-0.4之间仅覆盖住反射栅的时候器件有比较好的温度特性。

（2006）
精工爱普生JP 2006238211 A：在硅基片上生长一层金刚石然后在上面生长氧化锌。

然后制作插指电极和氧化硅温度补偿层。

然后再氧化硅上溅射一层金颗粒。

这样可以精确控制器件的频率和稳定性。

得到较好的温度系数。

（2006）
精工爱普生JP2006279798 A：介绍了一种温度补偿振荡器。

（2006）
精工爱普生JP2006333334 A：在光刻板上做几种方向略有不同的图形，在需要不同的温度片频率系数时选用不同的图形。

（2006）
村田2006339466 A：当一个温度系数比较大的原件和一个发热原件要封装到一起时。

可以把两者在厚度方向叠起来且中间设置一层空腔。

这样可以减少发热原件对温度系数的影响。

（2006）
精工爱普生JP2006339786 A:为了保证同一个晶圆上的器件温度系数相同，在制作光刻板时就把不同部位的器件的指条宽度和指条间距宽度设置成不同的间距。

（2006）
精工爱普生JP2007053670 A:在界面波器件中当插指两侧的压电基片的切向为( ψ , θ, Ψ )和( ψ , θ +180°, Ψ )器件有较好的温度特性。

（2007）
精工爱普生JP2007067787 A：通过控制电压可以得到较好的温度特性。

（2007）
村田JP2007104723 A：在25-55°Y切X方向传播的的钽酸锂器件上沉积一定厚度的氧化硅覆盖住插指电极既可以得到比较好的频率温度系数同时又不容易开裂和高的机电耦合系数。

（2007）
村田JP2007142491 A：一种MEMS的过程方法，有利于得到较好的频率温度系数和简化生产工艺（2007）
村田JP2007143180 A：在欧拉角为(-2.5° ±5°, 116° ±5°, -2.5° ±5°)时在其上制作插指电极然后沉积一层压电薄膜厚度大于等于波长的0.05时瑞利波的能流角为±2.5°，频率温度系数为±5 ppm/°C。

可以压制寄生效应得到大的机电耦合系数和好频率温度系数。

（2007）
爱普生JP2007267033 A：在面内旋转欧拉角为(0°,95° < θ < 155°,33° < | Ψ | < 46°),其次是(0°, θ ,9° < | Ψ | < 46°)，再其次是(0°, θ ,0° < | Ψ | < 90°)。

电极厚度为波长的0.085时，在0-70℃内频率温度系数小于25ppm/℃。

（2007）
EPSON TOYOCOM CORP JP2007281701A：在面内旋转ST切的压电基片上欧拉角为(0°,
95°≤θ≤155°, 33°≤| ψ|≤46°)时。

制作声表面波器件时现将ψ补偿一个角度。

然后在激发插指电极上沉积一层保护膜可以提高器件的频率温度系数。

（2007）
EPSON TOYOCOM CORPJP2008079211A：将声表面波器件和温度控制电路一起封装到盒子中密封。

温度控制电路控制电路加热声表面波器件到特定温度来达到小的频率温度系数。

（2008）
EPSON TOYOCOM CORP JP2008227893 A：一种温度补偿振荡器，用外围电路补偿温度变化引起的变化达到较小的温度系数。

（2008）
EPSON TOYOCOM CORP JP2009092622 A：一种温度特性好的加速度传感器。

（2009）EPSON TOYOCOM CORP JP 2010081303 A：一种温度补偿的电路减小温度频率特性。

（2010）
村田JP2010259005 A：采用膨胀系数比基片小的电极材料和覆盖材材料然后通过器件设计提高器件的温度稳定性。

（2010）
村田JP 2011166259 A：在压电基片上制作插指电极然后覆盖氧化硅，然后再在上面覆盖一层声速比基片高的材料。

这层高声速的材料厚度为波长的0.25-0.6。

可以方便的调节漏波声速。

（2011）
TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC JP2011176819 A：一种温度补偿器件的制造方法。

（2011）
村田JP2012222688 A：一种封装方法，用温度系数比压电基片更小的材料来裹住器件进行封装。

ASAHI KASEI ELECTRONICS COLTD JP2013197607 A：一种温度补偿震荡电路。

主要还是外围电路设计提高温度稳定性（2013）
Crystal Technology IncUS3894286A:一种利用声表面波的温度补偿的电压可调震荡回路。

（1975）
United technologies Corporation US4345176A:一种温度补偿的砷化镓声表面波器件。

温度补偿层时氧化硅，质量加载金属为金，钛和金。

或者是瑞利波速比砷化镓小的金属如银和铂。

（1980）
Allied corporation US4511817A：一种与X轴夹角成85°的磷铝矿石在20°到100°之间时具有小的温度系数。

（1985）
美国空军US4602182A：一种X切33.44°的石英基片温度系数为-0.0209ppm/℃。

声速为3175m/s，机电耦合系数4X10-4，能流角为2.7°.（1986）
Raytheon Company US4639697A:一种温度补偿的电路。

（1987）
村田US5719538A：在石英基片上沉积氧化锌，然后再在上面制作插指电极具有大的机电耦合系数和较好的温度特性。

（1998）
精工爱普生US5912602A：在压电基片上连接两个相反的声表面波器件，可以提高基片的频率温度特性。

（1999）
村田US5953433A：在Y切石英基片上欧拉角为（0，theta,phi）。

125°＜theta＜130°，phi 接近于90度时。

电极用W制作可以得到较好的频率温度系数。

（1999）
村田US6154105A：在Y切石英基片上欧拉角为（0，theta,90°）。

122°＜theta＜131°，phi 接近于90度时。

电极用W和Ta制作可以得到较好的频率温度系数。

（2000）
村田US6163099A：在硅酸镓镧基片上欧拉角为（0°，130°- 170°，23°-30°）制作声表面波器件具有小的温度系数。

（2000）
村田US6346864B1：设计声表面波器件可以使用剪切横波具有小的温度系数。

（2002）
村田US6710509B1：在欧拉角为（0,119°-138°，85°-95°）的石英基片（具有负的温度系数）上制作插指电极然后沉积一层具有正温度系数的材料厚度为基模漏波的0.01-0.15时具有小的温度系数。

（2004）
村田US2002180307A1：一种可以减小温度系数的封装方法。

（2002）
村田US2002190815A1：在压电基片上沉积至少一个声表面波滤波器和声表面波谐振器，这些器件串联或者并联，用具有正温度系数的材料覆盖住其中一个器件可以减小温度系数。

（2002）
MichioKadota US2003137367A1:在20°到60°旋转Y板的钽酸锂基片上用Ag为主做电极材料覆盖上氧化硅具有较好的温度系数。

（2003）
MichioKadota US2003141947A1: 在23°到46°旋转Y板的钽酸锂基片上用Cu为主做电极材料,以氧化硅覆盖至少一个插指电极具有较好的温度系数。

（2003）
Michiokadota US2003151329A1:在25°到55°Y旋转X方向转播钽酸锂基片上用比Al密度大的金属做电极。

然后用氧化硅至少沉积覆盖住一个IDT可以提高频率温度特性。

（2003）
Hajime Kando US2003168930A1:在欧拉角为（−19°<ϕ<15°，107°<θ<125°，−10°<ψ<15°）的石英基片上沉积压电薄膜厚度至少为波长的0.05时。

器件有较好的温度系数。

（2003）
Peter E US2004000844A1：通过器件材料的选择和尺寸的设计来达到温度补偿的目的。

（2004和SAW关系不大。

）
UNAXIS USA INC US2004105485A1：一种温度补偿的声光器件通过传感器检测温度，微处理器处理产生补偿信号然后补偿温度漂移。

（2004）
精工爱普生US2004135469A1：一种设计方法可以减小同一个基片上器件的差别同时具有较好的频率温度特性。

（2004）
村田US2004145431A1：在压电基片上沉积厚度为波长1%-3%的电极然后沉积氧化硅可以得到比较好的频率温度系数。

（2004）
Hiroyuki Ogiso US200512179A1：通过电路设计可以校正温度漂移。

（2005）TsukasaFunasakaUS2005122188A1:一种详细的器件设计可以得到温度系数较小的器件。

（2005）爱普生US2005128018A1：一种温度补偿电路减小温度系数。

（2005）
村田US2006181366A：一种电路设计方法可以提高温度稳定性，其中采用了两种不同的温度补偿层。

（2006）
Vern Meissner:一种温度补偿电路设计补偿声表面波震荡器。

（2007）
村田US2008296999A1：一种沉积温度补偿层的方法。

沉积的温度补偿层在电极上和电极之间的厚度不同。

（2008）
村田US2009058225A1:一种声表面波器件的制作方法通过温度补偿层提高温度稳定性同时沉积一层玻璃层来调节声速。

（2009）
村田US2009072659A1（US2009085429A1，US2009096320A1）：一种温度补偿层的制作方法，温度补偿层为两层氧化硅，第一层氧化硅沉积在插指之间。

第二层氧化硅则覆盖全部。

这样能够得到较好的温度系数。

（2009）
Honeywell US2010158071A1:一种温度补偿的传感器。

（2010）
EPSON TOYOCOM US2010219913A1：在石英基片上插指电极之间开槽满足一定关系时可以得到比较好的频率温度系数。

（2010）
村田US2010269319A1：一种制作声表面波器件的方法。

其中涉及到基片的减薄然后粘附在另外一种膨胀系数比较的基片上。

（2010）
村田US2010293770A1：一种制作声表面波器件的方法，在基片的背面热喷涂上一层温度系数比较小的材料。

（2010）
村田US2011146041A1：一种声表面波器件的制作方法。

把压电基片和温度系数比较的基片粘结起来得到比较好的温度特性。

（2011）
村田US2012019101A1:一种弹性波器件通过基片切向和电极材料的设计选择，选择氧化硅做补偿层得到温度系数。

精工爱普生US2012049979A1 （US2012062069A1，US2012049968A1，US2012062070A1，US2012062329A1，US2012068791A1）：在石英基片上一定欧拉角，电极厚度和电极条数满足一定条件下具有好的温度系数。

（2012）
精工爱普生US2012139652A1：一种振动器由两个3阶温度系数相反的器件相连得到温度系数较小的器件。

（2012）
村田US2013029033A1：一种制作声表面波器件的方法。

覆盖在插指电极上的介电层主要含硅和氧。

溅射的时候溅射气体含水。

（2013）
TRiquint Semiconductor US2013109332A1：一种温度补偿电路。

（2013）
村田US2015028966A1：一种采用高导热率材料来封装器件的办法。

（2015）
村田WO2008111325A1（WO2008123131A1）：一定欧拉角的石英基片上沉积插指电极然后沉积氧化锌当电极材料的厚度和氧化锌的厚度满足一定关系时可以得到比较好的温度系数。

（2008）
村田WO2010103713A1：用膨胀系数比较小的基片材料来黏在压电基片背面来减小温度系数。

（2010）
村田WO2011142380A1：一种温度传感器。

（2011）
国内
南京大学CN101227178：以36°-46°Y-X钽酸锂基片上制作插指电极然后再沉积TeO2薄膜，因为TeO2薄膜和基片具有反的温度系数，通过控制薄膜厚度可以实现温度补偿。

所需厚度比氧化硅小很多。

（2008）
苏州麦格芯微电子有限公司CN101714872A:一种声表面波器件的温度补偿系统包括温度传感器，温度补偿电路和声表面波相连的振荡器核。

（2010）
天津理工大学CN102611404A：以六方氮化硼做压电薄膜制作声表面波器件具有较好的温度特性。

（2012）
四川九州空管科技有限责任公司CN103368522A：一种延迟线在LST石英基片上采用扇形插指电极和三电极结构制作的器件。

具有很好的温度特性。

（2013）
中电科技55所CN103516328A:在声表面波器件上叠加一层条阵状介质膜，因为其温度系数与基片符号相反故可以补偿温度特性。

（2014）
四川圣维信息技术有限公司CN103822726A：一种声表面波温度传感器温度-频率曲线的矫正方法。

（2014）
中电科技55所CN104320102A：声表面波器件上方先沉积一层薄的介质膜，然后再沉积条阵结构进行温度补偿。

（2015）
上海交通大学CN104868873A：在基地上沉积插指电极然后沉积温度补偿层，最后沉积压电薄膜具有较好的温度补偿特性。

（2015）。