低掺杂浓度n型GaAs欧姆接触的研究

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１引言
５×１０ ” ａｔ／ｃｍ。但是ｎ型ＧａＡｓ接触层上制备
ＧａＡｓ／Ａ１ＧａＡｓ量子阱红外探测器具有材料热稳
（ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏ — ｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｔｈｅＯｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｏｆｌｏｗｄｏｐｅｄｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｎ — ＧａＡｓ（２×１０ ” ａｔ／ｃｍ）ｉｓｓｔｕｄｉｅｄｂｙｕｓｉｎｇ
ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｌｉｎｅｍｏｄｅｌ（ＴＬＭ）．ＴｈｅｅｆｅｃｔｓｏｆｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｆａｃｔｏｒｓｓｕｃｈａｓｔｈｅＮｉ／ＡｕＧｅｔｈｉｃｋｎｅｓｓｒａｔｉｏ，
第４３卷第１１期
２０１３年１１月
激光与红外
ＬＡＳＥＲ＆ＩＮＦＲＡＲＥＤ
Ｖｏ１．４３，Ｎｏ．１１
Ｎｏｖｅｍｂｅｒ，２０１３
文章编号：１００１－５０７８（２０１３）１１ — １２５２－０４
了基础。
关键词：ｎ型ＧａＡｓ；欧姆接触；低掺杂浓度
中图分类号：ＴＮ２１３文献标识码：ＡＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１．５０７８．２０１３．１１．１１
・红外材料与器件・
低掺杂浓度ｌｌ型ＧａＡｓ欧姆接触的研究
宋淑芳，赵建建，谭振，孙浩
（华北光电技术研究所，北京１０００１５）
摘要：利用传输线方法（ＴＬＭ）重点研究了低掺杂浓度（２×１０＂ａｔ／ｃｍ）ｎ型ＧａＡｓ接触层的欧姆接触，通过改变ＡｕＧｅ／Ｎｉ的厚度比、合金化的温度和时间等参数，获得了最优化的制备条
ｆｏｒｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｔｅｒａｈｅｒｔｚｑｕａｎｔｕｍ — ｗｅｌｌｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｎ — ＧａＡｓ，ｏｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔ，ｌｏｗｄｏｐｅｄｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ
ｔｈｅｏｐｔｉｍｉｚｅｄｐｒｏｃｅｓｓｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ．ａｓｐｅｃｉｉｆｃｃｏｎｔａｃｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｏｆ３．５２×１０“ｎｃｍ～ｉｓａｃｈｉｅｖｅｄ．Ｔｈｉｓｉｓａｂａｓｉｃｒｅｓｕｌｔ
ａｌｌｏｙｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅａｎｄａｌｌｏｙｔｉｍｅｔｏｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｈｅｏｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｓａｒｅａｎａｌｙｚｅｄ．Ｃｏｎｔａｃｔｑｕａｌｉｔｉｅｓｉｎｃｌｕｄｉｎｇｓｐｅ —
ｃｉｉｃｆｃｏｎｔａｃｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ，ｃｏｎｔａｃｔｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ，ａｎｄｓｕｒｆａｃｅｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｒｅｏｐｔｉｍｉｚｅｄｂｙｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇｔｈｅｓｅｆａｃｔｏｒｓ．Ｕｓｉｎｇ
ＳｔｕｄｙｏｎＯｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｓｏｆｌｏｗｄｏｐｅｄｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｎ・ＧａＡｓ
ＳＯＮＧＳｈｕ — ｆａｎｇ，ＺＨＡＯＪｉａｎ－ｊｉａｎ，ＴＡＮＺｈｅｎ，ＳＵＮＨａｏ
件：ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ的厚度为５０ｎｍ／２５ｎｍ／１００ｎｍ，退火温度为４００ｑＣ，退火时间为１２０ｓ时，欧姆
接触电阻率为最低３．５２×１０ｎｃｍ＿，这一结果为量子阱结构太赫兹探测器芯片的制备奠定