微电子封装技术的发展现状

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
2电子装联技术 表面组装技术采用软钎焊技术,把表面组装元器
焊接技术
第38卷第1 1期2009年11月
件钎焊到印制板的焊盘上,使它与印制板之间建立可 靠的电器和机械连接.从而实现具有一定可靠性的电 路功能。这种焊接技术的主要特点是:用钎剂将要钎 焊的金属表面净化(去除氧化物),使之对钎料具有 良好的润湿性;供给熔融钎料润湿金属表面;在钎料 和钎焊金属间形成金属间化合物。在表面组装技术 中,根据熔融钎料的供给方式主要采用波峰焊和再流 焊这2种软钎焊技术。 2.1 波峰焊
现代电子产品高性能的普遍要求、计算机技术的 高速发展和LSI,V15I,ULsI的普及应用,对PCB 的依赖性越来越大,要求越来越高。PCB制作工艺 中的高密度、多层化、细线路等技术的应用越来越广
收稿日期:2009*04
泛。微电子封装越来越受到人们的重视。目前,表面 贴装技术(SMT)是微电子连接技术发展的主流,而 表面贴装器件、设备及生产工艺技术是SMT的三大 要素。SMT元器件及其装配技术也正快速进入各种 电子产品。并将替代现行的PCB通孔基板插装方法. 成为新的PCB制作支柱工艺而推广到整个电子行业。
与DIP相比,QFP的封装尺寸大大减小,且 QFP具有操作方便、可靠性高、适合用SMT表面安 装技术在PCB上安装布线,封装外形尺寸小,寄生 参数减小.适合高频应用。Intel公司的CPU,如 Intel80386就采用的PQFP E 31。
第3阶段,上世纪90年代。随着集成技术的进 步、设备的改进和深亚微米技术的使用,LsI,VLSI, ULSI相继出现,对集成电路封装要求更加严格,I/O 引脚数急剧增加,功耗也随之增大,因此,集成电路 封装从四边引线型向平面阵列型发展。出现了球栅阵 列封装(BGA),并很快成为主流产品。90年代后 期,新的封装形式不断涌现并获得应用,相继又开发 出了各种封装体积更小的芯片尺寸封装(CSP)。与 此同时,多芯片组件(MCM)发展迅速。MCM是将 多个半导体集成电路元件以裸芯片的状态搭载在不同 类型的布线基板上。经过整体封装而构成的具有多芯 片的电子组件。封装技术的发展越来越趋向于小型 化、低功耗、高密度,典型的主流技术就是BGA技 术和CSP技术。
1微电子封装的发展历程 IC封装的引线和安装类型有很多种.按封装安
装到电路板上的方式可分为通孔插入式(rIH)和表 面安装式(SM),或按引线在封装上的具体排列分为 成列、四边引出或面阵排列。微电子封装的发展历程 可分为3个阶段:
第1阶段,上世纪70年代以插装型封装为主, 70年代末期发展起来的双列直插封装技术(DIP)可 应用于模塑料、模压陶瓷和层压陶瓷3种封装技术 中,可以用于I/O数从8~64的器件,这类封装所使 用的印刷线路板PWB成本很高。与DIP相比,面阵 列封装(如针栅阵列PGA)可以增加TH类封装的 引线数.同时显著减小PWB的面积。PGA系列可以 应用于层压的塑料和陶瓷两类技术,其引线可超过1 000。值得注意的是,DIP和PGA等TH封装由于引 线节距的限制无法实现高密度封装。
再流焊过程中PCB过大的热变形,一方面可能 造成元器件偏移或虚钎等组装故障,另一方面,可能 使钎焊界面产生较大的工艺应力和微裂缝,严重影响 焊点的组装质量和长期可靠性。文献[9]对无铅 PCB组件再流焊焊接工艺的热变形进行了仿真分析。 采用ANSYS软件建立了FR一4 PCB高密度组装组件 的三维有限元模型,设计了3种不同的PCB边界条 件.分别进行了无铅再流焊热变形仿真分析,计算得
万方数据
为1.2 m/min。 2.2再流焊
再流焊是通过重新熔化预先分配到印制板焊盘上 的焊膏,实现表面组装元器件焊端或引脚与印刷板焊 盘之间机械与电气连接的软钎焊。与波峰焊相比,再 流焊具有明显的优点,钎料中不会混入不纯物,钎焊 时能正确保持组成;可采用局部加热技术,在同一基 板上用不同的再流焊焊接工艺:受熔融钎料表面张力 的作用.元器件贴放位置有一定偏离时可以自动纠正 偏离;不需要把元器件直接浸渍在熔融钎料中,元器 件受到的热冲击小;仅在需要位置施放钎料,可控制 钎料施加量,避免桥接等缺陷。再流焊包括气相、红 外、热风循环、热板、光束、激光、工具加热等再流 焊技术。其中红外再流应用最普遍。工具加热再流是 最实用的局部再流技术,气相再流最有效,热风循环 再流正在推广,光束和激光再流适用于军事电路组件 的焊接。随着免清洗和无铅钎焊的要求,出现了氮气 气氛钎焊技术。适应无铅钎焊的耐高温再流焊成为该 技术重要的发展方向[7]。
激光以其可局部加热、快速升温和冷却、不需直 接接触元器件、易于实现自动化等优点。特别适合钎 焊封装密度高、需要高可靠性的电子元器件。薛松柏 等人[s1研究了激光再流焊焊接速度对SOP器件焊点力 学性能的影响,分别采用Sn—Pb钎料及Sn—Ag—Cu无 铅钎料对器件进行了激光再流焊.并与红外再流焊焊 接质量进行了对比。研究表明,无铅钎料焊点的最大 值高于Sn—Pb钎料焊点的最大值。激光再流焊时, Sn—Pb钎料焊点强度最大值比红外再流焊的焊点强度 高出了28.8%:Sn—Ag—Cu无铅钎料激光再流焊时, 焊点抗拉强度的最大值比红外再流焊的焊点强度高出 了20.2%。
第2阶段,上世纪80年代早期引入了表面安装
万方数据
2 .专题综述·
(SM)封装。比较成熟的类型有模握封装的小外形 (SO)和PLCC型封装、模压陶瓷中的CERQUAD、 层压陶瓷中的无引线式载体(LLCC)和有引线片式 载体(LDCC)。PLCC,CERQUAD,LLCC和LDCC 都是四周排列类封装.其引线排列在封装的所有四 边。由于保持所有引线共面性难度的限制,PLCC的 最大等效引脚数为124。为满足更多引出端数和更高 密度的需求,出现了一种新的封装系列,即封装四边 都带翼型引线的四边引线扁平封装(QFP)。
BGA技术有很多种形式。如陶瓷封装BGA (CBGA)、塑料封装BGA(PBGA)以及Micro BGA (斗BGA)。与PQFP相比,BGA引线短,因此热噪声 和热阻抗很小,散热好,耦合的电噪声小。同时, BGA封装面积更小、引脚数量更多,且BGA封装更 适于大规模组装生产,组装生产合格率大大提高。随 着对高I/O引出端数和高性能封装需求的增长,工业 上已经转向用BGA(球栅阵列封装)代替QFP:4|。
片级互联技术包括引线键舍技术、栽带自动焊技术、倒装芯片技术。倒装芯片技术是目前半导体封装的主流技术。微电子装联技术包括波
峰焊和再流焊。再流焊技术有可能取代波峰焯技术,成为板级电路组裳焊接技术的主流。从微电子封装技术的发展历程可以看出.IC芯片
与微电子封装技术是相互促进、协调发展、密不可分的,徼电子封装技术将向小型化、高性能并满足环保要求的方向发展。
在超声键合过程中,超声振动是决定键合强度的 重要因素之一,超声功率的大小直接决定键合强度及 其可靠性f12]。文献[13]报道了超声键合中超声功率 对引线键合强度的影响。研究表明,在键合力、温度 和时间分别设置为4.7 N、室温和100 ins的典型工艺 参数下,当超声功率>3.5 W时,键合强度受超声功 率的影响规律不明显;超声功率<3.5 W时,键合强 度受超声功率的影响显著;当超声功率>1.6 W时, 增强超声功率则键合强度降低;当超声功率<1.O W 时,增加超声功率则键合强度提高,而当超声功率在
波峰焊是将熔化的钎料。经电动泵或电磁泵喷流 成设计要求的钎料波峰.使预先装有电子元器件的印 制板通过钎料波峰.实现元器件焊端或引脚与印制板 焊盘之间机械与电气连接的软钎焊。波峰焊主要用于 通孔插装组件和采用混合组装方式的表面组装组件的 焊接。在采用波峰焊焊接SMC/SMD时,由于引线对 钎料的遮蔽作用、钎料尾流的“钎料遮蔽”效应以及 元器件对截流的钎剂气泡的遮蔽效应等因素.容易产 生漏焊、桥接和钎缝不充实等缺陷.难以保证钎接的 可靠性。为了克服这些缺陷,双波峰焊应运而生。双 波峰焊有2个波峰.第1个波峰是窄喷嘴流速快的 “湍流”波峰,钎料具有较高的垂直压力,提高了对 表面组装元器件焊端的渗透性.增大了钎料的润湿 性,同时克服了钎料“遮蔽”效应.大大减少了漏 焊、桥接和钎缝不充实等缺陷,提高了钎焊可靠性。 第2个波峰是流速慢的“平滑”波峰,有利于形成充 实的钎缝,可有效去除过量的钎料修正钎焊面。最终 保证了钎焊可靠性。双波峰焊在SMT中应用广泛。
关键词:微电子封装;倒装芯片;再流焊;发展现状
中图分类号:TN6:TG454
文献标志码:A
Βιβλιοθήκη Baidu
0前言 上世纪90年代以来,以“3C”。即计算机
(computer)、通信(communication)和家用电器等消 费类电子产品(consumerelectronics)为代表的IT产 业得到迅猛发展[1]。微电子产业已经成为当今世界第一 大产业,也是我国国民经济的支柱产业。现代微电子 产业逐渐演变为设计、制造和封装三个独立产业[21。 微电子封装技术是支持IT产业发展的关键技术.作 为微电子产业的一部分,近年来发展迅速。微电子封 装是将数十万乃至数百万个半导体元件(即集成电路 芯片)组装成一个紧凑的封装体,由外界提供电源, 并与外界进行信息交流。微电子封装可以保证IC在 处理过程中芯片免受机械应力、环境应力(例如潮气 和污染)以及静电破坏。封装必须满足器件的各种性 能要求,例如在电学(电感、电容、串扰)、热学 (功率耗散、结温)、质量、可靠性以及成本控制方面 的各项性能指标要求。
针对波峰焊产生的缺陷问题,M Liukkonen等人[5] 利用自组织映射神经元网络研究了波峰焊过程中焊接 工艺参数与焊点缺陷之间的关系。研究表明。自组织 映射神经元网络适用于波峰焊接过程,能够有效地发 现钎焊工艺参数与钎焊点缺陷之间一些有意义的联系。
由于铅及其化合物属剧毒物质,无铅钎料在波峰 焊中的使用势在必行。文献[6]利用正交试验法研 究了无铅波峰焊焊接工艺与焊接质量的关系.研究表 明,影响钎焊质量的因素按主次顺序排列为:钎剂类 型、锡炉温度、预热温度、传送带速度。采用Sn—Cu 钎料时的最佳工艺参数是:钎剂类型选用IF2005C, 预热温度为120℃,锡炉温度为260℃.传送带速度
Welding Technology V01.38 No.1 1 Nov.2009 文章编号:1002—025X(2009)11-0001--05
.专题综述· 1
微电子封装技术的发展现状
张满 (淮阴工学院机械系,江苏淮安223001)
摘要:论述了微电子封装技术的发展历程、发展现状及发展趋势,主要介绍了微电子封装技术中的芯片级互联技术与徽电子装联技术。芯
出PCB在不同边界条件下的翘曲度。研究表明,在 无铅钎焊条件下.对PCB边缘沿厚度方向的夹持极 大地减小了PCB的热变形,实现了应力最小化和变 形最小化的双重目标。
随着表面组装密度的继续提高和表面组装技术的 深入发展,再流焊技术有可能取代波峰焊技术,成为 板级电路组装焊接技术的主流,1 01。
3芯片级互联技术 电子封装有4种基础技术,即成膜技术、微互联
技术、基板技术、封装与密封技术。微互联技术起着 承上启下的作用,无论是芯片装连在载体上还是封装 在基板上,都要用到微互联技术,微互联技术可以说 是电子制造的基础技术和专有技术。微互联技术包括 引线键合技术(WB)、载带自动焊技术(TAB)、倒 装芯片技术(FC)等。 3.1 引线键合技术
引线键合互连是芯片和载体间常用的互连方法。 引线键合是将半导体芯片焊区与电子封装外壳的I/O 引线或基板上技术布线用金属细丝连接起来的工艺技 术。焊接方式主要有热压焊、超声键合焊和金丝球 焊。热压键合焊过程中,由于受热容易使焊丝和焊区 形成氧化层,同时芯片容易形成特殊的金属氧化物, 从而影响焊点可靠性。因此,热压键合使用得越来越 少。与热压键合相比,超声键合能充分去除焊接界面 的金属氧化膜,焊接质量较高,不需加热,对芯片的 损伤较小。热声键合具有可在较低温度下连接而不易 氧化、对接触表面洁净度不敏感等很多优点.广泛用 于各类集成电路中_11]。
相关文档
最新文档