晶体管放大电路

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2、晶体管放大电路原理
2.1 晶体管和FET 的工作原理
2.1.1晶体管和FET 的放大工作的理解
晶体管和FET 的放大作用:晶体管或FET 的输入信号通过器件而出来,晶体管或FET 吸收此时输入信号的振幅信息,由电源重新产生输出信号,由于该输出信号比输入信号大,可以看成将输入信号放大而成为输出信号。

这就是放大的原理。

2.1.2晶体管和FET 的工作原理
1、双极型晶体管的工作原理
晶体管内部工作原理:对流过基极与发射极之间的电流进行不断地监视,并控制集电极-发射极间电流源使基极-发射极间电流的β倍的电流流在集电极与发射极之间。

就是说,晶体管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。

电源
电源
输入
输出
输出
(a )双极型晶体管(以NPN 型为例) (b )FET (以N 型JFET 为例)
A
被基极电流控制的电流源
检测基极电流的电流计
集电极(输出端)
基极(输入端)
发射极(公共端)
双极型晶体管的内部原理
2、FET 的工作原理
FET 内部工作原理:对加在栅极与源极之间的电压进行不断地监视,并控制漏极-源极间电流源使栅极-源极间电压的g m 倍的电流流在漏极与源极之间。

就是说,FET 是用栅极电压来控制漏极-源极电流的器件。

2.1.3分立元件放大电路的组成原理
放大电路的组成原理(应具备的条件)
1放大器件工作在放大区(三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置;结型FET 与耗尽型MOSFET 可采用自偏压方式或分压式偏置或混合偏置方式,增强型MOSFET 则一定要采用分压式偏置或混合偏置 方式)即要保证合适的直流偏置; (2):输入信号能输送至放大器件的输入端; (3):有信号电压输出。

判断放大电路是否具有放大作用,就是根据这几点,它们必须同时具备。

2.1.4晶体管放大电路的直流工作状态分析(以晶体管电路为例)
直流通路:在没有信号输入时,估算晶体管的各极直流电流和极间直流电压,将放大电路中的电容视为开路,电感视为短路即得。

它又被称为静态分析。

直流工作点:又称为静态工作点,简称Q 点。

在进行静态分析时,晶体管放大电路主要是求基极直流 电流I B 、集电极直流电流I C 、集电极与发射极间的直流电压U CE 。

FET 放大电路主要是求栅源电压U GS , 漏极直流电流I D ,漏极与原极间的直流电压U DS 。

1、公式法计算Q 点 1)共e 接法
I B =(U CC -U BE )/R B I C =βI B U CE =U CC -I C R C
V
被栅极电压控制的
电流源
检测栅极电压的电压计
漏极(输出端)
栅极(输入端)
源极(公共端)
FET 的内部原理
自偏压式共射极接法
在I 1》I B 时,可认为I 1≈I 2,于是
CC
U B R
B R B R B
U
2
1
2+≈
E
BE
B
E C R U U I I -=≈
)(E C C CC CE R R I U U +-=
I B =I C /β
2)共b 接法
U CC =I B R B +U BE +I E R E = I B R B +U BE + (1+β)I B R E
I C = I B β
)(E C C CC CE R R I U U +-=
CC
U B R
B R B R B U
2
12+≈
E
BE
B E
C R U U I I -=

)(E C C CC CE R R I U U +-=
I B =I C /β
3)共c 接法
U CC =I B R B +U BE +I E R E = I B R B +U BE + (1+β)I B R E
E C CC CE R I U U -= I C = I B β
CC
U B R
B R B R B U 2
12+≈
+-

++

U o U i U s
R s R B2

C 1
R E
C E +
R L
U CC
R C
R B1
+C 2
(a )
分压式共射极接法
I 1
I 2
I C I B I E
分压式共基接法
自偏压式共基接法
自偏压式共集接法
E
BE
B E
C R U U I I -=
≈ E C CC CE R I U U -=
I B =I C /β
2、图解法计算Q 点
三极管的电流、电压关系可用输入特性曲线和输出特性曲线表示,可以在特性曲线上,直接用作图的方法来确定静态工作点。

用图解法的关键是正确的作出直流负载线,通过直流负载线与i B =I BQ 的特性曲线的交点,即为Q 点。

读出它的坐标即得I C 和U CE 图解法求Q 点的步骤为:
1):通过直流负载方程画出直流负载线, 2):由基极回路求出I B
3):找出i B =I B 这一条输出特性曲线与直流负载线的交点就是Q 点。

读出Q 点的坐标即为所求。

共射极放大电路 为例
2.1.5 FET 放大电路的直流工作状态分析 1、解析法
已知电流方式及栅源直流负载线方程,联立求解即可求得工作点。

如:
S
D GS GSoff GS DSS D R i u U U I i -=-=2
)1(
将下式代入上式,解一个i D 的二次方程,有两个根,舍去不合理的一个根,留下合理的一个根便是I DQ 。

2、图解法
画出N 沟道场效应管的转移特性如图所示。

对于自偏压方式,栅源回路直流负载线方程为
S D GS R i u -=
在转移特性坐标上画出该负载线方程如图(a)所示。

分别求出JFET 的工作点为Q 1点,耗尽型MOSFET 的工作点为Q 2点,而与增强型MOSFET 转移特性则无交点。

对于混合偏置方式,栅源回路直流负载线方程为
BEQ C
输入回路直流偏流线,求I BQ
CEQ CE
C 输出回路直流负载线 ,求I CQ 、U CEQ
GS
(a )
GS
(b )
R G1+R G2
G2U DD 图解法求直流工作点
(a)自偏压方式;(b)混合偏置方式
t u i t
u BE U BE Q
i B t I B Q i C t I C Q u CE U CE Q
0000S D DD G G G GS R i U R R R u -+=
2
12
画出该负载线如图(b)所示,对于三种不同类型的场效应管的工作点分别为Q ′1、Q ′2及Q 3。

这里要特别注意的是,对JFET ,R G2过大,或R S 太小,都会导致工作点不合适,如图(b)虚线所示。

2.1.6晶体管放大电路的交流工作状态分析(以共射极晶体管电路为例)
1、图解法
交流图解分析是在输入信号作用下,通过作图来确定放大管各级电流和极间电压的变化量。

此时,放大器的交流通路如图所示。

由图可知,由于输入电压连同U BEQ 一起直接加在发射结上,因此,瞬时工作点将围绕Q 点沿输入特性曲线上下移动,从而产生i B 的变化,如图所示。

瞬时工作点移动的斜率为 :
L
CE C k u i k '-=∆∆=
1
画出交流负载线之后,根据电流i B 的变化规律,可画出对应的i C 和u CE 的波形。

在图中,当输入正弦电压使i B 按图示的正弦规律变化时,在一个周期内Q 点沿交流负载线在Q 1到Q 2之间上下移动,从而引起i C 和u CE 分别围绕I CQ 和U CEQ 作相应的正弦变化。

由图可以看出,两者的变化正好相反,即i C 增大,u CE 减小;反之, i C 减小,则u CE 增大。

交流负载线的特点:(1)必须通过静态工作点(2)交流负载线的斜率由R"L 表示(R"L =R c //R L )
交流负载线的画法(有两种):
1)先作出直流负载线,找出Q 点;
作出一条斜率为R"L 的辅助线,然后过Q 点作它的平行线即得。

(此法为点斜式)
2)先求出U CE 坐标的截距(通过方程U"CC =U CE +I C R"L ) 连接Q 点和U"CC 点即为交流负载线。

(此法为两点式)
根据上述交流图解分析,可以画出在输入正弦电压下,放大管各极电流和极间电压的波形,如图所示。

观察这些波形,可以得出以下几点结论: 1)放大器输入交变电压时,晶体管各极电流的方向和极间电压的极性始终不交流通路
i B
I B Q t
i B
I B Q
u BE u BE
t
i i Bmin
Q
U BE Q
(a )
放大器的交流图解分析-----
输入回路的工作波形
Q
i C
i Bmax i Bmin
i C
I C Q
t
t
u CE u CE
U CC
U CE Q
I C Q R L
′I C Q
U CC
R C
交流负载线k =-
R C ′1
Q 1
Q 2
I B Q
(b )
A
放大器的交流图解分析
输出回路的工作波形
2)晶体管各极电流、电压的瞬时波形中,只有交流分量才能反映输入信号的变化,因此,需要放大器输出的是交流量。

3)将输出与输入的波形对照,可知两者的变化规律正好相反,通常称这种波形关系为反相或倒相。

2、微变等效电路法
采用微变等效电路法的思想是:当信号变化的范围很小(微变)时,可以认为三极管电压、电流变化量之间的关系是线性的。

根据导出的方法不同,晶体管交流小信号电路模型可分为两类:一类是物理型电路模型,它是模拟晶体管结构及放大过程导出的电路模型,它有多种形式,其中较为通用的是混合π型电路模型;另一类是网络参数模型,它是将晶体管看成一个双端口网络,根据端口的电压、电流关系导出的电路模型,其中应用最广的是H 参数电路模型。

不论按哪种方法导出的电路模型,它们都应当是等价的,因而相互间可以进行转换。

2.1.6晶体管放大电路的非线性失真分析(以共射极晶体管电路为例)
在使用放大电路时,一般是要求输出信号尽可能的大,但是它要受到三极管非线性的限制。

有时输入信号过大或者工作点选择不恰当,输出电压波形就会产生失真。

这种失真是由于三极管的非线性引起的,所以它被称为非线性失真。

1、输入信号过大引起的非线性失真
它主要表现在输入特性的起始弯曲部分,输出特性的间距不匀,当输入又比较大时,就会使I b 、U ce 和I c 的正负半周不对称,即产生非线性失真。

如图所示 2、工作点不合适引起的失真
当工作点设置过低,在输入信号的负半周,工作状态进入截止区,从而引起I b 、U ce 和I c 的波形失真,称为截止失真如图所示
当工作点设置过高,在输入信号的正半周,工作状态进入饱和区,此时I b 继续增大而I c 不再随之增大,因此引起I c 和U ce 的波形失真,称为饱和失真。

如图所示
由于放大电路有失真问题,因此它存在最大不失真输出电压幅值U om 。

最大不失真输出电压是指:当工作状态一定的前提下,逐渐增大输入信号,三极管还没有进入截止或饱和时,输出所能获得的最大电压
输出。

当电压受饱和区限制时CES CEQ om U U U -= ,当电压受截止区限制时L
CQ om R I U '= 2.1.7晶体管偏置电路
晶体管在放大应用时,要求外电路将晶体管偏置在放大区,而且在信号的变化范围内,管子始终工作在放大状态。

此时,对偏置电路的要求是:①电路形式要简单。

例如采用一路电源,尽可能少用电阻等;②偏置下的工作点在环境温度变化或更换管子时应力求保持稳定;③对信号的传输损耗应尽可能小。

1、固定偏流偏置电路
由图可知,U CC 通过R B 使e 结正偏,则基极偏流为
输入信号过大引起的非线性失真
Q
交流负载线
i C
t 0
i C i B
u CE u CE
t
(a )
Q
交流负载线
i i C
i B
0t
u CE u CE
(b )
t
点不合适产生的非线性失真
(a)截止失真;(b)饱和失真
R R
B
on BE CC BQ R U U I )
(-=
只要合理选择R B ,R C 的阻值,晶体管将处于放大状态。

此时
C
CQ CC CEQ BQ
CQ R I U U I I -==β
这种偏置电路虽然简单,但主要缺点是工作点的稳定性差。

由上式可知,当温度变化或更换管子引起β,I CBO 改变时,由于外电路将I BQ 固定,所以管子参数的改变都将集中反映到I CQ ,U CEQ 的变化上。

结果会造成工作点较大的漂移,甚至使管子进入饱和或截止状态。

电流负反馈型偏置电路
使工作点稳定的基本原理,是在电路中引入自动调节机制,用I B 的相反变化去自动抑制I C 的变化,从而使I CQ 稳定。

这种机制通常称为负反馈。

实现方法是在管子的发射极串接电阻R E 。

由图可知,不管何种原因,如果使I CQ 有增大趋向时,电路会产生如下自我调节过程:
I CQ ↑→I EQ ↑→ U EQ (=I EQ R E )↑

I CQ ↓← I EQ ↓←U BEQ (= U EQ -U EQ )↓
结果,因I BQ 的减小而阻止了I CQ 的增大;反之亦然。

可见,通过R E 对I CQ 的取样和调节,实现了工作点的稳定。

显然, R E 的阻值越大,调节作用越强,则 工作点越稳定。

但R E 过大时,因U CEQ 过小会使Q 点靠近饱和区。

因此,要二者兼顾,合理选择R E 的阻值。

2、分压式偏置电路
分压式偏置电路如图所示,它是电流负反馈型偏置电路的改进电路。

由图可知,通过增加一个电阻R B2,可将基极电位U B 固定。

这样由I CQ 引起的U E 变化就是U BE 的变化,因而增强了U BE 对I CQ 的调节作用,有利于Q 点的近一步稳定。

从分析的角度看,在该电路的基极端用戴文宁定理等效,可得如图的等效电路。

图中,R B =R B1‖R B2,U BB =U CC R B2/(R B1+R B2)。

此时,
)
()1()(E C CQ CC CEQ BQ
CQ E
B on BE C
C BQ R R I U U I I R R U U I +-==++-=
ββ
如果R B1 、R B2取值不大,在估算工作点时,则I CQ 可按下式直接求出:
CC
B B B B BB E
on BE BB EQ CQ U R R R U U R U U I I 2
12
)
(+=
=-=≈
3、电流源偏置电路
在电子电路中,特别是模拟集成电路中,广泛使用不同类型的电流源,为各种基本放大电路提供稳定的偏置电流R B
U CC
R C
R E
电流负反馈型偏置电路
R B1
U CC
R C
R E
(a )
R B2
U CC
R C
R E
(b )
R B I U BB
I B Q
分压式偏置电路
(a)电路;(b)用戴文宁定理等效后的电路
(1)三极管电流源
当I B 一定时,只要晶体管不饱和也不击穿,I C 就基本恒定。

因此,固定偏流的晶体管,从集电极看进去相当于一个恒流源。

由交流等效电路知,它的动态内阻为r ce ,是一个很大的电阻。

为了使I C 更加稳定,可以采用分压式偏置电路(即引入电流负反馈),便得到图(b)所示的单管电流源电路。

图(c)为该电路等效的电流源表示法,图中R o 为等效电流源的动态内阻。

利用图(b)电路的交流等效电路可以证明,R o 近似为
)1(33B
be ce o R R r R r R +++≈β
式中,R B =R 1‖R 2
需要指出,晶体管实现恒流特性是有条件的,即要保证恒流管始终工作在放大状态,否则将失去恒流作用。

这一点对所有晶体管电流源都适用。

带补偿的三极管电流源
利用二极管来补偿三极管V BE 随温度变化的影响。

集成电路中,常用三极管接成二极管来实现。

(2)基本电流源
在单管电流源中,要用三个电阻,所以不便集成。

为此,用一个完全相同的晶体管V 1,将集电极和基极短接在一起来代替电阻R B2和R E ,便得到图所示的镜像电流源电路。

由图可知,参考电流I r 为
r
CC
r BE CC r R U R U U I ≈-=
由于两管的e 结连在一起,所以I B 相同,I C 也相同。

由图可知 β
2
122
2C r B r C C I I I I I I -=-==
因此可得 2
112+=
ββr
C I I
如果β1》1,则I C2≈I r 。

可见,只要I r 一定,I C2就恒定;改变I r ,I C2也跟着改变。

两者的关系好比物与镜中的物像一样,故称为镜像电流源。

将上述原理推广,可得多路镜像电流源,如图所示。

图中为三路电流源,V 5管是为了提高各路电流的精度而设置的。

因为在没有V 5管时,I C1=I r -4I B1,加了V 5管后, I C1 = I r - 4I B1 /(1+β5),故此可得
r
C C C I I I I 4)1()
1(5151432+++=
==ββββ
因β1(1+β5)4容易满足,所以各路电流更接近I r ,并且受β的温度影响也小。

在集成电路中,多路镜像电流源是由多集电极晶体管实现的,图(a)电路就是一个例子。

它利用一个三集电极横向PNP 管组成双路电流源(横向PNP 管是采用标准工艺,在制作NPN 管过程中同时制作出来的一种PNP 管,其等价电路如图(b)所示。

(3)比例电流源
U CC
R I r
I C1V 1
V 2
C2
镜像电流源
U CC
R r
I r
V I C4
4
V 2
I C2
V 3
I C3
V 5
多路镜像电流源
I r
R I C1
I C2
CC
C3
R I r
I C2
I C3
V 3
V 2
V 1
U CC
(a )(b )
采用图所示的比例电流源电路。

由图可知
222111R I U R I U E BE E BE +=+
因为 2
2
12
221
11ln
ln
S E S S E T BE S E T BE I I I I I U U I I U U =
== 所以 122121ln ln E E T E E T BE BE I I U I I U U U -==-
当两管的射极电流相差10倍以内时:
mV U I I U U U T E E T BE BE 6010ln ln
2
121≈==-
即室温下,两管的U BE 相差不到60mV ,仅为此时两管U BE 电压(>600mV)的10%。

因此,可近似认为U BE1≈U BE2。

这样,式222111R I U R I U E BE E BE +=+ 简化为2211R I R I E
E = 若β》1,则I E1≈I r , I E2≈I C2,由此得出r C I R R I 2
1
2≈
可见,I C2与I r 成比例关系,其比值由R 1和R 2确定。

参考电流I r 现在应按下式计算:
1
11R R U R R U U I r CC
r BE CC r +≈+-=
(4)微电流电流源
在集成电路中,有时需要微安级的小电流。

如果采用镜像电流源,R r 势必过大。

这时可令比例电流源电路图中的R 1=0,便得到图所示的微电流电流源电路。

因2221R I U U E BE BE += 1
22121ln ln
E E T E E T BE BE I I
U I I U U U -==- 所以 2
122122ln )(1E E T BE BE E I I
R U U U R I =-=
当β1>>1时,I E1≈I r ,I E2≈I C2,由此可得 2
22ln C r C T I I
I U R =
此式表明,当I r 和所需要的小电流一定时,可计算出所需的电阻R 2。

2.1.8 FET 偏置电路
I r
C2
2
I r
E2I E1
1、固定偏压电路
U GSQ =-E G 要确定I DQ 和U DSQ ,可以在输出特性曲线上根据输出回路的直流负载线方程 u DS =E D -I D r D
2、自偏压电路
自偏压电路利用漏极直流电流I D 在源极电阻R S 上产生的压降形成自偏压。

由图可知,输入回路的直流偏置电压方程为
u GS =-i D R s 如果场效应管的转移特性曲线可表示为
则静态工作点Q 也可以通过计算来确定。

3、混合偏置电路
4、恒流源电路
2.2晶体管放大器三种基本组态 2.2.1共射(CE)放大电路
共射晶体放大器的输入端为基极和发射极,输出端为集电极和发射极,发射极是公共端,故称为共射放大器。

E G
R G
C 1
C 2
R D
+E D
R L
V C S
R G
C 1
C 2
R D
+E D R L
R S
(a )(b )
GSQ I DQ i D
u GS
斜率
R S -1Q
V
2
(1)GS D DSS p u i I U ≈-12/14/[1S DSS P S DSS P
D S DSS P
D
GS P DSS
R I U R I U I I U U I ---==-R S C 1
C 2R 1
R G (a )
R D C 3+E 斜率
R S
-1
i D
Q
(b )
u 0U T U GSQ
R 1+R 2
R 2E D
(R 1+R 2)R 2R S E D I DQ R 2
V 212
GS D D S R u E i R R R =-+(a )+E D I R I O V V 2+E D
I g R V 1
V 2V 3I O1I O2
(b )+E D
R V 1I O
(c )V 2
V 3
R 场效应管电流源 (a) 基本电流源;(b)多路输出电流源;(c)威尔逊电流源
1、分压式共射极接法
有C E 时:
电压放大倍数A u
由图可知
L C L
CQ b b e b b be be
L be L C i o u L C b L C c o be
b i R R R mV I mV r r r r r R r R R U U A R R I R R I U r I U ='Ω+=++='-=-==
-=-=='')
()
()
(26)1()()
()(βββββ
电流放大倍数A i
β
ββ≈<<>>+⋅+==
=+=+=+=i C L be B L
C C be B B
i o i B B B B
be B b
i L C C
b
L C C c o A R R r R R R R r R R I I A R R R R r R I I R R R I R R R I I 则若满足其中,,,//21
输入电阻R i
be B B i r R R R 21=
+-

++

U o U i U s
s R B2

C 1
R E
C E +
R L
U CC
R C R B1+C 2
(a )
分压式共射极接法
I 1 I 2
I C I B I E
U i R i

+-
-R s R B2
r be
I i
R C R L
U +

(b )
e
I b βI b r ce
R o
I c I o
b c
R B1有C E 的等效电路
+-
U s
s +
-U i
R b2
R b1
R E
r be
βI b
R C
R L +-
U o
I b 无C E 的等效电路
输出电阻R o
C U o
o o R I U R s ==
=0
无C E 时:
此时,对交流信号而言,发射极将通过电阻R E 接地,因此必须考虑它的影响
E
m L m E be L i o u R g R g R r R U U A +'
-≈++'-==
1)1(ββ 可见放大倍数减小了。

这是因为R E 的自动调节(负反馈)作用,使得输出随输入的变化受到抑制,从而导致A u 减小。

当(1+β)R E >>r be 时,则有 E
L
u R R A '-
≈ 与此同时,从b 极看进去的输入电阻R ′i 变为 E be b
i
i R r I U R )1(β++==
' 即射极电阻R E 折合到基极支路应扩大(1+β)倍。

因此,放大器的输入电阻为
R i =R B1‖R B2‖R ′i 显然,此时,输入电阻明显增大了。

对于输出电阻,尽管I c 更加稳定,但从输出端看进去的电阻仍为R C ,即R o =R C 。

2、自偏压式共射极接法
电流放大倍数A i
fe b
b
fe i o i h I I h I I A ===
i 输入电阻R i ie B i
i i h R I U
R //==
中频电压放大倍数A um 和A ums :
ie
L fe ie b L
b fe i o um
h R h h I R I h U U A '-='-== 式中“-”号,说明输出电压U o 与输入电压U i 反相。

um S i i
i o s i s o ums A R R R U U U U U U A +=⨯==
输出电阻R o
R R =
顺便指出,如果晶体管h oe 不可忽略,则
C oe
R h R //1
0=
2.2.2共集(CC)放大电路 1、分压式共集接法
电压放大倍数A u
L E L
L be L
i o u L
b be b o be b i L
b L E e o R R R R r R U U A R I r I U r I U R I R R I U =''++'+=
='++=+='+==)1()1()1()1()(ββββ A u 恒小于1,一般情况下,满足(1+β)R ′L >>r be ,因而又接近于1,且输出电压与输入电压同相。


句话说,输出电压几乎跟随输入电压变化。

因此,共集电极放大器又称为射极跟随器。

电流放大倍数A i
图中,当忽略R B1、R B2的分流作用时,则I b =I i ,而流过R L 的输出电流I o 为
L
E E i o i L
E E
b
L E E e o R R R I I A R R R I R R R I I ++==
++=+=)1()1(ββ
输入电阻R i
从基极看进去的电阻R ′i 为
i B B i L be L
R R R R R r R '
='++='21)1(β
与共射电路相比,由于R ′i 显著增大,因而共集电路的输入电阻大大提高了。

输出电阻R o
当输出端外加电压U o ,而将U s 短路并保留内阻R s 时,可得图所示电路。

由图可得
B B s s
s be b o I I I R R R R R r I U )1()(21β+-=-='=''+-=
+--+
U o
U i
U s R B2C 1R E R L
U CC
R B1
(a )

C 2U i
R i

+-

s
U s
R B1
(b )
I R o
R B2
r be
βI b
b c
I I e
R E
R L
I o
R i ′I e
r be R R I o
I e I o ′I
则由e 极看进去的电阻R ′o 为
β
+'+='='1s
be o o o
R r I U R 所以,输出电阻
β
+'+='==
=10
s
be E o
E U b
o o R r R R R I U R s
2、自偏式共集接法
电流放大倍数A i :
b
b
fe i o i I I h I I A )1(+-==
输入电阻R i :
b L fe ie b b
L b fe b ie i i i R R h h R I R I h I h I U R //))1((//)1('++='++==
中频电压放大倍数A um 和A ums :
'++'+='++'+==L fe ie L fe b
L fe ie L b fe i o um
R h h R h I R h h R I h U U A )1()1())1(()1(
输出电阻R o : 由图(c)可知
(1)(1)fe L i
ums um s i s ie fe L h R R A A R R R h h R '+==
'++++22222220
2
(1)1()//1(1)s fe b E
b s ie fe s ie E
s ie s ie E
o U E fe s ie fe E
U I h I R U I R h h U I U R h R U R h R h R R R I h R h h R ==++=++=++++=
=
=++++
2.2.3共基(CB)
放大电路 1、分压式共基接法
电压放大倍数A u
L C L
be
L
i o u L C b o be b i R R R r R U U A R R I U r I U =''==
==ββ)(,
电流放大倍数A i
由于输入电流I i ≈I e ,而输出电流L
C C
c
o R R R I I +=
L
C C
L C C e c i o i R R R R R R I I I I A +=+==
α 显然,A i <1。

若R C >>R L ,则A i ≈α,即共基极放大器没有电流放大能力。

但因A u >>1,所以仍有功 率增益。

输入电阻R i
β
β
+='=+=='11be
E i E
i be e i L
r
R R R R r
I U R
输出电阻R o
若U i =0,则I b =0,βI b =0,显然有C o R R = 2、自偏式共基接法
电流放大倍数A i :
C 1-
+U i +R E
+C 2R C
R B1R B2
+C B

+U o R L U CC
(a )
I i -
+U i R E R i
I e r be R i ′
βI b I c
R C
R o
R L
I o
-+
U o (b )
I b
自偏压式共基接法 (1)fe b o
i h I I A I h I α=
=-=-+
(1)o i o i
ums um s s i s i
fe L
ie fe s
U U U R A A U U U R R h R h h R =
=⨯=+'=
++输入电阻R i :
B ie b
fe b
B ie i i i R h I h I R h I U R +=++==
)1()(
中频电压放大倍数A um 和A ums :
B
ie L fe b B ie L b fe i o
um R h R h I R h R I h U U A +'
=
+'
==
)(
输出电阻R o :
R o =R C
如果晶体管h oe 不可忽略,则求输出电阻的等效电路如图所示,
不难得到
C B
ie s s fe oe B ie s U o R R h R R h h R h R U U R s //)]1(1
)//([|012+++++==
=
2.3 FET 放大器三种基本组态 2.
3.1共源(CS)放大电路
1、分压式共源接法
电压放大倍数A um
)////(L D ds i m o R R r U g U -=
)////(L D ds m i
o
um R R r g U U A -==
输入电阻R i :
21//R R R I U R G i
i
i +==
输入电阻R 0:
通常有R G >>R 1∥R 2,于是
G i R R ≈ D ds R r R //0=
R S
C 1C 2R 1
R G
(a )
R D C S
+E D
+-
U i R 2
R L


U o


U i
R G
R 1R 2
g m U gs
d
R D
R L +-
U s
g (b )r ds
+-U gs V
共源电路及等效电路
(a)电路; (b)等效电路
2、固定偏压共源接法
3、自偏压式共源接法
2.3.2共漏(CD)放大电路 1、分压式共漏接法
+E (a )
(a )
o
o (b )
 R L )]
||共漏电路及其等效电路
(1)(1)(1)m ds i
d ds L
m ds S m ds L
i o d L
ds L m ds S o m ds L um i ds L m ds S g r U I r R g r R g r R U U I R r R g r R U g r R A U r R g r R =
'++''=-=-
'+++'==-'+++
U i (a )U g d
(b )U (c )r (d )2
源极具有电阻的电路 (a)电路; (b)等效电路; (c)变换电路; (d)求R o 电路
L
m L
m u R g '+1输出电阻R o
输入电阻R i :
213G G G G i R R R R R +==
2、自偏压式共漏接法
R i =R G
由求输出电阻R o 的等效电路图可知 式中r ,
ds =R S ∥r ds ,而U gs =-U 2,因此,有 m
S o m S o o o o o o m o m gs m S S o R o R o g R U g R U U I U R U g U g U g I R U I I I I S S 1
111)(+=+===--=-='='+=⋅⋅

⋅⋅⋅⋅⋅⋅
⋅⋅⋅⋅
m
S g R 1=(b )
U i (a )
(c )
共漏电路及交流等效电路
(a)电路; (b)交流等效电路; (c)求R o 电路
(////)(////)1(////)gs i o
o m gs ds S L o m ds S L um i m ds S L U U U U g U r R R U g r R R A U g r R R =-===+2220
2
1//1i m gs ds
ds
o U ds
m m ds
U
I g U r U r R r I g g r ==-'''=
==
'+
2.3.3共栅(CG)放大电路
1、分压式共栅接法
放大倍数A u
'
'
L
m
gs
L
gs
m
i
o
v
R
g
V
R
V
g
V
V
A=
-
-
=
=&
&
&
&
&
输出电阻R o
d
R
V
o
o
o
R
I
V
R
L
s
=
=

=
=0
'
'
&
&
&
输入电阻R i:
m
m
gs
m
gs
gs
i
i
i g
R
g
R
V
g
R
V
V
I
V
R
1
//
1
1
=
+
=
-
-
-
=
=
&
&
&
&
&
2、自偏压式共栅接法
2.4 晶体管三种基本组态的比较
2.5多级放大电路的性能指标
多级放大电路可以充分利用各个单级放大电路的优点,满足各种不同的要求。

2.5.1级间耦合
连接原则:1)静态时各级应设置合适的静态工作点;2)动态时信号能实现畅通有效的传递。

电压增益输入电阻输出电阻特点用途
共射
(CE)
反相,
电压增益

较大
(几千欧)
较大
(R c)
既有电压
放大和电
流放大作

应用广
泛,中间

共集
(CC)
同相,
近似为1
最大最小
输入电阻
高、输出
电阻低
阻抗变换
或电流放

共基
(CB)
同相,
电压增益
较大
最小
(几十欧)
较大
(R c)
频率特性

宽频或高
频放大电

1)阻容耦合
优点是电路简单,在分立元件电路中应用广泛。

缺点是不能放大频率较低的信号和直流信号,低频响应较差,且不便于集成化。

2)直接耦合
优点是低频特性好,可以放大变化缓慢的信号,易于集成化。

缺点是各级静态工作点相互影响,分析、设计和调试较困难;并且还存在零点漂移问题。

3)变压器耦合
优点是各级静态工作点互不影响,能实现阻抗变换。

缺点是频率特性不好,且非常笨重。

4)光电耦合
抗干扰能力强,数字电路中应用广泛。

忽略r c ,r e
2.5.2.多级放大电路的性能指标
∏=--=⋅⋅⋅⋅=⋅⋅⋅⋅==n k vk vn v v n n i i v A A A A V V V V V V V V A 1212
11210&&&&&&&&&&&&& 应考虑负载效应:后一级放大电路的输入电阻作为前一级放大电路的负载对它的影响。

i
i i i I V R R &&==1 当第一级为CC 电路时,应考虑第二级输入电阻的影响。

on o R R =
当末级电路为CC 电路时,应考虑末前级输出电阻的影响。

2.6晶体管电路的频率响应
2.6.1三极管的高频小信号模型
1.物理模型
发射结正偏,结电容由扩散电容决定(达一百皮法左右);集电结反
偏,结电容由势垒电容决定(几个皮法)。

2.混合π模型
'b I &对集电极电流没有贡献; "b I &才能影响集电极电流的大
经密勒定理处理后得 c b c b h C C K C ''1)1(>>-=&c b c b h C C K K C ''21≈-=&&gd
gs gs C K C C )1('&-+=e b e b b e b m r V I V g '''0'0&&&β=β= e b m r g '0β=
简化的混合π模型
高频小信号模型
2.6.2场效应管的高频小信号模型。

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