基本电子回路原理PPT课件
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检查发光二极管的简单方法
使用数字万用表，将档位选在测量二极管的档位上，红笔接二 极管的正极，黑笔接二极管的负极。如果发光，则说明发光二极管 是好的，如果不发光，则说明发光二极管不良。
.
8
Diode的不良判定
（使用法参照）
顺方向TEST
0
ΩΩ
逆方向TEST
∞ ∞Ω Ω
●测定顺序
A
K
①万用表电阻Range调为*1 KΩ。
.
10
3）Transistor种类
C
E
B
B EBC
E C
E CB
E
B
C
E
B
C
E
B
C
C EB
C
BE
ECB
C
E
B
ECB
ECB
.
11
E
C
E
C
E:发射极（Emitter）
B
B:基极（Base）
B
C:集电极（Collector）
.
12
三极管命名规定
• 三极管型号由五部分组成
• 第一部分用数字3表示三极管； • 第二部分表示材料和极性，用字母表示，如下：
⑥指针不动就好。
－ zener Diode是逆方向TSET时电压低的时候指针上去一点。
－ 发光二极管（LED:Light Emitting Diode）的TEST时放 *1 Ωrange里后
方向实验时高就良好。
.
9
三极管 (Transistor)
三极管是由两个制作在一起的PN结加上相应的引出电极引线 及封装组成。三极管具有放大作用，可组成放大、振荡及各种功 能的电子电路。
穿电压U（BR）CEO集电极最大允许功. 率损耗PCM。
常用三极管可分为硅三极管和锗三极管；按结构分为点接触 型和面接触型；按生产工艺分为合金型和扩散型、台面型和平 面型等；按工作频率分为低频、高频和开关三极管；依工作功 率又分为小功率、中功率、大功率三极管；从外形结构上分为 小功率金属封装、大功率金属封装、塑料封装等多种；按导电 性又分为PNP型和NPN型。
C
D
含义
N型，锗材料 P型，锗材料 N型，硅材料 P型，硅材料
• 第三部分类型用字母表示，如下：
字母
含义
字母
含义
字母
含义
P 普通管
Z
整流管
U 光电器件
V 微波管
L 整流堆
K 开关管
W 稳压管
S 隧道管
B 雪崩管
C 参量管
N 阻尼管
.
6
• 第四部分用序号用数字表示； • 第五部分规格用字母表示。
例： 2CN1
主要技术参数
表征三极管的特性参数很多，可分为三类，即直流参数， 交流参数和极限参数。
直流参数包括：共射直流放大系数、集电极-基极反向饱和 电流ICBO、集电极-发射极反向截止电流ICEO。
交流参数包括：共射极交流放大系数、共基极交流放大系 数、物征频率fTE。
极限参数包括：集电极最大允许电流ICM、集电极-发射极击
时电阻很大的单向导电性
或“关断”的开关作用
利用PN结电容随加到期管子上的反向电 在调谐等电路中取代可变电容器 压大小而变化的特性
把多只硅整流器件的芯片串联关起来形 用于高频、高压整流电路 成一个整体的高压整流器件
反向恢复时间小，能随较高的反向击穿 电压和较大峰值电流，既能在高频下工 作又具有较低的正向电压降
电子技术基础
二极管 ＆ 三极管
曾伟 2004-5-17
.
1
1.二极管（Diode）
Diode结构，外观，符号
P
N
A
K
PN
A
K
A
K
圈 磊蜡傈磊
阳极
阴极
hall
自由电子
阴极波段
－ PN结合Diode是锗或硅的单品里使结晶成晶体，P型半导体部分
和N型半导体部分连接做出的。
这内部的原理结构如上图是二极管，电极是P向端子，（阳极）
用途
多用硅半导体制成、利用PN结单向导电 把交流电变为脉动电流，即整流 性能
常用点接触式、高频特性好
把调制在高频电磁波上的低频信号检出 来
得用二极管反向击穿时，二端电压不变 稳压限幅，过载保护，开关条件，广泛
原理
用于稳压电源装置中
利用正偏压时二极管电阻很小，反偏压 在电路中对电流进行控制，起到“接通”
表示
N型硅阻尼二极管
二极管的主要技术参数
二极管的主要电气参数有最大整流电流、反向击穿电压、反 向饱和电流和最高工作频率等。稳压二极管还有稳压电压稳压电 流和温度系数。
.
7
二极管好坏的判断方法
• 可以通过测量正反向电阻的大小，检查二极管性能的好坏。锗 管用R×100档测量，硅管用R×1K档测量。正反向电阻相差越 大越好。一般二极管的正向电阻大约在100-600欧姆之间，反向 电阻大约在几百千欧以上。如果测得正向电阻无穷大，表示二 极管断开；如果测得正反向电阻为零，表示二极管短路；如果 正反向电阻差不多，这样二极管也是坏的。
K
A A : A n o d e 애 노 正드 极 K : C a t h o d e 캐 负소 极드
②测定笔（红色与黑色）接触调零。
③测试的Diode的正级（A）黑对黑笔，负极（K）对红笔（顺方向TSET）
④指针不到0处停在中间就好。（按Diode特性有所不同）
⑤相反（A）对红笔，负极对黑笔（逆方向测试）
字母
A
B
C
D
含义 PNP，锗 NPN，锗 PNP，硅 NPN，硅
第三部分类型用字母表示，如下：
字母
含义
X 低频小功率管（f<3Mz,Pc<1W)
G 高频小功率管
D 低频大功率管
A 高频在功率管
.
E
化合物材料
13
• 第四部分序号； • 第五部分规格号。
例： 3AG11C 表示 锗PNP型高频小功率三极管
N向端子（阴极）构成。
Baidu Nhomakorabea
.
2
一 半导体二极管（Diode）
• 特性：具有单向导电性的半导体器件。
• 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间且具有导电能力受外界 条件（光照、温升）及杂质影响极大的特点的一类物质叫半导体 （Semiconductor)。
.
3
分类
• 用 途：检波二极管、混频二极管、参放二极管、开关二
多用于电视机行扫描电路中的阻尼、整 流电路
正向电压为1.5-3V时，只要正向电流通 用于指示，可驵成数字或符号的LED娄
过可发光
码管
.
5
二极管命名规定
根据国家标准GB-249-74，半导体二极管型号由五部分组成：
• 第一部分用数字2表示二极管； • 第二部分表示材料和极性用字母表示，如下：
字母
A
B
极管、稳压二极管、整流二极管、光电二极管、发光二极管。
• 材 料：锗二极管、硅二极管。 • 结 构：点触二极管、面触二极管。 • 工作原理：隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管等。
.
4
常用二极管特性表
名称
整流二极管 检波二极管 稳压二极管 开关二极管 变容二极管 高压硅堆 阻尼二极管
发光二极管
原理、特点
使用数字万用表，将档位选在测量二极管的档位上，红笔接二 极管的正极，黑笔接二极管的负极。如果发光，则说明发光二极管 是好的，如果不发光，则说明发光二极管不良。
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8
Diode的不良判定
（使用法参照）
顺方向TEST
0
ΩΩ
逆方向TEST
∞ ∞Ω Ω
●测定顺序
A
K
①万用表电阻Range调为*1 KΩ。
.
10
3）Transistor种类
C
E
B
B EBC
E C
E CB
E
B
C
E
B
C
E
B
C
C EB
C
BE
ECB
C
E
B
ECB
ECB
.
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E
C
E
C
E:发射极（Emitter）
B
B:基极（Base）
B
C:集电极（Collector）
.
12
三极管命名规定
• 三极管型号由五部分组成
• 第一部分用数字3表示三极管； • 第二部分表示材料和极性，用字母表示，如下：
⑥指针不动就好。
－ zener Diode是逆方向TSET时电压低的时候指针上去一点。
－ 发光二极管（LED:Light Emitting Diode）的TEST时放 *1 Ωrange里后
方向实验时高就良好。
.
9
三极管 (Transistor)
三极管是由两个制作在一起的PN结加上相应的引出电极引线 及封装组成。三极管具有放大作用，可组成放大、振荡及各种功 能的电子电路。
穿电压U（BR）CEO集电极最大允许功. 率损耗PCM。
常用三极管可分为硅三极管和锗三极管；按结构分为点接触 型和面接触型；按生产工艺分为合金型和扩散型、台面型和平 面型等；按工作频率分为低频、高频和开关三极管；依工作功 率又分为小功率、中功率、大功率三极管；从外形结构上分为 小功率金属封装、大功率金属封装、塑料封装等多种；按导电 性又分为PNP型和NPN型。
C
D
含义
N型，锗材料 P型，锗材料 N型，硅材料 P型，硅材料
• 第三部分类型用字母表示，如下：
字母
含义
字母
含义
字母
含义
P 普通管
Z
整流管
U 光电器件
V 微波管
L 整流堆
K 开关管
W 稳压管
S 隧道管
B 雪崩管
C 参量管
N 阻尼管
.
6
• 第四部分用序号用数字表示； • 第五部分规格用字母表示。
例： 2CN1
主要技术参数
表征三极管的特性参数很多，可分为三类，即直流参数， 交流参数和极限参数。
直流参数包括：共射直流放大系数、集电极-基极反向饱和 电流ICBO、集电极-发射极反向截止电流ICEO。
交流参数包括：共射极交流放大系数、共基极交流放大系 数、物征频率fTE。
极限参数包括：集电极最大允许电流ICM、集电极-发射极击
时电阻很大的单向导电性
或“关断”的开关作用
利用PN结电容随加到期管子上的反向电 在调谐等电路中取代可变电容器 压大小而变化的特性
把多只硅整流器件的芯片串联关起来形 用于高频、高压整流电路 成一个整体的高压整流器件
反向恢复时间小，能随较高的反向击穿 电压和较大峰值电流，既能在高频下工 作又具有较低的正向电压降
电子技术基础
二极管 ＆ 三极管
曾伟 2004-5-17
.
1
1.二极管（Diode）
Diode结构，外观，符号
P
N
A
K
PN
A
K
A
K
圈 磊蜡傈磊
阳极
阴极
hall
自由电子
阴极波段
－ PN结合Diode是锗或硅的单品里使结晶成晶体，P型半导体部分
和N型半导体部分连接做出的。
这内部的原理结构如上图是二极管，电极是P向端子，（阳极）
用途
多用硅半导体制成、利用PN结单向导电 把交流电变为脉动电流，即整流 性能
常用点接触式、高频特性好
把调制在高频电磁波上的低频信号检出 来
得用二极管反向击穿时，二端电压不变 稳压限幅，过载保护，开关条件，广泛
原理
用于稳压电源装置中
利用正偏压时二极管电阻很小，反偏压 在电路中对电流进行控制，起到“接通”
表示
N型硅阻尼二极管
二极管的主要技术参数
二极管的主要电气参数有最大整流电流、反向击穿电压、反 向饱和电流和最高工作频率等。稳压二极管还有稳压电压稳压电 流和温度系数。
.
7
二极管好坏的判断方法
• 可以通过测量正反向电阻的大小，检查二极管性能的好坏。锗 管用R×100档测量，硅管用R×1K档测量。正反向电阻相差越 大越好。一般二极管的正向电阻大约在100-600欧姆之间，反向 电阻大约在几百千欧以上。如果测得正向电阻无穷大，表示二 极管断开；如果测得正反向电阻为零，表示二极管短路；如果 正反向电阻差不多，这样二极管也是坏的。
K
A A : A n o d e 애 노 正드 极 K : C a t h o d e 캐 负소 极드
②测定笔（红色与黑色）接触调零。
③测试的Diode的正级（A）黑对黑笔，负极（K）对红笔（顺方向TSET）
④指针不到0处停在中间就好。（按Diode特性有所不同）
⑤相反（A）对红笔，负极对黑笔（逆方向测试）
字母
A
B
C
D
含义 PNP，锗 NPN，锗 PNP，硅 NPN，硅
第三部分类型用字母表示，如下：
字母
含义
X 低频小功率管（f<3Mz,Pc<1W)
G 高频小功率管
D 低频大功率管
A 高频在功率管
.
E
化合物材料
13
• 第四部分序号； • 第五部分规格号。
例： 3AG11C 表示 锗PNP型高频小功率三极管
N向端子（阴极）构成。
Baidu Nhomakorabea
.
2
一 半导体二极管（Diode）
• 特性：具有单向导电性的半导体器件。
• 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间且具有导电能力受外界 条件（光照、温升）及杂质影响极大的特点的一类物质叫半导体 （Semiconductor)。
.
3
分类
• 用 途：检波二极管、混频二极管、参放二极管、开关二
多用于电视机行扫描电路中的阻尼、整 流电路
正向电压为1.5-3V时，只要正向电流通 用于指示，可驵成数字或符号的LED娄
过可发光
码管
.
5
二极管命名规定
根据国家标准GB-249-74，半导体二极管型号由五部分组成：
• 第一部分用数字2表示二极管； • 第二部分表示材料和极性用字母表示，如下：
字母
A
B
极管、稳压二极管、整流二极管、光电二极管、发光二极管。
• 材 料：锗二极管、硅二极管。 • 结 构：点触二极管、面触二极管。 • 工作原理：隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管等。
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常用二极管特性表
名称
整流二极管 检波二极管 稳压二极管 开关二极管 变容二极管 高压硅堆 阻尼二极管
发光二极管
原理、特点