ZnO半导体材料的制备与合成
《纳米棒状ZnO自组装结构的制备及其光电性能研究》范文
《纳米棒状ZnO自组装结构的制备及其光电性能研究》篇一一、引言随着纳米科技的发展，ZnO纳米材料因其优异的物理和化学性质，如高激子结合能、高电子迁移率等，被广泛应用于光电器件、生物传感器、光催化剂等领域。
本文以纳米棒状ZnO自组装结构为研究对象，探讨了其制备方法及光电性能，旨在为ZnO纳米材料的应用提供理论依据。
二、制备方法1. 材料选择与准备本实验选用高纯度的ZnO粉末作为原料，通过溶胶-凝胶法进行制备。
此外，还需准备乙醇、去离子水、表面活性剂等辅助材料。
2. 制备过程首先，将ZnO粉末溶解在乙醇中，形成均匀的溶液。
然后，加入表面活性剂，在搅拌条件下使溶液形成溶胶。
接着，将溶胶置于适当的温度下进行凝胶化处理，使ZnO纳米棒自组装形成结构。
最后，对所得产物进行清洗、干燥，得到纳米棒状ZnO自组装结构。
三、结构与形貌分析1. 结构分析通过X射线衍射（XRD）对制备的纳米棒状ZnO自组装结构进行物相分析，结果表明，所得产物为六方纤锌矿结构的ZnO。
2. 形貌分析利用扫描电子显微镜（SEM）对样品进行形貌观察，发现ZnO纳米棒呈规则的棒状结构，且自组装形成紧密的结构。
此外，通过透射电子显微镜（TEM）对纳米棒的微观结构进行进一步观察，发现其具有较高的结晶度和良好的分散性。
四、光电性能研究1. 紫外-可见吸收光谱分析通过紫外-可见吸收光谱测试，发现纳米棒状ZnO自组装结构在紫外区域具有较高的光吸收能力。
此外，通过对光谱数据的分析，可以得到其禁带宽度等光电性能参数。
2. 光致发光性能研究光致发光性能是评价半导体材料光学性能的重要指标。
通过光致发光光谱测试，发现纳米棒状ZnO自组装结构具有较好的光致发光性能，发光峰位明确，半峰宽较窄。
这表明其具有较高的光学质量和较好的结晶度。
3. 电学性能研究通过电学性能测试，发现纳米棒状ZnO自组装结构具有较高的电子迁移率和较低的电阻率。
这些电学性能参数对于评估其在光电器件中的应用具有重要意义。
ZnO纳米材料的合成与应用研究
ZnO纳米材料的合成与应用研究概述：ZnO纳米材料作为一种具有广泛应用前景的半导体材料，其合成与应用研究一直备受关注。
本文旨在探讨ZnO纳米材料的合成方法以及其在各个领域的应用，从而深入了解其在科学研究和工业应用中的潜力。
一、ZnO纳米材料的合成方法1. 水热法合成水热法是一种常用的制备ZnO纳米材料的方法。
它通过调节反应条件和反应时间，可以获得具有不同形貌和尺寸的ZnO纳米颗粒。
水热法合成ZnO纳米材料具有简单、低成本、可扩展性强等优点，因此受到了广泛关注。
2. 溶胶-凝胶法合成溶胶-凝胶法是一种通过溶胶中的化学反应和胶体形成过程制备纳米材料的方法。
在ZnO纳米材料的合成中，可以通过溶胶-凝胶法控制反应条件，如温度、浓度和PH值等，以实现获得具有不同形貌和尺寸的纳米颗粒。
3. 气相法合成气相法是制备ZnO纳米材料的一种常用方法。
它通过将金属有机化合物或金属化合物加热到高温，然后通过氧化反应生成ZnO纳米颗粒。
气相法合成的ZnO纳米材料具有高纯度、高晶度和尺寸可控性好等特点。
二、ZnO纳米材料在光电子领域的应用1. 光催化应用ZnO纳米材料具有优异的光催化性能，可以利用其吸收紫外光的特性来分解有害有机物和杀灭细菌。
因此，ZnO纳米材料被广泛应用于光催化净化空气、水处理和消毒等领域。
2. 光电器件应用由于ZnO纳米材料的特殊电学性质和优异的光电性能，它在光电器件领域具有广泛应用潜力。
例如，ZnO纳米材料可以用于制备光电传感器、光电调制器、太阳能电池等。
三、ZnO纳米材料在生物医学领域的应用1. 抗菌材料ZnO纳米材料具有较高的抗菌性能，可以通过抑制细菌的生长来达到消毒和杀菌的目的。
因此，在生物医学领域，ZnO纳米材料被广泛应用于医疗设备、外科用品和医疗纺织品等。
2. 肿瘤治疗由于ZnO纳米材料的优异光学性质，在肿瘤治疗中可以利用其光热效应。
将ZnO纳米材料注入肿瘤组织，并利用红外激光的吸收来使其产生局部高温，从而实现对肿瘤的治疗。
zno量子点的制备及荧光表征
zno量子点的制备及荧光表征1. 引言量子点是一种具有特殊结构和性质的纳米材料，其尺寸在纳米级别，通常为1-10纳米。
ZnO（氧化锌）量子点是一种重要的半导体材料，因其在光电子学、生物医学等领域的潜在应用价值而备受关注。
本文将介绍ZnO量子点的制备方法以及荧光表征技术。
2. ZnO量子点的制备方法目前，ZnO量子点的制备方法主要包括溶液法、气相法和固相法等多种途径。
其中，溶液法是最常用且简单有效的一种方法。
2.1 溶液法溶液法制备ZnO量子点可以分为热分解法、微乳液法和水热法等多种方法。
2.1.1 热分解法热分解法是通过在有机溶剂中加入金属前体和表面活性剂，并在高温条件下进行热分解反应来制备ZnO量子点。
该方法具有操作简便、控制粒径尺寸容易等优点。
2.1.2 微乳液法微乳液法是通过将金属前体和表面活性剂溶解在水烃两相的微乳液中，通过控制反应条件来制备ZnO量子点。
该方法具有粒径分布窄、粒径可调控等优点。
2.1.3 水热法水热法是通过在高温高压的水热条件下，将金属前体和反应物溶解在溶液中，经过一定时间后形成ZnO量子点。
该方法具有操作简单、产率高等优点。
2.2 气相法气相法制备ZnO量子点主要包括化学气相沉积法和物理气相沉积法两种方法。
这两种方法都是通过将金属前体蒸发至高温下，与氧气反应生成ZnO量子点。
2.3 固相法固相法制备ZnO量子点主要包括熔盐法和高能球磨法等方法。
这些方法都是通过将金属前体与其他辅助剂进行固相反应，在高温下生成ZnO量子点。
3. ZnO量子点的荧光表征技术荧光表征是评价ZnO量子点性质的重要手段，常用的荧光表征技术包括荧光光谱分析、时间分辨荧光光谱分析和荧光寿命测量等。
3.1 荧光光谱分析荧光光谱分析是通过激发ZnO量子点，测量其发射的荧光信号来研究其发射特性。
该技术可以提供ZnO量子点的发射波长、发射强度等信息。
3.2 时间分辨荧光光谱分析时间分辨荧光光谱分析是在荧光激发和发射过程中，对时间进行精确测量，以研究ZnO量子点的激发和复合动力学过程。
ZnO薄膜的制备与性能研究
ZnO薄膜的制备与性能研究ZnO是众所周知的一种半导体材料，近年来，它的应用领域不断扩大，包括光电技术、传感器技术、气敏技术、生物技术等领域。
其具有较高的透明度、电阻率、热稳定性和高电子迁移率等优异特性，使得其在各个领域中拥有巨大市场前景。
在这些应用中，ZnO薄膜则是ZnO材料的重要组件之一。
本文主要探讨ZnO 薄膜的制备及其性能研究。
一、ZnO薄膜制备方法1.溶胶-凝胶法ZnO薄膜制备的一种常见方法为溶胶-凝胶法。
该方法主要涉及将预先制备好的ZnO溶胶放置于合适的基底上，然后通过热退火的方式完成ZnO薄膜的制备。
使用该方法，可以获得良好的薄膜质量和较大的薄膜面积，同时可以随意控制薄膜厚度。
2.物理气相沉积法物理气相沉积法是ZnO薄膜制备中最常用的方法之一。
其主要通过采用物理气相沉积设备将高温气体通入反应室，然后将蒸汽通过传输管道沉积在基底上完成ZnO薄膜的制备。
该方法具有制备ZnO晶体中空气杂质较少、晶粒精细等显著的优点。
3.MBE法MBE法是利用分子束外延设备在超高真空环境下生长晶体的方法。
该方法制备的ZnO薄膜具有非常高的晶体质量。
然而，需要难以实现的极限条件，如超高真空环境和较高的晶体表面温度。
二、ZnO薄膜性能研究1.光电性能ZnO薄膜是光学和电学交叉的半导体薄膜。
关于ZnO薄膜的光学性能，已有许多研究。
例如，有研究人员证实了ZnO条纹薄膜在光学上具有比等宽薄膜更高的透射比，这是由于条纹薄膜的形态依赖性的折射率引起的。
此外，ZnO薄膜具有优越的光电转换性能，可用于太阳能电池、传感器等领域。
2.气敏性能ZnO薄膜的气敏性能是其另一个重要的应用领域，具有广泛的市场前景。
研究表明，ZnO薄膜的气敏性能受到薄膜厚度、沉积温度和掺杂类型等多个因素的影响。
例如，掺杂ZnO薄膜的气敏性能不仅可以提高灵敏度，还可以增加电阻率等方面的特性。
3.化学性质关于ZnO薄膜的化学性质，研究人员通常需要从其表面性质、表面反应等多个方面进行分析。
量子点zno
量子点ZnO简介量子点ZnO是一种由氧化锌（ZnO）组成的纳米材料，具有特殊的光电性质和优异的应用潜力。
它的独特之处在于其尺寸在纳米级别，导致其电子结构和光学性质与大尺寸的ZnO材料不同。
量子点ZnO因其在能带结构和电荷传输方面的特殊性质而受到广泛关注。
量子效应量子点是指尺寸在纳米级别（通常小于10 nm）的微小晶体。
由于其尺寸相对较小，量子点材料表现出与大尺寸晶体不同的物理和化学性质。
其中之一就是量子效应。
在量子点中，电子和空穴被限制在三个空间维度上运动，形成了一个类似于三维势阱的结构。
这种限制导致了能带结构发生变化，使得材料呈现出禁带宽度随粒径变化而变化的特性。
当粒径减小到一定程度时，禁带宽度增加，能级间距减小，从而导致光学性质的变化。
ZnO的性质氧化锌（ZnO）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的光电性能和化学稳定性。
它在紫外光区域具有高透过率，并且具有高载流子迁移率、快速载流子复合速率和良好的热稳定性。
这些特性使得ZnO在光电器件、传感器、催化剂等领域具有广泛的应用前景。
然而，普通尺寸的ZnO材料往往受到缺陷密度和表面态等问题的困扰，限制了其在某些应用中的效果。
量子点ZnO由于其特殊结构和尺寸效应，可以显著改善这些问题。
量子点ZnO制备方法制备量子点ZnO主要有物理法和化学法两种方法。
物理法物理法主要包括溅射法、蒸发-凝聚法和激光烧结法等。
这些方法通过控制材料蒸发和沉积过程中的温度、压力和气氛等参数来实现纳米级别尺寸的控制。
溅射法是一种常用的物理法，通过将靶材（通常为ZnO）置于真空腔室中，加热靶材并用惰性气体轰击使其蒸发，然后在基底上沉积形成纳米颗粒。
化学法化学法主要包括溶胶-凝胶法、水热合成法和热分解法等。
这些方法通过在溶液中控制反应条件来实现量子点ZnO的制备。
溶胶-凝胶法是一种常用的化学方法，通过将金属前驱体和溶剂混合并控制反应温度和时间等参数，在溶液中形成纳米颗粒。
量子点ZnO的应用量子点ZnO由于其特殊的光电性质，在多个领域具有广泛的应用潜力。
ZnO纳米粒子合成
ZnO纳米粒子合成【实验目的】1、了解ZnO等宽带隙半导体纳米材料的各类性质及应用领域2、掌握ZnO纳米粒子的制备方法【实验仪器】电子天平，水浴锅，电动搅拌器，三颈烧瓶【实验原理】纳米技术与纳米材料的应用，在于充分利用纳米材料优异的光学特性、电学特性、磁学特性、力学特性和催化等特性，开展具有新技术和高性能的新材料和新产品，并对传统材料进行改性。
纳米氧化锌（ZnO）是一种粒径介于1-100 nm之间的面向21世纪的新型多功能精细无机材料，其表现出许多优异的性质，如荧光性、压电性、生物相容性等。
通过利用其在光、电和磁等方面的奇特性能，可用于制造气体传感器、荧光体、紫外线遮蔽材料、图像记录材料、压电材料、高效催化剂、磁性材料和塑料薄膜等。
国外对于ZnO的研究起步较早。
其中，日本于20世纪80年代初以锌的乙酞络合物为原料通过气相合成法制备出粒径为100 nm左右的ZnO超细粉体。
之后，日本、美国、德国和韩国相继开始用各种物理化学方法制备ZnO纳米粒子。
而我国的相关研究起步较晚，大约在20世纪90年代初期才开始对纳米ZnO的制备及应用展开研究。
目前，纳米ZnO作为一种宽禁带的直接带隙II-VI组半导体材料，正在抗紫外线、光催化、传感器、发光二极管、太阳能电池和生物医学等领域大展拳脚。
【实验内容】1、取240 mg氢氧化钾粉末充分溶于10 mL甲醇中，备用；2、取615 mg醋酸锌置于三颈烧瓶中，并注入30 mL甲醇，充分搅拌溶解后置于水浴锅中，密封，加热到60摄氏度；3、将1中氢氧化钾溶液逐滴滴入2中，持续搅拌，反应2小时左右直至混合溶液出现白色浑浊为止，实验完成。
【注意事项】1、注意反应原料的放入顺序及数量；2、严格控制三颈烧瓶中甲醇的挥发，以免导致所制备的ZnO纳米粒子粒径不均匀。
【思考题】正常情况下，该反应溶液需经过90-120分钟才会逐渐出现白色浑浊，而有些同学在实验中会发现如果不能很好控制甲醇溶剂挥发，反应会提前完成，为什么？导致的后果是什么？。
ZnO纳米材料的制备及其光性能分析
ZnO纳米材料的制备及其光性能分析ZnO纳米材料的制备及其光性能分析摘要：随着纳米材料的研究和应用逐渐深入，ZnO纳米材料因其优异的光学性质和广泛的应用潜力而备受关注。
本文通过对ZnO纳米材料的制备方法及其光性能的分析，探讨了其在可见光谱范围内的应用前景和潜在问题。
1. 引言ZnO是一种重要的半导体材料，在可见光范围内具有良好的透明性和光学性能。
纳米化技术使ZnO纳米材料的制备更加容易，并且能够调控其形貌和结构，进一步扩展了其应用领域。
本文主要研究了ZnO纳米材料的制备方法和其在光学性能方面的应用。
2. ZnO纳米材料的制备方法2.1 水热法水热法是制备ZnO纳米材料常用的方法之一。
通过在高温高压条件下将Zn源物与反应溶液中的脱水剂反应，在特定的温度、压力和时间下得到纳米级的ZnO颗粒。
这种方法可以控制纳米粒子的形貌和大小。
2.2 氧化法氧化法是将氧化锌粉末进一步破碎并通过化学反应得到纳米级ZnO颗粒的方法。
具体步骤包括溶液制备、沉淀制备和煅烧等。
这种方法制备的ZnO纳米材料通常具有较高的纯度和比表面积。
2.3 等离子体辅助沉积法等离子体辅助沉积法是一种通过等离子体溅射氧化锌薄膜并在退火过程中形成纳米颗粒的方法。
这种方法对制备较大面积的纳米薄膜具有较高的效率和可控性。
3. ZnO纳米材料的光性能分析3.1 光吸收与发射性质ZnO纳米材料在可见光谱范围内具有很好的吸光性能，吸收光谱主要集中在紫外光区域，具有很高的吸收系数。
此外，ZnO纳米材料还表现出良好的荧光性能，其荧光峰位主要在380-420 nm范围内。
3.2 光电导性质由于ZnO纳米材料是一种半导体材料，因此具有良好的光电导性能。
通过引入掺杂元素或修饰表面，可以调控和增强ZnO纳米材料的光电导能力。
这使得ZnO纳米材料在光电器件和太阳能电池等领域有广泛的应用前景。
3.3 光催化性能ZnO纳米材料具有较高的光催化性能，可以在可见光区域内吸收光能并产生电子-空穴对。
ZnO纳米半导体材料制备
ZnO纳米半导体材料制备ZnO纳米半导体材料是一种应用广泛的纳米材料，具有较高的光学、电学性能，被广泛应用于光电器件、光化学传感器等领域。
本文将主要介绍ZnO纳米半导体材料制备的方法和工艺流程。
1. 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是制备ZnO纳米半导体材料的一种有效方法。
大体上，溶胶-凝胶法是将一定比例的Zn(NO3)2·6H2O和NaOH在水中溶解，形成氢氧化锌胶体，通过高温固化和煅烧制备出ZnO纳米半导体材料。
其中，胶化处理的条件包括温度、pH值、浓度等因素，对于制备ZnO纳米半导体材料的影响较大。
在实际操作中，也可以通过添加其他成分，如葡聚糖等，对胶体进行修饰，可以得到不同形态、大小和分散状态的ZnO纳米半导体材料。
2. 气相沉积法气相沉积法是制备ZnO纳米半导体材料的一种常用方法。
基本的制备过程是，在预制的基底上，通过真空或气氛等环境下，使大气中的气体通过热源或光源的激发，分解并反应生成ZnO纳米半导体材料。
在实际操作中也可以通过在反应中加入其他气体或化学试剂等进行反应，如NH3、H2O等，可对所得纳米半导体的性质进行改变。
3. 热分解法热分解法是通过热分解物质，在目标物质的表面附着形成纳米半导体材料的制备方法。
在ZnO纳米半导体材料的制备中，可以采用类似的方法，先将ZnO前体溶于某种有机溶液中，然后在一定温度下加热，使前体产生分解反应，沉积在基底上的ZnO形成纳米半导体材料。
不同于其他制备道德方法，热分解法所得纳米材料较好地维持了前体分子的结构，因而具有较好的晶型、晶粒尺寸和形貌等方面的性质。
总之，ZnO纳米半导体材料具有良好的物理性能和应用前景，其规模化制备对纳米材料的推广应用十分重要。
不同的制备方法也可以根据材料特点和应用领域的不同来选择。
ZnO稀磁半导体
Zn1-xMnxO薄膜的光致发光性质 薄膜的光致发光性质
随着Mn掺杂含量的增加，带 边发射峰的位置发生蓝移， 即往高能方向漂移。带边发 射峰的蓝移可能来源于因Mn 进入ZnO晶格后所导致的 Burstein-Moss effect、自旋 相关激发或者晶格畸变
经600℃氧气处理的Zn1－xMnxO 薄膜的光致 发光谱，其中A、B、C和D分别代表Mn名义 含量为0、2％、4％和6％的样品。
制备原理
等离子体化学气相沉积技术原理是利用直流（交流）、射频或微波方式实现 低压气体在高频（13.56MHz）电场作用下的辉光放电，衬底置于低压辉光放 电的阴极上，等离子体中的反应气体在高速运动电子的猛烈轰击下引起激发、 电离或解离，生成各种激发分子、原子或离子，这些粒子常以扩散的方式到 达衬底的表面形成固态膜。
等离子体增强化学气相沉积法制备 ZnO稀磁半导体
内容
稀磁半导体介绍 ZnO稀磁半导体材料的PECVD制备方法 实验结果及分析
稀磁半导体的基本概念
稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors, 简写为 DMSs)亦称半磁半导体，是指磁性过渡族金属元素（Fe, Co, Ni, Mn 等）或稀土金属元素( Eu, Gd等)替代部分II-VI族、IV-VI族、 II-V族或III-V族等半导体中部分非磁性元素后所形成的一类新型 半导体合金材料。根据掺杂磁性元素量的多少可分为非磁性、 稀磁和磁性半导体三种类型稀磁半导体材料由于磁性元素的掺 入而表现出一系列不同于常规半导体的奇异属性，如磁光效应、 磁电阻效应和塞曼劈裂等最近几年，稀磁半导体的研究一直都 是自旋电子学研究领域的热点。
利用PECVD技术在低温下制备出室温铁磁性Zn1-xMnxO稀磁半导体薄膜， 其中掺杂元素Mn在ZnO薄膜中的的名义百分比分别为0、2%、4%、6％和 30%（根据蒸发靶中Mn/Zn原子百分比而定义的）系统地研究ZnO薄膜及其 ZnO基稀磁半导体薄膜的结构特性、光学、电学和磁学性质。 对其进行一 下分析：
复合溶剂热法可控合成ZnO半导体纳米材料
限公 司 ） 离心分 离 机 （ 国北 京 时代北 利公 司 ） ； 中 ．
ｚ （ Ｏ ） ・ Ｈ ０、 ａ Ｈ、 水 甲醇 和 无 水 乙 ｎ Ｎ ６ Ｎ Ｏ 无 醇 均 为市售 分析 纯 ； 自制 去 离子水 ．
表征 ， 对不 同形 貌产 物 的生 长机 理进 行 了讨论 ． 并
１ 实验 部 分
１ １ 仪 器及试 剂 ． Ｄ ８一Ａ ｖｎ ｅ型 ｘ． 线 粉 末 衍 射 仪 （ 国 ｄａ ｃ 射 德 Ｂｕ ｅ 公 司 ） 辐 射 源 为 Ｃ ｒｋｒ ， ｕ靶 Ｋ 仪射 线 ， 压 ４ 电 ０
具 有 非 常 重 要 的 意 义 ．
迄 今 为止 ， 人们 已经 发 展 了水 热／ 剂 热 合 成 溶 法 、 波 合 成 法 、 Ｃ Ｄ 法 和 电化 学 法 等 多 种 合 微 ＭＯ Ｖ
２ Ｖ； Ｑ一 ０ ０ｋ Ｋ ５ Ｅ型 超 声 波 清 洗 器 （ 国宁 波 科 生 中 仪器 厂 ） Ｆ ２ ０ ；Ａ ０ ４型 电子 天 平 （ 国上 海方 瑞 仪 器 中 有 限公 司） 数 控鼓 风 干 燥 烘 箱 （ 国 宁 波 红 菱 有 ； 中
Ｎ Ｏ 首 先 溶 于 ７ ５ ｍＬ 去 离 子 水 中 ， 放 置 ５ ａＨ ． 并
ｍｉ； 加入 ７ ５ｍＬ无 水 甲醇 ， 温下 磁 力搅 拌 ３ ｎ再 ． 室 Ｏ ｍｉ； ｎ 将得 到 的混 合物置 于 四氟 乙烯 反应 器 中 ， 再放 入不 锈 钢反应 釜 中密 封 ， １０。 在 ２ Ｃ下保温 １ ． ２ｈ 反
的 Ｚ Ｏ半 导 体 纳 米 材 料 （ ｎ 四脚 针 状 、 状 和 片 状 ） 利 用 Ｘ 射 线 粉 末 衍 射 仪 （ Ｒ 和 扫 描 电子 显微 镜 （ Ｅ 对 产 物 的 晶 体 棒 ， 一 Ｘ Ｄ） Ｓ Ｍ） 结构 和 形 貌 进 行 表 征 ． 果 表 明 ， 过 简单 地 改 变反 应 物 比例 和 溶 剂 ， 成 功 地 实现 Ｚ Ｏ 纳 米 材 料 晶 型 和 形 貌 的 控 制 合 成 ． 结 通 可 ｎ
ZnO纳米材料的制备与应用概况
1.1 纳米材料概述上世纪70年代纳米颗粒材料问世,80年代中期在实验室合成了纳米块体材料,80年代中期以后,成为材料科学和凝聚态物理研究的前沿热点。
纳米材料研究的内涵不断的扩大,从最初的纳米颗粒(纳米晶、纳米相、纳米非晶等以及由它们组成的薄膜与块体,到纳米丝、纳米管、微孔和介孔材料(包括凝胶和气凝胶[1]。
纳米微粒的粒径一般在1~100nm,具有粒子尺寸小、比表面积大、表面原子数多、表面能和表面张力随粒径的下降急剧增大等特点,其组成的材料具有量子尺寸效应、表面效应、体积效应和宏观量子隧道效应,不同寻常的电学、磁学、光学和化学活性等特性,已在化工、制药、微电子、环境、能源、材料、军事、医学等领域展示了广泛的应用前景[2]。
1.2 氧化锌(ZnO概述氧化锌(ZnO是一种新型无机化工材料,它既是性能优良的压电、热电和铁电材料,同时也是一种新型的宽禁带半导体材料,被广泛应用于橡胶、染料、油墨、涂料、玻璃、压电陶瓷、气体传感器、图像记录材料、光电子及日用化工等领域,特别是纳米ZnO用于毛织物的后整理,使织物具有抗菌除臭、消毒、抗紫外线的功能,国内外在纳米ZnO制备和应用领域的研究正在不断的加强和深化。
目前己经制备出了多种不同形貌的ZnO一维纳米材料,并在激光、场发射、光波导、非线性光学等领域上有了新的用途[3]。
1.2. 1纳米ZnO的性质纳米氧化锌为白色粉末,其粒子尺寸小,比表面积大,因而它具有明显的表面与界面效应、量子尺寸效应、体积效应和宏观量子遂道效应以及高透明度、高分散性等特点,使其在化学、光学、生物和电学等方面表现出许多独特优异的物理和化学性能。
室温下,ZnO禁带宽度约为3.37eV,是一种新型的宽禁带直接带隙化合物半导体材料。
其激子束缚能高达60meV,在室温下不会全部分解,这意味着ZnO光致发光和受激辐射具有较低的闭值,因而更易在室温下实现高效受激发射。
ZnO被认为是一种更合适的用于室温或更高温度下的紫外光发射材料。
纳米氧化锌的制备及应用
纳米氧化锌的制备及应用
纳米氧化锌（ZnO）是一种重要的二维非金属半导体纳米材料，可应用于传感器、光电子器件、非线性光学器件、荧光粉及生物传感器，既可有很好的特性又可在大量生产中实现实际应用。
根据结构形态而定，纳米颗粒形状可分为板条状、线形、长针形、螺旋状、柱状等几种形状。
纳米氧化锌的制备常用的方法包括溶胶—凝胶法和溶胶—冻胶法，这些方法的共同优点是快速，成本低廉，两种获得的结果也比较可靠。
纳米氧化锌在功能材料上应用极为广泛，最突出的应用应该是其生物感应性和光催化的功能。
除此之外，它还可用于光有源器件、电机磁体及水净化行业。
纳米氧化锌还能释放出氧离子，并生成臭氧气体，同时能快速杀灭有害物质馒头，有助于保持室内空气某洁净，也可有效杀灭室内各种有害生物及耐热再生造纸领域的各种有害物质。
纳米氧化锌作为一种功能材料，越来越受到人们的关注和重视，制备出来的 ZnO具有锐利的照明和特殊物理化学功能，它可以用于传感器、光电子器件、非线性光学器件、荧光粉及生物传感器等广泛领域。
但是，由于其制备条件较复杂，而且ZnO相对较容易污染，这也成为ZnO纳米技术发展的瓶颈所在，需要进一步改善。
纳米结构ZnO的制备及性能研究
纳米结构ZnO的制备及性能研究一、本文概述氧化锌（ZnO）是一种重要的半导体材料，因其独特的物理和化学性质，在纳米科技领域引起了广泛的关注。
纳米结构ZnO的制备及性能研究对于推动材料科学、电子学、光电子学、生物医学等多个领域的发展具有重要意义。
本文旨在深入探讨纳米结构ZnO的制备方法、结构特性、以及其在各种应用场景中的性能表现。
本文将概述纳米结构ZnO的基本性质，包括其晶体结构、能带结构、光学特性等。
随后，我们将详细介绍几种常见的纳米结构ZnO制备方法，包括物理法、化学法以及生物法等，并对比各种方法的优缺点。
在此基础上，我们将重点关注纳米结构ZnO的性能研究，包括其电学性能、光学性能、光催化性能、以及生物相容性等。
我们将通过实验数据和理论分析，全面揭示纳米结构ZnO的性能特点及其在不同应用场景中的潜在应用价值。
本文还将展望纳米结构ZnO的未来发展趋势，探讨其在新能源、环保、生物医学等领域的应用前景。
我们希望通过本文的研究，能够为纳米结构ZnO的制备和性能优化提供有益的参考，推动其在各个领域的实际应用。
二、ZnO纳米结构的制备方法ZnO纳米结构的制备方法多种多样，主要包括物理法、化学法以及生物法等。
这些方法的选择取决于所需的ZnO纳米结构的尺寸、形貌、纯度以及应用的特定要求。
物理法：物理法主要包括真空蒸发、溅射、激光脉冲沉积等。
这些方法通常在高温、高真空环境下进行，能够制备出高质量的ZnO纳米结构。
然而，这些方法通常需要昂贵的设备和复杂的操作过程，限制了其在大规模生产中的应用。
化学法：化学法因其设备简单、操作方便、易于大规模生产等优点，在ZnO纳米结构制备中得到了广泛应用。
其中，溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、水热法和微乳液法等是常用的化学制备方法。
例如，溶胶-凝胶法通过控制溶液中的化学反应，可以制备出具有特定形貌和尺寸的ZnO纳米颗粒。
化学气相沉积法则可以通过调节反应气体的流量、温度和压力等参数，实现ZnO纳米线的可控制备。
制备与合成ZnO纳米材料方法分析
制备与合成ZnO纳米材料方法分析ZnO纳米材料制备工艺与合成技术是其能否取得突破性进展的关键问题，文章综述了制备与合成ZnO纳米材料的几种常用方法：热蒸发法、分子束外延法、射频磁控溅射法、模板法及水热法，并对几种制备方法进行比较。
标签：ZnO纳米材料；热蒸发法；磁控溅射法；水热合成法前言ZnO纳米材料作为近年来倍受瞩目的半导体材料，其制备工艺与合成技术是直接关系ZnO纳米材料在半导体领域能否进一步发展的决定因素，制备方法的不同将会影响到ZnO纳米材料的结构与光、电、磁等性能，因此，探索出制备与合成ZnO纳米材料的方法与手段，成为科学家们关注的焦点，文章将总结ZnO 纳米材料在合成与制备领域中最常用的几种方法。
1 热蒸发法在热蒸发法中，将原料与催化剂的混合物放在高温端进行加热，通过蒸发现象，将原料在高温区受热升华并通入一定流量的气体，气体可将受热蒸汽传送到蒸发反应区，从而在低温区沉积成核，生长出所需的ZnO纳米结构[1]。
对于热蒸发法，锌单质或氧化锌受热分解可作为锌源的主要来源，通常状况下氧化锌的分解温度较高，与其相比，锌的熔点（419℃）与沸点（907℃）较低，因此在低温下，金属锌可成为生长氧化锌纳米材料的理想原料。
由热蒸发法原理，可在管式炉制备ZnO纳米材料，通常用石墨粉作为催化剂，将ZnO与石墨粉1：1混合后作为原料，放置于石英管高温反应区，具体实验过程如下：（1）加热管式炉，先缓慢升至100℃，随后升至所需反应温度。
（2）将衬底放入丙酮和乙醇中分别超声10分钟，清洁石英管，将ZnO和石墨以1：1的比例放入小石英管底部，放置衬底，并将小石英管放入炉内。
（3）缓慢抽取真空，使管内气压稳定到真空范围。
（4）进行蒸发反应，反应时间按生长需要而定。
2 分子束外延法外延制备技术以其独特的生长方法可制备出高性能的氧化锌薄膜，气相外延技术采用不同方法可实现其制备，例如分子束外延法、液相外延法、金属有机物化学气相沉积等技术。
ZnO纳米半导体材料制备
ZnO纳米半导体材料制备摘要本文介绍了ZnO纳米半导体材料的制备方法和应用前景。
首先，阐述了ZnO纳米材料在电子、光电、催化等领域的应用潜力。
其次，介绍了ZnO纳米半导体材料的制备方法，包括溶胶-凝胶法、气-液相法、水热法、物理气相沉积法等。
最后，对制备方法的优缺点进行了评价和比较，并对未来的研究方向提出了展望。
介绍ZnO是一种重要的半导体材料，具有优良的电学、光电性能和生物相容性，是当前非常热门的材料之一。
ZnO纳米材料由于其小尺寸效应、表面活性等特点，其物理、化学、光电等性质都与其宏观材料相比发生了显著变化，因此在电子、光电、催化等领域有着广泛的应用前景。
ZnO纳米材料在电子学中被用作半导体材料，因其能带宽度较大，禁带宽度可达3.37eV，电子传导性能优良，能够制备出高性能的固态器件。
同时，在光电领域中，ZnO纳米材料被广泛应用于荧光显示技术、太阳能电池、探测器和光学传感器等器件中。
ZnO纳米晶还具有良好的光催化性能，可用于水处理、空气净化等领域。
因此，研究ZnO纳米半导体材料的制备方法具有重要意义。
制备方法ZnO纳米半导体材料的制备方法有多种，这里介绍了其中常用的几种方法。
溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是目前制备ZnO纳米材料的常用方法之一。
其基本原理是利用金属有机化合物或无机盐在溶剂中形成均相溶胶，然后将其加热至一定温度下使其凝胶化。
再经过焙烧等处理过程，最终制得ZnO纳米粉末。
具体操作如下：依次将Zn源溶剂中加热至一定温度，得到均匀的溶胶，然后将其放在恒温槽中，将温度升高至一定值，定向形成凝胶，最后通过焙烧处理得到纯净的ZnO纳米粉末。
气-液相法气-液相法是一种通过气态单质还原溶液中的金属离子制备纳米粒子的方法。
在该方法中，先将ZnO粉末放入反应釜中，加入氢氧化钠水溶液并搅拌，同时向反应釜中注入氢气，经过一段时间后过滤，再用浓盐酸处理，即可得到纳米粒子。
水热法水热法是一种通过水热反应制备纳米材料的方法，也是制备ZnO纳米材料的一种常用方法。
ZnO纳米半导体材料制备
ZnO纳米半导体材料制备ZnO纳米半导体是一种重要的半导体材料，在化学、电子学、材料学等领域有着广泛的应用。
本文主要介绍ZnO纳米半导体材料的制备方法及其应用。
一、ZnO纳米半导体材料制备方法1. 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种常用的制备ZnO纳米材料的方法。
该方法以氧化锌为前驱体，将其以适当的浓度溶解在有机溶剂中，加入表面活性剂后通过水热处理得到ZnO纳米晶粒。
2. 水热法水热法是一种快速简单的制备ZnO纳米半导体材料的方法。
该方法可以通过改变反应物浓度、反应温度和反应时间等条件来控制ZnO纳米晶粒的大小和形状。
3. 热分解法热分解法是一种通过分解金属有机化合物制备ZnO纳米晶粒的方法。
该方法可以制备高品质的ZnO纳米晶粒，但需要高温下进行反应，操作较为复杂。
4. 气相沉积法气相沉积法是一种将气相反应物在高温下沉积在基底表面上制备ZnO纳米晶粒的方法。
该方法可以通过控制反应条件来调控ZnO 纳米晶粒的大小和形状。
二、ZnO纳米半导体材料的应用1. 光电器件ZnO纳米半导体材料在太阳能电池、LED等光电器件方面有着广泛的应用。
ZnO纳米材料可以提高器件的光电转换效率、增加光敏度、减少暗电流等。
2. 生物医学领域ZnO纳米材料在生物医学领域有着广泛的应用。
ZnO纳米颗粒可以用作抗菌剂、药物传递系统、生物成像等方面。
3. 环境保护ZnO纳米材料在环境保护领域有着广泛的应用。
ZnO纳米颗粒可以用作光催化材料、气体传感器、废水处理等方面。
4. 纳米传感器ZnO纳米材料在纳米传感器领域有着广泛的应用。
ZnO纳米颗粒可以用作气敏材料、湿度传感器等方面。
ZnO纳米半导体材料是一种重要的材料，在各个领域都有着广泛的应用前景。
随着制备技术的不断发展，ZnO纳米材料的性能和应用将会得到更大的提升。
导电氧化锌 23-k
导电氧化锌 23-k导电氧化锌（ZnO）是一种具有优异导电性能的半导体材料。
它的导电性能可以通过掺杂或制备特定结构来进一步改善。
以下从多个角度来回答你的问题。
1. 结构与性质：导电氧化锌具有六方晶系结构，晶格常数为a = 0.3249 nm，c = 0.5206 nm。
它的导电性能主要来源于其导带中的自由电子和价带中的空穴。
掺杂导电氧化锌可以改变其导电性能，常见的掺杂元素包括铝、铟、锂等。
导电氧化锌还具有优异的光学性能，可用于制备光电器件。
2. 制备方法：导电氧化锌可以通过多种方法制备，常见的方法包括溶胶-凝胶法、热蒸发法、溅射法等。
其中，溶胶-凝胶法是一种常用且简单的制备方法，通过溶液中的金属离子在适当条件下形成氧化锌凝胶，再经过热处理得到导电氧化锌。
3. 应用领域：导电氧化锌在许多领域具有广泛的应用。
首先，它在透明导电膜领域有重要应用，如触摸屏、液晶显示器、太阳能电池等。
其次，导电氧化锌还可用于气敏传感器，如气体传感器和湿度传感器，用于检测环境中的气体浓度和湿度变化。
此外，导电氧化锌还可用于光电器件，如光电二极管和激光二极管。
4. 优点和挑战：导电氧化锌具有许多优点，例如优异的导电性能、透明性和光学性能，以及制备方法简单、成本相对较低等。
然而，导电氧化锌也面临一些挑战。
例如，由于氧化锌的带隙较大，它对紫外光敏感，因此在可见光范围内的导电性能较差。
此外，氧化锌还容易受到空气中的湿度和氧气的影响，导致导电性能下降。
综上所述，导电氧化锌是一种具有优异导电性能的半导体材料，可以通过掺杂或制备特定结构来改善其性能。
它在透明导电膜、气敏传感器、光电器件等领域有广泛应用，并具有许多优点和挑战。
ZnO的实验报告
ZnO的实验报告一、实验目的本次实验旨在研究 ZnO 的物理和化学性质，探索其制备方法，并对所得产物进行表征和分析。
二、实验原理ZnO 是一种具有直接带隙的宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为337 eV。
它在光电、压电、气敏等领域有着广泛的应用。
制备 ZnO 的方法有多种，本实验采用的是水热法。
在一定的温度和压力条件下，通过化学反应使锌盐在水溶液中生成 ZnO 晶体。
三、实验试剂与仪器1、试剂硝酸锌（Zn(NO₃)₂·6H₂O）氢氧化钠（NaOH）去离子水2、仪器电子天平磁力搅拌器水热反应釜烘箱X 射线衍射仪（XRD）扫描电子显微镜（SEM）紫外可见分光光度计（UVVis）四、实验步骤1、称取一定量的硝酸锌和氢氧化钠，分别溶解在去离子水中，配制成一定浓度的溶液。
2、将氢氧化钠溶液缓慢滴加到硝酸锌溶液中，同时磁力搅拌，直至溶液的 pH 值达到 10 左右。
3、将混合溶液转移到水热反应釜中，填充度控制在 80%以下。
4、将水热反应釜放入烘箱中，在 180℃下反应 12 小时。
5、反应结束后，自然冷却至室温，取出产物，用去离子水和乙醇多次洗涤，然后在 80℃下干燥 6 小时，得到 ZnO 粉末。
五、实验结果与分析1、 X 射线衍射（XRD）分析对制备的 ZnO 粉末进行 XRD 测试，所得图谱与标准 ZnO 的衍射图谱相匹配，表明产物为六方纤锌矿结构的 ZnO。
2、扫描电子显微镜（SEM）分析通过 SEM 观察到 ZnO 呈现出纳米棒状的形貌，直径在几十到几百纳米之间，长度可达数微米。
3、紫外可见分光光度计（UVVis）分析对 ZnO 进行 UVVis 测试，发现其在紫外区有明显的吸收峰，表明ZnO 具有良好的紫外吸收性能。
六、实验讨论1、反应条件对 ZnO 形貌和性能的影响反应温度和时间对 ZnO 的结晶度和形貌有重要影响。
较高的温度和较长的反应时间有利于形成结晶度良好的 ZnO，但温度过高或时间过长可能导致颗粒团聚。
《材料科学与工程综合实践》半导体ZnO陶瓷的制备和性能研究
《材料科学与工程综合实践》半导体ZnO陶瓷的制备和性能研究目录一、文献综述---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 11.1研究背景 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 11.1.1 氧化锌是什么------------------------------------------------------------------------------------- 11.1.2 研究氧化锌的意义 ------------------------------------------------------------------------------ 11.1.3 氧化锌的晶体结构 ------------------------------------------------------------------------------ 11.2研究现状 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 21.2.1半导体 ----------------------------------------------------------------------------------------------- 21.2.2半导化 ----------------------------------------------------------------------------------------------- 21.2.3半导体氧化锌陶瓷的电导率范围 ----------------------------------------------------------- 31.2.4半导化方法----------------------------------------------------------------------------------------- 31.2.5半导体氧化锌陶瓷的现状 --------------------------------------------------------------------- 61.2.6铝掺杂氧化锌的合成及表征 ----------------------------------------- 错误!未定义书签。
氧化锌半导体材料的研究与应用
氧化锌半导体材料的研究与应用近年来，随着半导体材料领域的不断发展，氧化锌（ZnO）作为一种重要的半导体材料，受到了广泛研究和应用。
本文旨在探讨氧化锌半导体材料的研究与应用现状。
一、氧化锌半导体材料的基本性质氧化锌是一种宽禁带半导体，其晶格结构属于六方最密堆积结构（hexagonal close-packed, HCP），其能带结构呈现出特殊的双峰结构。
同时，氧化锌具有良好的光电性能和催化性能，具有巨大的应用潜力。
二、氧化锌半导体材料的合成方法目前，氧化锌半导体材料的合成方法主要包括物理法、化学法和生物法三种。
1.物理法物理法合成氧化锌主要包括热蒸发法、溅射法、激光烧蚀法、水热合成法等。
这些方法都具有合成简便、成本低廉等优点，但其制备的氧化锌材料质量较差，易受污染。
2.化学法化学法合成氧化锌主要包括溶胶-凝胶法、水热法、气相沉积法、水热合成法等。
其中，水热法是最为常用的方法。
化学法合成氧化锌具有高纯度、单相性好、粒径可控等优点，然而其制备过程需要控制反应条件，反应时间较长。
3.生物法生物法合成氧化锌主要利用微生物、植物等生命体的代谢过程，例如利用蓝藻、叶绿体等合成氧化锌材料。
该方法具有环保、成本低廉等优点，但其制备过程需要控制微生物环境，否则容易使产物受污染。
三、氧化锌半导体材料的应用领域1.光电器件氧化锌材料在光电器件中的应用涉及到太阳能电池、LED、光敏器件等。
其中，在太阳能电池中，氧化锌作为助剂或作为电子传导层，可以有效提高光电转化效率；在LED领域，氧化锌可以作为n型半导体材料，其高透过率和较宽的带隙特性使其成为一种重要的发光材料。
2.传感器氧化锌材料在传感器中有广泛的应用，如气敏传感器、湿度传感器、温度传感器等。
其中，气敏传感器是氧化锌半导体材料在传感器领域中的一个热门研究方向。
在气体检测领域，氧化锌材料可以检测出大量空气中的气体，例如一氧化碳、甲烷等。
3.催化剂氧化锌材料在催化剂领域上的应用主要包括环保、化学工业等多个领域。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
ZnO半导体材料的制备与合成(安徽工业大学,材料科学与工程)摘要: 氧化锌半导体材料以其优良的光电性能在光电子、传感器、透明导体等领域得到广泛应用。
综述了氧化锌半导体功能材料在敏感材料、压电材料、导电薄膜等方面的性能、应用及薄膜的制备技术, 相对于三维块体材料, 氧化锌薄膜可以适应大规模集成电路的需要, 更具发展前途和研究价值。
氧化锌薄膜的性质随掺杂组分和制备条件的不同而表现出很大的差异性。
1.关键词: 氧化锌; 半导体材料; 薄膜; 光电性能Abstract: Znicoxide has a wide range of technological applications as semiconductive material including photoelectron, sense organ, tansparent conductor and others. This paper concentrates on the properties and applications o f ZnO in sensitive ma terials, piezoe lectric m aterials and conductive film, also on techniques which the thin film was prepared by. Contrasting with monolith materia ls, the ZnO thinfilm can meet the demands of molectron and possesses a grea tdevelopment futureand resea rchvalue. The ZnO thin film can be doped with a variety of ions and prepared with m any techniques to exhibit different properties.K ey words: ZnO; semiconductive mteria ;l thin film; optica l and electrical property. 1稀磁性半导体1．1从磁性角度出发，半导体材料可以划分为非磁半导体(nonmagneticsemiconductor)、稀磁半导体(diluted magnetic semiconductor，DMSs)和磁半导体(magnetic semiconductor)三种类型。
磁性半导体集半导电性和磁性于一体，可以同时利用电子的电荷和自旋，兼备常规半导体电子学和磁电子学的优越性，被认为是21世纪最重要的电子学材料。
在自旋电子领域展现出非常广阔的应用前景，引起了人们对其研究的浓厚兴趣。
1．2稀磁半导体定义及研究意义稀磁半导体材料按照磁性元素的种类可以分为磁性过渡金属元素基稀磁半导体和磁性稀土金属元素基稀磁半导体；按照半导体材料来分可以分为化合物半导体基稀磁半导体和单质半导体基稀磁半导体。
目前，人们主要从事的是II一Ⅵ和III．V族化合物基的稀磁半导体的研究，半导体基一般有InP、bias、GaAs、GaSb、GaN、GaP、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe等，磁性元素一般为过渡金属元素Mn、Fe、Co、Ni、Cr等。
然而，由于大多过渡金属元素在IⅡ．V族半导体材料中的溶解度很低，导致III．V族基的DMS材料的自旋注入效率很低，难以获得大的磁性，实际应用价值不大，相比之下，ZnO在这方面具有较大的优势。
Jin等人的实验证明，过渡金属元素在ZnO中具有较高的溶解度，其中Co、Mn的溶解度分别达到50mol％和30mol％，此外，在ZnO中很容易实现重电子掺杂(>1021锄。
3)，其p型掺杂也有报道。
总之，稀磁半导体作为一种新材料，在自旋电子学、光电子领域已经展现出非常广阔的应用前景，比如自旋阀、自旋二极管、稳定的存储器、逻辑器件等，因此，无论在理论上，还是在应用上，稀磁半导体材料都是一个值得深入研究的课题。
2 .ZnO简介ZnO是一种II．Ⅵ族半导体氧化物材料，具有纤锌矿结构，属于六角晶系0aexagonal)6mm点群。
可以看作是由沿着c轴方向的Zn．o“原子偶层’’构成，即一层Zn原子与一层O原子紧靠在一起的重复排列结构，每个原胞含有两对Zn．O原子。
Zn原子与周围的四个O原子形成一个四面体。
同理，以O原子为中心与周围的四个盈原子形成一个四面体。
ZnO的晶格常数a=b=O．324982 nm，踟．520661 nln，c／a的值为1．602，比理想的六角密堆体积略小，如图1．2所ZnO 为一种宽带隙直接带隙半导体，具有很高的激子束缚能(60 meV)，是室温离化能(26 meV)的2．3倍，并且远高于其它宽带隙半导体，保证了激子态在室温下能够大量存在，使得ZnO 在室温下能实现高效率的紫外激光发射，在短波长光学器件领域具有广阔的应用前景。
ZnO 又是一种性能很好的压电和热电半导体材料，由于它具有压电、光电等效应，因而提供了将电学、光学及声学器件，如光源、探测器、调制器、光波导、滤波器及相关电路等进行单片集成的可能性。
2.1 ZnO 基稀磁半导体的研究进展近年来，稀磁半导体材料的研究已经取得了巨大的进展，大量研究工作已投入到过渡金属元素掺杂的ZnO 基稀磁半导体中，其中研究最多的是Mn 、Co 、Fe 掺杂的ZnO 。
通过控制掺杂浓度和制备条件，这些材料均已具备接近或高于室温的居里温度，其中以Mn、Co掺杂的效果比较好，目前受到关注。
3. ZnO纳米材料的研究进展及应用ZnO作为一种宽禁带半导体，在很多方面具有独特的优势，例如：ZnO的禁带比较宽，有高的光电导特性，因此可用来制作紫外探测器；具有很强的高能辐射抵抗力，这就使ZnO成为有希望的空间材料；很容易被酸和碱刻蚀，因此ZnO容易制备小型器件；另外，ZnO具有光电、压电、场发射等性质，而且在400．2000nm甚至更长的波长范围内是透明的材料，因此ZnO成为集成光电器件中的一种极具潜力的材料。
下面简要介绍以下几种基本的器件：3．1纳米激光器1997年，香港科技大学的Z．K．Tang等人[18-201在蓝宝石衬底上制备了高质量的ZnO薄膜，得到了紫外受激发射。
这一结果具有重要的意义，因为近紫外光发射比蓝光发射的波长更短，这对于提高光信息的存取速度和光记录密度起到重要的作用，在实验上验证了ZnO比GaN更优异的性能，这项成果引起了ZnO研究的轰动。
1 997年美国材料学会会议称ZnO薄膜紫外发射的研究是“一项伟大的工作”。
2001年6月，杨培东小组利用简单的化学气相传输法以金作为催化剂在蓝宝石衬底上生长了ZnO纳米线阵列【211，如图1-6所示，每根ZnO直径约20．150nm，长度约10lam。
研究了ZnO纳米线阵列的室温紫外激光，在激光激励下，观察到在波长为385nm处出现了受激发射现象，发射峰宽小于O．3nm。
同时出现了等间隔发射峰，间隔为5nm，这表明ZnO自形成了谐振腔，与理论计算的激光腔的纵模间隔相符。
这种短波长纳米激光器可以在光计算、信息存储、微量分析等领域得到重要应用。
纳米线的扫描电镜和高分辨透射电镜图像3．2发光二极管目前还P型ZnO薄膜制备技术还没有成熟，即便制备出P型ZnO薄膜也很难稳定存在，因此不能制备ZnO同质结LEDs，只能应用其它P型材料如Si、GaN等来制备ZnO异质P．n结。
Hsieh等f221制备了ZnO ／Si异质结LED，Si片时采用P型单晶硅，先用高密度电子回旋共振(ECR)离子反应器将硅片刻蚀成纳米锯齿尖端状结构，然后在尖端上用PLD技术沉积了一层ZnO薄膜。
这种结构在380nm处出现了强烈的紫外发射，文中还做了非锯齿状的Si／ZnO异质结LED，相比之下具有尖端的结构紫外发射明显更强烈。
Alivov等报道了n—ZnO／p．GaN异质结LED器件，其结构图如图l一10所示，n．ZnO层采用CVD法制备，p-GaN层采用MBE法制备。
阴极发光测量结果在390nm和510nm发现ZnO的特征发光峰。
3．3纳米发电机压电特性是指电介质在压力作用下发生极化而在两端表面间出现电位差的性质。
ZnO是一种良好的压电材料，不仅压电性强，还具有稳定的化学性质。
2006年，王中林等人在Science上报导了世界上最小的纳米发电机，其原理图和实物图如图1-9所示。
ZnO纳米线阵列生长在导电衬底上，利用超声波上下震动铂电极输入机械能使ZnO纳米线弯曲，弯曲的纳米线会产生极化电荷，用半导体和金属的肖特基势垒将电能暂时储存在纳米线内，接通电源后，完美的实现了纳米发电机的发电功能。
更为重要的是，发电效率竟能达到17％'--'30％。
这一结果为机械振动、水能发电等自发电的纳米器件奠定了物理基础。
3．4场发射器件场发射显示具有高亮度、高对比度，宽视角，低能耗等优点，是一种非常有前景的平板显示技术。
碳纳米管(CNT)材料的场发射研究是较成熟的技术，目前CNT的场发射显示器已经作为商业产品出现在市场上，但是CNT的稳定性和抗环境影响能力因材料固有的性质而受到限制。
相比之下，ZnO 材料具有高的熔点，可以在苛刻的条件下稳定存在，因此ZnO被认为可以很好的替代CNT应用于场发射器件的纳米材料。
台湾人Zhang等J利用CVD法在不同的温度下在硅衬底上生长了ZnO纳米棒阵列，每一根纳米棒上有生长有发射尖端，对这种结果进行了场发射性能测试，表明ZnO是一种理想的阴极发射材料。
复旦大学用CVD法制备了四针状ZnO纳米结构，并用光刻和丝网印刷的方法制备了场发射显示屏，如图1．11。
该实验组比较成功的实现了显示屏字符的动态显示，并在亮度和均匀性上有着好的结果。
随着研究的不断深入，ZnO纳米材料很有希望成为场发射显示家族的一员。
3．5太阳能电池能源问题是国际社会探讨的热点问题，随着不可再生能源如石油、煤炭等同益枯竭，新能源的开发和利用在是非常亟待研究和解决的问题。
太阳能电池足一种很好利用太阳能的新型技术，在一些新型的太阳能电池的结构中，ZnO纳米材料经常被用作太阳能电池的窗口薄膜材料，是太阳能电池的重要组成部分。
传统的晶体硅太阳电池以成熟的微电子制造工艺为依托，实现了较高的转换效率，在目前的光伏市场占有较大的份额。
但是高纯硅材料制备困难、工艺条件复杂、能耗大、成本高。
目前单晶硅、多晶硅以及CIGS(CuInGaSe2)等薄膜太阳能电池也有广泛的研究。
CuInGaSe2材料非常适用于薄膜太阳能电池的吸收层，图是典型的CIGS电池结构。
ZnO作为异质结的n型部分，CulnGaSe2是P型部分，当太阳能照射到P．n结上的时候，形成新的空穴．电子对，在电场的作用下，空穴由11区流向P区，电子由P区流向n区，接通电路后就形成电流，从而实现了从光能到电能的转换。