第二章 - 材料成型部分答案
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
第一章
1、结晶高聚物的熔融与熔点的测定P35
(1)物质从结晶态转变为液态的过程称为熔融。
融融的过程中,体系自由能对温度和压力的一阶异数发生不连续的变化,转变温度与保持平衡的两相的相对数量无关,按照热力学的定义这种转变为一级相转变
(2)熔点的测定:①差热分析法②差式扫描量热法③偏光显微镜法④X射线衍射法⑤红外光谱法⑥核磁共振法
2、什么是微观粒子的波粒二象性?(2)
光子这种微观粒子表现出双重性质——波动性和粒子性,这种现象叫做波粒二象性。
“二象性”并不只限于光而具有普遍意义。
3、声子概念的意义(25)
可以将格波与物质的相互作用过程理解为,声子和物质(如,电子、光子、声子等)的碰撞过程,使问题大大简化,得出的结论也正确。
4、高聚物分子运动的特点(28)
运动单元的多重性;分子运动的时间依赖性;分子运动的温度依赖性。
5、影响高聚物玻璃化温度的因素(33----35)
从玻璃化转变的实质看,玻璃化温度是高分子链段运动刚被冻结(或激发)的温度,因此,凡是有利于链段运动的因素都有利于降低玻璃化温度,凡是不利于链段运动的因素都会引起玻璃化温度的升高。
(1)分子链结构的影响链段运动是通过主链上单键的内旋转来实现的。
因此从化学结构上看,决定高聚物玻璃化温度的主要因素有两个:主链本身的柔性和高分子间的作用力。
高分子链的柔性越高,分子间作用力越小,高聚物的玻璃化温度越低。
高分子链的柔性跟以下因素有关:○1主链结构;○2侧基、侧链;○3离子型高聚物;○4交联。
(2)分子量的影响分子量的增加使T g升高,特别是当分子量较低时,这种影响更为明显。
(3)增塑剂的影响增塑剂对T g的影响是非常显著的。
(增塑剂一般为小分子的低挥发性物质,在工业中有着重要的实际意义。
增塑剂的加入不仅使聚氯乙烯有良好的成型加工性,也使制品可以满足不同的性能要求,可以使聚氯乙烯从坚硬塑料,变化为柔软的薄膜材料。
)
(增塑剂的加入使玻璃化温度降低的原因可以归结为两个:一是增塑剂上的极性官能团与聚氯乙烯上的氯原子产生相互作用,减少了聚氯乙烯分子间的相互作用,相当于把氯原子屏蔽起来,结果使物理交联点减少;二是增塑剂分子比聚氯乙烯小很多,它们的活动比较容易,可以方便的为链段运动提供所需的空间。
)
(4)外界条件的影响
○1升温速度和外力作用时间一般说来,升温速度降低10℃/min,T g降低3℃。
○2外力外力能促进链段沿外力作用方向运动,使T g降低。
应力越大,T g越低。
○3流体静压力如果高聚物受到流体静压力,则其内部的自由体积将被压缩,玻璃化温度会升高。
静压力越大,玻璃化温度越高。
6、影响高聚物流动温度的因素(39)
由于高聚物分子量的多分散性,一般高聚物都没有明确的流动温度,而只有一个较宽的软化温度范围。
影响流动温度的因素
(1)分子量当分子量较低时,高聚物只有一种运动单元,其T g与T f重合。
分子量超过某一限度后,高聚物出现高弹态,此时T g与分子量基本无关,但T f随分子量的增加
而继续上升。
分子量越大,整链运动越困难,因而流动温度越高。
(2)分子间作用力 分子间作用力越大,分段位移越困难,流动温度越高。
(3)外力 增大外部应力能部分抵消分子链链段的无序热运动,从而促进分子链在力作用方向上的分段运动,因此流动温度随应力的增加而降低。
延长外力作用时间,也有助于分子链的分段运动,使流动温度降低。
7、线型非晶高聚物的力学状态(29----30)
1-玻璃态;2-玻璃态向高弹态的转变区;3-高弹态;4-高弹 态向黏流态的转变区;5-黏流态
第二章
1、什么是平均热熔?P42 (公式)
物质从T1到T2所吸收热量的平均值
2、热导率的物理意义?P52
单位温度梯度下(在1m 长度内温度降低1K )在单位时间内经单位垂直面积的热量,它的单位是W/(m*K )或者J/(m*s*K )
3热稳定性的表示方法?P62
(1) 一定规格的试样,加热到一定温度,然后立即置于室温的流动水中急冷,并逐次提
高温度和重复急冷,直至观察到试样发生龟裂,则以产生龟裂的前一次加热温度°
C 表示。
(日用瓷)
(2) 试样的一端加热到某一温度,并保持一定时间,然后置于一定温度的流动水中或在
空气中一定时间,重复这样的操作,直至试样失重20%为止以其操作次数n 表示。
4、什么是表面热传递系数h ?P65
h 定义为:如果材料表面温度比周围环境温度高1K (或1°F ),在单位表面积上单位时间带走的热量。
5、提高聚合物热稳定性的措施。
P62
(1)从聚合反应和改性着手,如选择合适的聚合方法,合适的引发剂和用量,调整合适的聚合工艺消除不稳定端基,减少聚合物中的杂质,通过共聚或共混的方法改性
(2)从改进成型着手,如预处理,加工设备,加工温度,冷却速度,后处理
(3)从添加各种热稳定剂着手,该方法是当今提高热稳定性的常见手段,简单易行。
6、提高散热缓解热应力的因素。
P64~65
○1材料的热传导率λ愈大,传热愈快,热应力持续一定时间后很快缓解,所以队热稳定有利 ○
2传热的途径,即材料或制品的厚薄,薄的传热通道短,容易很快是温度均匀。
○
3材料表面散热速率,如果材料表面向外散热快,材料内、外温差变大,热应力也大 7、Hasselman 提出的热应力裂纹安定性因子。
P68
8、试述线膨胀系数和体膨胀系数的关系(48)
线膨胀系数是温度升高1K 时,物体的相对伸长,用l α表示;体膨胀系数是温度升
高1K 时物体体积相对增长值,用V α表示。
若物体是立方体,有如下近似关系:V α≈3l α
对于各向异性的晶体,各晶轴方向的线膨胀系数不同,假如分别为a α、b α、c α,则有:
V α=a α+b α+c α
9、影响材料热膨胀系数的因素
a 、化学组成、相和结构的影响
b 、化学键的影响
c 、相变的影响
10、高分子材料在受热过程中将发生的变化(61)
高分子材料在受热过程中将发生两类变化:一是物理变化,包括软化、熔融等;二是化
学变化,包括交联、降解、环化、氧化、水解等。
11、简述高聚物的结构与耐热性的关系(61)
聚合物的结构对高分子材料的热稳定性有着重要影响,欲提高高聚物的耐热性,从高分
子结构方面考虑,主要是加强分子链之间的相互作用力或强化高分子链本身,归结起来,主要有三个结构因素:增加高分子链的刚性、使高聚物结晶以及进行交联,这也即是所谓的马克三角定律。
(1)增加高分子链的刚性 要使分子链呈现刚性,可以采用使分子链带上庞大侧基
的办法,如聚苯乙烯。
(2)提高高聚物的结晶能力 结晶是增加高分子链相互作用的有效方法。
(3)进行交联 交联高聚物由于分子链间化学键的存在阻碍了分子链的运动,从而
提高了高聚物的耐热性。
12、高聚物的热分解与耐热性的关系(62)(提高聚合物热稳定性的措施)
(1)在高分子链中避免弱键;
(2)在高分子链中尽量避免一长串连接的亚甲基-CH2-,并尽量引入较大比例的环状结构;
(3)合成梯形、螺形或片状高分子。
13、什么是热应力?其计算公式怎样?(63)
由于材料热膨胀或收缩引起的内应力称为热应力。
计算公式:)()(0T T E l
l E -'-=∆-=ασ 14、材料所能经受的最大降温速率的计算公式(67)
2max 3)1()(m
f p r E pc dt dT αμσλ-=-;为热容。
;为材料的密度,p c m k
g 3/ρ 定义第三热应力因子a p p R c R c E R ='=-≡''ρ
ρλαμσ)1(,则材料所能经受的最大降温速率可表示为 2m a x 3)(m
r R dt dT ⨯''=- 15、提高抗热冲击断裂性能的措施(69)
(1)提高材料强度σ,减少弹性模量E ,使E /σ提高。
(2)提高材料的热导率λ,使R '提高。
(3)减少材料的热膨胀系数α,α小的材料,在同样的温差下,产生的热应力小。
(4)减少表面热传递系数h 。
(5)减少产品的有效厚度m r 。
16、热分析方法有几种?它们的定义?(70----71)
热分析方法有:普通热分析、差热分析(DTA )、示差扫描量热法(DSC )、热重分析(TG )
和热膨胀分析等。
(1)普通热分析法是测量材料在加热或冷却过程中热效应所产生的温度和时间的关系
的一种分析方法。
(2)差热分析是在程序控制温度下,将被测材料与参比物在相同条件下加热或冷却,
测量试样与参比物之间温差(T ∆)随温度(T )时间(t )的变化关系。
(3)差示扫描量热法是在程序温度控制下用差动方法测量加热或冷却过程中,在试样
和标样的温度差保持为零时,所要补充的热量与温度和时间的关系的分析技术,一般分为功率补偿差示扫描量热法和热流式差示扫描量热法。
(4)热重法就是在程序控制温度下测量材料的质量与温度关系的一种分析技术,把试
样的质量作为时间或温度的函数记录分析,得到的曲线称为热重曲线。
第三章
1、什么是折射率?(76)
当光从真空进入较致密的材料时,光的传播速度会降低。
介质对光的折射性质用材料的
折射率n 表示,光在真空中的传播速度与在致密材料中传播速度的比值就称为材料的绝对折射率,即 材料材料真空
v c v v n ==
2、试述影响折射率的因素(77----78)
(1)离子半径 物质分子由于产生极化作用引起折射,极化是有方向性的,所以材
料的折射率n 与材料的极化有关,一般情况下离子的极化率愈大,材料的折射率也愈大。
(2)材料的结构 折射率除与离子半径有关外,还和离子的排列密切相关。
(3)材料所受的应力 对各向同性的材料施加拉应力时,垂直于拉应力方向的n 大,平行于拉应力方向的n 小,单向压缩具有相反的效果,而且折射率的变化与施加的拉应力成比例,所以,不同方向折射率的差别可以用来作为测量应力的方法。
3、什么是透射系数?反射系数?色散?全反射?(79-----80、85)
若入射光的单位能量流为W 时,W '、W ''分别为单位时间内通过单位面积的反射光和
折射光的能量流。
有
反射系数R=22121)1
1(+-='n n W W ;透射系数1—R W W W W '-=''=1。
色散:材料的折射率随入射光频率的减小(或波长的增加)而减小的性质。
全反射:光由光密介质进入光疏介质中,光线完全不能透过的现象。
4、什么是散射定律与吸收定律?色散系数?(80----85)
吸收定律:x e I I α-=0,α是物质的吸收系数,1-cm ,是材料的特征量。
该式也称
为朗伯特定律,表明光强度随厚度的变化符合指数衰减规律。
散射定律:sx e I I -=0,s 为散射系数,与散射(质点)的大小、数量以及散射质点
与基体的相对折射率等因素有关。
色散系数:C
F D n n n --=1γ,D n 、F n 和C n 分别是以钠的D 谱线(5893Å)、氢的F 谱线(4861Å)和C 谱线(6563Å)为光源,测得的折射率。
5、提高无机材料透光性的措施(87----88)
(1)提高原材料纯度;(2)掺杂外加剂;降低气孔率;(3)工艺措施:热压法排除气孔, 热等静压法效果更好。
6、着色剂有几种?试述着色机理(92)
(1)分子着色剂:主要起作用的是本身可着色的简单离子,或通过复合着色剂的复合离 子
(2)胶态着色剂:金属胶体粒子的吸收光谱或者说呈现的色调,取决于粒子的大小,而 非金属胶体粒子则主要取决于其化学组成,粒子尺寸的影响很小。
7、怎样提高着色剂的稳定度?(92)
通常为使高温色料(如釉下彩料等)的颜色稳定,一般都先将显色离子合成到人造矿物
中去。
最常见的是形成尖晶石形式AO ·B 2O 3,这里A 是二价离子,B 是三价离子。
因此只要离子的尺寸合适,则二价、三价离子均可固溶进去。
由于堆积紧密,结构稳定,所制成的色料稳定度高。
此外,也有以钙钛矿型矿物为载体,把发色离子固溶进去而制成陶瓷高温色料的。
8、电光效应和磁光效应?声光效应?它们的应用?(101----102)
电光效应:材料在电场作用下其光学特性发生变化的现象。
磁光效应:材料在磁场作用下其光学特性发生变化的现象。
声光效应:材料在声波作用下其光学特性发生变化的现象。
9、折射率的计算公式?(绝对折射率、相对折射率)P76~77
10、什么是郎博特定律?P80
它表明光强度随厚度的变化复合指数衰减规律。
α越大、材料越厚,光就被吸收的越多,因而透过的光强度就越小。
11、弹性散射、非弹性散射及弹性散射的分类?P82
①弹性散射:光的波长在散射前后不发生变化,称为~~
②非弹性散射:当光束通过介质时,入射光子与介质发生非弹性散射,使散射光的波长(或频率)发生改变,这种散射称为~~
③弹性散射可分为:(1)延德尔散射
(2)米氏散射
(3)瑞利散射
12、影响材料透光性的因素?P86
吸收系数、反射系数和散射系数(主要)
13、镜反射、漫反射?P88
(1)镜反射:光照射在光洁度非常高的材料表面,反射光线具有明确的方向性,我们把这种反射称之为镜反射
(2)漫反射:光照射在粗糙的材料表时,反射线没有方向性,这种反射称之为漫反射
14、红外线按波长可分为几类?P97
三类:近红外(0.7~15微米),中红外(15~50微米),远红外(50~1000微米)
15、红外材料的性能?P97
红外材料应具有对不同波长红外线的透过率、折射率、色散,当然,材料的强度和硬度、抗腐蚀和防潮解能力、密度、热导率、热膨胀系数、比热容等在红外光学器件的制备和使用中也是需要考虑的。
16、波克尔效应?P101磁光法拉第效应?P101光折边效应?P104
(1)材料在电场作用下其光学特性发生变化的现象称为电光效应,其中材料的折射率与电场强度成直线关系变化的电光效应为波克尔效应
(2)材料在磁场作用下其光学特性发生变化的现象称为磁光效应,其中材料的偏正光面发生偏转的称为磁光法拉第效应
(3)晶体的折射率随光频电场作用下而发生变化的效应,称为光折边效应
17、非线性光学晶体应具有的性质?P103
非线性光学晶体应具有以下性质:晶体的非线性光学系数大,透光波段宽,透明度高,晶体的能够实现相应匹配,具有高的光学转换效率,晶体具有较高的抗光损伤阈值,晶体的物化学性能稳定,硬度大、不潮解,可生长光学质量均匀的、大尺寸晶体,易加工、成本低。
18、光折边材料的特点P104
信息的写入是折射率的变化方式,故读出效率很高:信息的记忆与消除方便,而且能反复使用,无损读出,可进行实时记录:分辨率高,存储量大,信息可分层存储,在几毫米厚的晶体中可存储10*3个全息图
第四章
1、载流子的迁移率的物理意义?电导率的一般表达式?(107----108) 定义载流子的迁移率为E νμ=
,其物理意义为载流子在单位电场中的迁移速度。
电导率的一般表达式:i i i i q n μσσ∑∑==(n 为微观载流子的浓度)
2、简述影响离子电导率的因素,对图4—5进行解释。
(112)
(1)温度 随着温度的升高,电导按指数规律增加。
(2)晶体结构 电导率随活化能按指数规律变化,而活化能反映离子的固定程度,它
与晶体结构有关。
(3)晶格缺陷 具有离子电导的固体物质称为固体电解质。
实际上只有离子晶体才能
成为固体电解质,共价键晶体和分子晶体都不能成为固体电解质。
离子晶体要具有离子电导的特性,必须具备以下两个条件:电子载流子的浓度小;离子晶格缺陷浓度大并参与电导。
因此,离子性晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键。
3、导电高聚物有哪两类?(113)
一种是本征型高聚物导体;另一种为复合型高聚物导体,它是由电绝缘的普通高聚物与
导电填料复合而成的体系。
4、简述影响金属的导电性的因素。
(119—125)
1.温度的影响;
2.应力的影响;
3.冷加工变形的影响;
4.合金元素及其相结构的影响。
5、试述玻璃态电导的特点及降低电导的方法。
(130—131)
(1)在含有碱金属离子的玻璃中,基本表现为离子电导。
(2)纯净玻璃的电导一般比较小,但如果含有少量碱金属离子将会使电导大大增加。
(3)利用双碱效应和压碱效应减少玻璃的电导率。
双碱效应:玻璃中碱金属离子总浓度 大时,碱金属离子总浓度相同的情况下,含两种碱金属离子比含一种的玻璃电导要小。
压碱效应:含碱玻璃中加入二价金属氧化物,特别是重金属氧化物,使玻璃的电导降低。
6、试述无机材料的次级现象:空间电荷效应、电化学老化现象。
(132)
7、试述半导体陶瓷的物理效应及其应用。
(137—141)
(1)PTC 效应:价控型BaTiO3半导体最大特征是在材料的正方向到立方相相变点附近, 电阻率随温度上升发生突变,增大了3~4个数量级,即所谓的PTC 效应。
(2)压敏效应:指对电压变化敏感的非线性电阻效应,即在某一临界电流下,电阻值非 常高,几乎无电流通过;超过该临界值,电阻迅速降低,让电流通过。
ZnO 压敏电阻器应用:半导体和电子仪器的稳压和过压保护,设备的避雷器。
8、陶瓷电导的对数混合法则。
(132)
B B G G T V V σσσln ln ln +=
9、离子晶体具有离子电导的特性必须具备的条件?(112)
电子载流子的浓度小;离子晶格缺陷浓度大并参与电导。
10、根据导电性能的好坏,常把材料分为:导体、半导体和绝缘体
它们的电阻率范围是:导体的ρ值小于10-2Ω*m :半导体的ρ值大于1010
Ω*m ;半导体的ρ值介于10-2~1010Ω*m 之间
11、什么是本征导电?本征导电的特点?P110
(1)空带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在的导电方式称为本征导电
(2)参加导电的电子和空穴的浓度相等
12、晶体的离子电导分为哪两类?离子电导率的表达式?P111
(1)①源于晶体点阵的基本离子的运动,称为固有离子电导
②由固定较弱的离子的运动造成的,主要是杂质电离,因而常称为杂志电导
(2)
13、晶格缺陷生成的主要原因?P112
(1)热激励生成的晶格缺陷,主要是肖特基缺陷、弗仑克尔缺陷
(2)不等价固溶掺杂形成的晶格缺陷
(3)离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离,形成非化学计量比化合物,而产生晶格缺陷
14要赋予高分子材料电导性的途径和采用的方法?P112
途径:使分子内和分子间的电子云有一定程度的交叠
方法:(1)把小分子聚合成具有一维或二维的大共轭体系的高分子,π电子云在分子内交叠
(2)利用共轭分子π电子云的分子间交叠
15、什么是电化学掺杂、质子酸掺杂?P113
(1)氧化还原反应也可以在电极表面上发生,叫做电化学掺杂
(2)向绝缘的共轭聚合物链上引入一个质子,聚合物聚合物链上的电荷分布状态发生变化,之子本来携带的正电荷转移和分散到分子链上,相当于聚合物链失去一个电子而发生氧化掺杂,这就是质子酸掺杂
16、超导体的两个基本特性:完全导电性、完全抗磁性 P115
17、简述电阻分析的应用?P128
用电阻分析法来研究材料的成分、结构和组织变化的灵敏度很高,他能及敏感地反映出材料内部的微弱变化。
但由于影响电阻的因素较多,测量结果往往不太容易分析,故此法尚有些不足。
尽管这种方法存在一些不足之处,但它仍然是应用较为广泛的一种方法。
18、什么是双碱效应和压碱效应?P131
(1)当玻璃中碱金属离子总浓度大时,碱金属离子总浓度相同的情况下,含两种碱金属离子比含一种碱金属离子的玻璃电导率要小
(2)含碱玻璃中加入二价金属氧化物,特别是贵金属氧化物,使玻璃的电导率降低
19、半导体玻璃按其组成可分为几类?P131
非金属氧化物(二氧化硅等);硫属化物玻璃(硫与金属的化合物);Ge,Si,Se等元素非晶态半导体
20、空间电荷形成的原因?陶瓷电化学老化的必要条件?吸收现象?P132~133
(1)陶瓷内部具有微观不均匀结构,因而各部分的电导率不一样
(2)介质中的离子至少有一种参加导电
(3)在外电场作用下,瓷体内自由电荷重新分布的结果
21、本征半导体的电学特性?P135
(1)本征激发成对地产生自由电子和空穴
(2)基带宽度E g越大,载流子浓度n i越小
(3)温度升高时载流子浓度n i增大
(4)载流子浓度n i与原子密度相比是极小的,所以本征半导体的导电能力很微弱
22、N型半导体和P型半导体获得的方法?P135
在本征半导体中人为地掺入五价元素或三价元素将分别获得N型(电子型)半导体和P型(空穴型)半导体
23、与本征半导体相比,杂志半导体具有的特性?P137
(1)掺杂浓度与原子密度相比虽很微小,但是却能使载流子浓度极大地提高,因而导电能力也显著的增强。
掺杂浓度越大,其导电能力也越强
(2)掺杂只是是一种载流子的浓度增加,因此杂质半导体主要靠多子导电。
当掺入五价元素(施主杂质)时,主要靠自由电子导电;当掺入三价元素(受主杂质)时,主要靠空穴导电。
24、陶瓷气敏元件的工作原理?P140~141
(1)半导体陶瓷气敏元件是利用半导体陶瓷与气体接触时电阻的变化来检测低浓度气体的。
半导体表面吸附气体分子时,其电导率将随半导体类型和气体分子种类的不同而变化。
气体吸附一般分物理吸附和化学吸附两大类。
前者吸附热低,可以是多分子层吸附,无选择性;后者吸附热高,只能是单分子吸附,有选择性。
在一般情况下,物理吸附和化学吸附同时存在。
(2)在常温下物理吸附是吸附的主要形式
(3)随着温度的升高,化学吸附增加,至某一温度达到最大值
(4)超过最大之后,气体解吸的几率增加,物理吸附和化学吸附同时减少
第五章
1、表征极化的物理量有哪些:极化强度P、介电常数 、电位移D(155)
2、极化有几种?(156—159)
(1)电子、离子位移极化;(2)弛豫(松弛)极化;(3)取向极化;(4)空间电荷极化。
3、电工陶瓷按其极化形式可分为几类?(161)
(1)主要是电子位移极化的电介质,包括金红石瓷、钙钛矿瓷以及某些含锆陶瓷。
(2)主要是离子位移极化的材料,包括刚玉、斜顽辉石为基础的陶瓷以及碱性氧化物含量不多的玻璃。
(3)具有显著离子松弛极化和电子松弛极化的材料,包括绝缘子瓷、碱玻璃和高温含钛陶瓷。
4、什么是弛豫时间?分析介电损耗影响因素?(165—167)
弛豫时间:电介质完成极化所需要的时间;分析介电损耗影响因素:频率、温度。
5、陶瓷材料的损耗主要来源于哪三部分?(167)
○1电导损耗;○2取向极化和弛豫极化损耗;○3电介质结构损耗。
6、玻璃的损耗有什么特点?怎样降低?(169)
一般简单单纯玻璃的损耗都是很小的;双碱效应和压碱效应在玻璃的介质损耗方面也同样存在。
7、什么是介电强度?简述影响无机材料击穿强度的各种因素?(171—176)
介电强度:引起材料击穿的电压梯度。
影响无机材料击穿强度的因素:
(1)介质结构的不均匀性;
(2)材料中气泡的作用:材料中含有气泡,其介电常数的电导率都很小,因此,受到电压作用时其电场强度很高,而材料本身抵抗电场强度比固体介质低得多。
(3)材料表面态和边缘电场。
8、什么是热释电性?热释电效应产生的条件?(182—183)
一些晶体除了由于机械应力作用引起压电效应外,还可以由于温度作用而使其电极化强度变化,这就是热释电性,亦称热电性。
具有热释电效应的晶体一定是具有自发极化(固有极化)的晶体,在结构上应具有极轴。
具有对称中心的晶体是不可能有热释电性的。
9、什么是铁电体?钛酸钡在各温度下的结构?(184—185)
极化强度随外加电场的变化呈现一电滞回线,具有这种性质的晶体称为铁电体。
钛酸钡在温度高于120℃时具有立方结构,高于5℃、小于120℃时为四方结构,温度在—90~5℃之间为斜方结构,温度<—90℃时为菱方结构。
10、压电铁电材料及其应用?(188—191)
压电、铁电材料基本上可以分成四大类:单晶体、多晶体陶瓷、聚合物和复合材料;从形态上可以分为块材和膜材。
铁电陶瓷按其使用的功能可分为五类:压电功能、热释电功能、铁电功能、电至伸缩功能、电光功能。
11、什么是铁电电滞回线?绘出电滞回线并标出P r、P S、E c?(184)
12、大多数电工陶瓷的离子松弛极化损耗较大,主要原因是:P170
主晶相结构松散,生成了缺陷固溶体,多晶形转变等
13、本征击穿理论所相关的电子能量分布变化的因素有?P173。