单片集成振荡器
基于ispPAC20的单片集成压控振荡器设计
控制端可被编程 为四种工作模式:固
定模式、P )接模式、触发器模式和 Cb C IU 连接模式,控制方式如下 : P OT
( )固定模 式 :I 4 1 A 增益 范 围
为 [ 1 ,一 ] 一0 1;
I》 一 廑 …………………………一
基于i P C 0 s A 2 的单片集成压控振荡器设计 p
中州大学工程技 术学院 时 伟
高、灵活性高等优 点。给 出了实验分析和单端输入 接 口电路 的设计方法 。
黄传金
【 摘要 】介绍了一种基于在系统可编程模拟芯 ̄i P C 0 单片集成压控振荡器的设计方法,具有开发速度快、可靠性 -pA 2 s 【 关键词 】压控振荡器;单片集成;可编程模拟芯片
振荡器V O ( o r g C n r l e 片 当中 。同时还可 以对 已经装配 在 C V la e o to ld
A 和 A 、一个 输 出放大 器O f A、 O c 1 a o )通常是 系统的关键 功 印刷线 路板上 的i p A 2 芯 片进行 I 1 I 2 s il tr PC0 s 能单元 电路 ,广泛 应用于 高噪 声环 校验 、修 改或者重 新设 计 。其 开发 反馈 电阻和 电容 构成 差分输入 和输
( )C 1 U 连 接模 式 :极性 4 POT
图1 pA 2 内部结构 i P C 0 s
一
控制端 通过 内部通道 连接至C I U PO T
1 4 电 子 也 蛋 21. / 2 - ●/02 2 0
…
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…
模拟集成电路振荡器类别
模拟集成电路振荡器类别
集成电路振荡器是一种能够产生稳定的周期性信号的电路。
根据工作原理和应用领域的不同,常见的集成电路振荡器可以分为以下几类:
1. RC 振荡器:使用电阻 (R) 和电容 (C) 组成的谐振电路来实现振荡。
其中最简单的是 RC 相位移振荡器和 RC 时钟振荡器。
2. LC 振荡器:使用电感 (L) 和电容 (C) 组成的谐振电路来实现振荡。
常见的 LC 振荡器包括 LC 震荡电路、Colpitts 振荡器和 Hartley 振荡器。
3. 晶体振荡器:通过利用晶体的压电效应,在晶体中产生机械振动并将其转换为电信号来实现振荡。
常见的晶体振荡器有石英晶体振荡器和陶瓷谐振器。
4. 压控振荡器 (VCO):通过改变输入电压来调节输出频率的振荡器。
VCO 在射频应用中广泛使用,例如无线通信系统和频率合成器。
5. 锁相环振荡器 (PLL):通过反馈机制来控制输出信号与参考信号之间的相位差,从而实现稳定的频率和相位输出。
PLL 在时钟同步、频率合成和数据通信等领域中得到广泛应用。
这些是常见的集成电路振荡器类别,每种类别有不同的工作原理和应用特点,适用于不同的电子系统和应用场景。
采用SiGe工艺的低相位噪声压控振荡器
管 良好的噪声特性直接影 响了 V O的相位 噪声 , C 作为 V O最主要 的参数之一 ,相位 噪声直接影响 C
了整个 系统 的性能 。
E LN R A ,使用 5G z H 频带 ,传输数据 的速度 可达
到 5 p。 4M振荡器 常被用
为5 8 5G z- . 6 H ,相应 的调谐 电压为 0~ 、 . 2 H 50 5G z 2 2V。最后得 出结论 :0 3 1 .5 m—SC  ̄ ie的性 能优 于 0 1 p , 、8, m—
C S的 性 能 M0
关键词
收发 机 ; 锗硅 ;电感 ;压控振荡器 ;相位噪声
采 用 03 I B M S S e .5L . m— i O — i 工艺 ,设计 了单 片集成 的低相位噪 声差动 压控 振 荡器。在 电路设 计 C G
中,需要的在 V O的三个主要性能参数 :可调 范 围、功耗 、相位噪 声间作 出折 中的考虑 。最终设计的 V O电路 C C 工作 电压为 33V . ,核心 电 的功耗为 1 V 路 0m 。在 1 H 频率偏移 下的相位噪声为 一 1 B/ z 荡频率 范围 z M 14dcH 。振
( col f i ol t nc, ii n esy X n7 0 7 , h a Sho o c e c o i Xd nU i r t, i 10 1 C i ) M r er s a v i a n A s at A fl t r e ,l bt c r u yi e a d o l n gt w—pae—ni ieetlvlg hs o ed r i o ae—cn o e sia r( c s f na t o t ld o l t v o)i rl clo s pe n d rd —o s ut em d e ent e a r a m tr: uigr g , u u o e adpae rs t .Ta e f s b aebt e rem j r e s t n ne ot t w r n h ee m w h op a e n a p p s
压控振荡器的设计与仿真
目录1 引言 (2)2 振荡器的原理 (5)2.1 振荡器的功能、分类与参数 (5)2.2 起振条件 (9)2.3 压控振荡器的数学模型 (10)3 利用ADS仿真与分析 (11)3.1 偏置电路的的设计 (12)3.2 可变电容VC特性曲线测试 (13)3.3 压控振荡器的设计 (15)3.4 压控振荡器相位噪声分析 (18)3.5 VCO振荡频率线性度分析 (23)4 结论 (24)致谢 (25)参考文献 (25)压控振荡器的设计与仿真Advanced Design System客户端软件设计电子信息工程(非师范类)专业指导教师摘要:ADS可以进行时域电路仿真,频域电路仿真以及数字信号处理仿真设计,并可对设计结果进行成品率分析与优化,大大提高了复杂电路的设计效率。
本论文运用ADS仿真软件对压控振荡器进行仿真设计,设计出满足设计目标的系统,具有良好的输出功率,相位噪声性能及震荡频谱线性度。
本论文从器件选型开始,通过ADS软件仿真完成了有源器件选型,带通滤波器选型,振荡器拓扑结构确定,可变电容VC特性曲线,瞬态仿真及谐波平衡仿真。
实现了准确可行的射频压控振荡器的计算机辅助设计。
关键字:压控振荡器,谐波平衡仿真,ADS1 引言振荡器自其诞生以来就一直在通信、电子、航海航空航天及医学等领域扮演重要的角色,具有广泛的用途。
在无线电技术发展的初期,它就在发射机中用来产生高频载波电压,在超外差接收机中用作本机振荡器,成为发射和接收设备的基本部件。
随着电子技术的迅速发展,振荡器的用途也越来越广泛,例如在无线电测量仪器中,它产生各种频段的正弦信号电压:在热加工、热处理、超声波加工和某些医疗设备中,它产生大功率的高频电能对负载加热;某些电气设备用振荡器做成的无触点开关进行控制;电子钟和电子手表中采用频率稳定度很高的振荡电路作为定时部件等。
尤其在通信系统电路中,压控振荡器(VCO)是其关键部件,特别是在锁相环电路、时钟恢复电路和频率综合器电路等更是重中之重,可以毫不夸张地说在电子通信技术领域,VCO几乎与电流源和运放具有同等重要地位。
通信电子线路电子教案
绝对频率偏差: f f1 f 0 相对频率偏差:
f1 f 0 f f0 f0
频率稳定度:在一定时间间隔内振荡频率的相对变化 量,即
f f0 f0
( 时间间隔)
对频率稳定度的要求视用途而异,一般的 短波、超短波发射机的相对频稳度为10-4~10-5 数量级;电视发射机为10-7数量级;卫星通信 发射机为10-9~10-11数量级。普通信号发生器为 10-4~10-5数量级,高精度信号发生器为10-7~10-9 数量级。用于国家时间标准的频率源,要求在 10-12数量级。
ui
ui u0
uf
X1 X2
uf
X2
u0 I
X3 X1
I
X3
二、 电容三端式振荡器
UCC LC R1 Cb R2 Ce Re C2 C1 L
R1、R2、Re 为直流偏置电阻;振荡产 生后作为自偏压电阻,稳幅作用。 Lc高频扼流圈,防止电源旁路 Ce旁路电容、Cb 隔直流电容 L 、C1、C2 构成谐振回路,决定振 1 荡频率:
5.3.2 三端式振荡器
一、三端式振荡器构成原则:
X1、X2、X3组成谐振回路 谐振时: X1+X2+X3=0 回路电流处处相同=I Uf X2 X2 F U0 X2 X3 X1 U0 X X AF ( 2 ) A 2 Uf X1 X1 ∴构成正反馈:X1、X2为同性质电抗 uf
三、电感三端式振荡器
ui
L2 C
u0
L1
Ui g ie
gmUi
goe
gL'
U0
L1 L2 C
Uf gie 1 1 , 其 中L L1 L 2 2M LC gm 回归比 T g m Z ce F F 通过改变回路电容调 ' 2 goe g L F g ie 整频率时,基本不影 Uf L2 M 响F;但产生信号的频 其 中F = 率较低;由于反馈电 U0 L1 M 压取自L2,使输出含 紧耦合时,反馈系数为线圈匝数比 有较大的谐波电压。
双单稳多谐振荡器SG54LS221
说明:本电路是单片集成双多谐振荡器,每一振荡器都是以负跃变触发输入和正跃变触发输入为特征的,它们二者均可用作禁止输入。
脉冲触发产生于特定的电压电平上,不直接同输入脉冲的跃变时间有关。
B输入的斯密脱触发器输入电路(TTL滞后电压)允许输入端以慢至1V/s跃变速率而无颤动地触发,且有典型值为1.2V的噪声抗扰度。
对V CC噪声为1.5V的高抗扰能力亦由锁存电路提供。
一旦触发,输出就独立于A输入和B输入的进一步跃变,且有计时元件的功能,或输出脉冲可被无条件清零所中止。
输入脉冲可有同输出脉冲有关的任何持续时期。
输出脉冲长度可通过选择适当的计时元件,从35ns变化到最大值(上述表中所示)。
若以R外接=2kΩ、C外接=0,则可达典型值为30ns的输出脉冲,它可被用作直接触发的复零信号。
输出的上升和下降时间同TTL相容,且独立于脉冲长度。
典型的触发和清零次序为开关特性波形部分所图解。
脉宽稳定性是由内部补偿而达到的,实际上不依赖于V CC和温度。
在大多数应用中,脉冲稳定性仅受外接计时元件的精度所限。
对大于6个数量级的计时电容(10pF至10μF)和对大于1个数量级的计时电阻(2kΩ至100kΩ)来说,无颤动的工作可在全温范围和V CC范围上被维持住。
整个范围脉冲宽度是由t W(出)= C外接·R外接·In2≈0.7 C外接·R外接的关系所定义。
在电路中,那里脉冲的截止是不严格的,计时电容上达1000μF,计时电阻低至1.4 kΩ都可被使用。
若V CC被保持在5V和温度为25℃,则无颤动输出的脉宽范围可被延伸。
高至90%占空比是在使用推荐的最大R T时所达到的。
若允许一定量的脉宽颤动,则可用的占空比还要高。
对给定的外接计时元件,各电路之间输出脉宽上的变化量,典型地小于±0.5%。
该电路的管脚排列相同于LS123,因此LS221可在系统中取代LS123电路,只需改变外接计时元件的值,而不必进行重触发。
由单片集成块mc2831构成的调频发射机电路工作原理
由单片集成块mc2831构成的调频发射机电路工作原理
MC2831是一种用于调频发射机的单片集成块。
它实现了调频
调制和射频输出的功能。
调频发射机电路的工作原理如下:
1. 输入音频信号:通过音频输入端将音频信号输入到MC2831
芯片。
这个音频信号是需要进行调频的信号源,例如话筒或音乐播放器的音频输出。
2. 预调制:MC2831芯片通过一个预放大器(Preamp)进行音
频信号的放大和频率调制。
预放大器调制音频信号的频率到射频范围。
3. 功率放大:经过预调制的信号进入功率放大器(Power Amplifier),将信号放大到足够的功率以供射频输出。
4. 频率扩散:MC2831芯片还包含一个频率扩散器(Frequency Synthesizer),它将高频振荡器的频率通过一个PLL(Phase-Locked Loop)进行频率调制,以生成稳定的射频信号。
频率
扩散器还可以通过改变输入的控制信号来调整输出信号的频率。
5. 输出射频信号:功率放大后的信号经过滤波器和陷波器进行进一步的调整和过滤,最后通过射频输出端输出为射频信号。
总的来说,MC2831芯片通过预调制、功率放大、频率扩散等
模块,将音频信号调制成射频信号,并输出为调频信号。
这个调频发射机电路可以用于无线通信、广播等应用中。
MC34063应用电路图大全(升压电路/降压电路)
MC34063应用电路图大全(升压电路/降压电路)描述MC34063是一个单片集成电路,是一个包含了DC/DC变换器的控制电路。
该集成电路的主要构成部分是具有温度补偿的电压源、占空比可控的振荡器、驱动器、比较器、大电流输出开关电路和R-S触发器。
MC34063可用极少的开关元器件,构成升压变换开关、降压变换开关和电压反向电路,这种开关电源相对线性稳压电源来说,效率较高,而且当输入输出电压降很大时,效率不会降低,电源也不需要大的散热器,体积较小,使得其应用范围非常广泛,主要应用于以微处理器或单片机为基础的系统里。
mc34063应用电路图(一):降压变换电源原理图如下图所示是用芯片MC34063制作的+25/+5V降压变换电源原理图。
该降压电路的工作过程如下:1.比较器的反相输入端(脚5)通过外接分压电阻R1、R2监视输出电压。
其中,输出电压U。
=1.25(1+R2/R1)由公式可知输出电压。
仅与R1、R2数值有关,因1.25V为基准电压,恒定不变。
若R1、R2阻值稳定,U。
亦稳定。
2.脚5电压与内部基准电压1.25V同时送人内部比较器进行电压比较。
当脚5的电压值低于内部基准电压(1.25V)时,比较器输出为跳变电压,开启R—S触发器的S脚控制门,R—S触发器在内部振荡器的驱动下,Q端为“1”状态(高电平),驱动管T2导通,开关管T1亦导通,使输入电压Ui向输出滤波器电容Co充电以提高U。
,达到自动控制U。
稳定的作用。
3.当脚5的电压值高于内部基准电压(1.25V)时,R—S触发器的S脚控制门被封锁,Q端为“0”状态(低电平),T2截止,T1亦截止。
4.振荡器的Ipk输入(脚7)用于监视开关管T1的峰值电流,以控制振荡器的脉冲输出到R—S触发器的Q端。
5.脚3外接振荡器所需要的定时电容Co电容值的大小决定振荡器频率的高低,亦决定开关管T1的通断时间。
mc34063应用电路图(二):MC34063升压电路MC34063组成的降压电路原理如图8,当芯片内开关管(T1)导通时,电源经取样电阻Rsc、电感L1、MC34063的1脚和2脚接地,此时电感L1开始存储能量,而由C0对负载提供能量。
高频电路的一般设计方法
一、高频电路的一般设计方法电子电路种类很多,千差万别,设计方法和步骤也因不同情况而异。
这里给出高频电路设计的一般步骤,以供参考,设计者应根据具体情况,灵活掌握。
1.总体实现方案的选择由课题要求实现的电路功能及性能指标,决定最终实现电路的构成。
2.单元电路形式的选择根据课题要求实现的电路性能指标,确定总体实现方案中,各单元电路的形式。
3.电路参数的计算根据所选单元电路的形式,对组成电路的各元器件的值进行计算。
4.元器件的选择元器件的选择,除了要考虑计算出的参数值外,还要遵从节约电路成本,元器件购买方便,以及尽量利用现有条件实现的原则。
以上各步骤之间不是绝对独立的,往往需要交叉进行,尤其是有时受到元器件选择的限制,常会推翻最初的设计方案,从头来做。
所以,在进行电路设计之初,要先把可能限制电路实现的因素考虑好,再着手设计,往往可以达到事半功倍的效果。
在完成电路设计之后,可以使用计算机辅助分析软件(例如Pspice)进行电路仿真,做初步调整,然后到实验室装调电路,在调试中分析和解决常见的电路故障。
二、高频电路设计举例真正实用的发射机、接收机的技术指标项目较多,因为学生刚接触到这方面的知识,所以给定的题目中只是要求结合基础知识完成几项主要技术指标。
而整机电路形式的选取可以是分立元件为主,分立与集成电路混合,也可以是单片集成发射与接收系统。
任务:小功率调幅发射机设计技术指标:载波频率f0=2MHz,载波频率稳定度不低于10-3/分钟,输出负载R L=75Ω,发射功率(输出负载R L 上的功率)P0≥10mW,调制度m a=30%~80%可调,调制频率F=500Hz~3kHz。
(一)实现方案的选择图1 调幅发射系统框图1.调幅发射系统分析图1为最基本的调幅发射系统框图。
主要由主振荡器、缓冲级、高频小信号放大器、调制器、高频功率放大器、低频电压放大器等电路组成。
在组成电路中,除了主振器、调制器、调制信号是最基本的组成单元,不能缺少外,其他单元电路的选择,主要根据设计指标要求来确定。
NE602 振荡 混频芯片 指南 -中文-简体
振荡/混频器集成电路NE602使用指南NE602/SA602是Signetics公司生产的通用振荡/混频器单片集成电路,内含双平衡振荡器(DBM)、振荡器和稳压器。
其内部框图和封装引线见图1。
其中,双平衡混频器的工作频率可达500MHZ,振荡器的振荡频率可达200MHz。
因此,最适合用于高频(HF)和甚高频(VHF)接收机、变频器和频率变换器,还可用来构成高频信号发生器的LC 可变频率振荡器(VFO)、晶体振荡器、电调振荡器或扫频振荡器。
目前,NE602已形成系列产品。
其中,NE602的工作温度0~+70℃,SA602的工作温度扩展到-40~+85℃。
最常用的是是8脚小型双列直插式封装的NE602N。
由于NE602采用双平衡混频器并具有振荡器,故用作超外差式接收机的前端电路,不仅使用方便而且具有很好的信噪比和三阶互调指标。
在45MHz下的噪声系数典型值为5dB。
以匹配输入信号为基准的三阶互调截止点实际可以达到﹣15dBm,虽然推荐的最大信号电平是﹣25dBm(约3.16mW)。
此最大电平相当于50Ω电阻上的12.6mV或1.5K Ω电阻(NE602的输入阻抗)上的68mV。
NE602在没有外部高频放大的情况下,可以为接收机提供求0.2μV的灵敏度。
图1 NE602内部框图及引线IC内部的振荡器混频器NE602的本振由芯片上的一只VHF NPN型晶体管担任。
该管的基极接到6脚,发射极接7脚。
集电极接内部的缓冲放大器,没有通往外部的引脚。
振荡信号经缓冲放大后送到双平衡混频电路。
只要外接振荡电路不接到该管集电极,就可以构成各种接法的振荡器。
因此NE602可用作考毕兹、克拉泼、哈特莱、巴特勒等振荡器,但不能做皮尔斯和密勒振荡器。
图2是NE602内部的双平衡混频电路。
晶体管差分对管T1—T2与T3—T4组成交叉连接的双平衡差分放大器。
T5是T1—T2的电流源,T6是T3—T4的电流源。
这种接法叫做吉尔伯特跨导单元。
MAX275x系列单片集成2.4GHz压控振荡器
环境 的依 赖性并 提 高输 出 电压 。 来 自内核 的 晶体 振荡 器 信 号 驱动 缓 冲放 大器 。
放 大器 在 内部 已实现 5 匹配 , 0Q 已加 隔 直 电容 . 外
部 不 需要 隔 直 电容 , 小 了对 外 部元 件 的需 求 。缓 减
RB R B [ F= F× ( l 2 1 6 /.6 . )1 】 2 2 L 7 6提供 一 个补 偿 引脚 ( 设 定 电压 回路 M2 1 V) 反馈。 推荐 将 R位和 C 位串联 。 于任何 给 定 的应 用 , 对 存 在 一个 唯一 的 R 和 组 , 化 1 47 6电路 在 优 _ 21 3
式:
AV , 2 t既 ar Hi  ̄ R
尽 管 上 面所 提 到 的 电感 器 型 号 适 合 大部 分 应
用 , 经过计算 可得 到更精确 的值 。为 了确 保 占空 比 但
大 于 5 %时 系统 的稳定 性 ,电感 器必须 具有 由最 大 0 输 出电压和最 小输 出电压决 定 的最小 值 。公式 如下 :
动 关 闭。
晶振 拓扑 。 种高 集成 度单 片 电路使 得 VC 这 O极 易使 用 , 当于 V O模块 。频 率 由 T N 相 C U E引脚上 的 电压
控 制 。V O核 心通 过使 用不 同的 拓扑 , C 提供 与 电 源
电压对 应 的恒 定频 率, 强 了负载 变 化 时 的抗 扰 性 。 增
维普资讯
MA 2 5 X 7 x系列单 片集成 24 H . z压控振 荡器 G
一 9 6一
●元 器 件 卡 片
MA 2 5 X 7 x系列单 片集成 2 Hz压控振荡 器 .G 4
周 颖娟 ,张伟伟 ,朱 守正
杭州士兰微电子股份有限公司 SA3525 PWM控制器说明书
PWM 控制器描述SA3525是一个性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM 控制芯片,它简单可靠及使用方便灵活,输出驱动为推挽输出形式,增加了驱动能力;内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM 锁存器,有过流保护功能,频率可调,同时能限制最大占空比。
主要特点♦ 工作电压范围宽: 8~35V ♦ 内置5.1 V ±1.0%的基准电压源♦ 芯片内振荡器工作频率宽100Hz ~400 kHz ♦ 具有振荡器外部同步功能 ♦ 死区时间可调♦ 末级采用推挽式电路,电流最大值可达400mA ♦ 内设欠压锁定电路 ♦ 内置软启动电路 ♦内置PWM(脉宽调制)应用♦ 电源变换器 ♦电焊机产品规格分类产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SA3525DC DIP-16-300-2.54 SA3525DC 无卤 料管 SA3525SC SOP-16-225-1.27 SA3525SC 无卤 料管 SA3525SCTRSOP-16-225-1.27SA3525SC无卤编带内部框图管脚排列图管脚说明管脚号 管脚名称 I/O 功能说明1 E/A- I 误差放大器反相输入端2 E/A+ I 误差放大器同相输入端3 /SYNC I/O 同步信号端4 OSCOUT I 振荡信号输出5 CT I 振荡定时电容接入端6 RT I 振荡定时电阻接入端7 Discharge O 放电端8 Soft-Start I 软启动输入端9 EAOUT I 补偿端10 /Shutdown I 外部关断信号输入端11 AOUT O 输出端A12 GND P 信号地13 VC I 输出级偏置电压输入端14 BOUT O 输出端B15 VCC P 偏置电源输入端16 VREF O 基准电源输出端极限参数参 数 符 号 参数范围 单位 偏置电压V IN40 V 集电极偏置电压(Pin 13) V C40 V 输出电流,灌电流/拉电流(Pins 11, 14) I O500 mA 基准电源输出电流(Pin16) I REF50 mA 振荡器充电电流(Pin 9) I OSC 5 mA 耗散功率(T A = 25°C) P D1000 mW 工作温度T OPR0 ~ +70 °C 贮存温度T STG-65 ~ +150 °C电气参数(除非特殊说明,VCC =20V,TA=TJ= 0~70︒C,f OSC=40kHz,R T =3.6K, C T =0.01µF, R I= 0Ω)参 数 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 待机电流输入电流I CC V CC = 35V -- 12 20 mA 基准电源输出电压V REF T J = 25°C 5.0 5.1 5.2 V 电源调整率∆V REF1V CC=8V~35V -- 9 20 mV 负载调整率∆V REF2I L=0 mA ~20 mA -- 20 50 mV 输出短路电流I SC V REF=0V,T J = 25°C -- 80 100 mA 温度稳定性ST T-- 20 50 mV 总的输出变化V REF 4.95 -- 5.25 V 长期稳定性ST T J = 125°C,1000小时-- 20 50 mV 振荡器部分振荡初始频率ACCUR T J = 25°C -- ±3 ±6 % 电压稳定性∆f/∆V CC V CC=8V~35V -- ±0.8 ±2 % 最大频率f(MAX)R T = 2k,C T = 470pF 400 430 -- kHz 最小频率f(MIN)R T = 200k,C T = 0.1µF -- 60 120 Hz 时钟幅度V(CLK)- 3 4 -- V 时钟宽度t W(CLK)T J = 25°C 0.3 0.6 1 µs 同步信号阈值V TH(SYNC)- 1.2 2 2.8 V 同步信号输入电流I I(SYNC)Sync = 3.5V -- 1.3 2.5 mA 误差放大器部分(V CM = 5.1V)输入失调电压V IO-- -- 1.5 10 mV 输入偏置电流I BIAS-- -- 1 10 µA输入失调电流I IO-- -- 0.1 1 µA 开环电压增益G VO R L≥10MΩ 60 80 -- dB 共模抑制比CMRR V CM = 1.5 to 5.2V 60 90 -- dB 电源纹波抑制比PSRR V CC = 8 to 35V 50 60 -- dB PWM比较器部分最小占空比D(MIN)- -- -- 0 %最大占空比D(MAX)- 45 49 -- % 输入阈值电压V TH10占空比0.7 0.9 -- VV TH2最大占空比-- 3.2 3.6 V 软启动部分软启动输入电流ISOFTV SD = 0V,V SS = 0V 25 51 80 µA软启动低电平VSLV SD = 2.5V -- 0.3 0.7 V关断阈值电压VTH(SD)- 0.9 1.3 1.7 V参 数符 号 测 试 条 件最小值 典型值 最大值 单位 关断输入电流 I N(SD)V SD = 2.5V--0.31mA输出部分 输出低电平1 V OL1 I SINK =20mA -- 0.1 0.4 V 输出低电平2 V OL2 I SINK =100mA -- 0.5 2.0 V 输出高电平1 V OH1 I SOURCE =20mA 18 19 -- V 输出高电平2 V OH2 I SOURCE =100mA 17 18 -- V 欠压锁定 V UV V8 and V9 = High 6 8.8 9.2 V 集电极漏电流 I LKG V CC = 35V-- 80 200 µA 上升时间 t R C L = 1nF ,T J = 25°C -- 80 600 ns 下降时间 t FC L = 1nF ,T J = 25°C--70300nsESD 人体模式V ESD2-- -- KV应用电路图345678109161514131211B VCC Shutdown OSCOUTDischargeEAOUTCT VREFSyncRT Soft-StartT10.009μF100k0.001μF 3.6k5μF,封装外形图单位MOS 电路操作注意事项:静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏:声明:♦ 操作人员要通过防静电腕带接地。
半导体基振荡器工作原理
半导体基振荡器工作原理
半导体基振荡器是一种利用半导体材料构成的电路来产生稳定的振荡信号的装置。
其工作原理可以分为以下几个步骤:
1. 激励:通过外部电源或信号输入激励振荡器电路。
2. 放大:初始信号经过放大器放大,使其达到足够的幅度。
3. 反馈:一部分放大后的信号通过反馈网络,将一部分输出信号回馈到振荡器的输入端,形成正反馈回路。
4. 正反馈:通过正反馈作用,放大后的信号会不断在回路中循环放大,增强振荡信号的幅度。
5. 振荡:当放大后的信号达到足够的幅度时,振荡器开始产生稳定的振荡信号。
半导体基振荡器中常用的振荡器电路包括晶体管振荡器、集成电路振荡器等。
这些电路中的半导体材料,如晶体管、集成电路中的二极管等,起到了放大和反馈的作用,使得电路能够产生稳定的振荡信号。
半导体材料的特性决定了振荡器的频率稳定性和工作温度范围等性能。
单片机时钟的原理
单片机时钟的原理
单片机时钟的工作原理可以概括为以下几点:
一、振荡电路
单片机内部集成有晶体振荡器电路,可以产生极为精确的时钟脉冲信号。
频率取决于连接的晶体参数。
二、计数器/定时器
单片机内置计数器/定时器模块,可以对时钟脉冲进行计数。
当计数达到设定定时器值时,会触发定时中断。
三、计时基准
一般选择晶体振荡器作为计时基准,因其精度高、稳定性好。
也可以选择其他时钟源如谐振器。
四、时钟分频
为获取不同时间精度,会使用频率分频电路对时钟进行分频,获取分别的时钟信号。
五、时间计量
通过计数时钟脉冲周期的数量,实现对时间间隔的测量。
单片机指令精确计量时间。
六、定时中断
定时器达到设定值时,会触发定时中断。
在中断服务程序中可以更新时间、执行定时任务等。
七、时间存储
当前时间存储在单片机寄存器中,中断服务程序会实时更新时间数据。
也可以保存入外部存储器。
八、显示接口
通过并行接口、LCD显示接口等连接时间显示模块,实现时间的可视化显示。
通过振荡电路、计数器、中断等模块协作,单片机可以实现精确计时和定时控制,是各种微处理器系统必需的基础功能模块。
低噪声CMOS振荡器的设计
低噪声CMOS振荡器的设计低噪声CMOS 振荡器的设计丁虹(安庆师范学院物理与电⽓⼯程学院安徽安庆246011)指导⽼师:徐晓峰摘要:本论⽂是基于振荡器单⽚集成的问题,系统论述了单⽚射频电感电容压控振荡器的原理和实现⽅法,并且综合分析了在压控振荡器设计中影响其关键指标的因素,如相位噪声、调谐范围以及功耗等。
⾸先对线性时不变模型和线性相位时变相位噪声模型进⾏分析和总结的基础上,讨论电感电容压控振荡器的内在振荡机制,总结了振荡器设计和优化的⼀般步骤。
关键词:相噪声,CMOS 管,压控振荡器1、引⾔压控振荡器(VCO )[8]在⽆线通信和时钟恢复电路中得到了⼴泛的应⽤,随着CMOS ⼯艺的不断进步,对VCO 性能的要求不断提⾼。
其中LC 振荡器具有较好的相噪性能和较低的耗能。
在同等功耗下,其相噪特性⼀般会优于CMOS 环形振荡器[3]20dB 左右,但⼀般较窄的频率调节范围容易导致输出频率不能落在预定的范围,同时由于⽚上电感占⽤⾯积⼤,不易集成等不⾜限制了它的应⽤。
相反,CMOS 环形振荡器在集成度、频率调节范围⽅⾯优势显著。
⽽且今年来随着CMOS ⼯艺技术的发展,通过仔细地设计也可以使CMOS 环形振荡器获得可以和LC 振荡器相⽐拟的噪声性能。
压控振荡器在锁相环电路[2]中是不可缺少的重要部分,也是锁相环内部最易受噪声影响的模块。
为了提供更⾼的计算能⼒和更宽的通信带宽,许多⾼性能⽚上系统的⼯作频率已经达到⼏GHZ ⾄⼏⼗GHZ 。
⼤量的数字逻辑门单元在同⼀个时钟沿进⾏打开和关断,这使得电源和衬底上的噪声⾮常⼤,是VCO 相位噪声的主要来源之⼀。
为了获得好的相位噪声性能,⽬前的很多研究都集中在⾼电源噪声抑制的压控振荡器设计上。
2、振荡器的基本原理2.1 振荡器理论及结构振荡器是许多电⼦系统的主要部分,应⽤范围从微处理器中的时钟产⽣到蓝⽛芯⽚中的载波合成。
由于各⾃的应⽤不同,导致它们的结构和性能参数有很⼤的差别,进⽽使得利⽤CMOS ⼯艺设计稳定、⾼性能的振荡器[1]就变得更加具有挑战性。
通信电子电路于洪珍第四章 第6~9节
图4-35 陶瓷振子振荡电路
4.9 单片集成振荡电路E1648
单片集成振荡器E1648 是ECL中规模集成电路。 图所示是利用E1648组 成的正弦波振荡器。振荡 频率
f0 1 2π L (C 1 C i )
图4-36 利用E1648组成的正弦波振荡器
图4-36 利用E1648组成的正弦波振荡器
由于 p 与 s 两谐振频率与之差很小,所以呈感 性的阻抗曲线非常陡峭。实用中,石英谐振器工 作在频率范围窄的电感区(可以把它看成一个电 感),只是在电感区,电抗曲线才有非常大的斜 率(这对稳定频率很有利),电容区是不宜使用 的。
4.考虑 rq 的晶体等效阻抗特性 这时,晶体的等效阻抗 Z 表达式为
可得 f0 的最大值为
f0 2π Lq 1 C qC 0 Cq C0 fp
即晶体并联谐振频率。可见,无论怎样调节 C,f0 总是处于晶体fp 与 fs 的两频率之间。但是, 只有在fp 附近,晶体才具有并联谐振回路的特点。
二、串联型晶振电路
图4-28 串联型晶体振荡器的一种方框图
晶体工作在串联谐振频率附近,阻抗呈短路, 构成正反馈产生振荡。 串联型晶体振荡器的一种框图如图4-28所示。 因为是两级共发放大器,所以输出电压与输入电压 同相。输出经石英谐振器和负载电容反馈到输入端, 这个反馈是正反馈。由于石英谐振器的选频作用, 只有在石英谐振器和负载电容所决定的串联谐振频 率上,串联阻抗最小,正反馈最强。因此,在这个 频率上产生振荡。
一、石英晶体的压电效应及等效电路
1. 等效电路和符号
(a) 结构示意图
(b)等效电路
(c)符号
图4-20 石英谐振器的的结构示意图、等效电路和符号
2.石英谐振器的特点
大学_《高频电子电路》(王卫东版)课后答案下载
《高频电子电路》(王卫东版)课后答案下载《高频电子电路》(王卫东版)内容简介绪论0.1通信系统的组成0.2发射机和接收机的组成0.3本书的研究对象和任务第1章高频小信号谐振放大器1.1LC选频网络1.1.1选频网络的基本特性1.1.2LC选频回路1.1.3LC阻抗变换网络__1.1.4双耦合谐振回路及其选频特性1.2高频小信号调谐放大器1.2.1晶体管的高频小信号等效模型1.2.2高频小信号调谐放大器1.2.3多级单调谐放大器__1.2.4双调谐回路谐振放大器__1.2.5参差调谐放大器1.2.6谐振放大器的稳定性1.3集中选频放大器1.3.1集中选频滤波器1.3.2集成宽带放大器1.3.3集成选频放大器的应用1.4电噪声1.4.1电阻热噪声1.4.2晶体三极管噪声1.4.3场效应管噪声1.4.4噪声系数__小结习题1第2章高频功率放大器2.1概述2.2高频功率放大器的工作原理 2.2.1工作原理分析2.2.2功率和效率分析2.2.3D类和E类功率放大器简介 2.2.4丙类倍频器2.3高频功率放大器的动态分析----------DL2.FBD2.3.1高频功率放大器的动态特性 2.3.2高频功率放大器的负载特性2.3.3高频功率放大器的调制特性2.3.4高频功率放大器的放大特性2.3.5高频功率放大器的调谐特性2.3.6高频功放的高频效应2.4高频功率放大器的实用电路2.4.1直流馈电电路2.4.2滤波匹配网络2.4.3高频谐振功率放大器设计举例2.5集成高频功率放大电路简介2.6宽带高频功率放大器与功率合成电路2.6.1宽带高频功率放大器2.6.2功率合成电路__小结习题2第3章正弦波振荡器3.1概述3.2反馈型自激振荡器的工作原理 3.2.1产生振荡的基本原理3.2.2反馈振荡器的振荡条件3.2.3反馈振荡电路的判断3.3LC正弦波振荡电路3.3.1互感耦合LC振荡电路3.3.2三点式LC振荡电路3.4振荡器的频率稳定度3.4.1频率稳定度的定义3.4.2振荡器的稳频原理3.4.3振荡器的稳频措施3.5晶体振荡器3.5.1石英晶体谐振器概述3.5.2晶体振荡器电路3.6集成电路振荡器3.6.1差分对管振荡电路3.6.2单片集成振荡电路E16483.6.3运放振荡器3.6.4集成宽带高频正弦波振荡电路3.7压控振荡器3.7.1变容二极管3.7.2变容二极管压控振荡器3.7.3晶体压控振荡器__3.8RC振荡器3.8.1RC移相振荡器3.8.2文氏电桥振荡器__3.9负阻振荡器3.9.1负阻器件的基本特性----------DL3.FBD3.9.2负阻振荡电路 3.10振荡器中的几种现象3.10.1间歇振荡3.10.2频率拖曳现象3.10.3振荡器的频率占据现象3.10.4寄生振荡__小结习题3第4章频率变换电路基础4.1概述4.2非线性元器件的特性描述4.2.1非线性元器件的基本特性4.2.2非线性电路的工程分析方法4.3模拟相乘器及基本单元电路4.3.1模拟相乘器的基本概念4.3.2模拟相乘器的基本单元电路4.4单片集成模拟乘法器及其典型应用 4.4.1MC1496/MC1596及其应用4.4.2BG314(MC1495/MC1595)及其应用 4.4.3第二代、第三代集成模拟乘法器 __小结习题4第5章振幅调制、解调及混频5.1概述5.2振幅调制原理及特性5.2.1标准振幅调制信号分析5.2.2双边带调幅信号5.2.3单边带信号5.2.4AM残留边带调幅5.3振幅调制电路5.3.1低电平调幅电路5.3.2高电平调幅电路5.4调幅信号的解调5.4.1调幅波解调的方法5.4.2二极管大信号包络检波器5.4.3同步检波----------DL4.FBD5.5混频器原理及电路 5.5.1混频器原理5.5.2混频器主要性能指标5.5.3实用混频电路5.5.4混频器的干扰5.6AM发射机与接收机5.6.1AM发射机5.6.2AM接收机5.6.3TA7641BP单片AM收音机集成电路 __小结习题5第6章角度调制与解调6.1概述6.2调角信号的分析6.2.1瞬时频率和瞬时相位6.2.2调角信号的分析与特点6.2.3调角信号的频谱与带宽6.3调频电路6.3.1实现调频、调相的方法6.3.2压控振荡器直接调频电路6.3.3变容二极管直接调频电路6.3.4晶体振荡器直接调频电路6.3.5间接调频电路6.4调频波的解调原理及电路6.4.1鉴频方法及其实现模型6.4.2振幅鉴频器6.4.3相位鉴频器6.4.4比例鉴频器6.4.5移相乘积鉴频器6.4.6脉冲计数式鉴频器6.5调频制的`抗干扰性及特殊电路6.5.1调频制中的干扰及噪声6.5.2调频信号解调的门限效应6.5.3预加重电路与去加重电路6.5.4静噪声电路6.6FM发射机与接收机6.6.1调频发射机的组成6.6.2集成调频发射机6.6.3调频接收机的组成6.6.4集成调频接收机__小结习题6----------DL5.FBD第7章反馈控制电路 7.1概述7.2反馈控制电路的基本原理与分析方法 7.2.1基本工作原理7.2.2数学模型7.2.3基本特性分析7.3自动增益控制电路7.3.1AGC电路的工作原理7.3.2可控增益放大器7.3.3实用AGC电路7.4自动频率控制电路7.4.1AFC电路的组成和基本特性7.4.2AFC电路的应用举例7.5锁相环路7.5.1锁相环路的基本工作原理7.5.2锁相环路的基本应用7.6单片集成锁相环电路简介与应用 7.6.1NE5627.6.2NE562的应用实例__小结习题7第8章数字调制与解调8.1概述8.2二进制振幅键控8.2.12ASK调制原理8.2.22ASK信号的解调原理8.3二进制频率键控8.3.12FSK调制原理8.3.22FSK解调原理8.4二进制相移键控8.4.12PSK调制原理8.4.22PSK解调原理8.5二进制差分相移键控8.5.12DPSK调制原理8.5.22DPSK解调原理__小结习题8第9章软件无线电基础9.1概述9.2软件无线电的关键技术 9.3软件无线电的体系结构 9.4软件无线电的应用__小结习题9附录A余弦脉冲分解系数表部分习题答案参考文献《高频电子电路》(王卫东版)图书目录本书为普通高等教育“十二五”、“十一五”国家级规划教材。
LC谐振
例3.2.1 能否起振。
判断图例3.2.2所示两极互感耦合振荡电路
解:在 T1 的发射极与T2 之间断开。这是一个共基—共 集反馈电路。 振幅条件是可以满足的,所以 只要相位条件满足,就可以起振。 图3.2.2 例3.2.1图(动画)
利用瞬时极性判断法,根据同名端位置,可以得到:
e1 c1 b2 e2 (e1 )
式中
T ( )
gm A2 B 2
B T ( ) arctan A
且
gi C2 gi g L A gL 2 ( LC1 ) C1
B C2
1 C2 gi g L 1 ( LC1 ) L C1
根据起振条件,令B=0可以求得振荡器的振荡角频率为
晶体管的偏置电阻与去耦电容、电感的损耗等等,下面 对这些因素进行分析。 在图3.2.6(a)中,令
Z1 1 jC1
Z3 1 1 gL
j L
1 Z2 gi jC2
得到(b)图。
1 1 gi re Re
C2 Cbe C2
3.2.2
由(b)图求得反馈电压
解: 题图的交流等效电路为
电路的有关参数如下
接入系数
C1 51 n 0.015 C1 C2 Cbe 51 3300 20
C1 (C2 Cbe ) 当 C3 12pF 时,C C3 66.23(pF) C1 C2 Cbe
1 ge 0 Q0 C 1 62.23 1012 3 0.14 10 (S) 6 L 80 0.5 10
CB 的作用。如果将 CB
短路,则基极通过变压器 次极直流接地,振荡电路 不能起振。
图3.1.3 集电极调谐互感耦 合振荡器电路
基于ispPAG器件的可编程振荡器设计
为模拟 频道和数字 频道;5 0 6 M z 5  ̄8 0 H 为 VD O 与数据广播等。 4 4 业 务 融 合 . 通 过 在 前 端 增 加 光 发 射 机 , 由 无 源 光 分 路 器 再 次 进 行 功 率 分 配 ,C T 信 号 AV 和 与 I 数 据 信 号 , 通 过 各 自独 立 的 光 纤 P 共缆 传输 到楼单 元 ,光接 收机 输 出R 信 F 号 , O U 供 I 数 据 ,在 同 轴 电 缆 集 线 器 N提 P 实现 业 务 融合 。
耗 + 光 器 损 耗 + 纤 熔 接 点损 耗 + 纤机 分 光 光 械接续点损耗+ 工程裕量 。 4 7 灵 活 的入 户 方 式 . 招 远 广 电 同 轴 电 缆 分 配 网 大 多 为 树 形分配 ,而无源E C 0 的基带信号 经过多级 分 支 分 配 器 后 大 幅 衰 减 , 影 响 用 户 接 收 效 果 , 因此 招 远 广 电 无 法 合 适 地 采 用 无 源 E C 基 带 E C 术 , 而 在 双 向 改 造 中 0如 O技 采 用 有 源 E C 0。 4 5 0 T 置 . L 设 针 对 招 远 广 电 不 同 城 区 的 线 路 状 0T L 的布 放 考 虑 的主 要 因 素 包 括 覆 盖 况 ,对 网络 双 向入户 采取 不 同的接 入方 范 围 、 城 域 承 载 网 络 的 配 套 以及 宽 带 业 式 : ( ) 新 建 小 区 尚 未 敷 设 网 络 的 用 1 务系 统 的规划 等 。招远 广 电双 向改造 目 前处 于 初 期 阶段 ,O T 中设 置在 中心 户 ,采 用 同轴 电缆 + 类 线 方式 双 线入 L集 五 机房 ,用 来覆 盖 多个用 户 区 ,直 接上 联 户 。 ( ) 旧 网 络 且 光 点 覆 盖 用 户 少 的 2 至汇 聚交 换机 ,这 样 能够充 分利 用 已有 放 的配 电系 统 、机 架 、光 纤配 线 系统等 资 ( 大器 级数 少 ,网络 传输 正常 )直接 源。 采 用 有 源 EC 式 改 造 用 户 。 O方 旧 网 络 且 光 点 覆 盖 用 户 多 的 ( 要 主 4 6 光 路 设计 . 光通 道 损 耗 理 论 计 算 公 式如 下 : 是 多级放 大器 ,传 输线 路过 长 ),采用 ( )O U 收 侧 光 功 率 = L 发 射 功 增加 光节 点 并升级 改造 老外 线 ,采 用有 1 N接 OT 源E C 0 方式 入户 ,这样在双 向入户 的同时 率一 光路损耗 ; ( )光路 损耗= 2 光纤损耗 + 连接 器损 顺便把入户的同轴 电缆一并升级 改造 。
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二、 电容三点式电路(又称考毕兹电路,Coplitts) 与发射极相连接的两个电抗元件同为电容时的 三点式电路,称为电容三点式电路,也称为考毕兹电 耦合 C C L回路电感 2 1 电容 Cb 路。 高
频旁 路电 容 回路电容
图3.2.5 电容三点式电路 (a)原理电路 (b)高频等效电路 3.2.2
X be 0成立。即 X X 必须是同 Vc与 Vi反相,所以必有 be ce X ce
性质电抗,因而 X cb 必须是异性质的电抗。
3.2.2
例 3.2.2 在例图3.2.4所示振荡器交流等效电路中,三个LC并 联回路的谐振频率分别是:
f1 1 (2 L1C1 )
f2 1
(2 L2C2 )
3.2
LC正弦波振荡器
采用LC谐振回路作为选频网络的振荡器。 LC正弦波振荡器有三种实现电路:
互感耦合振荡器 三点式振荡器 集成电路LC振荡器
LC振荡器可用来产生几十千赫到几百兆 赫的正弦波信号。
3.2
3.2.1互感耦合振荡器
图3.1.3是常见的一
种集电极调谐互感耦合振 荡器电路。注意耦合电容
可见电路是负反馈,不能产生振荡。 如果把变压器次级同名端位置换一下,则可改为正反馈。而变压器初级 回路是并联LC回路,作为 T1 的负载,考虑其阻抗特性满足相位稳定条件, 因此电路有可能产生振荡。 3.2.1
3.2.2
三点式Байду номын сангаас荡电路
三点式振荡器是指LC回路的三个端点与晶体管的 三个电极分别连接而组成的一种振荡器。其工作频率 可达到几百兆赫。 一、电路组成法则(相位条件) 在三点式电路中,LC回 路中与发射极相连接的两个电
C1 C2 C ' 2
接入系数
n
(通常 re Re )
re
1 1 (re // Re ) 2 re 2 n n
ge G gL
由(b) 到(c):
1 式中 g L R L
1 ge re
图3.2.6
推导 T ( j ) 的等效电路 3.2.2
等效电纳
例3.2.1 能否起振。
判断图例3.2.2所示两极互感耦合振荡电路
解:在 T1 的发射极与T2 之间断开。这是一个共基—共 集反馈电路。 振幅条件是可以满足的,所以 只要相位条件满足,就可以起振。 图3.2.2 例3.2.1图(动画)
利用瞬时极性判断法,根据同名端位置,可以得到:
e1 c1 b2 e2 (e1 )
f3 1
(2 L3C3 )
f3 试问 f1 、f 2 、
满足什么条件时该振荡器能正常工作?
解:由图可知,只要满足三点式组成法则, 该振荡器就能正常工作。 图3.2.4
若组成电容三点式, 则在振荡频 fosc1 处,
例3.2.2图 (动画)
L1C1 回路与 L2 C 2 回路应呈现容性, L3C3 回路应呈现感性。所以应满足
图3.2.1 互感耦合振荡电路举例
若不考虑晶体管的极间电容与输入、输出阻抗的 影响,图3.1.3及图3.2.1所示的振荡器的振荡频率近似 为选频回路的谐振频率,即 1 f osc f 0 2 LC 振荡电路的振荡频率的大小并不完全取决于LC回路, 而是与晶体管参数、电路的工作状态以及负载有关。所 以,互感耦合振荡器的频率稳定度较差,且由于互感耦 合元件分布电容的存在,限制了振荡频率的提高,所以 只适用较低频段,如中波广播。 互感耦合振荡器是依靠线圈之间的互感耦合实现 正反馈,所以,应注意耦合线圈同名端的正确位置。 同时耦合系数要选择合适。使之满足振幅起振需要。
f1 f2 fosc1 f3
或
f2 f1 fosc1 f3
fosc 2 处, L1C1 回路与 L2 C 2 回路
若组成电感三点式,则在振荡频率
L3C3 回路应呈现容性,所以应满足 应呈现感性,
f1 f2 fosc 2 f3
或
f2 f1 fosc 2 f3
X ce X be X bc 0
即
X ce X be X bc
由于 V f 是 Vc 在 X be X bc支路分配在 X be上的电压,即
jX beVc X be Vf Vc j ( X be X bc ) X ce
Vi 与 V f 同相, 因为这是一个由反相放大器组成的正反馈电路,
B C 1
( L)
C
C1C2 CC 1 2 C1 C2 C1 C2
环路增益计算: 因为
V f g mVi G jB
V f nV f
ng m ng m G jB g g j (C 1 ) L e L
为开路。
3.2.2
1、考毕兹电路的近似分析 图中虚线框内是晶体管共基极组态的简化等效电路。
Re0 RL 晶体管输出电容未考虑。 RL
在×处断开,并 考虑到负载作用, 得到:
图3.2.6
小信号 等效电路 3.2.2
电路的等效:
由(a)到(b):
C2 Cbe C2
1 Vf Vf n
CB 的作用。如果将 CB
短路,则基极通过变压器 次极直流接地,振荡电路 不能起振。
图3.1.3 集电极调谐互感耦 合振荡器电路
3.2.1
图3.2.1给出了不同的互感耦合振荡电路。从选 频回路所在的电极来看,它们都不利于及时滤除三 极管集电极输出的谐波电流成分。从而电路的电磁 干扰大,集电极电压加大。
一般来说,旁路电容 和耦合电容的电容值至少
要比回路电容值大一个数
量级以上。 有些电路里还 接有高频扼流圈,其作用 是为直流提供通路而又不 影响谐振回路工作特性。
对于高频振荡信号,旁路
电容和耦合电容可近似为 短路,高频扼流圈可近似
电容三点式电 路高频等效电路 (电容三点式振荡电路动画 分析)
图3.2.5
抗元件必须为同性质,另外一
个电抗元件必须为异性质。同 时满足
X ce X be X bc 0
图3.2. 3 三点式振荡器的原理图 (三点式振荡电路动画) 3.2.2
证明:假定LC回路由纯电抗元件组成,其电抗值分别为
X ce X be X cb 同时不考虑晶体管的电抗效应,则当回路谐振
( 0) 回路呈纯阻性,有 时,