光电耦合器伏安特性数学模型

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ｐｒｎａｄｔｎｏｌｔｔｅｄｓｉｕｉｎｆｔｇｏａｉｇｔｅｄｔｏｎｓａｄｔｅｒｔａｔｎｒｐｉｓｅｉｔｌａａａｄｃｍｐｅｅｈｉｔｂｔｔｎ，ｃｍｐｒｈａａｐｉｔｎｈｏｅｉｌｆｔｇｇａｈｃ，ｍｅｒｏｉｉｎｃｉｉｔｅｒｓｌｏｆｅｈｔｔｅｍｏｅａｏｒｃ．ｈｄｌｆｌｄｔｅｉｆｒｔｎｇｐｎｔｅｆｌ．ｈｅｕｔｃｎｉｄｔａｈｄｌｗｓｃｒｅｔＴｅｍｏｅｌｈｎｏｍａｉａｓｉｈｅｄｓｒｉｅｏｉ
基金项目：吉林省科技发展计划重点项目（目编号：００３４项２１０４）
第２卷８
第４期
Ｖ０＿８Ｎｏ．ｌ２４
来自百度文库
１引
言
／［ｐｘ／Ｔｉ％ｘｑ－ｅ（ＶＶ）］－
（）１
其中，为反向饱和电流，为与发光二极管有关的常数；Ｖ＝ｒ，为温度的电压当量或热电压，常温下Ｔｋ／ｑ
大约为２６ｍＶ；Ｖ为加在发光二极管两端的电压值。发光二极管发光是注入的少数载流子同多数载流子
光电耦合器（ｐｉａｃｕｌ，英文缩写为Ｏ）ＯｔｌｏｐｅｃｒＣ
的数学模型。利用ＭＴＡＡＬＢ对实验数据进行拟合，对比数据点与拟合的理论图形，认为该模型是正确的，该模型填补了光电耦合器在该方面资料的空白。关键词：光电耦舍器；伏安特性；发光二极管；光电三极管；分布拟舍
中图分类号：Ｔ６２Ｎ２文献标识码：Ａ
（１５ｒｏ，３ＵｉＤｌｎ１６２，ｈｎ９５０Ｔｏｐ９ｎ，ａａ１０３Ｃｉｔｉａ）
Ａｂｔｃ：Ｉｒｅｏｕｅｏｔａｃｕｌｒｍｏｅｃｎｅｉｎｎｆｃｅｔｉｉｕｔｄｓｎｔｅｔａｄｌｓｒｔｎｏｄｒｔｓｐｉｌｏｐｅｒｏｖｎｅｔａｄｅｆｉｎｎｃｒｉｅｉ，ａｍａｈｍａｉｌｍｏｅａｃｉｃｇｃ
第２卷８
第４期
Ｖ０＿８Ｎｏ４ｌ２．
文章编号：０７１８（００— ０６０１０ — ０２１）４０４ — ４１１
光电耦合器伏安特性数学模型
杨睿
（１５９５０部队９３分队。辽宁
大连１６２）１０３
Ｆｏｔｅｔｅｒｔａｎｌｓｓｆｒｃｒｅｔｃａａｔｒｔｓｏｉｈ — ｍｉｉｇｄｏｅａｄｐｏｏｒｎｉｔｒｈｅａｉｎｒｍｈｈｏｅｉｌａａｉｏｕｒｎｈｒｃｅｉｉｆｌｔｅｔｎｉｄｎｈｔｔｓｏ．ｔｅｒｌｔ — ｃｙｓｃｇｔａｓｏｓｉｅｗｅｎｔｅｉｐｔｖｌｇｎｕｐｔｃｒｅｔｗｓｄｒｅｒｔｅｃｍｍｏｌｓｄｐｏｏｒｎｉｏｐｏｏ — ｈｐｂｔｅｈｎｕｏｔｅａｄｏｔｕｕｒｎａｅｖｄｆｈｏａｉｏｎｙｕｅｈｔｔｓｓｒｏｔｃｕａｔｐｅｓｈｓｔｅｍａｈｍｔａｄｌｏｈｓｗｒａｔｒａｃｏｌｈｄｌｒ．Ｔｕｈｔｅａｉｌｍｏｅｆｔｉｏｋｐｔｎｗｓａｃｍｐｉｅ．ＵｓｇＭＡＴＡＢｔｎｌｓｈｘｃｅｓｉｎＬｏａａｙｉｔｅｅ — ｓ
摘要：为在电路设计中更方便和有效地使用光电耦合器，提出了光电耦合器伏安特性数学模型，目前还没
有光电耦合器该方面资料。通过从理论上分析发光二极管和光电三极管的电流特性，推导出光电耦合器比较
常用的光电三极管共射极工作方式的输入电压和输出电流的关系表达式，从而得到这种工作方式的伏安特性
Ｋｙｒｓｏｔａｏｐｅ；－ｈｒｃｅｉｉｓｌｈ－ｍｉｉｇｄｏｅｏｔａｔｎｉｔｒｄｓｉｕｉｎｆｔｇｅｗｏｄ：ｐｉｌｕｌｒＶＩａａｔｒｔ；ｉｔｅｔｎｉｄ；ｐｉｌｒｓｏ；ｉｒｔｔｎｃｃｃｓｃｇｔｃａｓｔｂｏｉｉ
ＤＯＩ：１．７８０ＭＥＩ０１２０．０６０３８／２８４０４１
Ｖ— ｔｅｔａｄｌａａｔｒｔｓｏｔｃｕｌｒ－ＭａｈｍａｉｌＩｃＭｏｅＣｈｒｃｅｉｉｆｓｃＯｐｏｏｐｅｓ
ＹＡＮＧｉＲｕ
ｗａｒｐｓｄｆｒｔｅ－Ｖｃａａｔｒｓｉｓｏｐｉａｃｕｌｒ．ＴｅｅｉｎｔｉｆｒｔｎｂｕｈｄｌｕｒｎｌｓｐｏｏｅｏｈＩｈｒｃｅｉｔｆｏｔｌｏｐｅｓｈｒｓ ’ ｎｏｍａｉａｏｔｔｅｍｏｅｃｒｅｔｃｃｏｙ．