Cadence 实验系列_器件模拟_Silvaco TCAD

x、y坐标的起始位置、终止位置以及 网格空间间隔。 网格的疏密决定仿真结果的精确程度。
y.mesh loc=-0.01 spac=0.002 y.mesh loc=0 spac=0.005 y.mesh loc=0.03 spac=0.005 y.mesh loc=0.1 spac=0.005 y.mesh loc=1 spac=0.5
workfunc=4.31 workfunc=4.31 surf.rec workfunc=4.31 surf.rec
器件输出特性（ 曲线 曲线） 器件输出特性（I-Vຫໍສະໝຸດ Baidu线）的仿真
solve init solve previous save outfile=GaN.str log outfile=GaN_0. log solve vdrain=0.2 vstep=0.2 vfinal=5 name=drain previous log off
Cadence 实验系列_ 器件模拟_Silvaco TCAD
目录
• Silvaco TCAD--Atlas简介 • Atlas器件仿真步骤 • 实例操作演示
Silvaco TCAD—Atlas简介 简介
• Silvaco TCAD软件用来模拟半导体器件电学性能，进 行半导体工艺流程仿真，还可以与其它EDA工具组合起 来使用(比如spice)，进行系统级电学模拟(Sentaurus和 ISE也具备这些功能)。 • SivacoTCAD为图形用户界面，直接从界面选择输入 SivacoTCAD 程序语句，非常易于操作，其例子教程直接调用装载 并运行，是例子库最丰富的TCAD软件之一，你做的任 何设计基本都能找到相似的例子程序供调用。 • Silvaco TCAD平台包括工艺仿真(ATHENA)，器件仿真 (ATLAS)和快速器件仿真系统(Mercury)，尤其适合喜欢 在全图形界面操作软件的用户。
材料区域的定义
材料区域的定义
region number=1 material=oxide y.max=0 region number=2 material=AlGaN y.min=0 y.max=0.03 polarization calc.strain region number=3 material=GaN y.min=0.03 x.composition=0.3 polarization substrate
用Atlas语法直接进行器件描述，然后进行器件性能仿真。
Atlas器件仿真步骤 器件仿真步骤
• 启动Atlas软件 • 网格的定义 • 材料区域的定义 • 电极、掺杂、材料特性和模型特性等的定义 • 器件输出特性（I-V曲线）的仿真 • 用tonyplot输出仿真结果
启动Atlas软件 软件 启动
在LINUX系统下， 输入deckbuild –as& 进入Atlas操作界面。 Go atlas开始运行。
网格的定义
网格的定义
x.mesh loc=0 x.mesh loc=1 x.mesh loc=2 x.mesh loc=3 x.mesh loc=4 x.mesh loc=5 x.mesh loc=6 x.mesh loc=7 spac=0.5 spac=0.01 spac=0.2 spac=0.01 spac=0.01 spac=0.2 spac=0.01 spac=0.5
x.min=0 x.min=3 x.min=6
x.max=1 y.min=-0.005 y.max=0 x.max=4 y.min=-0.005 y.max=0 x.max=7 y.min=-0.005 y.max=0
定义掺杂
doping n.type concentration=5e16 uniform y.min=0 y.max=0.03 doping n.type concentration=1e13 uniform y.min=0.03 y.max=1
定义各个区域材料，并用polarization calc.strain polarization calc.strain等申明极 化效应，并对极化效应大小及极化电荷密度进行计算。
电极、掺杂、 电极、掺杂、材料特性和物理模型等的定义
定义电极
electrode name=source electrode name=gate electrode name=drain
器件最终结构
用tonyplot输出仿真结果 输出仿真结果
tonyplot GaN_0.log
Atlas简介 简介
ATLAS器件仿真系统使得器件技术工程师可以模拟半导体器件的电气、光学和 热力的行为。ATLAS提供一个基于物理，使用简便的模块化的可扩展平台，用以分 析所有2D和3D模式下半导体技术的的直流，交流和时域响应。ATLAS器件仿真系统： ◆无需昂贵的分批作业试验，即可精确地特性表征基于物理的器件的电气、光学 和热力性能； ◆解决成品率和工艺制作过程变异的问题，使其达到速度、功率、密度、击穿、 泄漏电流、发光度和可靠性的最佳结合； ◆完全与ATHENA工艺仿真软件整合，具有完善的可视化软件包，大量的实例数据 库和简单的器件输入； ◆最多选择的硅模型，III-V、II-VI、IV-IV或聚合/有机科技，包括CMOS、双极、高 压功率器件、VCSEL、TFT、光电子、激光、LED、CCD、传感器、熔丝、NVM、铁 电材料、SOI、Fin-FET、HEMT和HBT； ◆分支机构遍布世界各地，有专门的物理学博士提供TCAD支持； ◆与专精稳定和有远见的行业领导者合作，在新技术强化上有活跃的发展计划； ◆直接把ATLAS结果输入到UTMOST进行SPICE参数提取，将TCAD技术应用到整个流 片(Tapeout)过程。
定义材料特性
material ni.min=1e-10 taun0=1e-9 taup0=1e-9 mobility fmct.n GaNsat.n
选定物理模型
models
srh fermi print
定义接触类型
contact contact contact
name=gate name=source name=drain