光电式传感器

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第8章 光电式传感器
8.1 光电效应与光电器件 8.2 计 量 光 栅 8.3 光纤传感器 8.4 红外线传感器 8.5 激光传感器 8.6 光电式传感器及其应用实例
8.1 光电效应与光电器件
8.1.1 外光电效应
在光线作用下,能使电子从某些材料的物体表面逸出的物理 现象称为外光电效应,也称光电发射效应。属于外光电效应 的光电元器件有光电管、光电倍增管、光电摄像管等。
电子数目也越多,光电流 I 就越大。
当光电管阳极加上适当电压(数十伏)时,从阴极表面逸出的电子被 具有正电压的阳极所吸引,在光电管中形成电流,称为光电流。光 电流正比于光电子数,而光电子数又正比于光照度。
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8.1 光电效应与光电器件
当光电管阳极加上适当电压(数十伏)时,从阴极表面逸出的 电子被具有正电压的阳极所吸引,在光电管中形成电流,称 为光电流。光电流正比于光电子数,而光电子数又正比于光 照度。
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8.1 光电效应与光电器件
亮电阻:光敏电阻置于室温和一定光照条件下测得的稳定电 阻值称为电阻,这时在给定工作电压下的电流称亮电流。
光光电敏流电:阻亮的电 暗流 电和 阻暗 越电 大流 ,之 而间 亮的 电差 阻成 越为 小光 ,电 则流性能I 越。好。也就
是说,暗电流要小,光电流要大,这样的光敏电阻的灵敏度
就高。实际上,大多数光敏电阻的暗电阻往往超过,甚至高
达,而亮电阻即使在正常白昼条件下也可降到以下,可见光
敏电阻的灵敏度是相当高的。
2. 光敏二极管
光敏二极管的工作原理基于内光电效应。光敏二极管结构与 一般二极管相似,它们都有一个PN结。光敏二极管和普通二 极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件,但在结 构上有其特殊的地方。为了提高转换效率大面积受光,PN结 面积比一般二极管大。
1. 光电管 光电管的外形wenku.baidu.com图8-1所示,光电阴极K和光电阳极A封装在
真空玻璃管内。当入射光线穿过光窗照到光电阴极上时,由 于外光电效应,光电子就从极层内发射至真空。在电场的作 用下,光电子在极间作加速运动,最后被高电位的阳极接收, 在阳极电路内就可测出光电流,其大小取决于光照强度和光 阴极的灵敏度等因素。如果在外电路中串入一只适当阻值的 电阻,则电路中的电流便转换为电阻上的电压。这电流或电 压的变化与光成一定函数关系,从而实现了光电转换,如图 8-2所示。
8.1.2 内光电效应
在光线作用下能使物体电阻率发生变化的现象称为内光电效 应,也称光电导效应。这一类的光电元器件有光敏电阻、光 敏二极管、光敏三极管和光敏晶闸管等。
1. 光敏电阻 光敏电阻是一种利用光敏感材料的内光电效应(光导效应)制
成的光电元件。它具有精度高、体积小、性能稳定、价格低 等特点,所以被广泛应用在自动化技术中作为开关式光电信 号传感元件。
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8.1 光电效应与光电器件
通常光电倍增管的灵敏度比光电管要高出几万倍,在微光下 就可产生可观的电流。例如,可用来探测高能射线产生的辉 光等,由于光电倍增管有如此高的灵敏度,因此使用时应注 意避免强光照射而损坏光电阴极。但由于光电倍增管是玻璃 真空器件,体积大、易破碎,工作电压高达上千伏,所以目 前已逐渐被新型半导体光敏元件所取代。
由于材料的逸出功不同,所以不同材料的光电阴极对不同频 率的入射光有不同的灵敏度,人们可以根据检测对象是可见 光或紫外光而选择不同阴极材料的光电管。目前紫外光电管 在工业检测中多用于紫外线测量、火焰监测等,可见光较难 引起光电子的发射。
2. 光电倍增管 光电管的灵敏度较低,在微光测量中通常采用光电倍增管,
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8.1 光电效应与光电器件
(1) 结构与工作原理 光敏电阻由一块两边带有金属电极的光电半导体组成,电极
和半导体之间呈欧姆接触,使用时在它的两电极上施加直流 或交流工作电压。在无光照射时,光敏电阻呈高阻,回路中 仅有微弱的暗电流通过。在有光照射时,光敏材料吸收光能, 使电阻率变小,呈低阻态,从而在回路中有较强的亮电流通 过。光照越强,阻值越小,亮电流越大。如果将该亮电流取 出,经放大后即可作为其他电路的控制电流。当光照射停止 时,光敏电阻又逐渐恢复原值呈高阻态,电路又只有微弱的 暗电流通过。 制作光敏电阻的材料种类很多,如金属的硫化物、硒化物和 锑化物等半导体材料。目前生产的光敏电阻主要是硫化镉, 为提高其光灵敏度,在硫化镉中再掺入铜、银等杂质。 (2) 光敏电阻的主要参数 暗电阻:指光敏电阻置于室温、全暗条件下,经一段时间稳 定后测得的阻值,这时在给定的工作电压下测得的电流称暗 电流。
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8.1 光电效应与光电器件
光敏二极管在电路中的符号如图8-4所示。光敏二极管的PN 结装在透明管壳的顶部,可以直接受到光的照射。使用时要 反向接入电路中,即正极接电源负极,负极接电源正极,即 光敏二极管在电路中处于反向偏置状态。无光照时,与普通 二极管一样,反向电阻很大,电路中仅有很小的反向饱和漏 电流,称暗电流。光敏二极管的基本电路如图8-5所示。
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8.1 光电效应与光电器件
电子逸出金属表面的速度v可由能量守恒定律定义
1 mv2 h W
式2中 m——电子质量;
(8-1)
W——金属材料(光电阴极)逸出功。
式(8-1)即为著名的爱因斯坦光电方程,它揭示了光电效应的本质。 由于逸出功与材料的性质有关,当材料选定后,要使金属表面有电 子逸出,入射光的频率f有一最低的限度,当hf小W于时,即使光通 量很大,也不可能有电子逸出,这个最低限度的频率称为红限。当 hf大于W时,光通量越大,撞击到阴极的光子数目也越多,逸出的
如图8-3所示。光电倍增管由真空管壳内的光电阴极、阳极以 及位于其间的若干个倍增极构成。工作时在各电极之间加上 规定的电压。当光或辐射照射阴极时,阴极发射光电子,光 电子在电场的作用下逐级轰击次级发射倍增极,在末级倍增 极形成数量为光电子的106~108倍的次级电子。众多的次级 电子最后为阳极收集,在阳极电路中产生可观的输出电流。
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