华科微纳系统仿真作业
微纳卫星热状态仿真及分析
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的主导因素 [9]。 通 过 物 理 实 验 方 法 进 行 动 态 热
分析研究较为不便且不适用,热网络法细节繁多
复杂,计 算 耗 时,传 统 的 数 字 仿 真 并 不 能 满 足 微
纳卫星快速热分析的需要。
本文将综合 考 虑 卫 星 内 外 的 受 热 情 况 等 因
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华中科技大学CMOS拉扎维第二章课后作业答案中文版
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华中科技大学CMOS拉扎维第二章课后作业答案中文版CMOS Analog DesignHome work 1 SolutionBy: 张涛(tomjerry@)2007年3月18日作业内容:一、书本上的习题2.22.5 (a)、(b)、(c)2.6 (a)、(b)2.72.152.82.182.24参考解答过程2.2.(1)对于NMOS,工作在饱和区时,有:21()(1)2D OX GS TH DS W I nC V V V L u λ=-+DGSI Gm V ∂=∂=()(1)OX GS TH DS W nC V V V L u λ-+ ()(1)2OXGS TH D DS WnC V V I V Lu λ-+≈()2OX GS TH D W nC V V I Lu -调制效应)=3.66mA V1Dro I λ==20k ΩA=Gm ro =73.3 (2)对于PMOS ,公式基本同上21()(1)2D p OX GS TH DSW I C V V V Lu λ=-+D GSI Gm V ∂=∂=()(1)pOXGS TH DS WCV V V Lu λ-+ ()(1)2OXGS TH D DS WpC V V I V Lu λ-+≈()2OX GS TH D W pC V V I Lu -调制效应)=1.96mA V1Dro I λ==10k ΩA=Gm ro =19.62.5a.若不考虑二级效应,则21()2XDOXGSTHWI I nC V V Lu ==- =21()2X D OX GS TH W I I nC V V Lu ==-实际情况下,由于衬偏效应会影响THVGSDD XV V V -= DSDD XV V V -= SBXV V =(22)THTH FSBFV V V γ=+∅+-∅21()2X OX GS TH W I nC V V L u =-201((22)2OX GS TH F X F WnC V V V Lu γ-=-∅+-∅IX~VX 曲线图b.(1)当0〈XV 〈1时,S 、D 反向 1.9GSXV V =- 1DSXV V =-VGS-VTH=1.2-VX 〉VDS此时,NMOS 处于S 、D 方向的三极管区XI =212(1.2)(1)(1)2nOXWC Vx Vx Vx Lu ⎡⎤-----⎣⎦ (2)当1〈XV 〈1.2时,VGS-VTH=0.2>VDS=VX-1 (未考虑衬偏效应)此时,NMOS 处于正向导通的三极管区IX=212*0.2(1)(1)2nOXW C Vx Vx Lu ⎡⎤---⎣⎦ (3)当VX ≥1.2时 NMOS 处于饱和区 21()2XOXGSTHW I nC V V Lu =- = 21(0.2)2OXWnCLuIX~VX 曲线图 未考虑衬偏效应时的曲线若考虑衬偏效应,则VTH 增大,当衬偏效应比较小,反向后仍有VGS>VTH , 曲线同上,当衬偏效应比较大时,VGS<VTH ,则MOS 管在反向之后一直截止,曲线如下:IX~VX 曲线图 考虑衬偏效应时的曲线(c )(1)0<Vx<0.3时,MOS 管反向导通。
华科mem课程设置
![华科mem课程设置](https://img.taocdn.com/s3/m/275f7bf35122aaea998fcc22bcd126fff6055d4f.png)
华科mem课程设置
华中科技大学的MEM课程设置非常丰富,包括以下方面:
1. 微电子工艺学:介绍半导体材料的制备和加工技术,探讨纳
米加工技术的最新发展,培养学生对先进微电子工艺的理解和掌握。
2. 固体电子学:重点讲授不同半导体材料的物理和电学性质,
让学生了解电子在固体中的行为规律,学习半导体器件的工作原理和性能分析方法。
3. 微电子器件设计:以CMOS工艺为基础,讲解各种微电子器件的设计原理和方法,包括MOSFET、BJT、Diode、OP Amp等器件。
4. 集成电路设计:以数字集成电路为主,讲解数字电路设计的
基本原理、方法和流程,介绍EDA软件的使用和模拟仿真技术。
5. 微电子测试与可靠性:学习微电子器件和集成电路的测试技术,分析电路的可靠性和故障分析方法,培养学生的实践能力和创新思维。
6. 微纳系统技术:介绍微纳系统和MEMS技术的基本原理和应用,包括传感器、微机电系统、生物芯片等领域的发展和应用。
通过这些课程的学习,学生们可以全面了解微电子与固体电子学领域的知识和技术,掌握先进的工艺和设计方法,为未来的科研和工程实践奠定坚实的基础。
- 1 -。
微纳流体力学仿真在生物芯片设计中的应用
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微纳流体力学仿真在生物芯片设计中的应用引言生物芯片是一种重要的生物分析工具,它在生物医学、生态环境、食品安全等领域具有广泛应用。
其中,微纳流体力学仿真是生物芯片设计的基础和关键技术之一。
本文将介绍微纳流体力学仿真在生物芯片设计中的应用。
微纳流体力学仿真技术概述微纳流体力学是研究微小尺度下的流体行为和流动控制的学科。
它结合了流体力学、微观尺度物理学和化学等多学科知识,对微纳尺度下的流体特性进行研究和模拟。
通过微纳流体力学仿真技术,可以对微小尺度下的流体行为进行模拟和预测,进而指导生物芯片的设计和优化。
微纳流体力学仿真技术主要包括两种方法:数值方法和分子动力学方法。
数值方法基于控制方程组的求解,通过离散化流体域和边界条件,利用数值方法求解流体力学方程以及质量、动量和能量守恒方程。
分子动力学方法则是通过分子间相互作用力的计算,模拟流体粒子之间的相互作用和运动。
微纳流体力学仿真在生物芯片设计中的应用微流控芯片设计微流控芯片是一种基于微纳尺度流体力学原理的芯片,具有高通量、高效、低成本等特点。
在微流控芯片的设计中,微纳流体力学仿真可以帮助实现流体的混合、分离、传输和检测等功能。
通过微纳流体力学仿真,可以模拟和优化微流控芯片中的通道结构、阀门设计和流体流动等参数。
例如,可以通过仿真预测流体在不同通道尺寸下的流动速度和压力分布,从而优化通道设计,提高流体混合效果。
此外,通过仿真可以研究各种微纳尺度的流控器件,如阀门、泵和混合器等,进一步优化生物芯片的功能和性能。
微环境调控生物芯片中的细胞培养和微环境调控是生物研究中的重要问题。
通过微纳流体力学仿真,可以模拟和分析细胞在微纳尺度下的生长、分化和迁移等过程,有助于理解和优化生物芯片中的细胞培养和微环境调控。
通过仿真可以研究细胞在不同流速、流动方向和流体介质下的行为,预测细胞的分布、迁移速度和细胞-环境相互作用等参数。
这些研究成果对于设计和优化生物芯片中的细胞培养和微环境调控具有重要意义,可以提高细胞培养效果和生物芯片的功能。
微纳流体力学仿真与智能微流控系统设计
![微纳流体力学仿真与智能微流控系统设计](https://img.taocdn.com/s3/m/c97545793868011ca300a6c30c2259010202f3de.png)
微纳流体力学仿真与智能微流控系统设计引言微纳流体力学是研究微观尺度下流体行为及其相关现象的学科领域,其应用广泛,涵盖了生物医学、化学分析、能源等多个领域。
在微纳尺度下,流体行为的特性与宏观尺度存在明显差异,因此需要针对微纳尺度下的流体行为进行仿真和研究。
智能微流控系统是利用微纳流体力学原理,通过精确控制微流道中的流体流动,实现样品的分离、混合、反应等操作的系统。
该系统具有高效、快速、精准等特点,可以用于生物医学分析、化学合成、环境监测等领域。
本文将对微纳流体力学仿真与智能微流控系统设计进行详细介绍,包括仿真方法、系统设计原理、应用案例等内容。
微纳流体力学仿真方法微纳流体力学仿真是研究微流道中流体行为的重要手段。
目前常用的微纳流体力学仿真方法主要包括有限元法、边界元法和蒙特卡洛法。
有限元法有限元法是一种常用的数值解法,可以对微纳尺度下的流体行为进行精确的仿真。
它通过将流域划分为有限个小单元,利用有限元法的基本原理,求解流体的速度、压力分布等参数。
边界元法边界元法是一种将边界上的条件转化为数学表达式进行求解的方法。
它通过在流体边界上建立边界元,利用边界元法的基本原理,求解流体的速度、压力等参数。
蒙特卡洛法蒙特卡洛法是一种通过随机抽样来模拟流体行为的方法。
它通过随机生成微观颗粒的位置和速度,利用概率分布函数来求解浓度、压力等参数。
智能微流控系统设计原理智能微流控系统设计是将微纳流体力学仿真的研究成果应用到实际的流控系统中。
其设计原理主要包括微流道设计、外部控制和自动化控制。
微流道设计微流道设计是智能微流控系统的核心,其主要任务是实现流体的分离、混合和反应等操作。
微流道的设计需要考虑流体行为、材料选择、表面处理等因素。
外部控制外部控制是智能微流控系统的关键环节,通过控制外部的压力、温度等参数,实现对微流道中流体的精确控制。
外部控制可以通过电动阀、温控器等设备来实现。
自动化控制自动化控制是将智能微流控系统与计算机等设备进行连接,实现对流体流动过程的自动监控和控制。
微纳加工作业及答案
![微纳加工作业及答案](https://img.taocdn.com/s3/m/ca89d64833687e21af45a9d0.png)
作业一1. 在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中,先在下层薄膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件,再用化学刻蚀剂将此层薄膜腐蚀掉,但不损伤微结构件,然后得到上层薄膜结构(空腔或微结构件)。
由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用,故称其为牺牲层。
a) 淀积一层牺牲层;b) 淀积一层结构层;c) 匀胶、光刻、蚀刻,将结构层图形化;d) 淀积一层牺牲层;e) 匀胶、光刻、蚀刻,将中心部分的牺牲层图形化;f) 淀积一层结构层;g) 经过匀胶、光刻、蚀刻等流程,将结构层图形化;h) 利用腐蚀的方法去掉牺牲层,保留了结构层,得到微马达。
2. 或非门T1、T2为PMOS,当输入电平为低电平时导通。
T3、T4为NMOS,当输入电平为高电平时导通。
导通状态用√表示,非导通状态用×表示。
作业二1.对于一个NA为0.6的投影曝光系统,计算其在不同曝光波长下的理论分辨率和焦深,并作图。
设k1=0.6,k2=0.5(均为典型值)。
图中的波长范围为100nm到1000nm(DUV和可见光)。
在你画的图中,标示出曝光波长g线436nm,i线365nm,KrF 248nm,ArF 193nm。
根据这些简单计算,考虑ArF源是否可以达到0.13μm 和0.1μm级的分辨率?答:根据这些计算可知ArF (193 nm)的分辨率不能达到0.13 µm和0.1μm级。
可以采用其他先进技术,如相移掩膜、离轴照明等,ArF将有可能达到0.13µm或者0.1µm级别。
2. 一个X射线曝光系统,使用的光子能量为1keV,如果掩膜板和硅片的间隔是20μm,估算该系统所能达到的衍射限制分辨率。
答:1 keV光子能量对应的波长为X射线系统是接近式的曝光系统,所以分辨率为3. 对于157nm F2准分子激光的光学投影系统:a. 假定数值孔径是0.8,k1=0.75,使用分辨率的一级近似,估算这样的系统能达到的分辨率。
华中科技大学电气学院matlab选修课大作业__PI控制器
![华中科技大学电气学院matlab选修课大作业__PI控制器](https://img.taocdn.com/s3/m/97457b6f84868762cbaed521.png)
2008 级《MATAB语言与控制系统仿真》课程大作业姓名赖智鹏学号 u200811806所在院系电气与电子工程学院班级电气0809日期 1月16日同组人员作业评分评阅人设计报告评分表DOC.PI控制器设计与讨论1.引言本文讨论的对象是智能交通/高速公路系统IVHS(习题7.3),系统通过电子技术为驾驶者和控制系统提供实时路面情况,该系统还提供更方便服务,驾驶者可不用自己操纵驾驶,而系统自动控制车辆,且保持车相对速度,以实现交通的有序进展。
本文前半局部讨论了PI 控制器参数的设计问题,根据性能指标推导控制器参数的约束条件,通过相关算法找到问题的解,后半局部讨论系统参数变化时对系统性能的影响,通过比拟得出综合性能较优的控制器参数。
2.给定系统的控制器设计2.1性能分析:〔1〕阶跃响应零稳态误差。
由原系统为零型系统,故必须通过控制器在原点参加至少一个开环极点,可选择的由PI 控制器、PID 控制器等,而单独使用比例控制器已达不到目标。
〔2〕要求系统对爬坡响应的跟踪误差小于25%,故Kv>4,从而有:001416s s Kv sGcG sGc ->->==>∑∑。
〔3〕阶跃响应的超调量小于5%,所以如果校正后系统近似为2阶系统,要求阻尼比ξ>0.7。
〔4〕调节时间Ts=4/n ξω<1.5s 〔2%〕,所以有n ξω>4/1.5=2.67。
就目前分析,单独使用比例控制器不能满足要求,而在考虑选择PID 控制器之前我们选择相对简单的PI 控制器:iP KGc K S =+。
图 1 原系统做出根轨迹图并作出满足性能指标的区域:rlocus(G); hold on;plot([-2.66 -2.66],[-20 20]);%指定性能指标在根轨迹图中所在区域 zeta=0.7;plot([0 -20*zeta],[0 20*sqrt(1-zeta^2)],[0 -20*zeta],[0 -20*sqrt(1-zeta^2)]); %指定性能指标在根轨迹图中所在区域。
(精选)华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案
![(精选)华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案](https://img.taocdn.com/s3/m/03db86042bf90242a8956bec0975f46527d3a7ae.png)
(精选)华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案3.1 分析:对于PMOS 和NMOS 管二极管连接形式的CS 放大电路,最大的区别在于PMOS 做负载无体效应,所以这里应该考虑g mb 的影响。
同时,由于L=0.5,沟道长度比较短,所以,沟长调制效应也应该考虑进去。
2441401034.11099.31085.8350μμ2V A t C OX sio n OXn ---?==?=εε 同理 25p 10835.3μV A C OX -?=∵ 5.0501=L W 5.0102=???? ??L W A I I D D m 5.021== ∴ K I r DN o o 201r 21===λ()()22222n 2121DS N TH GS ox D V V V L W C I λμ+-???? ??= V O = 1.46V V A I LWC D OX m /106.32g 31-?==μ VA m /1063.1g 32-?=V A V g SBF m m /1038.222g 422b -?=+=φγ输出电阻:Ω=++=-508//g 1R 11222o o mb m OUT r r g∴增益 85.1g A 1-=-=OUT m V RM2换为PMOS 管,则可忽略M2的体效应,同理可得Ω=+=-974//g 1R 1122o o m OUT r r∴增益 85.0g A 1-=-=OUT m V R3.2 (a )∵ 5.0501=L W 2502=???? ??L W A I I D D m 5.021== ∴ K I D N o 201 r 1==λ K I DP o 101r 2==λ又 2401034.1μμ2V A t C OXsion OX n -?=?=εεWC D OX m /106.32g 31-?==μ∴增益 ()4.24//r g A 211-=-=o o m V r(b )求输出电压的最大摆幅及求输出电压最大值与最小值之差分析可知,当M1管处于临界三极管区时输出电压有最小值V omin ,此时有:11TH GS DS OUT V V V V -==()()DS N TH GS ox D V V V L W C I λμ+-???? ??=121211n 有以上两式可推得 V omin =0.27当M2管处于临界三极管区是输出电压有最大值V omax ,同理有:()()SDP TH GS ox D V V V L W C I λμ+-???? ??=121222pV SDMIN = 0.99 ∴ V omax = V DD -V SDMIN = 2V∴输出电压的最大摆幅为V omax - V omin = 1.73V 3.3 (a )∵5 .050=L W A I D m 11= Ω=K R D 2N o 101r ==λK R D o OUT 66.1//r R 1==V A I LWC D OX m /1018.52g 31-?==μ∴ 增益 86.0g A 1-=-=OUT m V R (b )∵M1工作在线性区边缘∴ TH GS DS OUT V V V V -==1()DOUTDD TH GS ox D R V V V V L W C I -=-???? ??=21n 21μ由以上两式可得 V V GS 13.1= , A I D 3-1028.1?= ∴KI DN o 8.71r ==λ∴ 增益 ()34.9//r g A 1-=-=D(c )各区域主要由DS V 决定,进入线性区50mV 即三极管临界区的DS V 减小50mV ∵ 临界区的V R I V V D D DD DS 44 .0=-=所以进入线性区50mV 时的DS V =0.39V∴ A R V V I DDSDD D 3103.1-?=-==∴ ()()V V V V V V L W C I GS DS DS TH GS ox D 14.122121n =?--???? ??=μ又∵ 三极管区 19.5g 1n ==DS ox m V L W C μ()K R V V V L W C V I R O DS TH GS ox DS D O28.111n 1=?--=??=-μ∴增益 ()4//R g A -=-=Do m V R3.12分析:已知各支路电流及M1宽长比,可求得M1过驱动电压即out V ,从而由M2的gsV 及电流可求得其宽长比。
微纳卫星姿态确定与控制半实物仿真系统设计
![微纳卫星姿态确定与控制半实物仿真系统设计](https://img.taocdn.com/s3/m/461952c13086bceb19e8b8f67c1cfad6195fe9a5.png)
微纳卫星姿态确定与控制半实物仿真系统设计绳涛;白玉铸;何亮;冉德超;赵勇【摘要】Attitude control system requires special working environment,soit is hard to actualize on the ground,which has brought a certain reliability risk to satellite. According to the characteristics of micro/nano-satellite, a set of semi-physical simulation system for attitude determination and control was designed and implemented.A digital model simulated the satellite attitude and orbit motion,a sensor model generated the measured data,an actuator model generated the control torque,a sensor simulator realized the communication protocol and finally this system realized the whole simulation of attitude control system.The system can be connectedin the satellite control system loop to assess software and hardware of the attitude control system,and to verify the performance of the algorithm.The system was applied to validate the attitude control system of TianTuo-3 in ground simulation.The comparison with the on-orbit test data shows that the design of system is reasonable and the result of simulation is credible.%航天器姿态控制系统需要特殊的运行环境,在地面很难考核,这给系统可靠性带来一定的风险。
《第1课能力风暴——机器人仿真系统的应用》作业设计方案-初中信息技术清华大学版12九年级下册自编模拟
![《第1课能力风暴——机器人仿真系统的应用》作业设计方案-初中信息技术清华大学版12九年级下册自编模拟](https://img.taocdn.com/s3/m/8626538ca48da0116c175f0e7cd184254b351b31.png)
《能力风暴——机器人仿真系统的应用》作业设计方案(第一课时)一、作业目标本作业设计旨在通过《能力风暴——机器人仿真系统的应用》课程的学习,使学生掌握机器人仿真系统的基础知识,熟悉系统操作流程,并能够运用仿真系统进行简单的机器人编程和操作。
通过实践操作,培养学生的逻辑思维能力和创新能力,提高学生的信息技术应用水平。
二、作业内容1. 理论学习:学生需认真阅读教材,掌握机器人仿真系统的基本概念、发展历程、应用领域以及仿真系统的基本操作方法。
2. 操作实践:学生需在仿真系统中完成至少一个简单的机器人模型搭建,并学会使用系统提供的编程工具进行基本的编程操作。
3. 案例分析:学生需分析一个典型的机器人仿真系统应用案例,了解其在实际中的应用方式和优势。
4. 总结反思:学生需总结学习过程中遇到的问题及解决方法,反思学习过程中的不足,提出改进意见。
三、作业要求1. 学生需在规定时间内完成作业,不得拖延。
2. 理论学习部分需结合教材内容,认真阅读并理解相关知识点。
3. 操作实践部分需按照教师提供的指导步骤进行,确保操作的正确性。
4. 案例分析部分需结合实际,分析案例的详细内容和应用效果。
5. 总结反思部分需真实反映学习过程中的体会和收获,提出有建设性的意见。
四、作业评价1. 教师将根据学生完成作业的情况,对理论知识掌握程度进行评价。
2. 教师将根据学生在仿真系统中的操作情况,评价其实践能力。
3. 教师将根据学生的案例分析报告,评价其分析能力和思考深度。
4. 教师将综合考虑学生的总结反思内容,评价其学习态度和自我反思能力。
五、作业反馈1. 教师将对学生的作业进行批改,指出存在的问题和不足。
2. 教师将提供详细的反馈意见,帮助学生更好地理解自己的学习情况。
3. 针对学生在作业中遇到的问题,教师将提供相应的解决方案和建议。
4. 教师将鼓励学生分享自己的学习心得和体会,促进同学之间的交流和学习。
通过以上作业设计方案的实施,旨在帮助学生全面掌握《能力风暴——机器人仿真系统的应用》课程的知识和技能,提高学生的信息技术应用能力和创新能力。
【华科 微纳系统仿真】微纳系统仿真LECTURE4V
![【华科 微纳系统仿真】微纳系统仿真LECTURE4V](https://img.taocdn.com/s3/m/d7d57bfea300a6c30d229fa5.png)
总力为每段分力之和
k kc1 kc2
• 请大家思考如何分析
热学问题
• 微纳系统中典型的热问题 • 导热的基本定律 • 对流换热 • 辐射换热 • 热传导的一般方程 • 边界条件与定界问题 • 分析举例
典型热问题
• 热问题是微纳系统一个永恒的话题
1200 1000
800
15 mm Die
Leakage Active
Power (W)
600
400
200
0 0.25u 0.18u 0.13u 90nm 65nm 45nm
随着尺度的减小,功耗的热管理设计将是一个重要的课题
• 垂直热驱动‐‐‐双层结构驱动
• 水平热驱动
• 巧妙的热驱动
• 微型热板
• 流量传感器
导热的基本知识
• 热传导:热传导就是相互接触的物体或同一物体的各部分 之间,由于温度的不同引起热传递的现象
q 为热流量 T 为流体与壁面的温差
h 为对流换热系数
对流与界面处的传热有关,从根本上讲还是一种热传导机制
h (Tw
Tf
)
K
T n
界面
h
K Tw Tf
T n
界面
• 强制对流换热
在工程上是通过求速度边界层厚度和温度边界层
厚度来确定换热系数的,可以直接通过有限元求 解。
• 湍流换热 ui u u '
x3 x1 x2 x3 x1x2
平面应力应变问题
• 横截面问题‐‐平面应变问题
w 0 u u(x1, x2 ) (x1, x2 )
不为0的应变分量
11(x1, x2 ), 22 (x1, x2 ),12 (x1, x2 )
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图 3.2 Fluid structure 位移分布云图
8
图 3.3 Fluid structure 应力分布云图 分析: 从位移和应力分布云图可以看出, 流体与柱状体表面作用使得柱状体弯曲, 与实际情况相符;顶端点为位移最大,应力最小,位移为 5.2935 105 m 即
52.935um ,应力为 382.465Pa ;根部位移最小,应力最大,位移为 0um ,应力为
4
2.2.6 设置固体传热 2 2.2.7 设置电流 右键电流,选择电势,命名为电势 1,边界选择子菜单手动选择 28,50,电势子 菜单电势 V0 值为 flc1hs(t[1/s]-1e-3,5e-4)-flc1hs(t[1/s]-1e-2,5e-4))*3e-2。 2.3 计算结果与分析 2.3.1 温度场分布云图
对偏导数,则有: ������ 2 ������ ������ ������ + ℎ, ������ − 2������ ������, ������ + ������(������ − ℎ, ������) = ������������ 2 ℎ2 ������ 2 ������ ������ ������, ������ + ℎ − 2������ ������, ������ + ������(������, ������ + ℎ) = ������������ 2 ℎ2
x, y 1 , 2 , 3 ... n
由变分原理可知
... 0 1 2 n
计算这 n 个方程即可得到整个求解区域的值 (3) 有限元法与差分法的区别 相同的地方:两种方法都使用了离散化的思想,对求解域进行离散。 不同的地方: a) 有限元法有更好的边界适应性,有限元法的单元不限于均匀规则单元, 单元形状可以有一定的任意性,大小也可以不同,且单元边界可以是曲 线或曲面,不同形状单元可进行组合,因此可以处理任意复杂边界的结 构; 2
b) 有限元统一对待区域内的节点与边界上的节点,因此每个节点的计算精 度总体上协调;而有限差分必须分别处理微分方程与定解条件; c) 有限元法是各种单元可以混合使用,所以写不出方程也可以求解;有限 差分法划分的网格是规则的,对方程进行离散化,就是用很多个差分代 替微分。 2. 请看 Microrobot 的说明文件(这个文件可以在 COMSOL3.5 中打开 Model Library---- Thermal Structure Interaction---Microrobot 3D) , 详细看懂说明书该 问题的分析, 用自己熟悉的 3D 工具进行建模, 用 COMSOL 更高版本进行仿真。 解: 微型机器人腿构造如下:
1.17047 106 N / m2 即 1.17047Mpa 。
4、微型层流混合器 (1)请看 COMSOL4.4 中 Model Libraries—MEMS Module –Micromixers---Lamella mixer PDF 说明书,用 SOLIDWOKS 工具建模,用 COMSOL 仿真; (2)自己设想一种可能的更有效的微型流体混合结构; (3)试试用其他的软件进行仿真并比较说明 解: 4.1 模型描述 模型描述了一个微机电混合器中层流流体的混合。 模型中采用分层流来提升 混合效果,其中有薄片状的微通道。两股待混合的流体在两层中交替出现。压力 促使流体从通道的后端到达前端。然后流体进入一个大的空间-混合腔。仿真过 程中, 既对在混合腔体中的溶性物质的对流和扩散进行了分析,还分析了流体流 动的稳态条件。 微型层流混合器如图 3.1 所示。 包括了混合器的高度为 30μ m 的一个小的垂 直截面。 模型开始于向左弯曲的流道的中间平面,结束于向右弯曲的流道的中间 平面。在混合器中,每一个微流道都有一个一边为 20μ m 的二次曲面截面。由于 所选择的几何结构,在模型中微流道的高度只有 10μ m。为了能够造出弯曲的流 9
代入拉普拉斯方程,则有
即:
(1.3) (2) 有限元法 使用有限元法的计算流程为: 1
求解区域离散化; 构造插值函数形成分段光滑的坐标函数系; 用 Ritz 方法求解微分方程 对 2 ( x, y) 0 构造函数
2 2 1 x , y dxdy 2 x x
热源随时间的变化情况
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图 2.7
机械手尖端总位移对时间的变化
图 2.7 显示了机械手尖端总位移对时间的变化情况,位移先增大,在 10ms~11ms 处增大到最大值约为 3.4×10-5m,最后减小。
3. 请学习 COMSOL4.4 的 COMSOL Reference Manual 中 Deformed Geometry and Moving Mesh 的使用方法, 用 COMSOL4.4 仿真流体与结构的相互作用 (问题描 述请见文件:fluid_structure_interaction.pdf) 。
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图 2.5
微型机械手总位移场分布云图
2.3.3 热量随时间的变化 图 2.6 显示了热源随时间的变化情况, 热量由热电阻产生, 在仿真计算 20ms 中的前 10ms 内, 一个大小为 30mV 的电势施加在每一个热电阻上,结果所产生的 13 热源为 2×10 W/m3,相应为 100mW。
图 2.6 2.3.4 总位移随时间的变化
1、用有限差分法和有线元方法把以下问题变成数值方程,并说明两种方法的异 同:
2 ( x, y) 0
边界条件:
( x,0) ( x,1) 0; (0, y) (1, y) 1;
解: (1)有限差分法: 先将拉普拉斯方程的完整形式列出,再使用差分形成代替微分形式,得到有 限差分方程,之后代入边界条件进行求解。 由导数的定义,二阶导数������ ,, (������)可表示为 d2 f 1 df ������������ = | − | ������ + ∆������ dx 2 ∆x dx ������������ ������ ≈ 1 ������ ������ + ℎ − ������ ������ ������ ������ − ������ ������ − ℎ − ℎ ℎ ℎ = ������ ������ + ℎ − 2������ ������ + ������(������ − ℎ) ℎ2
图 2.4
t=20ms 时微型机械手温度场分布
图 2.4 显示了微型机械手温度场分布, 同时也显示了其变形情况, 可以看出, 最大温度为 305K,正如所期望的那样,微型机械手沿温度升高的方向弯曲,当 热源关闭时,机械手会返回到初始位置。 2.3.2 总位移场云图 图 2.5 显示了微型机械手总位移场分布, :从位移变形图可以看出,腿向下 弯曲, 这与实际情况一致; 从根部至末端, 位移逐渐增大; 末端最大为 1.81105 m 即 18.1um 。
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物质流体通过对流流过边界。 流道壁和腔体壁都因为溶解物质而隔开,而在上部 和底部的边界处,采用对称边界条件。 4.2 COMSOL 建模 4.2.1 设置模型向导 4.2.2 几何 1
图 4.2 4.2.3 全局定义
微型层流混合器 COMSOL 几何模型
参数 1.在模型构建器窗口,右键全局定义,选择参数; 2.在参数设定窗口,定位到参数部分,在图表中设置如下: 名称 表达式 描述 p0 10[Pa] Driving pressure c0 50[mol/m^3] Input concentration D_i 1e-10[m^2/s] Isotropic diffusion coefficient 4.2.4 材料
道形状,模型中采用了同心圆,内圆半径分别为 240μ m,270μ m,300μ m。除 了曲率的方向, 流道层的几何结构和尺寸都是相同的。流体从微流道流出进入一 个混合腔体。腔体长 200μ m,宽 80μ m。
图 4.1
微型层流混合器几何模型
模型中分析了流体的定常流动和混合器中溶解物质的对流和扩散过程。 可以 采用不可压缩的 Navier-Stokes 方程对流道内和腔体内的流体的流动进行求解。 u pI (u (u)T ) u u F (1) t u 0 这里ρ 表示流体密度,u = (u, v, w)是流速场,p 是流体压力,I 是单位对 角矩阵,η 体动态粘滞度,F = (fx, fy, fz )是影响流体的体积力。在这个模 型中,流体采用的是水,它的ρ = 1000 kg/m3;η = 0.001 Pa·s; F = 0, 因为此处没有体积力。系统在所有六个微流道的入口处施加 10 Pa 的压力以驱动 流体流过腔体,腔体内部压力为 0。在腔体出口处,流体流速只在边界垂直的方 向上有分量。对流道和混合腔体的壁,采用无滑动边界条件。但是,在垂直方向 上,由于几何结构限制,需要采用对称边界条件。下面的对流-扩散方程描述了 流体中溶解物质的浓度。 c ( Dc) R u c (2) t 这里, c 是浓度, D 为扩散系数, R 是反应速率。 在模型中, D =10-10 m2/s, R = 0,因为这里浓度不受任何反应的影响。在向左弯曲的流道入口边界上, 浓度为 50 mol/m3, 但向左弯曲的流道内浓度则为 0。 在混合腔体的出口边界处,
原理:热源加热使得局部温度升高,由于所使用有机物的热膨胀系数较高,故加 热有有机物体积膨胀大,V 型槽上部体积膨胀高于下部,故硅腿会向下弯曲。 应用如下边界条件: (1)对于热的部分,一个高导电性的边界条件替代铝的导电层: T n (kT ) dC (dkT ) (2.1) t (2)硬弹簧条件描述电阻层: klayer n (kT2 ) (T1 T2 ) (2.2) d (3)结构部分包括热膨胀的壳单元,对两个薄层进行建模,COMSOL 软件自 动耦合壳与固体力学单元。 2.2 COMSOL 建模 2.2.1 几何模型 1.在画图菜单选择工作平面,单击 y-z 按钮; 2.右键几何选择导入,单击浏览选择文件 microrobot_3d.dxf,单击导入;