模拟电子技术应用复习题及答案
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空(每空1分,共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,T接成共基1组态,T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。
7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分)(2)估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β, 985.01≈+=ββα (各1分,共2分)2.电路如图3所示,试回答下列问题(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?R应如何接入?(在图中连接)f答:应接入电压串联负反馈(1分)R接法如图(1分)f(2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分)3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多,且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
变宽 D. 无法确定。
反向击穿、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C 从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压 B ,耗尽型PMOS 管工作在放大状态时,其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负,也可为零18、在放大电路中,场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻(欧姆)区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流21、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。
模拟电子技术复习题+参考答案
模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题(共80题,每题1分,共80分)1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案:B2、射极输出器是典型的()。
A、电压并联负反馈;B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈;正确答案:B3、集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案:A4、二极管只要发生击穿现象,一定会造成二极管的永久性损坏。
()A、对 :B、错正确答案:B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素,就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案:A6、双极三极管是一种()A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案:B7、理想集成运放的输入电阻为()。
A、0;B、不定。
C、∞;正确答案:C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时,运放处于()A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案:D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为()失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案:C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案:B11、晶体三极管各种组态的放大电路,输入、输出均为反相关系。
()A、对 :B、错正确答案:B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案:A13、若使晶体三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结反偏;C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏;正确答案:B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案:A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路,则电路中晶体三极管处于()。
模拟电子技术应用(二)复习题及答案.
模拟电子技术应用(二)复习题及答案1. 设图中VD 为普通硅二极管,正向压降为 0.7V ,试判断VD 是否导通,并计算U O 的值。
5V5V( a )( b )(a )设VD 断开,求得U O ≈-0.45V ,小于硅二极管的死区电压,所以VD 截止,U O ≈-0.45V(b )VD 导通,U O =2.3V2. 计算下图电路中二极管上流过的电流I D 。
设二极管的正向导通压降为0.7V ,反向电流等于零。
( a )( b )(a )V 1D -=U ,VD 截止,0D =I(b ) 2.75mA m A 37.0527.010D =⎪⎭⎫⎝⎛--+-=I3. 电路如图所示,VD 为理想二极管,画出各电路的电压传输特性()(I O u f u =曲线),并标明转折点坐标值。
( a )( b )( a )( b )4. 已知电路中,)V ( Sin 5i t u ω=,二极管正向压降为0.7V ,画出各电路中u O1、u O2波形,并注明其电压幅值。
uu ( a )( b )-0-5. 在如图所示电路中,已知稳压管VD Z1的稳定电压 U Z1=6.3V , VD Z2的稳定电压U Z2=7.7V ,它们的正向导通电压U D 均为0.7V ,U I 和R 的取值合理,U I 的实际极性和U O1~U O4的假设极性如图中所标注。
填空: U O1= V ,U O2= V ,U O3= V ,U O4= V 。
U IU IU U O1U O2U O3U O414 , 7, -0.7, -6.36. 从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这些晶体管处于什么状态。
(A .放大, B .饱和 , C .截止 , D .损坏)⑴ ; ⑵ ; ⑶ ; ⑷ ; ⑸ 。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V +12V--12V0V+2.3V( 4 )(1)C (2)A (3)C (4)B (5)D7. 从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中,以下哪种元件不是基本的模拟电路元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D2. 运算放大器的主要作用是什么?A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案:A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号?A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:A4. 在模拟电路设计中,为了减小温度对电路性能的影响,通常采用哪种方法?A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案:A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性?A. 锗(Ge)B. 硅(Si)C. 氮化镓(GaN)D. 氧化锌(ZnO)答案:B二、填空题1. 在模拟电子技术中,______和______是构成振荡器的基本元件。
答案:电阻、电容2. 为了实现信号的放大,通常需要在电路中引入______。
答案:负反馈3. 在模拟信号处理中,______是用来描述信号频率内容的工具。
答案:傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。
答案:低频5. 在模拟电路中,为了提高电路的稳定性和可靠性,常常使用______电源。
答案:稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。
晶体管是一种半导体器件,主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。
在模拟电路中,晶体管可以作为放大器使用,通过小信号控制大信号的放大过程,实现信号的增益。
同时,晶体管还可以用作开关,控制电路的导通与截止。
2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。
运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。
其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。
在模拟电路设计中,运算放大器因其优良的放大性能和灵活性,被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中,是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e C. )1e (S -T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
模拟电子技术考试题及答案
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是()。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是()。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ,输出电阻是50Ω,那么它的电压增益是()。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V,当通过它的电流为20mA时,消耗的功率是()。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线,说明这个电路是()。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10,电压增益是-100,那么它的输出电阻是()。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是()。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中,什么是“饱和区”?A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波,输出信号是方波,这个放大器可能应用在()。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案:1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电子电路中,________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。
答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。
答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。
答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模电复习题 - 答案
2 / 26
A.增加一倍
B.为双端输入时的 1/2
C.不变
D.不确定
24. 串联反馈的反馈量是以( A )形式反馈输入回路,和输入电压相比较而产生净输入量。并联反馈的
反馈量是以( B )形式反馈输入回路,和输入电压相比较而产生净输入量。
A.电压
B.电流
C.电压或电流
D.电阻
25. 两个 β 相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为( B )。
A.双端输入、双端输出
B.双端输入、单端输出
输入、单端输出
D.电流串联负反馈电路 E.功率放大
C.单端输入、双端输出
D.单端
图1
图2
37. 在如图 2 所示电路中电源 V=5V 不变,当温度为 20OC 时测得二极管的电压 UD=0.7V,当温度上生到
为 40OC 时,则 UD 的大小将是( C )。
E.有反馈通路
19. 产生高频正弦波可用( B )振荡电路,产生低频正弦波可用( C )振荡电路,产生稳定频率正弦波可用( A )
振荡电路。
A.石英晶体
B.LC
C.RC
D替 Re 是为了( C ),电流源电路作集电极有源负载是为了( A )。
A.提高差模电压放大倍数
B.共集电极放大电路
C.共基极放大电路
D.共源极放大电路
28. 双极型晶体三极管工作时参与导电的是( C ),场效应管工作时参与导电的是( A )。
A.多子
B.少子
C.多子和少子
D.多子或少子
29. 在 OCL 乙类功放电路中,若最大输出功率为 1W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为( C )。
A.1W
以获得稳定的闭环增益。 ( ) 57. 乙类互补对称电路,其功放管的最大管耗出现在输出电压幅度约为 0.6VCC 的时候。 ( ) 58. 负反馈放大电路的反馈系数|������̇ |越大,越容易引起自激振荡。 ( ) 59. 同类晶体管(例如都是 NPN 管)复合,由于两管的 UBE 叠加,受温度的影响增大,所以它产生的漂
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题:(要求)1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。
半导体中中存在两种载流子:和。
纯净的半导体称为,它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出保持稳定,因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。
模拟电子技术复习题+参考答案
模拟电子技术复习题+参考答案一、填空题1. 模拟电子技术是研究_______信号的电子技术。
2. 半导体中,多数载流子是_______,少数载流子是_______。
3. PN结正向偏置时,_______侧接高电位,_______侧接低电位。
4. 晶体三极管有_______、_______、_______三种工作状态。
5. 晶体三极管放大电路的三种基本组态是_______、_______、_______。
6. 模拟电子技术中,放大电路的主要功能是_______。
7. 模拟电子技术中,反馈的作用是_______。
8. 模拟电子技术中,频率响应是指在输入_______信号的情况下,输出随频率_______的稳态响应。
9. 模拟电子技术中,多级放大器各级之间的耦合连接方式有_______、_______、_______。
10. 模拟电子技术中,共射放大电路的电压放大倍数约为_______。
二、选择题1. 以下哪个不属于模拟电子技术研究的信号类型?A. 交流信号B. 直流信号C. 数字信号D. 模拟信号2. 以下哪个不是半导体中的载流子?A. 自由电子B. 空穴C. 中子D. 质子3. PN结正向偏置时,以下哪个说法正确?A. P型侧接高电位,N型侧接低电位B. P型侧接低电位,N型侧接高电位C. P型侧和N型侧电位相等D. PN结无法正向偏置4. 晶体三极管放大电路的三种基本组态中,电压放大倍数最大的是?A. 共射B. 共集C. 共基5. 以下哪个不是放大电路的主要功能?A. 放大信号B. 改变信号频率C. 改变信号相位6. 以下哪个不是反馈的作用?A. 提高放大倍数B. 稳定放大电路C. 减小非线性失真7. 以下哪个不是频率响应的概念?A. 输入正弦信号B. 输出随频率连续变化C. 稳态响应8. 在多级放大器中,以下哪个说法正确?A. 总的通频带比其中每一级的通频带宽B. 总的通频带比其中每一级的通频带窄C. 通频带不受影响三、简答题1. 简述半导体中载流子的形成过程。
模拟电子技术期末考试复习资料
《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案:错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。
答案:对3.同相求和电路跟同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。
答案:错4.差动放大电路可以放大共模信号,抑制差模信号。
答案:错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案:错一、单选题1.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V,UB=3.7V,UC=3.3V,则该管工作在()。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区答案:B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的,当输入信号的频率为Hf时,放大器增益的幅值将()。
A.降为1B.降为中频时的1/2倍C.降为中频时的1/D.降为中频时的倍答案:C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB,Av3=15dB,则总的电压增益为()dB。
A.35C.45D.60答案:A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示,可判断其工作状态是()。
A.放大B.饱和C.截止D.已损坏答案:D5.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为()。
(设二极管的导通压降为0.7V)A.-5VB.-4.3VC.-5.7VD.-10V答案:C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为()。
A.Ge,PNP管B.Ge,NPN管C.Si,PNP管D.Si,NPN管答案:B7.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共集电极放大电路时,则vo和vi的相位()。
A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:A8.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共发射放大电路时,则vo和vi的相位()。
A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:B9.理想运放的开环差模增益AOd为()。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合(半导体基础知识、单管共射放大电路)一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻R c 的作用是 B 。
《模电试题及答案》word版
《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻R c 的作用是 B 。
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模拟电子技术应用(二)复习题及答案1. 设图中VD 为普通硅二极管,正向压降为 ,试判断VD 是否导通,并计算U O 的值。
5V5V( a )( b )(a )设VD 断开,求得U O ≈-,小于硅二极管的死区电压,所以VD 截止,U O ≈- (b )VD 导通,U O =2. 计算下图电路中二极管上流过的电流I D 。
设二极管的正向导通压降为,反向电流等于零。
( a )( b )(a ) V 1D -=U ,VD 截止,0D =I (b ) 2.75mA mA 37.0527.010D=⎪⎭⎫⎝⎛--+-=I3. 电路如图所示,VD 为理想二极管,画出各电路的电压传输特性()(I O u f u =曲线),并标明转折点坐标值。
( a )( b )( a )( b )4. 已知电路中,)V ( Sin 5i t u ω=,二极管正向压降为,画出各电路中u O1、u O2波形,并注明其电压幅值。
uu ( a )( b )-0-5. 在如图所示电路中,已知稳压管VD Z1的稳定电压 U Z1=, VD Z2的稳定电压U Z2=,它们的正向导通电压U D 均为,U I 和R 的取值合理,U I 的实际极性和U O1~U O4的假设极性如图中所标注。
填空:U O1= V ,U O2= V ,U O3= V ,U O4= V 。
U IU IU U O1U O2U O3U O414 , 7, -, -6. 从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这些晶体管处于什么状态。
(A .放大, B .饱和 , C .截止 , D .损坏)⑴ ; ⑵ ; ⑶ ; ⑷ ; ⑸ 。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V +12V--12V0V+2.3V( 4 )(1)C (2)A (3)C (4)B (5)D7. 从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这些晶体管处于什么状态。
( A .放大, B .饱和, C .截止, D .损坏)⑴ ; ⑵ ; ⑶; ⑷ ; ⑸ 。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+6V-5.6V---12V-8.5V+12V-( 4 )(1)D (2)A (3)A (4)C (5〕B8. 已知图示电路中晶体管β=50,Ω=100'bb r ,U BEQ =。
判断在下列两种情况下晶体管工作在什么状态。
1.b R =10Ωk , c R =1Ωk 2.b R =510Ωk c R =Ωk如果工作在线性放大状态,则进一步计算静态工作点BQ I 、CQ I 、CEQ U 以及电压放大倍数u A &、输入电阻i R 、输出电阻o R (设电容C 1、C 2对交流信号可视为短路)。
1.饱和 2.线性放大 22bBE CC BQ≈-=R U V I μA mA 1.1 BQ CQ ≈=I βIV 4.6c CQ CC CEQ ≈-=R I V U()Ω≈++='k 27.126 1EQ b b be I βr r 200 bec -≈-=r βR A u & i R = R b be r Ωo R Ω已知图示电路中晶体管的β=80,Ω='300b b r ,U BEQ =,电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。
(1) 要求静态电流CQ I =1mA ,估算R e1的值;(2) 求电压放大倍数u A &、输入电阻iR 和输出电阻o R 。
1.V 93.2b2b1b1CCB ≈+≈R R R V UΩ≈-=k 1.2-e2EQBEQB e1R I U U R2.()Ω≈++='k 38.2 1EQT b b be I Uβr rR L 10k Ω=uA &()()28 1// e2be L c -≈++-R βr R R βi R =R b1 be r βΩo R c R Ωk 某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图所示,设晶体管的U BEQ =。
1.在输出特性曲线上画出该放大电路的直流负载线和交流负载线,标明静态工作点Q ; 2.确定静态时I CQ 和U CEQ 的值;3.当逐渐增大正弦输入电压幅度时,首先出现饱和失真还是截止失真? 4.为了获得尽量大的不失真输出电压,b R 应增大还是减小?R L 0236CE V514Ω1.I BQ =20μA,作图如下:CE V2.I CQ ≈2mA ,U CEQ ≈3V 3.首先出现截止失真 4.减小R b11. 某硅晶体管的输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其直流、交流负载线如图所示。
求:1.电源电压V CC ,静态电流I CQ ,静态电压U CEQ ; 2.电路参数b R 、c R 、L R ;3.该电路此时的最大不失真输出电压幅值U om 。
R L236CE V5141.V CC ≈12V , I CQ ≈3mA , U CEQ ≈3V2.R c ≈3k Ω, Ω=='k 1//L c L R R R R L ≈ΩR b ≈188k Ω(取U BEQ = ) 或190k Ω(取U BEQ = ) 3.U om +≈3V , U Om -≈, 取U om ≈12. 放大电路及相应的晶体管输出特性如图所示,直流负载线和Q 点也标在图上。
1.确定V CC ,c R 、b R 的数值(设U BEQ =); 2.画出交流负载线,要标出关键点的数值;3.在这种情况下,最大不失真输出电压幅值是多少?(设≈) 4.为了获得更大的不失真输出电压,b R 应增大还是减小?R L236CE V514Ω1.V CC =12V R c =2k Ω R b ≈283k Ω(设U BE = )2. Ω=='k 5.1//L c LR R R 过Q 点作斜率为Ω-k 5.11的直线,与u CE 轴交点为10V ,与i C 轴交点约为(至少应标明一个交点)3. U om +=6V ,U om -≈ ∴取U om = 4.R b 应增大13. 某硅晶体管输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其交流负载线、静态工作点Q 如图所示。
设晶体管的U BE =,U CES =。
1.确定c R 的数值,画出直流负载线(要标出关键点的数值); 2.确定V CC 和b R 的值;3.在这种情况下,最大不失真输出电压幅值是多少? 4.为了获得更大的不失真输出电压,b R 应增大还是减小?R L23514μA Ω1.由图可知Ω=='k 2//L c LR R R ΘR c =4k Ω 直流负载线是过Q 点、斜率为Ω-k 41的直线,与u CE 轴交点为14V ,与i C 轴交点为 2.V CC =14V , R b ≈665k Ω3.U om +≈4V ,U om -≈ ∴取U om =4V 4.R b 应减小14. 试判断下列电路的级间交流反馈类型。
( a )( b )u ou s u图(a) R3 电流并联负反馈 图(b) 正反馈R4 电压串联负反馈 图(b) 正反馈( c )( d )u图(c) 电压串联负反馈 图(d) 电流并联负反馈( e )( f)su su图(e) 正反馈 图(f) 电流并联负反馈(g)图(g) 正反馈15. 由理想运算放大器A 组成的电路如图(a )所示,输入信号I2I1u u 、的波形如图(b )所示。
1.计算平衡电阻P R , 写出输出电压O u 的表达式。
2.画出输出电压O u 的波形图,标明有关数值。
u O( a )( b )u I1u I21.Ω≈=k 76.4////f 21P R R R R ()I2I1O 10u u u +-= 2.波形图st16. 如图所示放大电路中,设A 1、A 2、A 3为理想运算放大器。
1.写出输出电压O u 的表达式。
2.当输入电压V 2.0I1=u 、V 0I2=u 时,V 4O -=u ;当V 2.0I1=u 、V 1I2=u 时,V 1O -=u 。
问4R 、6R 应各选多大?Ou u1.I234656I13412O 11u R R R R R u R R R R u ⎪⎪⎭⎫⎝⎛+++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=2.当I1u =、I2u =0V 时,得Ω=k 1204R 。
当I1u =、I2u =1V 时,得Ω=k 606R 。
17. 指出图示电路中各运放组成何种运算电路,写出输出电压O u 的表达式。
u Ouu u uA 1:反相求和运算电路 A 2:电压跟随器 A 3:减法运算电路⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++-=I334I224I114O1u R R u R R u R R u I4O2u u = O279868O179O 1u R R R R R u R R u ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+++-=I486879I334I224I114791u R R R R R u R R u R R u R R R R +⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=+18. 图示积分电路中,输入电压I u 为图示方波。
输出电压的起始值为零。
画出输出电压O u 的波形图。
CmsmsU u I()0d 1O 0 I O u t u RC u t +-=⎰⎰-=tt uRC 0I 1时间常数ms 1==RC τ,ms 4=∆t im imO 4U t U u =∆=∆τ故得O u 波形如图所示。
m s4U19. 图示积分电路中,A 为理想集成运算放大器。
已知输出电压O u 的起始值()00O =u ,输入电压I u 为图示波形。
试画出输出电压的波形图,并标明有关数值。
Cmst/msu IO 123()0d 1O 0I O u t u RC u t+-=⎰ 时间常数ms 1==RC τ。
当ms 1=∆t ,I u =1V 时,V 1O -=∆u ; ms 1=∆t ,I u =2V 时,V 2O -=∆u ; ms 2=∆t ,I u =-3V 时,V 6O +=∆u 。
得O u 电压波形如图所示。
m s2121420. 图示积分电路中,设A 为理想运算放大器。
已知输出电压O u 的起始值为0,输入电压I u 的波形如图所示。
试画出输出电压O u 的波形图,标明有关数值。
C0msmsu IO1221()0d 1O 0 I O u t u RCu t+-=⎰ 时间常数ms 1==RC τ。
当ms 1=∆t ,I u =1V 时,V 1O -=∆u ;ms 2=∆t ,I u =-1V 时,V 2O =∆u ; ms 2=∆t ,I u =2V 时,V 4O -=∆u 。