【CN110187614A】光阻剥离方法及光阻剥离装置【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910392055.4

(22)申请日 2019.05.13

(71)申请人 深圳市华星光电技术有限公司

地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明

大道9-2号

(72)发明人 陈梦　

(74)专利代理机构 深圳翼盛智成知识产权事务

所(普通合伙) 44300

代理人 黄威

(51)Int.Cl.

G03F 7/42(2006.01)

(54)发明名称

光阻剥离方法及光阻剥离装置

(57)摘要

本申请提供一种光阻剥离方法及光阻剥离

装置，通过使光阻剥离后的基板经过至少一盛放

第一溶液的清洗子单元处理以去除光阻剥离后

的基板上的残留剥离液，以避免残留剥离液对基

板上的金属造成腐蚀，改善光阻剥离过程中的金

属掏空程度。权利要求书1页 说明书5页 附图1页CN 110187614 A 2019.08.30

C N 110187614

A

权　利　要　求　书1/1页CN 110187614 A

1.一种光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置包括：

光阻剥离单元，所述光阻剥离单元用于盛装剥离液以处理待剥离光阻的基板；

第一清洗单元，所述第一清洗单元包括多个清洗子单元，至少一所述清洗子单元用于盛装第一溶液，第一溶液用于与光阻剥离后的所述基板上的残留剥离液发生中和反应；

其中，所述待剥离光阻的基板包括基板、形成于所述基板上的图案化的金属层以及覆盖所述图案化的金属层的光阻层。

2.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述剥离液为有机胺溶液，所述第一溶液为酸性溶液。

3.根据权利要求2所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述酸性溶液为甲酸溶液、乙酸溶液以及碳酸溶液中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述酸性溶液在室温下的pH值为0-7。

5.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置还包括超声清洗单元，所述超声清洗单元设置于所述光阻剥离单元和所述第一清洗单元之间。

6.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置还包括第二清洗单元，所述第二清洗单元设置于所述光阻剥离单元和第一清洗单元之间，所述第二清洗单元用于盛装去离子水以对所述光阻剥离后的所述基板进行清洗。

7.根据权利要求6所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置还包括第一超声清洗单元以及第二超声清洗单元，所述第一超声清洗单元设置于所述第二清洗单元以及所述光阻剥离单元之间，所述第二超声清洗单元设置于所述第二清洗单元以及所述第一清洗单元之间。

8.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置还包括干燥单元，所述干燥单元包括风刀单元和低压干燥单元，所述风刀单元位于所述第一清洗单元和所述低压干燥单元之间。

9.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述图案化的金属层包括依次层叠于所述基板上的图案化钼层以及图案化铜层。

10.一种光阻剥离方法，其特征在于，所述光阻剥离方法包括如下步骤：

提供一待剥离光阻的基板，所述待剥离光阻的基板包括基板、形成于所述基板上的图案化的金属层以及覆盖所述图案化的金属层的光阻层；

使所述待剥离光阻的基板经过盛装剥离液的光阻剥离单元处理以去除所述光阻层；

使去除所述光阻层的所述基板经过第一清洗单元处理以去除所述基板上的残留剥离液，所述第一清洗单元包括多个清洗子单元，至少一所述清洗子单元用于盛装第一溶液，所述第一溶液用于与所述残留剥离液发生中和反应。

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