利用内光谱响应测量晶体硅太阳电池前表面复合速度
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０２５４－００９６ （ ２０１１ ）０７－０９５１－０６
利用内光谱响应测量晶体硅太阳电池
前表面复合速度
马逊１，２刘祖明２廖华２李景天２
１．中国农业大学水利与土木工程学院，北京１０００８３；２．云南师范大学太阳能研究所，昆明６５００９２
摘要：根据发射区电流密度的连续性方程，推导出了发射区杂质服从高斯函数和余误差函数分布情况下短波内光谱响应与前表面复合速度的模型，该模型短波波长的选择与扩散结深有关。
并利用该模型对不同扩散条件下的晶体硅太阳电池前表面复合速度进行计算，结果与ＰＣ１Ｄ模拟结果符合较好。
晶体硅太阳电池；内光谱响应；前表面复合速度；连续性方程；高斯函数；余误差函数
ＴＫ５１４Ａ
２００９－０７－２０
马逊（１９８０－），女，博士研究生、助理研究员，主要从事太阳电池测量与工艺研究工作。
ｍａｘｕｎ８０３１３＠ １２６．ｃｏｍ
万方数据
（１１）万方数据
式（１８）：万方数据
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ＵＳＩＮＧ ＩＮＴＥＲＮＡＬ ＱＵＡＮＴＵＭ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＴＯ
ＤＥＴＥＲＭＩＮＥ ＦＲＯＮＴ ＳＵＲＦＡＣＥ ＲＥＣＯＭＢＩＮＡＴＩＯＮ
ＶＥＬＯＣＩＴＹ ＯＦ ＣＲＹＳＴＡＬＬＩＮＥ ＳＩＬＩＣＯＮ ＳＯＬＡＲ ＣＥＬＬＳ
Ｍａ ＸｕｎＬｉｕ ＺｕｍｉｎｇＬｉａｏ ＨｕａＬｉ Ｊｉｎｇｔｉａｎ
万方数据
利用内光谱响应测量晶体硅太阳电池前表面复合速度
作者：马逊， 刘祖明， 廖华， 李景天， Ma Xun， Liu Zuming， Liao Hua， Li Jingtian
作者单位：马逊,Ma Xun(中国农业大学水利与土木工程学院,北京100083;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092)， 刘祖明,廖华,李景天,Liu Zuming,Liao Hua,Li Jingtian(云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092)刊名：
太阳能学报
英文刊名：Acta Energiae Solaris Sinica
年，卷(期)：2011,32(7)
本文链接：/Periodical_tynxb201107001.aspx。