数字电路第二章
数字电路之逻辑代数

L = B+ C
1 ≥1 L=B+C
B
C
与或”表达式: 最简的 “与或”表达式: 相与项(即乘积项)的个数最少; ① 相与项(即乘积项)的个数最少; 门的个数少) (门的个数少) 每个相与项中, ② 每个相与项中,所含的变量个数最少 门的输入端少)。 (门的输入端少)。
18
08:36
化简后电路简单、 化简后电路简单、可靠性高
08:36
2
2.1.1 逻辑代数的基本定律和恒等式
加运算规则: 加运算规则
0+0=0 ,0+1=1 ,1+0=1,1+1=1 ,
A+ 0 = A, A+ 1= 1, A+ A = A, A+ A = 1
乘运算规则: 乘运算规则
0•0=0
0•1=0
1•0=0
1•1=1
A⋅0 = 0
非运算规则: 非运算规则
L = AC + CD
08:36 17
2.1.3 逻辑函数的代数变换与化简法
2、逻辑函数的化简 、
A ≥1(A+ B) + 1 B & BC C
L = (A+ B)B+ B+ BC
& (A+ B)B +
L = AB + BB + B + BC
B ≥1 L
L = B(A + 1) + BC
L = B + BC
= AB + ( A B + BC + A C ) + B C
配项
= AB + BC + AC + AC + B C + A B
数字电路基础知识部分(第二章)

练习一、一、填空题1、 模拟信号是在时间上和数值上都是 变化 的信号。
2、 脉冲信号则是指极短时间内的 电信号。
3、 广义地凡是 规律变化的,带有突变特点的电信号均称脉冲。
4、 数字信号是指在时间和数值上都是 的信号,是脉冲信号的一种。
5、 常见的脉冲波形有,矩形波、 、三角波、 、阶梯波。
6、 一个脉冲的参数主要有 、tr 、 、T P 、T 等。
7、 数字电路研究的对象是电路的 之间的逻辑关系。
8、 电容器两端的电压不能突变,即外加电压突变瞬间,电容器相当于 。
9、 电容充放电结束时,流过电容的电流为0,电容相当于 。
10、 通常规定,RC 充放电,当t = 时,即认为充放电过程结束。
11、 RC 充放电过程的快慢取决于电路本身的 ,与其它因素无关。
12、 RC 充放电过程中,电压,电流均按 规律变化。
13、 理想二极管正向导通时,其端电压为0,相当于开关的 。
14、 在脉冲与数字电路中,三极管主要工作在 和 。
15、 三极管输出响应输入的变化需要一定的时间,时间越短,开关特性 。
16、 选择题1 若逻辑表达式F A B =+,则下列表达式中与F 相同的是( ) A 、F A B = B 、F AB = C 、F A B =+2 若一个逻辑函数由三个变量组成,则最小项共有( )个。
A 、3 B 、4 C 、83 图9-1所示是三个变量的卡诺图,则最简的“与或式”表达式为( ) A 、A B A C B C ++B 、A B BC AC ++ C 、AB BC AC ++4 下列各式中哪个是三变量A 、B 、C 的最小项( ) A 、A B C ++ B 、A B C + C 、ABC 5、模拟电路与脉冲电路的不同在于( )。
A 、模拟电路的晶体管多工作在开关状态,脉冲电路的晶体管多工作在放大状态。
B 、模拟电路的晶体管多工作在放大状态,脉冲电路的晶体管多工作在开关状态。
C 、模拟电路的晶体管多工作在截止状态,脉冲电路的晶体管多工作在饱和状态。
数字电路 第二章 逻辑代数与逻辑函数化简

= A+ B+ A+ C
或与式转换为与或非式
F = (A + B)(A + C)
= A+ B+ A+ C
= AB + AC
§2.4.3 逻辑函数的代数法化简
化简的意义:将逻辑函数化成尽可能简单的形式,以减少逻辑门 化简的意义:将逻辑函数化成尽可能简单的形式,
电路的个数,简化电路并提高电路的稳定性。 电路的个数,简化电路并提高电路的稳定性。
A + AB = A + B
E = A+ B+ C+ BCD+ BC = A + B + C+ C(BD+ BE) = AB + C+ BE+ BD
§2.5.1 逻辑函数的最小项表达式 公式化简法评价:
优点:变量个数不受限制。 缺点:目前尚无一套完整的方法,结果是否最简有时不 易判断。
卡诺图是按一定规则画出来的方框图,是逻辑 函数的图解化简法,同时它也是表示逻辑函数 的一种方法。 利用卡诺图可以直观而方便地化简逻辑函数。 它克服了公式化简法对最终化简结果难以确定 等缺点。
__
__________ __________ _
A + B + C+⋯ = ABC⋯
逻辑代数的基本定律: 逻辑代数的基本定律: P21,熟记 ,
§2.3.2 逻辑代数的基本规则
代入规则
AB = A + B
____
A ↔F = AC
反演规则
____
⇒ ACB = AC + B
F = AC+ BCD+ 0
数电阎石第五版习题答案_第二章、第四章

数电阎石第五版习题答案_第二章、第四章在学习数字电子技术这门课程时,阎石教授编写的第五版教材是许多同学的重要参考资料。
而其中的习题对于我们巩固知识、提升能力更是起到了关键作用。
接下来,让我们一起深入探讨第二章和第四章的习题答案。
第二章主要涉及逻辑代数基础。
逻辑代数是数字电路分析和设计的重要工具。
在这一章的习题中,我们首先要熟练掌握基本的逻辑运算,包括与、或、非、与非、或非、异或和同或等。
对于这些运算,我们需要清楚它们的真值表、逻辑表达式以及逻辑符号。
例如,有这样一道习题:已知逻辑函数 F = A + BC,求其反函数。
我们知道,求反函数的方法是将原函数中的与运算变为或运算,或运算变为与运算,0 变为 1,1 变为 0,同时原变量变为反变量,反变量变为原变量。
那么,F 的反函数 F' =(A' ·(B' + C'))。
在处理逻辑函数的化简问题时,我们可以运用公式法、卡诺图法等多种方法。
公式法需要我们牢记各种逻辑代数的公式和定理,如摩根定律、吸收律等。
而卡诺图法则更加直观,通过将逻辑函数填入卡诺图,然后根据相邻最小项合并的原则进行化简。
再比如,给定一个复杂的逻辑函数 F = AB + A'C + BC',我们用卡诺图来化简。
先画出四变量的卡诺图,将函数中的各项对应填入,然后可以发现相邻的最小项可以合并,最终化简得到 F = A + C 。
在第二章的习题中,还会涉及到逻辑函数的表示方法及其相互转换。
逻辑函数可以用真值表、逻辑表达式、逻辑图、卡诺图等多种形式表示。
我们需要能够熟练地在这些表示方法之间进行转换。
例如,给出一个逻辑表达式 F =(A + B)(C + D) ,要画出其对应的逻辑图。
我们先将表达式展开得到 F = AC + AD + BC + BD ,然后根据每个与或项画出对应的逻辑门,最后连接起来就得到了逻辑图。
第四章则侧重于组合逻辑电路。
数字电路第2章 门电路

2)输入负载特性 (ui R )
R1 3k b1 A B C T1 R2 750 R4 100
+5V
c1
T3
T2
3k
T4
R5 T5
F
ui
V
R
R3
360
R较小时 设:T2、T5 截止
A B C
R1 3k b1
+5V
R4
R2
c1
T1
T2
R5
T3
T4 F T5
R
ui
R3
R (5 U ) 4.3R ui be1 R1 R 3 R
I BS vcc vCES 5 0.3 mA 0.094mA βRc 50 1
V CC = +5V Rc iC 1kΩ vo c R b 10kΩ b β = 40 iB e
②vi=0.3V时,iB=0,三极管 工作在截止状态,ic=0。因 为ic=0,所以输出电压: vo=VCC=5V
IB 0
IC 0
VCE VCC
7
三极管的开关特性
+UCC 3V 0V RB RC uO T
+UCC
RC 3V
饱和时, VCE ≈ 0,C、 E极间电阻 很小 0V 截止时, IC ≈ 0,C、 E极间电阻 很大
C E
uO 0
相当于 开关闭合
ui
饱和 截止
+UCC RC
C E
uO UCC
避免!
0V 0
VL(max)
低电平
分立元件门电路和集成门电路:
分立元件门电路:用分立的元件和导线连 接起来构成的门电路。简单、经济、功耗低, 负载差。 集成门电路:把构成门电路的元器件和连 线都制作在一块半导体芯片上,再封装起来, 便构成了集成门电路。现在使用最多的是CMOS 和TTL集成门电路。
数字电路第二章_逻辑门与组合逻辑电路(lecture4)

≥1
I0
0/Z10 10
I1
1/Z11 11
I2
2/Z12 12
I3
3/Z13 13 18
EX
I4
4/Z14 14
I5
5/Z15 15 a
Ys
I6
6/Z16 16
I7
7/Z17 17
&≥1
1a
Y0
Y2
S
ENa/V18
2a
Y1
或关联
4a
Y2
8-3优先编码器的真值表
s
I7 I6 I5 I4 I3 I2 I1 I0
方框图
真值表
2、全加器
全加器结构(用与非门)
Co1
&
Co2
Co
&
A
&
&
B
&
&
&
&
S
&
Ci
两个半加器的组合:
加数1+加数2+进位=和,进位1 “或” 进位2=进 位
全加器
全加器结构:用与非门和异或门 函数表达式
逻辑电路图
2、全加器
全加器结构:用与或非门及非门实现
采用与或非门构成的全加器具有 使用器件少、速度快的特点,目 前集成全加器广泛采用此种形式。
全加器
具有最短延时的全加器电路
A
=1
B Ci
=1
S
& ≥1
Co
迭代设计原理
主输入
辅助
辅助
输出
输入
单元电路
主输出
具有串行进位的4位二进制加法器
S0
S1
S2
S3 CO3
数字电路习题-第二章

第二章 逻辑门电路集成逻辑门电路是组成各种数字电路的基本单元。
通过本章的学习,要求读者了解集成逻辑门的基本结构,理解各种集成逻辑门电路的工作原理,掌握集成逻辑门的外部特性及主要参数,掌握不同逻辑门之间的接口电路,以便于正确使用逻辑门电路。
第一节 基本知识、重点与难点一、基本知识(一) TTL 与非门 1.结构特点TTL 与非门电路结构,由输入极、中间极和输出级三部分组成。
输入级采用多发射极晶体管,实现对输入信号的与的逻辑功能。
输出级采用推拉式输出结构(也称图腾柱结构),具有较强的负载能力。
2.TTL 与非门的电路特性及主要参数 (1)电压传输特性与非门电压传输特性是指TTL 与非门输出电压U O 与输入电压U I 之间的关系曲线,即U O=f (U I )。
(2)输入特性当输入端为低电平U IL 时,与非门对信号源呈现灌电流负载,1ILbe1CC IL R U U U I −−−=称为输入低电平电流,通常I IL =-1~1.4mA 。
当输入端为高电平U IH 时,与非门对信号源呈现拉电流负载,通常I IH ≤50μA 称为输入高电平电流。
(3)输入负载特性实际应用中,往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况。
若U i ≤U OFF ,则电阻的接入相当于该输入端输入低电平,此时的电阻称为关门电阻,记为R OFF 。
若U i ≥U ON ,则电阻的接入相当于该输入端输入高电平,此时的电阻称为开门电阻,记为R ON 。
通常R OFF ≤0.7K Ω,R ON ≥2K Ω。
(4)输出特性反映与非门带载能力的一个重要参数--扇出系数N O 是指在灌电流(输出低电平)状态下驱动同类门的个数IL OLmax O /I I N =其中OLmax I 为最大允许灌电流,I IL 是一个负载门灌入本级的电流(≈1.4mA )。
N O 越大,说明门的负载能力越强。
(5)传输延迟时间传输延迟时间表明与非门开关速度的重要参数。
数字电路知识点总结(精华版)

数字电路知识点总结(精华版)数字电路知识点总结(精华版)第一章数字逻辑概论一、进位计数制1.十进制与二进制数的转换2.二进制数与十进制数的转换3.二进制数与十六进制数的转换二、基本逻辑门电路第二章逻辑代数逻辑函数的表示方法有:真值表、函数表达式、卡诺图、逻辑图和波形图等。
一、逻辑代数的基本公式和常用公式1.常量与变量的关系A + 0 = A,A × 1 = AA + 1 = 1,A × 0 = 02.与普通代数相运算规律a。
交换律:A + B = B + A,A × B = B × Ab。
结合律:(A + B) + C = A + (B + C),(A × B) × C = A ×(B × C)c。
分配律:A × (B + C) = A × B + A × C,A + B × C = (A + B) × (A + C)3.逻辑函数的特殊规律a。
同一律:A + A = Ab。
摩根定律:A + B = A × B,A × B = A + Bc。
关于否定的性质:A = A'二、逻辑函数的基本规则代入规则在任何一个逻辑等式中,如果将等式两边同时出现某一变量 A 的地方,都用一个函数 L 表示,则等式仍然成立,这个规则称为代入规则。
例如:A × B ⊕ C + A × B ⊕ C,可令 L = B ⊕ C,则上式变成 A × L + A × L = A ⊕ L = A ⊕ B ⊕ C。
三、逻辑函数的化简——公式化简法公式化简法就是利用逻辑函数的基本公式和常用公式化简逻辑函数,通常,我们将逻辑函数化简为最简的与或表达式。
1.合并项法利用 A + A' = 1 或 A × A' = 0,将二项合并为一项,合并时可消去一个变量。
数字电路第2章逻辑代数基础及基本逻辑门电路

(5)AB+A B = A (6)(A+B)(A+B )=A 证明: (A+B)(A+B )=A+A B+AB+0 A( +B+B) = 1 JHR A =
二、本章教学大纲基本要求 熟练掌握: 1.逻辑函数的基本定律和定理; 门、 2.“与”逻辑及“与”门、“或”逻辑及“或”
“非”逻辑及“非”门和“与”、“或”、“非” 的基本运算。 理解:逻辑、逻辑状态等基本概念。 三、重点与难点 重点:逻辑代数中的基本公式、常用公式、 基本定理和基本定律。
JHR
难点:
JHR
1.具有逻辑“与”关系的电路图
2.与逻辑状态表和真值表
JHR
我们作如下定义: 灯“亮”为逻辑“1”,灯“灭”为逻辑“0” 开关“通”为逻辑“1”,开关“断”为逻辑 “0” 则可得与逻辑的真值表。 JHR
3.与运算的函数表达式 L=A·B 多变量时 或 读作 或 L=AB L=A·B·C·D… L=ABCD… 1.逻辑表达式 2.逻辑符号
与非逻辑真值表
Z = A• B
3.逻辑真值表
逻辑规律:有0出1 全1 出0
JHR
A 0 0 1 1
B 0 1 0 1
Z 1 1 1 0
二、或非逻辑 1.逻辑表达式 2.逻辑符号
Z = A+ B
先或后非
3.逻辑真值表
JHR
三、与或非逻辑 1.逻辑表达式 2.逻辑符号
1.代入规则 在任一逻辑等式中,若将等式两边出现的同 一变量同时用另一函数式取代,则等式仍然成立。
JHR
代入规则扩大了逻辑代数公式的应用范围。例如摩 根定理 A+B = A ⋅ B 若将此等式两边的B用B+C 取代,则有
数字电路 第二章门电路

DA
DB B
DC
Y
C
R
–5v
第2章 2.2
由以上分析可知: 只有当A、B、C全为 低电平时,输出端才 为低电平。正好符合
或门的逻辑关系。
A
B C
>1
Y
Y= A+B+C
三、 非门电路
第2章 2.2
RA A
RB
+5V
Rc uY=0.3V 设 uA= 3.6V,T饱和导通
• Y
uY= 0.3V
T
Y= 0
3. CMOS与非门
TP1 与TP2并联,TN1 与TN2串联;
当AB都是高电平时TN1 与TN2
TP2
同时导通TP1 与TP2同时截止;
输出Y为低电平。
当AB中有一个是低电平时, B
TN1 与TN2中有一个截止,
TP1 与TP2中有一个导通, 输出Y为高电平。
A
第2章 2. 3
+VDD
TP1 Y
正逻辑:L=0,H=1 ; 负逻辑:H=0,L=1 。
2. 1 半导体二极管、三极管和 MOS管的开关特性
一、理想开关的开关特性: 1 .静态特性 2. 动态特性
二、半导体二极管的开关特性 1.静态特性:
半导体二极管的结构示意图、符号和伏安 特性
一、二极管等效模型
(b)为理想二极管+恒压源模型 (c)为理想二极管模型
当D、S间加上正 向电压后可产生 漏极电流ID 。
第2章 2. 1
UDS
。
S UGS G
D ID
N++
NN++
N型导电沟道
耗尽层
数电第二章

(4)加项法 例5: 化简 Y ABC A B C AB C
ABC A B C AB C ABC
BC AC
再看一例题
33 MHz
例5: 化简
Y ABC AB D A BC CD BD ABC A B C CD B( AD D ) ABC A B C CD AB BD 吸收
第二章 逻辑代数和逻辑函数
2.1 基本逻辑运算 2.2 逻辑函数的变换和化简 2.3 逻辑函数的卡诺图化简法
本章要求: 掌握逻辑代数的基本公式、运算定 律、规则。熟悉逻辑函数的表示方法以及逻辑 函数的公式法化简。掌握卡诺图及用卡诺图化 简逻辑函数的方法。
33 MHz
2.1 基本逻辑运算
数字电路研究的是电路的输入输出之间的逻 辑关系,逻辑关系一般用逻辑函数来描述,所以 数字电路又称逻辑电路,相应的研究工具是逻辑 代数(布尔代数)。 在逻辑代数中,逻辑函数是由逻辑变量和基 本的逻辑运算符构成的表达式,其变量只能取两 个值(二值变量),即0和1,中间值没有意义。
2.2.1 逻辑函数表示方法:四种,并可相互转换 真值表:将逻辑函数输入变量取值的不同组合 与所对应的输出变量值用列表的方式 一一对应列出的表格。 四 种 表 示 方 法
33 MHz
n个输入变量
F AB AB
2 种组合。
n
逻辑代数式 (逻辑表示式, 逻辑函数式)
逻辑电路图: 卡诺图
A B
1 1
吸收
33 MHz
反演律(德 • 摩根 (De • Morgan)定理)
A B A B A B A B
可以用列真值表的方法证明:
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 A B 0 0 0 1
数字电子技术基础ppt课件

R
vo K合------vo=0, 输出低电平
vi
K
只要能判
可用三极管 代替
断高低电 平即可
在数字电路中,一般用高电平代表1、低 电平代表0,即所谓的正逻辑系统。
2.2.2 二极管与门
VCC
A
D1
FY
B
D2
二极管与门
A
B
【 】 内容 回顾
AB Y 00 0 01 0 100 11 1
&
Y
2.2.2 二极管或门
一般TTL门的扇出系数为10。
三、输入端负载特性
输入端 “1”,“0”?
A
ui
RP
R1 b1
c1
T1
D1
•
R2
•
T2
•
R3
VCC
•
R4
T4 D2
•
Y
T5
•
简化电路
R1
VCC
ui
A ui
T1
be
RP
2
be 0
RP
5
RP较小时
ui
RP RP R1
(Vcc Von )
当RP<<R1时, ui ∝ RP
•
R4
T4 D2
•
Y
T5
•
TTL非门的内部结构
•
R1
R2
A
b1 c1
T1
•
T2
D1
•
R3
VCC
•
R4
T4 D2
•
Y
T5
•
前级输出为 高电平时
•
R2
R4
VCC
T4 D2
数电 第二章

异或、同或
• 异或
• 同或 • Y= A ⊙B=AB+A B’ ⊙B=AB+A’B • 异或和同或互为反运算 • A ⊕B=(A ⊙B A ⊙B=(A ⊕B)’ ⊙B)’; )
2.3 逻辑代数的基本公式和常用 公式
• 根据与、或、非的定义,得表2.3.1的布尔 根据与、 非的定义,得表 的布尔 恒等式。 恒等式。 • 证明方法:推演、 真值表
基本公式
基本公式
• 摩根定理(反演律) 摩根定理(反演律)
• 规律:函数的变量取反、常量(0、1) 取反、与或关系对换,得其反函数。 • 还原律
基本公式
• 公式(17)A + B C = (A +B)(A +C) 公式( ) 的证明(公式推演法): 的证明(公式推演法):
右 = ( A + B )( A + C ) = A + AB + AC + BC = A(1 + B + C ) + BC = A + BC = 左
在二值逻辑中,输入/输出都只有两种取值 输出都只有两种取值0/1。 注:在二值逻辑中,输入 输出都只有两种取值 。
逻辑函数的表示方法
• • • • • • 真值表 逻辑式 逻辑图 波形图 卡诺图 计算机软件中的描述方式
各种表示方法之间可以相互转换
真值表
输入变量 A B C···· 遍历所有可能的输入变量 的取值组合 个输入变量就有2 ( n个输入变量就有 n种 个输入变量就有 组合。 组合。 ) 输出 Y1 Y2 ···· 输出对应的取值
真值表
A B C Y 0 0 0 0 0 1 三输入变 量,八种 组合 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 1 1
数字电路-门电路

八、TTL门的动态特性:
传输延迟时间:输出波形相对于输入波形滞后的时间:50ns
通常把输出电压由高电平变为低电平的传输延迟时间记作tPHL, 由低电平变为高电平的传输延迟时间记作tPLH。
在此TTL非门中,由于输出管T5工作在深度饱和状态,所以 tPLH>tPHL。 一般在器件手册上给出的是平均传输延迟时间tpd。 其定义为:tpd=(tPHL+tPLH)/2
正逻辑:用高电平表示逻辑1,用低电平表示逻辑0 负逻辑:用低电平表示逻辑1,用高电平表示逻辑0
Vcc
Vo VI
S
2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.2.1 半导体二极管开关特性
2.2.2、晶体三极管开关特性
截止区时,内阻很大,相当于开关断开状态; 饱和区时,内阻很低,相当于开关接通状态。
饱和区 iC (mA)
i CS
Nቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
iBS 放大区
Vi
Vo
Q iBQ
iB VBE
0 VCES 截止区
M ICEO VCC VCE (V)
VBE<VT
IB=ICBO≈0 IC=ICEO≈0 VCE≈VCC
VBE=VBES=0.7V
IC=ICS VCE=VCES≈0.2V
IB
I BS
VCC
Rc
二、三极管的开关时间:
实际中,晶体三极管也是有惰性的开关,截止状 态和饱和状态之间的转换不能在瞬间完成。
四、输入特性:
+VCC R1 4k II
Vi
T1
be2
D1
be5
当VI<0.6v时,T2和T5管截止, 当VI=VIL=0.3v时, 输入低电平电流为
数字电子技术第二章门电路

RC 线与
A
Y
B
C D
+V CC
G1
RC
&
Y1
Y
AB
G2
&
Y2
CD
C
Y2
T1
T2
Y Y1 Y2 AB CD
D
T4
AB CD
注意:只有 OC 门才能实现线与。普通 TTL 门输出端不能并 联,否则可能损坏器件。
二、 输出三态门 –TSL门(Three - State Logic)
1. 电路组成及其工作原理 (1) 电路组成 ① 使能端低电平有效
1.2.电O路C组门成的及主符要号特:点:
R1
R2
+VCC +5V
+V CC
A
T1
T2
B
D1 D2
R3
RC Y T4
可以线与连接 V CC 根据电路 需要进行选择
+V CC
外
接
A
RC
&Y
B
AB
OC 门必须外接负载电阻 和电源才能正常工作。
线与连接举例:
+VCC
A
T1
T2
Y1
B
T4
+VCC
+V CC
Ri =RRi =onRo—ff —开门关电门阻电(阻2(.5<k0Ω.7)k)
即即::当当 RRii 为为 02..57 kk 以以上下电电阻阻时时,, 输入端由相低当电于平低变电为平高。电平
2. 输出特性 uO f (iO )
uO / V
+ VCC +5V
uI UIL
3 3.6V
数字电子技术基础第二章门电路课件

IF
外加的正向电压有一 部分降落在PN结区,方 向与PN结内电场方向相 反,削弱了内电场。于是, 内电场对多数载流子扩散 运动的阻碍减弱,扩散电 流加大。扩散电流远大于 漂移电流,可忽略漂移电 流的影响,PN结呈现低 阻性。
数字电子技术基础第二章门电路课件
反向截至
PN结 P 外电场 NN
数字电子技术基础第二章门电路课件
• PN节的动态开关特性
– 动态开关特性是指二极管由导通到截止,或由截止到 导通,瞬变状态下的特性
v
动态时,加到两边的电压突
t
然反向时,电流的变化要稍
微滞后,这是因为PN结要建
i
立起足够的电荷梯度后才有
扩散运动
t
数字电子技术基础第二章门电路课件
三极管的开关特性
数字电路中,三极管作为开关使用, 它工作在饱和区和截 止区,对应电路的两个状态
R 1A
0
&
B
&
&
Y
C
&
数字电子技术基础第二章门电路课件
【例3】 三层楼房,楼道只有一盏灯。试设计该楼道灯控制电 路。要求:在每一层均可控制开关。
开关—A、B、C
合——“1” 开——“0”
灯—Y
亮——“1” 灭——“0”
A、B、C Y
000
0
001
010
1
100
011
101 0
110 111 1
CB A Y 0 00 0 001 1 010 1 011 0 10 0 1 10 1 0 110 0 111 1
数字电子技术基础第二章门电路课件
组合逻辑电路设计
(1)根据设计要求,定义输入、输出逻辑变量,并给输 入、输出逻辑变量赋值,即用0和1表示信号的有关 状态;
数电第二章 门电路

ROFF =0,电压UAK =0.
2.1.2 二极管的开关特性
二极管符号:
阳极
+ uD -
阴极
伏安特性曲线:
Ui<0.5V时, 二极管截止, iD=0
UBR
0
iD(mA)
IF
0.5 0.7
uD(V)
伏安特性 Ui>0.7V时, 二极管导通
关门电阻Roff=0.7kΩ
以上分析说明: 悬空的输入端相当于接高电平。为了 防止干扰,一般将悬空的输入端接高电平。
TTL与非门在使用时多余输入端处理:
1. 若悬空,UI=“1”。 2. 接+5V。 3. 输入端并联使用。
讨论:TTL与门、或门、或非门 多余输入端如何处理
四、输入伏安特性——
反映输入电流iI和输入电压uI关系的曲线 1. 输入低电平,即uI=0V时
逻辑符号:
B
Y
二、二极管或门
A D1
Y
B D2
-12V
uA
uB
uY
0V 0V -0.3V
0V 3V 2.7V
3V 0V 2.7V
3V 3V 2.7V
uA
uB
uY
AB
Y
0V 0V -0.3V 0 0
0
0V 3V 2.7V
01
1
3V 0V 2.7V 1 0
1
3V 3V 2.7V 1 1
1
逻辑式:Y=A+B
R2
b1 c1 T1
T2
逻辑关系:全1则0。
R3
+5V
uO =0.3V Y
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矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。