第4章 半导体存储器及其接口
《半导体存储器》课件
嵌入式系统中的应用
半导体存储器广泛应用于 嵌入式系统，如智能家居、 汽车电子和工业控制。
计算机内存
半导体存储器是计算机主 存储器的重要组成部分， 用于临时存储数据和程序。
智能手机内存
手机内存运行应用程序和 存储数据，半导体存储器 提供了高速和可靠的数据 存取。
未来半导体存储器的发展方向
1 3D垂直存储器
《半导体存储器》PPT课 件
半导体存储器PPT课件大纲
什么是半导体存储器？
半导体存储器定义
半导体存储器是指使用半导体材料制造的存储器，它可以将数据存储在芯片内部的电子元件 中。
存储器的分类
常见的半导体存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）和 闪存存储器。
常见的半导体存储器
通过增加垂直堆叠层数来增加存储容量，提高存储密度和性能。
2 非易失性存储器
开发更加稳定和可靠的非易失性存储器，提供更长久的数据存储和保护。
3 全新器件技术
研发新型的器件结构和材料，以满足不断增长的存储需求和更高的速度要求。
总结
半导体存储器的重要性
半导体存储器在现代计算和通信领域发挥着关键作用，对技术和社会的发展产生积极影响。
静态随机存取存储器 （SRAM）
SRAM具有快速读写速度和较 短的访问时间，适用于高性 能的应用。
动态随机存取存储器 （DRAM）
DRAM具有较大的存储容量和 较低的成本，广泛应用于个 人电脑和服务器。
闪存存储器
闪存存储器具有非易失性和 较高的耐用性，适用于便携 设备的存储需求。
半导体存储器的工作原理
1
SRAM的工作原理
SRAM使用触发器实现数据的存储和读取，具有较快的访问速度和数据保持能力。
微型计算机系统原理及应用 第4章 半导体存储器
17
4．3 半导体只读存储器（ROM）
4.3.1 掩膜式只读存储器ROM ROM制造厂家按用户提供的数据，在芯片制造时
写定。用户无法修改。
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4.3.2 可编程的只读存储器PROM 只能写入一次。
19
4.3.3 可编程、可擦除的只读存储器EPROM
1. 紫外线擦除的EPROM 进行照射10～20min，擦除原存信息，成为全1状态。
8
2．静态RAM的结构 将多个存储单元按一定方式排列起来，就组成了一个静 态RAM存储器。
9
典型的SRAM 6116：2KB，A0~A10，D0~D7形成 128*16*8（每8列组成看作一个整体操作）的阵列
片选CS# 输出允许 OE#
读写控制 WE#
10
典型的SRAM芯片6264 (8KB)
29
存储器芯片的选用
RAM、ROM区别：
–ROM：ROM用来存放程序，为调试方便，多采用EPROM
–RAM：存储器容量不大，功耗较小时，可采用静态RAM；
系统较大，存储器容量很大，功能和价格成为主要矛盾， 要选择动态RAM，这时要考虑刷新问题。
组成存储器模块时，需要考虑的因素主要有：容
量、速度、负载等：
14
2. 双端口RAM举例
CY7C130/131/140/141 1K*8bit高速双端口SRAM A0~A9：地址线 I/O0~I/O7：数据线 CE#：片选 OE#：输出允许线 R/W#：读写控制 BUSY#： INT#：
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存储器的基本组成 半导体存储器的内部结构为例
译码电路： 重合译码方式 存储体：核心。一个 基本存储电路可存入 一个二进制数码
A12 A7 A6 A5 A4 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc WE CS 2 A8 A9 A 11 OE A 10 CS 1 D7 D6 D5 D4 D3
《半导体存储器》课件
制造设备
用于将掺杂剂引入硅片。
用于在硅片上生长单晶层 。
掺杂设备 外延生长设备
用于切割硅片。
晶圆切割机
制造设备
光刻机
用于将电路图形转移到硅片上。
刻蚀机
用于刻蚀硅片表面。
镀膜与去胶设备
用于在硅片表面形成金属层或介质层，并去 除光刻胶。
测试与封装设备
用于对芯片进行电气性能测试和封装成最终 产品。
分类
根据存储方式，半导体存储器可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ ROM）。
历史与发展
1 2 3
早期阶段
20世纪50年代，半导体存储器开始出现，以晶 体管为基础。
发展阶段
随着技术的进步，20世纪70年代出现了动态随 机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器 （SRAM）。
当前状况
现代半导体存储器已经广泛应用于计算机、移动 设备、数据中心等领域。
物联网和边缘计算
在物联网和边缘计算领域应用半导体存储器，实现高 效的数据存储和传输。
CHAPTER
05
案例分析：不同类型半导体存 储器的应用场景
DRAM的应用场景
01
DRAM（动态随机存取存储器）是一种常用的半导体存储器，广泛应 用于计算机和服务器等领域。
02
由于其高速读写性能和低成本，DRAM被用作主内存，为CPU提供快 速的数据存取。
外延生长
在硅片上生长一层或多 层所需材料的单晶层。
掺杂
通过扩散或离子注入等 方法，将掺杂剂引入硅 片。
制造流程
01
光刻
利用光刻胶将电路图形转移到硅片 上。
镀膜与去胶
在硅片表面形成金属层或介质层， 并去除光刻胶。
第4章半导体存储器-4.2高速缓冲存储器Cache
3、存储器管理
虚拟存储器：虚拟存储器是由主存－辅存物理结构和负责信息块 划分以及主存－辅存之间信息调度的存储器管理部件(MMU)的 辅助硬件及操作系统的存储器管理软件所组成的存储系统。 管理方式：页式虚拟存储器、段式虚拟存储器、段页式虚拟 存储器 虚拟地址：能访问虚拟空间的指令地址码称为虚拟地址。 物理地址：实际的主存地址。
地址对准实际上是保证数据的对准。 未对准的数据要在CPU内部经过字节交换，使其在数据线 上对准存储体。 非对准的字要两个总线周期，对相邻的两个字进行两次操 作，在CPU内部经过字节交换，最终完成读写。
№ 13
2、替换策略
先进先出FIFO：选择最早装入快存的页作为被替换 的页； 最近最少使用策略LRU：选择CPU最近最少访问的页 作为被替换的页
AD0 L H L H
读写的字节 两个字节（AD15—AD0） 高字节（AD15—AD8） 低字节 （AD7—AD0） 不读写
如何连接，满足读写一个字节的需要，又能达到读一个字（低 № 10 位字节在偶地址）？
� � � �
1、存储器的奇偶分体 偶地址（从0开始）单元组成偶存储体， 奇地址单元组成奇存储体。 偶体、奇体共同组成16位存储器系统 。 16位读写是从偶体中选中1个单元、 再从地址加1的奇体中选中1个单元同时读写 。
虚地址
…
段式虚拟存储器的映像
3）段页式虚拟存储器
3、段页式虚拟存储器 虚地址
基号
段号
段表 0
页号
页表
页内地址 实地址
段基址表 0 L N-1
段表 段表 长度 基址 ‥ 1 L-1
M
装入 段长 位
页表 下址
实页 装入 号 位
访问 方式
微机原理与接口技术ppt半导体存储器及接口ppt文档
4.1.1 半导体存储器分类
半导体存储器从使用功能上划分，可 分为两类： 读写存储器RAM(Random Access Memory)又称为随机存取存储器； 只读存储器ROM(Read Only Memory)。RAM 主要用来存放各种现场的输入输出数据、 中间计算结果、与外存交换的信息以及作 为堆栈使用，它的存储单元的内容按照需 要既可以读出，也可以写入或改写。
4.2.1 基本存储电路
为了节省面积，这种单管存储电路 的电容不可能做得很大，一般都比数据 线上的分布电容Cd小，因此，每次读出 后，存储内容就被破坏，要保存原先的 信息必须采取恢复措施。
4.2.1 基本存储电路
4.2.2 RAM的结构
一个基本存储电路表示一个二进制位 ，目前微型计算机的通常容量为128MB或 256MB，故需要 128M×8或256M×8个基本 存储电路，因而存储器是由大量的存储电 路组成的。这些存储电路必须有规则地组 合起来，这就是存储体。
译码，经过译码器的输出作为存储芯片的 片选信号，而地位地址作为存储芯片内单 元选择（片内地址）。
4.3 RAM与CPU的连接
4.3 RAM与CPU的连接
(2)部分译码法 部分译码法就是将高位的地址不全部
进行译码，只取部分地址线送译码器译码 ，经过译码器的输出作为存储芯片的片选 信号，而地位地址作为存储芯片内单元选 择（片内地址）。
RAM又分为系统区(即机器的监控程序或操 作系统占用的区域)和用户区，用户区又要 分成数据区和程序区。所以内存的地址分 配是一个重要的问题。另外，目前生产的 存储器，单片的容量仍然是有限的，所以 总是要由许多片才能组成一个存储器，这 就存在一个如何产生选片信号的问题。
半导体存储器
一、静态RAM
（一）六管静态存 储电路
Q7
Q8
图6-2 静态RAM存储单元电路
（二）静态RAM器件的组成
静态RAM器 件可分成三个部 分，分别是存储 单元阵列、地址 译码器和读/写控 制与数据驱动/缓 冲。一个典型的 静态RAM的示意 图如右图所示。
右图是一个1K×1 位的静态RAM器件的组 成框图。该器件总共可 以寻址1024个单元，每 个单元只存储一位数据。
数据（字操作,使用AD0～AD15），也可以只 传送8位数据（字节操作，使用AD0～AD7或 AD8～AD15）。
仅A0为低电平时，CPU使用AD0～AD7， 这是偶地址字节操作；仅为低电平时，CPU使用 AD8～AD15，这是奇地址字节操作。
若和A0同时为低电平时，CPU对AD0～ AD15操作，即从偶地址读写一个字，是字操作； 如果字地址为奇地址，则需要两次访问存储器。 如下表所示
2、Intel 2114是一个容量为1024×4位的静态 RAM ，Intel 2114是一个容量为1024×4位的静 态RAM其引脚和逻辑符号如下图所示。
引脚图
逻辑符号
（四）静态RAM与CPU的连接
进行静态RAM存储器模块与CPU的连接电路 设计时，需要考虑下面几个问题：
1、CPU总线的负载能力 2、时序匹配问题 3、存储器的地址分配和片选问题 4、控制信号的连接
若存储容量较小，可以 将该RAM芯片的单元阵 列直接排成所需要位数
的形式，每一条行选择 线（X选择线）代表一 个字节，每一条列选择 线（Y选择线）代表字 节的一个位，故通常把
行选择线称为字线，而 列选择线称为位线。
（三）静态RAM的例子
1、Intel 6116是CMOS静态RAM芯片，属双列直 插式、24引脚封装。它的存储容量为2K×8位，其 引脚及功能框图如下图所示。
《半导体存储器》课件
以上是半导体存储器的相关介绍
半导体存储器是计算机科学中至关重要的一部分，对于数据存储和访问具有重要意义。谢谢您的观看！
原理
DRAM存储器使用电容器存储每个位的电荷来表示数据，电荷需要定期刷新以保持数据的有 效性。
优缺点
DRAM存储器的优点是高容量和较低成本，但缺点是速度较慢且需定期刷新。
应用
DRAM存储器广泛应用于个人电脑、服务器和移动设备等场景，提供了大容量的内存存储。
SRAM存储器
原理
SRAM存储器使用触发器电路作 为存储单元，通过电流控制来保 持数据的稳定性。
1
原理
MOS存储器使用金属氧化物半导体场效应管作为存储单元，通过充电和放电来表 示数据的0和1。
2
分类
MOS存储器包括EPROM、EEPROM和闪存等不同类型，每种类型都有不同的读写 特性。
3
应用
MOS存储器被广泛应用于微处理器、存储卡和嵌入式系统等领域中，提供了非易 失性和高集成度。
DRAM存储器
存储器的作用
存储器用于储存和访问数据， 包括指令和数据，以供计算 机进行处理和操作。
TTL存储器
原理
TTL存储器使用晶体管和逻辑门 电路来储存和读取数据。
优缺点
TTL存储器的优点是速度快且稳 定可靠，但缺点是功耗较高。
应用
TTL存储器常用于高速缓存和存 储器芯片中，提供快速的数据 读写能力。
MOS存储器
优缺点
SRAM存储器的优点是速度快且 无需刷新，但缺点是占用空间较 大。
应用
SRAM存储器常用于高速缓存、 寄存器和高性能处理器等场景， 提供了快速的数据存取能力。
FLASH存储器
1
原理
《微机原理与接口技术》课程总结
《微机原理与接口技术》课程总结本学期我们学习了《微型计算机原理与接口技术》，总的来说，我掌握的知识点可以说是少之又少，我感觉这门课的内容对我来说是比较难理解的。
这门课围绕微型计算机原理和应用主题，以Intel8086CPU为主线，系统介绍了微型计算机的基本知识、基本组成、体系结构、工作模式，介绍了8086CPU的指令系统、汇编语言及程序设计方法和技巧，存储器的组成和I/O接口扩展方法，微机的中断结构、工作过程，并系统介绍了微机中的常用接口原理和应用技术，包括七大接口芯片：并行接口8255A、串行接口8251A、计数器/定时器8253、中断控制器8259A、A/D（ADC0809）、D/A （DAC0832）、DMA（8237）、人机接口（键盘与显示器接口）的结构原理与应用。
在此基础上，对现代微机系统中涉及的总线技术、高速缓存技术、数据传输方法、高性能计算机的体系结构和主要技术作了简要介绍。
第一章：微型计算机概论（1）超、大、中、小型计算机阶段（1946年-1980年）采用计算机来代替人的脑力劳动，提高了工作效率，能够解决较复杂的数学计算和数据处理（2）微型计算机阶段（1981年-1990年）微型计算机大量普及，几乎应用于所有领域，对世界科技和经济的发展起到了重要的推动作用。
（3）计算机网络阶段（1991年至今）。
计算机的数值表示方法：二进制，八进制，十进制，十六进制。
要会各个进制之间的数制转换。
计算机网络为人类实现资源共享提供了有力的帮助，从而促进了信息化社会的到来，实现了遍及全球的信息资源共享。
第二章：80X86微处理器结构本章讲述了80X86微处理器的内部结构及他们的引脚信号和工作方式，重点讲述了8086微处理器的相关知识，从而为8086微处理器同存储器以及I/O设备的接口设计做了准备。
本章内容是本课程的重点部分。
第三章：80X86指令系统和汇编语言本章讲述了80X86微处理器指令的多种寻址方式，讲述了80X86指令系统中各指令的书写方式、指令含义及编程应用；讲述了汇编语言伪指令的书写格式和含义、汇编语言中语句的书写格式。
东南大学电子信息工程第4章半导体存储器
21
DRAM芯片2164
存储容量为64K×1
16个引脚：
8根地址线A7～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 行地址选通RAS* 列地址选通CAS* 读写控制WE*
位
D
线
浮栅管
S
25
EPROM芯片2764
Vpp 1
A12 2
存储容量为8K×8
A7 3
28个引脚：
13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE*
能存放一位二进制数的器件称为一个存储 元。
若干存储元构成一个存储单元。
8
4.1.2 半导体存储器的分类
按使用属性
随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失
详细分类，请看图示
9
半导体 存储器
半导体存储器的分类
随机存取存储器 （RAM）
静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 同步动态RAM（SDRAM）
NC 1
DIN 2 WE* 3
RAS* 4
A0 5 A2 6 A1 7 GND 8
16 VSS 15 CAS*
14 DOUT 13 A6 12 A3 11 A4 10 A5 9 A7
22
4.3 只读存储器
EPROM EPROM 2764
EEPROM EEPROM 2864A
23
4.3.2 EPROM
6
存储器分级组成
集成度小的 静态RAM
第4章 存储器wy01-PPT精选文档
故与CPU接口时表现出更多的特殊性： 需定时动态刷新； 地址线要采用二路复用。
2164芯片64K×1位： 4个N行N列矩阵。
27×27=128×128； RAS CAS兼做片选； 数据线2线单向； 地址线二路复用； 一次刷新4×128单元； （RAS = 0, CAS = 1 ）
Flash ROM的应用： 主板、显卡BIOS 移动存储器 MP3播放器 数码相机、摄像机存储卡 嵌入式、便携式系统电子盘
4.2.2 存储器芯片的选用原则
1. ROM与RAM的选用
4个层面
2. ROM类型的选用
掩模ROM
PROM EPROM E2PROM Flash ROM
3. RAM类型的选用 4. 芯片型号的选用
SIMM（Single In-Line Memory Module） DIMM（Dual In-Line Memory Module） RIMM（Rambus In--Line Memory Module）
DRAM存储条实物样例
(a) 168线256MB SDRAM内存 条
(b) 184线256MB DDR SDRAM内 存条
SRAM DRAM IRAM NVRAM
保持电源 刷新 自带刷新 RAM+ROM
Flash ROM的特点:
兼具有EEPROM、SRAM和DRAM的优点： 速度高、密度大；非易失； 内含命令、状态寄存器，可在线编程； 可整片/按扇区/按页面/按字节擦写； 有数据保护、保密能力。
分级存储器结构 虚拟存储器结构
高速缓存的引入，把慢速的内
计算机组成原理 第 4 章 存储器系统(修改版)
磁芯存储器
2013-11-14
10
3.5英寸软盘
2013-11-14
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硬盘
2013-11-14
12
(2)半导体存储器
• 半导体存储器是用半导体器件组成的存储器。 • 根据制造工艺不同，可分为双极型和MOS型。
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U盘
2013-11-14
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(3) 光存储器
• 利用光学原理制成的存储器，它是通过 能量高度集中的激光束照在基体表面引 起物理的或化学的变化，记忆二进制信 息。如光盘存储器。
2013-11-14
3
4.1.1
存储器分类
• 1．按与CPU的连接和功能分类
• (1) 主存储器 CPU能够直接访问的存储器。用于存 放当前运行的程序和数据。主存储器设在 主机内部，所以又称内存储器。简称内存 或主存。
2013-11-14
4
(2) 辅助存储器
• 为解决主存容量不足而设置的存储器， 用于存放当前不参加运行的程序和数据。 当需要运行程序和数据时，将它们成批 调入内存供CPU使用。CPU不能直接访问 辅助存储器。 • 辅助存储器属于外部设备，所以又称为 外存储器，简称外存或辅存。
写操作（存操作） 地址 （MAR） AB
MEM
CPU MEM MDR
MEM
CPU
CB 读命令 （Read）
MEM
存储单 元内容 （M）
DB
MEM
CB 写命令 MEM （Write） DB 存储单元 MDR M
2013-11-14
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CPU与主存之间的数据传送控制方式
• 同步控制方式：数据传送在固定的时间间隔内 完成，即在一个存取周期内完成。 • 异步控制方式：数据传送的时间不固定，存储 器在完成读/写操作后，需向CPU回送“存储器 功能完成”信号（MFC），表示一次数据传送完 成。 • 目前多数计算机采用同步方式控制CPU与主存之 间的数据传送。 • 由于异步控制方式允许不同速度的设备进行信 息交换，所以多用于CPU与外设的数据传送中。
半导体存储器教案
第4章半导体存储器存贮器（Memory）是计算机的重要组成部件，用来存放程序和数据。
本章首先介绍半导体存贮器的分类、组成及主要性能指标；然后介绍CPU运行过程中能随时进行数据读写的随机存储器（RAM），包括静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）；接着介绍只读存储器（ROM），包括掩膜ROM和可编程ROM；最后介绍存储器与CPU的接口技术。
4.1 概述存储器是用以存放信息的部件，其职能是存放用二进制数表示的程序和数据，有了它，计算机才能“记住”信息，并按程序的规定自动运行。
存储器是具有记忆功能的部件，它是由大量的记忆单元（或称基本存储电路）组成，而记忆单元是用一种具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数的0和1，这种物理器件可以是磁芯、半导体器件等。
位(bit)是二进制数最基本的单位，一个记忆单元能存储二进制数的一位。
随着CPU速度的不断提高和软件规模的不断扩大，人们当然希望存储器能同时满足速度快、容量大、价格低的要求。
但实际上这一点很难办到，解决这一问题的较好方法是，设计一个快慢搭配、具有层次结构的存储系统。
图4.1显示了新型微机系统中的存储器组织。
它呈现金字塔形结构，越往上存储器件的速度越快，CPU的访问频度越高；同时，每位存储容量的价格也越高，系统的拥有量越小。
图中可以看到，CPU中的寄存器位于该塔的顶端，它有最快的存取速度，但数量极为有限；向下依次是CPU内的Cache（高速缓冲存储器）、主板上的Cache（由SRAM组成）、主存储器（由DRAM组成）、辅助存储器（半导体盘、磁盘）和大容量辅助存储器（光盘、磁带）；位于塔底的存储设备，其容量最大，每位存储容量的价格最低，但速度可能也是较慢或最慢的。
4.1.1 半导体存储器的分类由于半导体存储器具有存取速度快、集成度高、体积小、功耗低、应用方便等优点，它已被广泛地采用组成微型计算机的内存储器，其种类很多。
1．按制造工艺分类可以分为双极型和金属氧化物半导体型两类。
微机原理 第4章
可擦除可编程的ROM（EPROM）
特点：芯片的上方有一个石英玻璃的窗口，通过紫 外线照射，芯片电路中的浮空晶栅上的电荷会形成光 电流泄漏走，使电路恢复起始状态，从而将写入的信 号擦去。
顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除 原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）编程 编程后，应该贴上不透光封条
扩充存储器的数据宽度
用8b*32K的 EPROM芯片 27C256进行字节 数扩充，组成8b *64K的EPROM子 系统
RAS
动态RAM的刷新：
为保持电容CS中的电 荷不丢失，必须对动 态RAM不断进行读出 和再写入 CD数据线上分布电容
TS门控管
DRAM控制器的原理图
DRAM控制器的功能： （1）时序功能 （2）地址处理功能 （3）仲裁功能 P136
4.1.4 随机存取存储器RAM 1.SRAM 速度快 不需要刷新 片容量低 功耗大 2.DRAM 片容量高 需要刷新
4.选择存储器件的考虑因素
① 易失性：电源断开之后，存储器的内容是否 丢失。 ② 只读性 ③ 存储容量：每个芯片中的存储单元的总数。 ④ 速度：用存储器访问时间来衡量。访问时间 是指存储器接收到稳定地抵制信号到完成操作 的时间。 ⑤ 功耗
5. 半导体存储器的特点与分类
半导体存储器的特点： 1. 速度快，储存时间为ns级 2. 集成化 3. 非破坏性读出 半导体存储器分类: A. 从器件组成角度： 1.双极性存储器TTL（Transistor- Transistor Logic）， 特点是速度快，功耗较低，集成度低。 2.单极性存储器是用MOS（Metal-Oxide-Semiconductor） 制成的存储器， 特点是集成度高，功耗低，价格便宜。
第四章半导体存储器
一、静态RAM 三、RAM的基本结构
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
二、动态RAM 四、RAM举例
读出过程： 在送上地址码的同时，还要 送上读/写控制信号（R/W 或RD、WR）和片选信号 （CS）。读出时，使R/W ＝１，CS＝０，这时，输 出缓冲寄存器的三态门将被 打开，所存信息送至DB上。 于是，存储单元中的信息被 读出。
8根数据线 存储容量＝1024×8=8K 位(bit)＝1K字节(byte)
第四章 半导体存储器
第一节 概述
半导体存储器的组成：一般由存储体、地址选择电路、输 入输出电路和控制电路组成。
第四章 半导体存储器
第一节 概述
一、存储器的分类 二、半导体存储器的分类 三、半导体存储器的指标 (一) 容量
1.信息存放：电容C有电荷时，位
逻辑1.
2.电容漏电现象：刷新（2ms）
3. 写数据 (1)行、列选择线高电平
(2)数据输入/输出线高电平 电容C充电，为高电平。 (3)数据输入/输出线低电平 电容C放电，为低电平。
单管动态存储电路
第四章 半导体存储器
第二节
一、静态RAM 二、动态RAM
随机读写存储器（RAM）
长期保存，只要不掉电，信息可长期储存，需要大量的MOS管， 集成度低。
动态RAM(DRAM): 使用电容作存储元件，需要刷新电路。电路
简单，集成度高，反应快，功耗低，但电容中电荷由于漏电会逐 渐丢失，所以需要定时刷新电路。
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
一、静态RAM (一) 静态RAM的基本存储电路（6个MOS管组成）
第四章 半导体存储器
第一节 概述
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第4章 半导体存储器及其接口
1．若存储空间首地址为1000H ，写出存储器容量分别为1K ×8，2K ×8，4K ×8，8K ×8时所对应的末地址。
2．某 RAM 芯片的存储容量为 1024 × 8 位，该芯片的外部引脚应有几条地址线？几条数据线？若已知某 RAM 芯片引脚中有 13 条地址线， 8 条数据线，那么该芯片的存储容量是多少？
3．用 Intel 2114 1K × 4 位的 RAM 芯片组成 32K × 8 位的存储器，需要多少块这样的芯片？
4．某系统的存储器中配备有两种芯片；容量分别为2K × 8的EPROM 和容量为1K × 8的RAM ，它采用74LS138译码器产生片选信号：0Y ，1Y ，2Y 直接接到三片EPROM （1#，2#，3#）；4Y ，5Y 则通过一组门电路产生四个片选信号接到4片RAM （4#，5#，6#和7#）。
如图所示，试确定每一片存储器的寻址范围。
5．试用HM6116芯片（SRAM，2K × 8）组成8K × 8的RAM，要求画出它与8086CPU 的连线图，起始地址为80000H。
6．试设计62256（32K × 8）与8086CPU相连接，绘出连线图，设起始地址为40000H。