TDMA噪声的来源和解决方法
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好多手机都会产生恼人的TDMA噪声,频率为217Hz 偶觉得其产生的原因如下两种途径:
1,天线辐射出的射频能量干扰此种干扰可被33PF电容有效滤除, 即在Receiver两端分别对地加电容,两端间再加一电容,共3个电容即可.
2,PA突发工作时带动电源产生的干扰此种干扰无法滤除,因为217Hz的频率实在是太低啦,又恰好与receive r的音频重叠在一起.无法从频率上分开信号与干扰.
目前,偶搞一个车载项目,其中的earP 和 earN本来是差分信号, 可其后端放大芯片是单端的. 差分时听不明显, 但单端时,那简直是相当地明显啊!!而且与天线放得远近还无关.
GSM的TDMA每个timeslot(时隙)为577uS,每帧有8个timeslot,即每帧长为577us×8=4.616ms。
GSM是收发双工的,也就是只要处于通信状态,发射帧是连续发送的。PA在每次发射是都会有一个burst 大电流的需求,电源电路就会把这个噪声串到整个电路板上。
so:217HZ=1/frame=1/4.616ms,,,我认为可以从两个方面考虑:
1。如果是电源上来的,可以考虑电源的隔离,用多级电源变换或regulator来增加隔离,这个问题可以通过用外加电源来判断。
2。有可能是PA输出耦合到音频电路上,也就是说PCB的layout可能不好,这时和天线没有多少关系,是从PCB板上耦合的这时就很麻烦了。通常PCB板上RF信号会有60~80dB左右的隔离。可以看看是在什么地方耦合了RF信号,找到后就可以去偶处理了。
还需要确认的一点就是,是GSM频段还是DCS频段下的TDMA问题,因为两个频段都有产生TDMA的可能,但需要用不同的PF级电容去滤除(需要在变成217Hz的音频信号之前滤才有用)。而且不是所有的33pF电容都是可以滤900M的干扰的,不同厂家对应不同的值来滤900M干扰~!
串电阻可以减小该TDMA的噪声,同时加大RECEIVER的输出增益,电阻大小可根据调试情况而定(针对PA突发工作时带动电源产生的干扰)关键在layout,能保证50db以下的噪声频谱即可,217hz无非是由于射频burst 造成的,CDMA不存在。
对于TDMA噪声最好是能通过走线来预防,如果将信号线都屏蔽好了,那TDMA干扰的几率也小多了,当然走线时也会有实际的困难,如果真的出现问题可以尝试以下方法:
1.典型的就是加滤波电容:39p,33p,10p等,针对不同频段而定.实际也要试一下看哪个值的效果更好.
2.在信号线上串小一点的电阻,当然会对信号有衰减,但通过调整DSP增益可以补偿回来.
3.尝试加一下pi型电路(一般耳机可以考虑这个方法).
TDMA noise 的一些处理方法
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TDD noise 的一些处理方法
(转)
1)好多手机都会产生恼人的TDMA噪声,频率为217Hz. 其产生的原因如下两种途径:
a,天线辐射出的射频能量干扰
此种干扰可被33PF电容有效滤除, 即在Receiver两端分别对地加电容,两端间再加一电容,共3个电容即可.
b, PA突发工作时带动电源产生的干扰
此种干扰无法滤除,因为217Hz的频率实在是太低啦,又恰好与receiver的音频重叠在一起.无法从频率上分开信号与干扰.
不够如上所述b的情况, 实际操作也是可以降低影响的:
在PCB layout时,RFPA、PMIC、以及音频的APA几个直接连在电池VBAT上的耗电大户,应该分别直接从电池连接器上引线,而不要从一个干线上引线。
也就是,几个单元之间不要有公共的供电路径,这样,可最小化电源产生的干扰。
(2)串电阻可以减小该TDMA的噪声,同时加大RECEIVER的输出增益,电阻大小可根据调试情况而定(针对PA突发工作时带动电源产生的干扰)
(3) GSM的TDMA每个timeslot(时隙)为577uS,每帧有8个timeslot,即每帧长为577us×8=4.616m s。GSM是收发双工的,也就是只要处于通信状态,发射帧是连续发送的。PA在每次发射是都会有一个burst大电流的需求,电源电路就会把这个噪声串到整个电路板上。
(4) a,走线要并行走且用的保护
b,走线避免临近大信号区
c,音频电源要干净
d,mic的偏置电源、地要保护好
(5) a,如果走線太長, receiver AMP 必須盡量靠近CPU端.可以在audio訊號受到干擾前先放大聲音訊號
b, 22pF電容比33pF有效..最好是加再receiver兩端
c, receiver兩端的走線盡量靠近.上下包GND
(6)差分线上的干扰信号可以表示为一个共模干扰部分+差摸干扰部分,差分线之间的电容是为了去差摸干扰,而每根线到地的电容是为了去共模干扰。
比如给MIC,听筒,speaker的这类差分信号线的保护:现在每条线上有2n幅度的干扰。
1.如果只有每条线到地的电容、一条线被滤成1n了,另一条被滤成0.7n,这些干扰还是会进入末端器件。
而如果你在线上跨接一个电容,则可以为这部分噪声提供一个路径,避免进入末端器件。
2.而如果你只有一个跨接电容,没有到地电容,则由于电容两边信号完全一样,丧失了该电容的作用。
因此,需要这3个电容组合起来使用,才能发挥最佳效果。
(7)不同容值,材料的电容,谐振频率不一样,用来滤掉特定频率的干扰,需要选合适谐振频率的电容。所以很多地方滤波都有大大小小不同容值电容并联。
(8)bead滤除高频noise,虽然其本身听不见,但如果这个noise以一定的频率(音频范围)出现(比如GSM中的TDD noise),这样,其就会造成可听见的噪音。还有出于EMI的考虑,通常音频通路比较长,比如喇叭的绕线,耳机线等,会拾取和发射高频noise,所以要添加bead滤掉。
(9)电容的规格书上有曲线图,每个电容对不同的频率都有一个ESR,有一个最小值。电容在低于其谐振频率时候其呈现的是容性,等于谐振频率时表现为电阻性,高于谐振频率时表现为电感性。同样容值不同类型的电容的ESR也会有很大差别,其表现出来的谐振点也会有区别。即使同是陶瓷电容,NPO,Z5U,X7R, Y5V等等之间的频率特性就不一样,再加上走线也会产生寄生电感,所以说一定要针对哪个电容针对哪个频段是很难确定的。
(10)音频线上,比如耳机接口上、Mic、Speaker、Receiver线上,串磁珠其实也挺常见的,特别是在耳机线上。当然主要的目的是减少EMI,耳机线很长,相当于天线,串上磁珠可以阻塞高频率的噪声通过耳机线向外辐射。在Mic、Speaker、Receiver上,其实是有一点多此一举,如果连接的Cable很短的话。针对射频对音频的干扰,则一般通过小电容的滤波来解决,而用不着磁珠。其实很多电路,都是那些似懂非懂的人做出来的。还是需要从基本原理去理解各种器件的特性及其在电路中的作用来着手,思考其是否有用,是否必要。
(11)通常耳机电路都是需要隔值钽电容的,大概在百uf级(现在有专用的capless驱动芯片,可以省去电容)。这个TAN电容的ESR相当于增加了耳机的负载,会降低耳机的输出功率。但同样有助于改善低频响应。通常选这标准品TAN电,其ESR大约几个ohm,影响不至于太大。
通常耳机上的隔值电容不会选择百uF级的,因为价格将非常贵、尺寸非常的大,且耳机的动态响应也较差,一般的做法是串一颗电阻了,“牺牲一些功率,来获得较好的低频效果”。
百uF的确实用得不多,一般都是用10uF、22uF、47uF等钽电容,保持低频截止频率在50Hz以下,对普通手机、普通耳机来说,已经足够
(12)我们的任务主要是滤除GSM的TDD noise。因为GSM的最大发射功率有33dbm,而DCS的最大发射功率只有30db,功率比GSM大约小一倍,所以干扰一般也比较小。
(13)两种TDD测试方法: